Горячая линия:
Москва
Центральный офис:
Контакты Дилеры
онлайн-справочник

Постановление Правительства Республики Казахстан от 05.02.2008 № 104

Постановление Правительства Республики Казахстан
от 5 февраля 2008 года N 104
"Об утверждении номенклатуры (списка)
продукции, подлежащей экспортному контролю"

 

(в ред. Постановлений Правительства РК
от 15.04.2011 N 418, от 18.06.2013 N 618,
от 09.12.2014 N 1283, от 17.10.2012 N 1320
от 20.12.2013 N 1372, от 28.12.2015 N 1083)

 

 

В целях реализации Закона Республики Казахстан от 21 июля 2007 года "Об экспортном контроле" Правительство Республики Казахстан ПОСТАНОВЛЯЕТ:

1. Утвердить прилагаемую номенклатуру (список) продукции, подлежащей экспортному контролю.

2. Признать утратившим силу постановление Правительства Республики Казахстан от 18 августа 2000 года N 1282 "Об утверждении списка продукции, подлежащей экспортному контролю в Республике Казахстан" (САПП Республики Казахстан, 2000 г., N 36-37, ст. 436).

3. Настоящее постановление вводится в действие с 9 февраля 2008 года и подлежит официальному опубликованию.

 

Премьер-Министр
Республики Казахстан

 

 

Утверждена
постановлением Правительства
Республики Казахстан
от 5 февраля 2008 года N 104

 

НОМЕНКЛАТУРА (СПИСОК)
ПРОДУКЦИИ, ПОДЛЕЖАЩЕЙ ЭКСПОРТНОМУ КОНТРОЛЮ
 
(в ред. Постановлений Правительства РК
от 15.04.2011 N 418, от 18.06.2013 N 618,
от 09.12.2014 N 1283, от 17.10.2012 N 1320
от 20.12.2013 N 1372, от 28.12.2015 N 1083)
 
ТОВАРЫ И ТЕХНОЛОГИИ ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ (НАЗНАЧЕНИЯ)
 
ОБЩИЕ ПРИМЕЧАНИЯ ПО СПИСКУ

 

1. Для контроля над товарами, разработанными или измененными для военного применения, обратитесь к соответствующему списку/-ам по контролю над товарами военного назначения. Ссылки в данном списке с текстом "Также смотреть контроль над товарами военного назначения" ссылаются на эти же списки.

2. Объект контроля, занесенный в данный список, не должен освобождаться от контроля при экспорте неконтролируемых товаров (включая растения), содержащих один или более контролируемых компонентов, являющихся основной частью товаров и могут быть легко удалены или использованы для другого применения.

Особое примечание: При рассмотрении контролируемого компонента или компонентов с целью их отнесения к основной части необходимо взвесить такие факторы как количество, ценность и используемые технологическое ноу-хау, а также прочие особые факторы, способные установить факт: является ли контролируемый компонент или компоненты основной частью приобретаемых товаров.

3. Товары, указанные в данном списке, включают как новые, так и бывшие в употреблении.

4. Коды ТН ВЭД являются рекомендательными и вспомогательными кодами в процессе идентификации и соотнесения товаров (услуг) к продукции двойного и военного назначения. Коды ТН ВЭД могут быть не полными или не охватывать все контролируемые позиции, и могут не соответствовать техническим параметрам контролируемой позиции. Окончательное решение по идентификации и соотнесению той или иной продукции к двойному или военному назначению определяется техническими параметрами контролируемой продукции данного списка.

5. Структура списка продукции двойного назначения состоит из 10 категорий, которое включает следующие категории:

Определение терминов используемых в списке;

Категория 0- Ядерные материалы, установки и оборудование;

Категория 1- Материалы, химикаты, "микроорганизмы" и "токсины";

Категория 2- Обработка материалов;

Категория 3- Электроника;

Категория 4- Вычислительная техника;

Категория 5- Телекоммуникации и "Защита информации";

Часть 1. Телекоммуникации;

Часть 2. "Защита Информации";

Категория 6- Датчики и лазеры;

Категория 7- Навигационное оборудование и авиационная электроника;

Категория 8- Морское дело;

Категория 9- Двигательные установки, космические аппараты и сопутствующее оборудование.

Каждая категория включает 4 технические группы продукции двойного назначения:

А - Аппаратура, узлы и компоненты;

В - Производственное и испытательное оборудование;

С - Материалы;

D - Программное обеспечение;

Е - Технологии.

В технической группе имеется ссылка на многосторонние и односторонне режимы экспортного контроля:

000-099 - Вассенаарские договоренности (ВД);

100-199 - Режим контроля ракетных технологий (РКРТ);

200-299 - Группа ядерных поставщиков (ГЯП);

300-399 - Австралийская группа (АГ);

400-499 - Конвенция по запрещению химического оружия (КХО);

500-899 - Резерв;

900-999 - Односторонние списки.

 

Примечание по ядерной технологии
(Читать вместе с частью "Е" категории 0)

 

"Технология" непосредственно связанная с любым товаром, контролируемым в Категории 0, контролируется в соответствии с положениями Категории 0.

"Технология" для "разработки", "производства" или "использования" товаров, находящихся под контролем, остается под контролем, даже если применяется в отношении к неконтролируемым товарам.

Утверждение товаров для экспорта одновременно разрешает экспорт данному конечному пользователю минимума "технологий" необходимого для инсталляции, работы, технического обслуживания и ремонта товаров.

Контроль над передачей "технологии" не распространяется на информацию в "общественной сфере" или на "фундаментальные научные исследования".

 

Общее примечание по технологии
(Читать вместе с разделом "Е" Категорий 1-9)

 

Экспорт "технологии", необходимой для "разработки", "производства" или "использования" товаров, контролируемых Категориями 1-9, контролируется согласно положениям Категорий 1-9.

"Технология" "необходимая" для "разработки", "производства" или "использования" товаров, находящихся под контролем, остается под контролем даже в отношении к неконтролируемым товарам.

Контроль не распространяется на "технологию", которая является необходимым минимумом для инсталляции, работы, технической поддержки (проверки) и ремонта тех товаров, которые не контролируются или чей экспорт разрешен.

Особое примечание: Данным не освобождается "технология" указанная в 1Е002.е., 1Е002.f., 8Е002.а., и 8Е002.b.

Контроль над передачей "технологии" не распространяется на информацию в "общественной сфере" или на "фундаментальные научные исследования" или на минимум необходимой информации для оформления патентной заявки.

 

Общее примечание по программному обеспечению
(Данное примечание имеет приоритет над любым контролем раздела "D"
Категорий 0-9)

 

Категориями 0-9 данного списка не контролируется "программное обеспечение", которое либо:

а) Доступно для общественного пользования, поскольку:

1. Продается со склада в розничных торговых точках без каких-либо ограничений посредством:

a. сделок за наличные;

b. почтового перевода;

c. электронной оплаты; или

d. заказа по телефону; и

2. Разработано для инсталляции потребителем без существенной дальнейшей поддержки со стороны поставщика; или

Особое примечание: Пунктом "а" Общего примечания по программном обеспечении не освобождается "программное обеспечение", указанное в Категории 5 - Часть 2 ("Защита информации").

b) находится в "общественной сфере".

 

Определение терминов используемых в списке
 

(Подраздел в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

 

"Точность" (2, 6) - величина, обычно измеряемая в плане погрешности, что означает максимальное отклонение, положительное или отрицательное, указанной величины от принятого стандартного или правильного значения.

"Активные системы управления полетом" (7) - системы, функционирующие для предотвращения нежелательных отклонений или структурных нагрузок "летательного аппарата" и ракеты посредством автономной обработки выходных сигналов нескольких измерительных датчиков и выдачи необходимых предупредительных команд с целью реализации автоматического контроля.

"Активный пиксел" (6, 8) - минимальный (единичный) элемент твердотельной решетки, обладающий фотоэлектрической передаточной функцией при действии светового (электромагнитного) излучения.

"Приспособленный для военного применения" (1) - претерпевший любые видоизменения или отбор по определенным качествам (например, по количеству примесей, сроку годности при хранении, вирулентности, передаче свойств, устойчивости к воздействию ультрафиолетового излучения) с целью повышения эффективности воздействия на людей и животных или ухудшения характеристик оборудования, плодородия почвы или окружающей среды.

"Летательные аппараты" (1, 7, 9) – летательные аппараты с неподвижным крылом, поворотным крылом, вращающимся крылом (вертолет), поворотным несущим винтом или крылом изменяемой стреловидности.

Особое примечание: См. также "гражданские летательные аппараты".

"Все доступные корректировки" (2) - означает, что производителем были рассмотрены все практически возможные меры по минимизации всех систематических погрешностей позиционирования для конкретной модели станка.

"Выделение частот по ITU" (3 5) - означает, что выделение диапазона частот производится в соответствии с Положениями о регламенте радиосвязи Международного союза телекоммуникаций (редакция 1998 года) для основных (первичных), разрешенных и вторичных услуг связи.

Особое примечание: Дополнительное и альтернативное выделение не учитывается.

"Отклонение углового положения" (2) - максимальная разница между угловым положением и действительным положением по углу, измеренному с очень высокой точностью после того, как закрепленная после обработки деталь повернута относительно исходного положения (см. VDI/VDE 2617, Рабочий вариант: "Таблицы зависимости поворота от механизмов измерения координат".

"Ассиметричный алгоритм" (5) означает криптографический алгоритм, использующий различные, математически зависимые ключи для кодирования и декодирования.

Особое примечание: Пример практического использования "ассиметричных алгоритмов" это управление ключом.

"Автоматическое сопровождение цели" (6) - метод обработки, который автоматически определяет и обеспечивает в качестве выходного сигнала экстраполированное значение наиболее вероятного положения цели в реальном масштабе времени.

"Время задержки основного логического элемента" (3) - время задержки сигнала, соответствующее прохождению через основной логический элемент, используемый в "семействе" "монолитных интегральных схем". Оно может быть определено для данного "семейства" либо через время задержки прохождения сигнала через типичный логический элемент, либо через типичное время задержки прохождения логического элемента.

Особое примечание 1: "Время задержки основного логического элемента" не следует путать со временем задержки между выходным и входным сигналами сложной "монолитной интегральной схемы".

Особое примечание 2: "Семейство" включает в себя всю совокупность интегральных схем, объединенных нижеследующими признаками, которые относятся к технологии производства и техническим условиям, но не касаются их функционального предназначения:

а) одинаковая архитектура интегральных схем и программного обеспечения;

б) одинаковая конструкция и применяемая технология; и

в) одинаковые основные характеристики.

"Фундаментальные научные исследования" - экспериментальные или теоретические работы, проводимые главным образом с целью получения новых знаний об основополагающих принципах или наблюдаемых фактах, не направленные непосредственно на достижение конкретной практической цели или решение конкретной задачи.

"Смещение" (акселерометра) (7) - выходной сигнал акселерометра в отсутствие приложенного ускорения.

"Биение" (2) - радиальное смещение за один оборот основного шпинделя, измеренное в плоскости, перпендикулярной оси шпинделя в точке измерения на внешней или внутренней поверхности вращения (источник - ISO 230/1 1986, параграф 5.63).

"Углеродные волокнистые преформы" (1) - упорядоченно расположенные непокрытые или покрытые волокна, образующие каркас изделия, который затем заполняется "матрицей", в результате чего формируется "композиционный материал".

"ВЭ" - эквивалентно "вычислительному элементу".

"КВО" (круговое вероятностное отклонение) (7) - величина, измеряющая точность; радиус круга, в центре которого находится цель, на определенном расстоянии, в котором действует 50 % полезной нагрузки.

"Химический лазер" (6) - лазер, в котором возбужденная среда формируется за счет выходной энергии химической реакции.

"Химическая смесь" (1) - означает твердый, жидкий или газообразный продукт, получившийся из двух или более компонентов, которые не взаимодействуют друг с другом в условиях хранения смеси.

"Системы контроля направления или противовращения с контролируемой циркуляцией" (7) - системы контроля, которые используют воздушные потоки вдоль аэродинамических поверхностей для усиления или контроля сил, порождаемых поверхностями.

"Гражданские летательные аппараты" (1 7 9) - "летательные аппараты", перечисленные в соответствии с обозначенными в опубликованных сертификационных списках летной годности для полетов на коммерческих гражданских внутренних и внешних авиалиниях или узаконенного гражданского, частного использования или для целей бизнеса.

Особое примечание: См. также "летательные аппараты".

"Связанные" (1) - имеющие сопряжение намоток термопластичных волокон и упрочнение волокон с целью получения комбинации армированной волокнами "матрицы" в общей волоконной форме.

"Измельчение" (1) - процесс измельчения материала посредством размалывания или просеивания.

"Передача по общему каналу" (5) - метод передачи, при котором по одному каналу, между станциями, передается посредством помеченных сообщений информация относительно количества каналов или вызовов или другая информация, используемая для управления сетью.

"Контроллер канала связи" (4) - физический интерфейс, контролирующий поток синхронной или асинхронной цифровой информации. Это блок, который может быть встроен в компьютер или телекоммуникационное оборудование для обеспечения доступа к использованию связи.

"Композиционный материал" (1, 2, 6, 8, 9) – "матрица" и дополнительная фаза или дополнительные фазы, состоящие из частиц, нитевидных кристаллов, волокон или их любой комбинации, разработанные для определенной цели или целей.

"Совокупная теоретическая производительность" ("СТП") (3, 4) - мера производительности вычислений, выраженная в миллионах теоретических операций в секунду (Мтопс), полученная в результате агрегирования "вычислительных элементов" (ВЭ).

Особое примечание: См. Категория 4, Техническое примечание.

"Составной вращающийся стол" (2) - стол, позволяющий вращать и наклонять деталь вокруг двух непараллельных осей, управление по которым может координироваться для контурного управления".

"Вычислительный элемент" (ВЭ) (4) - наименьшая вычислительная единица, которая выполняет арифметические или логические действия.

"Контурное управление" (2) - движение по двум или более осям с "числовым управлением", осуществляющимся в соответствии с инструкциями, которые определяют следующее требуемое положение и требуемые скорости подачи к этому положению. Эти скорости подачи варьируются в связи друг с другом, что и образует искомый контур (см. ISO/DIS 2806-1980).

"Критическая температура" (1 3 6) (иногда называемая температурой перехода) определенного "сверхпроводящего" материала - температура, при которой материал полностью теряет сопротивление к прохождению электрического тока.

"Криптография" (5) - дисциплина, включающая принципы, средства и методы преобразования информации в целях сокрытия ее содержания, предотвращения видоизменения или несанкционированного использования. "Криптография" ограничена преобразованием информации с использованием одного или более "секретных параметров" (например, криптографических переменных) или соответствующим управлением ключом.

Особое примечание: "Секретный параметр" - константа или ключ, известный только определенной группе лиц и не дающий доступа к информации для других лиц.

"СТП" - эквивалентно "совокупной теоретической производительности".

"Навигационные системы на основе эталонных баз данных" (7) - системы, которые используют различные источники априорных измерений геокартографических данных, комплексно обеспечивающие точную навигационную информацию при динамических режимах. Информационные источники включают в себя батиметрические карты, звездные карты, гравитационные карты, магнитные карты или трехмерные цифровые карты местности.

"Деформируемые зеркала" (6) (известные также как адаптивные оптические зеркала) - зеркала, имеющие:

a. Одну непрерывную оптическую отражающую поверхность, которая деформируется динамически посредством приложения отдельных сил или скручивающих моментов для компенсации искажений оптического сигнала, падающего на зеркало;или

b. Многоэлементные оптические отражатели, положение которых отдельно и независимо меняется посредством приложения отдельных сил или скручивающих моментов для компенсации искажений оптического сигнала, падающего на зеркало.

"Обедненный уран" (0) - уран, в котором содержание изотопа 235 ниже, чем в природном уране.

"Разработка" - все стадии работ вплоть до серийного производства, такие как: проектирование, проектные исследования, анализ проектных вариантов, выработка концепций проектирования, сборка и испытание прототипов (опытных образцов), создание схемы опытного производства и технической документации, процесс передачи технической документации в производство, структурное проектирование, макетирование.

"Диффузионная сварка" (1 2 9) - твердофазное соединение на молекулярном уровне, по меньшей мере, двух отдельных металлов в единое целое, с прочностью соединения, эквивалентной прочности соединения слабейшего материала.

"Цифровая ЭВМ" (4 5) - аппаратура, которая может в форме одной или более дискретных переменных выполнять все следующие функции:

a. Принимать вводимые данные;

b. Хранить данные или команды в постоянных или изменяемых (переписывающих) устройствах хранения;

c. Хранить данные или команды в постоянных или изменяемых (переписывающих) устройствах хранения; и

d. Обеспечивать вывод данных.

Особое примечание: Видоизменения записанной последовательности команд включают замену устройств постоянной памяти, но не изменения проводимых соединений или контактов.

"Скорость цифровой передачи" - общая скорость передачи информации в битах, которая непосредственно передается через любой тип среды.

Особое примечание: См. также "Общая скорость цифровой передачи".

"Непосредственное гидравлическое прессование" (2) - процесс деформирования, в котором применяется заполненная жидкостью гибкая камера, находящаяся в непосредственном контакте с заготовкой.

"Скорость дрейфа" (гироскопа) (7) - производная по времени отклонения от требуемого выходного сигнала. Состоит из случайной и систематической компонент и выражается как эквивалентное входное угловое смещение относительно инерциального пространства в единицу времени.

"Динамическая адаптивная маршрутизация" (5) - автоматическое изменение маршрута передачи сообщений на основе измерения и анализа текущих условий работы сети.

Особое примечание: Сюда не входят случаи решений об изменении маршрута передачи сообщений на основе предварительно имевшейся информации.

"Динамические анализаторы сигнала" (3) - "анализаторы сигнала", которые используют цифровую выборку сигнала и методы ее преобразования для получения Фурье-спектра данного сигнала, включая информацию об его амплитуде и фазе.

Особое примечание: См. также "анализаторы сигнала".

"Эффективный грамм" (0 1) - для "специальных расщепляющихся материалов" значит:

a. Для изотопов плутония и урана - 233 - вес изотопа в граммах;

b. Для урана, обогащенного изотопом уран - 235 (1 % или больше) - вес элемента в граммах, умноженный на корень квадратный из обогащения, выраженного как десятичная доля по весу;

c. Для урана, обогащенного изотопом уран - 235 (менее 1 %) - вес элемента в граммах, умноженным на 0,0001;

"Электронная сборка" (3 4 5) - некоторое количество электронных компонентов (например, "элементов схемы", "дискретных компонентов", интегральных схем и так далее), соединенных для выполнения определенной(ых) функции(й), подлежащих замене и разборке.

Особое примечание 1: "Элемент схемы" - отдельная активная или пассивная деталь электронной схемы, такая как один диод, транзистор, резистор, конденсатор и тому подобное.

Особое примечание 2: "Дискретный компонент" - "элемент схемы" в отдельном корпусе с собственными внешними выводами.

"Фазированная антенная решетка с электронным сканированием луча" (5 6) - антенна, формирующая луч посредством выбора фазовых соотношений, то есть направление луча управляется выбором комплексных коэффициентов возбуждения излучательных элементов, и направление этого луча может изменяться по углу азимута и углу места или обоим посредством приложения электрического сигнала, как при приеме, так и при передаче.

"Рабочие органы" (2) - захваты, "активные инструментальные узлы" и любые другие инструменты, которые крепятся на опорной решетке на конце ручного манипулятора "робота".

Особое примечание: "активные инструментальные узлы" - устройства для приложения к заготовке (детали) измерительных датчиков или энергии для ее перемещения или обработки.

"Эквивалентная плотность" (6) - масса оптических единиц на единицу оптической площади, спроецированной на оптическую поверхность.

"Экспертные системы" (7) - системы, обеспечивающие результаты посредством применения правил к информации, которая хранится независимо от "программы", и обладающие любой из следующих характеристик:

a. Автоматической модификацией исходного кода (текста программы), введенной пользователем;

b. Обеспечением знаний, связанных с некоторым классом проблем в квазиестественном языке;или

c. Приобретением знаний, требуемых для их разработки (символьное обучение).

"ПАЭЦКД" - "Полностью автономный электронно-цифровой контроллер двигателя".

"Отказоустойчивость" (4) - свойство компьютерной системы после возникновения какой-либо неисправности в ее аппаратном компоненте или "программном обеспечении" продолжать работу без вмешательства человека, обеспечивать непрерывность работы, целостность данных и восстановление работы в пределах заданного интервала времени.

"Волокнистые или нитевидные материалы" (0 1 2 8) - материалы, включающие:

a. Сплошные "нити";

b. Сплошные "пряжу" и "ровинги";

c. "Ленты", ткани, случайные сетки произвольной структуры и тесьму;

d. Хлопчатобумажные и льняные волокна;

e. Армирующие волокна, моно- и поликристаллические, любой длины;

f. Ароматическую полиамидную целлюлозу.

"Пленочные интегральные схемы" (3) - набор "элементов схемы" и металлических соединений, образованных посредством нанесения толстой или тонкой пленки на изолирующую "подложку".

Особое примечание: "элемент схемы" - отдельная активная или пассивная деталь электронной схемы, такая, как один диод, транзистор, резистор, конденсатор и тому подобное.

"Фиксированный" (5) - означает, что алгоритм кодирования или сжатия не может изменять задаваемые извне параметры (например, криптографические параметры или параметры ключа) и не может быть видоизменен пользователем.

"Группа оптических датчиков системы управления полетом" (7) - сеть распределенных оптических датчиков, использующая лучи "лазера", обеспечивающая в реальном времени данные управления полетом для обработки на борту.

"Оптимизация траектории полета" (7) - процедура, минимизирующая отклонения от четырехмерной (в пространстве и времени) требуемой траектории на основе максимизации характеристик или эффективности выполнения задачи.

"Решетка фокальной плоскости" (6) - линейная или двухмерная планарная решетка или комбинация планарных слоев, отдельных элементов-детекторов со считывающей электроникой или без нее, которая работает в фокальной плоскости.

Особое примечание: Это определение не включает набор отдельных детекторов или любых двух-, трех- или четырехэлементных детекторов при условии отсутствия операций введения временной задержки и интегрирования в этих элементах.

"Относительная ширина полосы частот" (3) - "мгновенная ширина" полосы частот, деленная на среднюю частоту несущей, выраженная в процентах.

"Скачкообразная перестройка частоты" (5) - форма "расширения спектра", при которой частота передачи отдельного канала связи перестраивается посредством случайной или псевдослучайной последовательности дискретных скачков.

"Время переключения частоты" (3 5) - максимальное время (например, задержки), которое требуется выходному сигналу при переключении с одной частоты на другую для достижения любой из следующих характеристик:

a. Частоты в пределах 100 Гц от ее конечного значения; или

b. Уровня в пределах 1 дБ от уровня конечного значения.

"Синтезатор частот" (3) - любой вид генератора сигнала или источника частот, обеспечивающих независимо от используемого метода генерации набор одного или нескольких одновременно или попеременно генерируемых сигналов, целенаправленно извлекаемых или синхронизируемых с помощью меньшего числа стандартов частоты (задающей частоты).

"Полностью автономный электронно-цифровой контроллер двигателя" ("ПАЭЦКД") (7,9) - электронная система управления турбинным двигателем или двигателем комбинированного цикла с использованием цифровой ЭВМ для управления переменными параметрами, регулирующая тягу двигателя или уровень выходной мощности, снимаемой с вала, в диапазоне условий работы двигателя от начала регулирования расхода топлива до окончания его подачи.

"Газовое распыление" (1) - процесс распыления струи расплавленного металлического сплава на капли диаметром 500 мкм или менее в газовой струе высокого давления.

"Пространственно-распределенный" (6) - местоположение одного объекта удалено от местоположения любого другого более чем на 1 500 м в любом направлении. Подвижные датчики всегда считаются "территориально рассредоточенными (территориально распределенными)".

"Системы наведения" (7) - системы, которые объединяют процесс измерения и вычисления положения и скорости транспортных средств (навигация), с вычислением и посылкой команд к системам управления полета для корректировки их траектории.

"Горячая изостатическая модификация" (2) - процесс прессования отливаемых форм при температурах свыше 375 К (1020С в герметичном объеме через различные среды (газообразную, жидкую, твердые частицы и др.) для создания равных сил по всем направлениям для снижения или устранения внутренних полостей в отливаемых формах.

"Гибридная ЭВМ" (4) - оборудование, спроектированное выполнять все следующие функции:

a. Принимать данные;

b. Обрабатывать данные, как в аналоговом, так и в цифровом представлениях; и

c. Обеспечивать вывод данных.

"Гибридная интегральная схема" (3) - произвольная комбинация интегральных схем или интегральной схемы с "элементами схемы" или "дискретными компонентами", соединенными вместе для выполнения определенных функций, и обладающая всеми следующими характеристиками:

a. Содержащая, по меньшей мере, одно бескорпусное устройство;

b. Компоненты соединяются друг с другом с использованием типичных методов производства интегральных схем;

c. Заменяется их единое целое; и

d. He подлежит разборке в нормальном состоянии.

Особое примечание 1: "Элемент схемы" - отдельная активная или пассивная деталь электронной схемы, такая, как один диод, транзистор, резистор, конденсатор и тому подобное.

Особое примечание 2: "Дискретный компонент" - "элемент схемы" в отдельном корпусе с собственными внешними выводами.

"Улучшение качества" (4) - обработка изображений, несущих информацию, посредством таких алгоритмов как сжатие во времени, фильтрация, оценка параметров, выборка, корреляция, свертка или преобразования между различными областями представления (например, быстрое преобразование Фурье или Волша). Такая обработка не включает алгоритмы с использованием только линейного преобразования или вращения отдельного изображения, такие как сдвиг, извлечение признаков, регистрация или видеоэффект типа "ложный цвет".

"Иммунотоксины" (1) - коньюгант одноклеточных моноклокальных антител и "токсинов" или "субтоксинов", выборочно воздействующий на больные клетки.

"В общественной сфере" - означает "технологию" или "программное обеспечение", на дальнейшее распространение которых не накладываются ограничения. (ограничения, связанные с авторскими правами, не выводят "технологию" или "программное обеспечение" из категории "общедоступных").

"Защита информации" (4 5) - все средства и функции, обеспечивающие доступность, конфиденциальность или целостность информации или связи, исключая средства и функции, предохраняющие от неисправностей. Она включает "криптографию", "криптоанализ", защиту от собственного излучения и защиту компьютера.

Особое примечание: "криптоанализ" - анализ криптографической системы или ее входных и выходных сигналов с целью извлечения конфиденциальных параметров или чувствительной информации, включая открытый текст.

"Мгновенная ширина полосы частот" (3 5 7) - полоса пропускания, в которой уровень мощности выходного сигнала остается постоянным в пределах 3 децибелл без подстройки основных рабочих параметров.

"Инструментальная дальность" (6) - однозначно определяемая дальность действия радара.

"Изоляция" (9) применяется для компонентов ракетных двигателей, то есть, корпус, сопло, воздухозаборники, заглушки корпуса, и включает пластины вулканизированной или полувулканизированной резиновой смеси с содержанием изоляционного и огнеупорного материала. Может также включать защитную изоляцию или прокладки для снятия напряжений.

"Взаимосвязанные радиолокационные датчики" (6) - два или более радиолокационных датчика считаются взаимосвязанными, если имеет место взаимный обмен информацией в реальном масштабе времени.

"Внутреннее покрытие" (9) – применяется для прослойки между твердым ракетным топливом и корпусом или изоляционной прокладкой. Обычно это изоляционный или огнеупорный материал на основе жидкого полимера, например, углеродонаполненного полибутадиена с концевыми гидроксильными группами (ПКГГ), или другого полимера с распыляемыми или помещенными внутрь корпуса вулканизационными добавками.

"Внутренний магнитный градиометр" (6) - отдельный элемент, измеряющий градиент магнитного поля, и связанный с ним электронный блок, выходной сигнал которого является мерой градиента магнитного поля.

Особое примечание: См. также "магнитный градиометр".

"Изолированные живые культуры" (1) - включают живые культуры в неактивной форме и в виде сухих препаратов.

"Изостатические прессы" (2) - оборудование, способное прессовать в герметичном объеме в различных средах (газовой, жидкой, твердых частицах и др.) для создания внутри этого герметичного объема равного давления по всем направлениям на заготовку или материал.

"Лазер" (0, 2, 3, 5, 6, 7, 8, 9) – совокупность компонентов, которые создают когерентное как в пространстве, так и во времени световое излучение, усиливаемое посредством стимулированной эмиссии излучения.

Особое примечание: См. также: "Химический лазер"; "Лазер сверхвысокой мощности"; "Перестраиваемый лазер".

"Линейность" (2) (обычно измеряется через параметры нелинейности) - максимальное отклонение действительной характеристики (среднее по показаниям верхней и нижней шкалы), положительное или отрицательное, от прямой линии, расположенной таким образом, чтобы уравнять и минимизировать максимальные отклонения.

"Локальная сеть" (4) - система передачи данных, обладающая всеми следующими характеристиками:

a. Позволяющая произвольному числу независимых "информационных устройств" связываться непосредственно друг с другом;и

b. Ограниченная географической зоной средних размеров (например, пределами служебного здания, завода, группы корпусов или складских помещений).

Особое примечание: "Информационное устройство" означает оборудование, обладающее способностью передавать или принимать последовательности цифровых данных.

"Магнитные градиентометры" (6) - устройства, предназначенные для измерения пространственных изменений магнитных полей источников, являющихся внешними по отношению к данному прибору. Они состоят из множества "магнитометров" и соответствующего электронного блока, на выходе которого измеряется градиент магнитного поля.

Особое примечание: См. также "внутренние магнитные градиентометры".

"Магнитометры" (6) - устройства, предназначенные для измерения магнитного поля источников, являющихся внешними по отношению к прибору. Состоят из отдельного измерительного элемента магнитного поля и связанного с ним электронного блока, на выходе которого измеряется магнитное поле.

"Оперативная память" (4) - основное место хранения данных или команд для быстрого доступа из центрального процессора. Состоит из внутренней памяти "цифрового компьютера" и любых средств ее иерархического расширения, таких как кэш-память или расширенная память параллельного доступа.

"Материалы, стойкие к коррозии UF6(0)" - может быть: медь, нержавеющая сталь, алюминий, окись алюминия, алюминиевые сплавы, никель или сплав, содержащий 60 % или больше никеля (по весу) и стойкие к UF6фторированные углеводородные полимеры, соответствующие типу процесса разделения.

"Матрица" (1 2 8 9) - прочное сплошное вещество, заполненное частицами, нитевидными кристаллами или волокнами.

"Погрешность измерения" (2) - характерный параметр, определяющий, в каком диапазоне около измеренного значения находится истинное значение измеряемой переменной с вероятностью 95 %. Эта величина включает не скомпенсированные систематические отклонения, не скомпенсированный люфт и случайные отклонения (см. ISO 10360-2 или VDI/VDE 2617).

"Механическое легирование" (1) - процесс образования сплава, возникающих в результате связывания, дробления и образования новых связей между частицами порошков чистых металлов и лигатуры в результате механических соударений. В сплав могут быть введены и неметаллические частицы добавления соответствующих порошков.

"Экстракция расплава" (1) - процесс экстракции "быстрого затвердевания" и извлечения продукта в виде ленты или нитей сплава посредством введения короткого сегмента вращающегося охлаждаемого диска в ванну с расплавленным металлическим сплавом.

Особое примечание: "Быстрое затвердевание" - затвердевание расплавленного материала при скорости, охлаждения более 1 000 К/с.

"Спиннингование расплава" (1) - процесс "быстрого затвердевания" потока расплавленного металла, падающего на вращающийся охлаждаемый диск, формирующий продукт в виде проволоки, ленты или частиц в форме чешуек или хлопьев.

Особое примечание: "Быстрое затвердевание" процесс, включающий затвердевание расплава материала при скоростях охлаждения, превышающих 1 000 К/с.

"Микросхема микрокомпьютера" (3) - "монолитная интегральная схема" или "многокристальная интегральная схема", содержащая арифметико-логическое устройство (АЛУ), способное выполнять команды общего назначения внутреннего запоминающего устройства применительно к данным, содержащимся во внутренней памяти.

Особое примечание: Внутренняя память может быть расширена внешней памятью.

"Микросхема микропроцессора" (3) - "монолитная интегральная схема" или "многокристальная интегральная схема", содержащая арифметико-логическое устройство (АЛУ), способное выполнять последовательности команд общего назначения во внешней памяти.

Особое примечание 1: "Микросхема микропроцессора" обычно не содержит доступной пользователю оперативной памяти, хотя при выполнении логической функции может использоваться память микросхема.

Особое примечание 2: Настоящее определение включает установки интегральной микросхемы, предназначенные для функционирования "микросхемы микропроцессора".

"Микроорганизмы" (1 2) - бактерии, вирусы, микоплазма, риккетсии, хламидии или грибы, естественного происхождения или измененные, в форме изолированной культуры или как материал, включая питательную среду, который преднамеренно заражен или загрязнен такими культурами.

"Реактивные снаряды" (1, 3, 6, 7, 9) – полные ракетные системы и беспилотный летательный аппарат, способные доставлять груз весом не менее 500 кг на расстояние не менее 300 км.

"Моноволокно" (1) или нить - наименьшая составляющая волокна, обычно несколько микрометров в диаметре.

"Монолитная интегральная схема" (3) - комбинация пассивных или активных "элементов схемы", которая:

a. Произведена посредством диффузионных процессов, процессов имплантации или осаждения внутри или на поверхности отдельного куска полупроводникового материала, так называемой "микросхемы (чип)";

b. Может считаться неразрывно соединенной; и

c. Может выполнять функции схемы.

Особое примечание: "элемент схемы" - отдельная активная или пассивная деталь электронной схемы, такая как один диод, транзистор, резистор, конденсатор и тому подобное.

"Моноспектральные датчики изображений" (6) - датчики, способные получать информацию об изображении из одного дискретного спектрального диапазона.

"Многокристальная интегральная схема" (3) - две или более "монолитные интегральные схемы", находящиеся на общей "подложке".

"Многопотоковая обработка" (4) - "микропрограмма" или методы архитектуры оборудования, позволяющие одновременно осуществлять обработку двух или более последовательностей данных под управлением одной или более последовательностей команд посредством таких методов, как:

a. Архитектура с централизованным управлением потоком данных (SMD);

b. Архитектура с параллельно-централизованным управлением потоком данных (MSIMD);

c. Архитектура с децентрализованным управлением потоком данных (MIMD), включая тесно связанные, близко связанные или слабо связанные;или

d. Структурирование массивов элементов обработки, включая систолические массивы.

Особое примечание: "Микропрограмма" - последовательность элементарных команд, содержащихся в специальной памяти, выполнение которых инициируется введением команды в командный регистр.

"Многоспектральные датчики изображений" (6) - датчики, способные осуществлять одновременный или последовательный сбор видеоданных от двух и больше дискретных спектральных диапазонов. Датчики, которые имеют больше двадцати дискретных спектральных диапазонов, известны как гиперспектральные датчики изображения.

"Природный уран" (0) - уран, содержащий смесь изотопов, встречающуюся в естественных условиях.

"Контроллер доступа к сети" (4) - физический интерфейс распределенной коммутационной сети. Он использует общую среду, функционирующую при одинаковой "скорости цифровой передачи" с управлением (например, контролем или обнаружением несущей) передачей. Независимо от любого другого он выбирает пакеты данных или группы данных (например, IEEE 802), адресованные ему. Это блок, который может быть встроен в компьютер, или телекоммуникационное оборудование для обеспечения доступа к системе.

"Нейронная ЭВМ" (4) - вычислительное устройство, спроектированное или модифицированное для имитации поведения нейрона или совокупности нейронов, например, вычислительное устройство, характеризуемое способностью аппаратуры модулировать вес и количество взаимных связей множества вычислительных компонентов на основе предыдущей информации.

"Уровень шума" (6) - электрический сигнал, выраженный через параметры спектральной плотности шума. Соотношение между уровнем шума и пиковым уровнем сигнала выражается формулой S2pp= 8 N0(f2-f1), где Spp- пиковый уровень сигнала (например, в нанотеслах), N0- спектральная плотность мощности [например, (нанотесла)2/Гц] и (f2-f1) - полоса частот.

"Ядерный реактор" (0) - все предметы, находящиеся внутри или присоединенные к корпусу реактора, оборудование, которое управляет уровнем энергии в активной зоне, и компоненты, которые обычно находятся в непосредственном контакте или управляют охладителем первого контура активной зоны реактора.

"Числовое программное управление" (2) - автоматическое управление процессом, осуществляемое устройством, использующим числовые данные, обычно вводимые по мере протекания процесса (источник - ISO 2382).

"Объектный код" (9) - подлежащая исполнению форма подходящего представления одного или более процессов (текст программы или язык программы), которая преобразована программирующей системой.

"Оптическое усиление" (5) (в оптической связи) - метод усиления оптических сигналов, связанных отдельным оптическим источником, без преобразования в электрические сигналы, например, с применением полупроводниковых оптических усилителей, волоконно-оптических люминесцентных усилителей.

"Оптическая ЭВМ" (4) - аппаратура, спроектированная или модифицированная с целью использования света для представления данных, элементы вычислительной логики, которой основаны на непосредственно связанных оптических устройствах.

"Оптическая интегральная схема" (3) - монолитная интегральная схема или гибридная интегральная схема, содержащая одну или более частей, предназначенных для работы в качестве фотоприемника или фотокатода или выполнения оптических или электрооптических функций.

"Оптическая коммутация" (5) - маршрутизация или коммутация сигналов в оптической форме без преобразования в электрические сигналы.

"Суммарная плотность тока" (3) - общее число ампер-витков в соленоиде (т.е. сумма числа витков, умноженная на максимальный ток каждого витка), разделенное на общую площадь поперечного сечения соленоида (включая сверхпроводящие витки, металлическую матрицу, в которую заключены сверхпроводящие витки, материал оболочки, канал охлаждения и так далее).

"Государство-участник" (7 9) - это государство, являющееся участником Вассенаарской Договоренности. (См. www.wassenaar.org)

"Пиковая мощность" (6) - энергия импульса в джоулях, деленная на длительность импульса в секундах.

"Персональная смарт-карта" (5) - смарт-карта содержит микросхему, которая запрограммирована для определенного применения и не может быть перепрограммирована пользователем для любого другого применения.

"Управление мощностью" (7) - измерение мощности передаваемого альтиметром сигнала так, что мощность принятого сигнала на высоте "летательного аппарата" всегда поддерживается на минимальном уровне, требуемом для определения высоты.

"Датчики давления" (2) - устройства для преобразования измерений давления в электрический сигнал.

"Предварительное разделение" (0 1) - применение любого процесса с целью увеличения концентрации контролируемого изотопа.

"Прямое управление полетом" (7) - стабилизация летательного аппарата или маневрирование источниками силы (импульса), например, аэродинамически-управляемыми плоскостями, или изменением вектора тяги.

"Основной элемент" (4), подобно применяемому в Категории 4 - этот "элемент" является основным в том случае, когда стоимость его замены составляет 35% от общей цены системы, к которой относится элемент. Ценой элемента считается цена, выплачиваемая за него производителем системы или сборщиком системы. Общая цена является нормальной международной ценой в месте производства или комплектации поставок.

"Производство" - включает все стадии: конструирование, технология производства, изготовление, внедрение, сборку (установку), проверку, испытание, обеспечение качества.

"Производственное оборудование" (1, 7, 9) – инструментальные средства, образцы, зажимные приспособления, оправки, валики, плашки, арматура, механизмы для регулировки, оборудование для тестирования, другое оборудование и компоненты для него, специально разработанные или модифицированные для "разработки" или для одного или более этапов "производства".

"Производственные установки" (7, 9) – "производственное оборудование" и специально разработанное для него программное обеспечение, устанавливаемое в процессе монтажа для "разработки" или для одного или более этапов "производства".

"Программа" (2 6) - последовательность команд для выполнения или преобразования в форму, подлежащую исполнению компьютером.

"Сжатие импульса" (6) - кодирование и обработка сигнала РЛС большой длительности, преобразующие его в сигнал малой длительности с сохранением преимуществ высокой энергии импульса.

"Длительность импульса" (6) - длительность импульса изучения лазера, измеренная по половине от полной продолжительности импульса.

"Лазер с модуляцией добротности" (6) - "лазер", в котором энергия накапливается в инверсии населенности или оптическом резонаторе и затем излучается в импульсном режиме.

"РЛС с перестраиваемой частотой" (6) - любой метод, изменяющий в соответствии с псевдослучайной последовательностью несущую частоту передатчика РЛС между импульсами или группами импульсов на величину, равную или превышающую ширину полосы частот импульса.

"Расширение спектра РЛС" (6) - любой метод модуляции для распределения энергии сигнала, сосредоточенного в относительно узкой полосе частот, в более широкой полосе частот посредством применения методов случайного или псевдослучайного кодирования.

"Полоса частот в реальном масштабе времени" (2 3) для динамических анализаторов сигналов" - наиболее широкий диапазон частот сигнала, который анализатор может выдать на отображающее или запоминающее устройство без нарушения непрерывности анализа входной информации. Для многоканальных анализаторов при оценке "полосы частот в реальном масштабе времени" должна использоваться конфигурация канала с наибольшим значением данного параметра.

"Обработка в реальном масштабе времени" (6,7) - обработка данных ЭВМ, обеспечивающей необходимый уровень обслуживания, как функция имеющихся ресурсов в течение гарантированного времени реакции системы независимо от уровня нагрузки в условиях возбуждения системы внешними событиями.

"Требующаяся" (1 – 9) – применительно к "технологии" означает только ту часть технологии, которая позволяет достигнуть или превысить контролируемые уровни, характеристики или функции. Такая "требующаяся" "технология" может содержаться в различных товарах.

"Разрешение" (2) - наименьшее приращение показаний измерительного устройства; в цифровых приборах - младший бит (источник: ANSI B-89.1.12).

"Робот" (2 8) - манипулятор, который может совершать движения непрерывным образом или между определенными точками, обладать измерительными датчиками и иметь все следующие характеристики:

a. Многофункциональность;

b. Способность устанавливать в определенное положение или ориентировать материал, детали, инструменты или специальные устройства посредством перенастраиваемых движений в трехмерном пространстве;

c. Может управлять тремя или более сервоприводами с замкнутым или разомкнутым контуром, в том числе шаговыми двигателями; и

d. Имеет "доступную пользователю возможность программирования" посредством метода обучения с запоминанием или за счет использования компьютера, который может являться программируемым логическим контроллером, то есть без промежуточных механических операций.

Особое примечание: Вышеприведенное определение не включает следующие приборы:

1. Манипуляторы управляемые только вручную или телеоператором;

2. Манипуляторы с фиксированной последовательностью операций, к которым относятся автоматизированные движущиеся устройства, действующие в соответствии с механически фиксируемыми программируемыми видами движений. Программа механически ограничена фиксаторами, такими как штифты или кулачки. Последовательность движений и выбор траекторий или углов не могут изменяться или заменяться механическими, электронными или электрическими средствами;

3. Механически управляемые манипуляторы с переменной последовательностью операций, к которым относятся автоматизированные движущиеся устройства, действующие в соответствии с механически фиксируемыми программируемыми видами движений. Программа механически ограничена фиксированными, но перестраиваемыми приспособлениями, такими как штифты или кулачки. Последовательность движений и выбор траекторий или углов являются переменными в рамках установленной структуры программы. Изменения или модификации структуры программы (например, изменения штифтов или перемена кулачков) относительно движения по одной или нескольким координатам осуществляются только посредством механических операций;

4. Не сервоуправляемые манипуляторы с переменной последовательностью действий, относящиеся к автоматизированным движущимся устройствам, функционирующим в соответствии с механически фиксируемыми программируемыми видами движений. Программа подлежит изменениям, непоследовательность операций меняется только при помощи двоичного сигнала от механически зафиксированных электрических приборов или перестраиваемых фиксаторов;

5. Подъемные устройства с приемником перфокарт, относящиеся к числу манипуляторов, работающих в декартовой системе координат, изготовленные в качестве неотъемлемой части вертикального строя бункеров для хранения материалов и предназначенные для обеспечения доступа к содержимому этих бункеров для загрузки или разгрузки.

"Центробежное распыление" (1) - процесс превращения потока или находящегося в ванне расплавленного металла посредством центробежной силы в капли диаметром 500 мкм или менее.

"Ровница/ровинги" (1) - связка (обычно 12-120) приблизительно параллельных "прядей".

Особое примечание: "Прядь" - связка "моноволокон" (обычно свыше 200), расположенных приблизительно параллельно.

"Биение" (2) - радиальное смещение за один оборот основного шпинделя, измеренное в плоскости, перпендикулярной оси шпинделя в точке измерения на внешней или внутренней поверхности вращения (источник - ISO 230/1-1986, параграф 5.61).

"Масштабный коэффициент" (7) (гироскопа или акселерометра) - отношение изменения выходного сигнала к изменению входного измеряемого сигнала. Масштабный коэффициент обычно оценивается как наклон прямой линии, которая может быть построена методом наименьших квадратов в соответствии с данными, полученными при изменении входного сигнала в пределах заданного диапазона.

"Время установления" (3) - время, которое требуется выходному сигналу для достижения уровня половины бита от его конечного значения при переключении между любыми двумя уровнями преобразователя.

"ЛСМ" - эквивалентно "Лазеру сверхвысокой мощности".

"Анализатор сигналов" (3) - аппаратура, предназначенная для измерения и отображения основных характеристик одночастотной моды многочастотного сигнала.

"Обработка сигнала" (3, 4, 5, 6) - обработка полученных извне сигналов, несущих информацию посредством алгоритмов, таких, как сжатие во времени, фильтрация, оценка параметра, селекция, корреляция, свертывание или преобразование из одной области представления в другую (например, быстрое преобразование Фурье или преобразование Волша).

"Программное обеспечение" - набор одной или более "программ" или "микропрограмм", записанных на любом виде носителя.

Особое примечание: "Микропрограмма" - последовательность элементарных команд, хранящихся в специальной памяти, выполнение которых инициируется запускающей командой, введенной в регистр команд.

"Исходный код" (или исходных язык) (4, 6, 7, 9) - соответствующее представление одного или более процессов, которые могут быть преобразованы программирующей системой в форму, исполняемую оборудованием ("объектный код" или объектный язык).

"Космические аппараты" (7, 9) – активные и пассивные спутники и космические зонды.

"Годное для применения в космосе" (3, 6) - оборудование, спроектированное, изготовленное и испытанное на соответствие специальным электрическим и механическим требованиям или требованиям на условия функционирования для применения при запуске и развертывании спутников или высотных летательных аппаратов, функционирующих на высотах 100 км или более.

"Специальный расщепляющийся материал" (0) - это плутоний-239, уран-233, "уран, обогащенный изотопами 235 или 233" или любой другой материал, содержащий вышеуказанное.

"Удельный модуль упругости" (0, 1, 9) - это модуль Юнга в Паскалях, что эквивалентно Н/кв.м, деленный на удельный вес в Н/куб.м, измеренный при температуре (296 +/- 2) К ((23 +/- 2)0С) и относительной влажности (50 +/- 5) %.

"Удельная прочность на растяжение" (0, 1, 9) - это предельная прочность на растяжение в Паскалях, что эквивалентно Н/кв. м, деленная на удельный вес в Н/куб.м, измеренная при температуре окружающей среды (296 +/- 2) К ((23 +/- 2)0С) и относительной влажности (50 +/- 5) %.

"Скоростная закалка капли" (1) - процесс быстрого затвердевания расплавленного металла, ударяющегося об охлажденное препятствие с образованием хлопьевидного продукта.

Особое примечание: "Быстрое затвердевание" - процесс, включающий затвердевание расплава материала при скоростях охлаждения, превышающих 1 000 К/с.

"Расширение спектра" (5) - метод, посредством которого энергия в относительно узкополосном канале связи расширяется по значительно более широкому энергетическому спектру.

"РЛС с Расширением спектра" (6) - см. "Расширение спектра РЛС".

"Стабильность" (7) - стандартное отклонение (1 сигма) колебаний некоторого параметра относительно калиброванной величины, измеренное в стабильных температурных условиях. Выражается как функция времени.

"Страны-(не) участницы Конвенции о химическом оружии (CWC)" (1) - государства для которых Конвенция о запрещении разработки, производства, накопления и применения химического оружия (не) вступила в силу. (См.www.opew.org)

"Управляемое встроенной программой" (2, 3, 8) - метод управления, использующий команды, встроенные в электронную память, которые процессор может исполнять для управления какими-либо заданными функциями.

Особое примечание: Оборудование может быть "управляемым встроенной программой" независимо от того, расположена ли электронная память снаружи или внутри данного оборудования.

"Подложка" (3) - пластина основного материала со структурой соединений или без нее, на которой или внутри которой могут быть размещены "дискретные компоненты" или интегральные схемы, или те и другие вместе.

Особое примечание 1: "Дискретный компонент" - "элемент схемы" в отдельном корпусе с собственными внешними выводами.

Особое примечание 2: "Элемент схемы" - отдельная активная или пассивная деталь электронной схемы, такая, как один диод, транзистор, резистор, конденсатор и тому подобное.

"Заготовки" (6) - монолитные массы, размеры которых подходят для производства оптических элементов, таких, как зеркала или оптические окна прозрачности.

"Составная часть токсина" (1) - структурно и функционально выделенный компонент целого "токсина".

"Суперсплавы" (2, 9) - сплавы на основе никеля, кобальта или железа, прочность которых превышает прочность любого сплава серий AISI 300 при температуре свыше 922 К (6490С) в напряженных условиях функционирования и окружающей среды.

"Сверхпроводящий" (1, 3, 6, 8) (на основе эффекта сверхпроводимости) - термин относится к материалам, например, металлам, сплавам или соединениям, которые могут терять полностью электрическое сопротивление, например, иметь бесконечно высокую электрическую проводимость и нести большие электрические токи без Джоулева нагрева.

Особое примечание: "Сверхпроводящее" состояние материала индивидуально характеризуется "критической температурой", критическим магнитным полем, которое является функцией температуры, и критической плотностью тока, которая является функцией, как магнитного поля, так и температуры.

"Лазер сверхвысокой мощности" (ЛСМ) (6) - "лазер", способный излучать энергию (общую или частичную) свыше 1 кДж в течение 50 мс или имеющий непрерывную мощность более 20 кВт.

"Сверхпластическое формование" (1, 2) - процесс деформации с использованием нагрева металлов, характеризующихся низкими значениями коэффициента удлинения (менее 20%) в точке предела прочности при обычных испытаниях модуля прочности на растяжение в условиях комнатной температуры с целью достижения удлинения при усилиях, меньших значения модуля прочности на растяжение, по крайней мере, в два раза.

"Симметричный алгоритм (5)" - криптографический алгоритм, использующий один и тот же ключ, как для шифрования, так и для дешифрования.

Особое примечание: "Симметричный алгоритм" обычно применяется для обеспечения конфиденциальности информации.

"Траектории систем" (6) - обработанные коррелированные (синтез данных РЛС о цели с позицией летного задания) и обновленные сведения (отчеты) о положении самолета в полете, представляемые диспетчерам центра управления воздушным движением.

"ЭВМ с систолической матрицей" (4) - компьютер, в котором поток данных и их преобразование могут контролироваться динамически на уровне логической схемы пользователя.

"Лента" (1) - материал, состоящий из чередующихся или однонаправленных "моноволокон", "прядей", "ровниц", "бечевок" или "пряж" и т.п., предварительно пропитанных смолой.

Особое примечание: "Прядь" - связка "моноволокон" (обычно свыше 200), расположенных приблизительно параллельно.

"Технология" - специальная информация, которая требуется для "разработки", "производства" или "применения" оборудования. Информация может принимать форму "технических данных" или "технической помощи".

Особое примечание 1: "Техническая помощь" может принимать такие формы, как инструктаж, приобретение навыков, обучение, производственные знания, консультационные услуги. Техническая помощь может включать передачу "технических данных".

Особое примечание 2: "Технические данные" могут принимать такие формы, как светокопии, планы, диаграммы, модели, формулы, таблицы, технические проекты и спецификации, руководства пользователя и инструкции в рукописном виде или записанные на других носителях, таких как диск, лента, ПЗУ.

"Наклоняющийся шпиндель" (2) - держащий инструмент шпиндель, который изменяет в процессе обработки угловое положение своей центральной оси относительно других осей.

"Постоянная время" (6) - время, которое требуется световому стимулу при увеличении тока, чтобы достигнуть уровня (1-1/е) от конечного значения (т.е. 63 % от конечного значения).

"Сверхширокополосное модулирование по времени" (5) - технология, в соответствии с которой очень короткие радиочастотные импульсы с точно определенным положением по времени модулируются в соответствии с передаваемыми данными путем изменения временного положения импульсов (обычно называемая импульсной позиционной модуляцией, ИПМ), которые канализируются или перестанавливаются в соответствии с псевдослучайными шумовыми кодами ИПМ, затем передаются и принимаются непосредственно в импульсном виде без использования несущих частот, в результате чего получается чрезвычайно малая плотность мощности в ультра-широких частотных диапазонах. Эта технология известна также как импульсное радио (радиосвязь).

"Общее управление полетом" (7) - автоматизированное управление переменными параметрами "летательного аппарата" и траекторией его полета с целью выполнения поставленной задачи в соответствии с изменениями данных о задачах, повреждениях или других "летательных аппаратах" в реальном масштабе времени.

"Общая скорость цифровой передачи" (5) - количество бит, включая кодирование канала, избыточность и тому подобное, в единицу времени, передаваемых между соответствующим оборудованием в системе цифровой передачи.

Особое примечание: См. также "скорость цифровой передачи".

"Бечевка" - связка "моноволокон", обычно приблизительно параллельных.

"Токсины" (1,2) - это токсины в форме преднамеренно изолированных препаратов или смесей, независимо от того, как они произведены, отличающиеся от токсинов, являющихся загрязняющими веществами других материалов, таких как, патологические образцы, зерновые культуры, пищевые продукты или семенной фонд "микроорганизмов".

"Переходный лазер" (6) - "лазер", в котором среда генерации возбуждается посредством перехода энергии при соударениях невозбужденного атома или молекулы с возбужденными атомами или молекулами.

"Перестраиваемый" лазер (6) - "лазер", способный генерировать излучение на всех длинах волн в диапазоне нескольких переходов "лазера". "Лазер" с выбором некоторой линии генерирует излучение дискретных длин волн в пределах одного перехода "лазера" и не считается перестраиваемым.

"Уран, обогащенный изотопами 235 или 233" (0) - уран, содержащий изотопы 235 или 233, или тот и другой вместе в таком количестве, чтобы отношение суммы этих изотопов к изотопу 238 было больше отношения изотопа 235 к изотопу 238 в природном уране (изотопное соотношение 0,72 %).

"Применение" означает использование, установку (в том числе, установку на месте использования), поддержание работоспособности, проверку, ремонт, капитальный ремонт и восстановление;

"Программируемость пользователем" (6) - наличие оборудования, позволяющего пользователю вставлять, модифицировать или заменять "программы" иными средствами, нежели:

a. Физическое изменение соединений или разводки; или

b. Установление контроля функций, включая контроль водимых параметров.

"Вакцина" (1) - лекарственное средство в фармацевтическом составе, распространяемое по лицензии, или имеет разрешение для выпуска на рынок или для использования в клинической практике, полученное от регулирующих органов либо страны производителя или страны пользователя. Средство призвано стимулировать иммунную реакцию организма людей или животных для профилактики заболеваний среди прививаемых.

"Вакуумное распыление" (1) - процесс распыления струи расплава на капли диаметром 500 мкм или менее быстрым выделением сжиженного газа при действии вакуума.

"Аэродинамические профили с переменной геометрией" (7) - применение закрылков либо триммеров, либо предкрылков или шарнирного регулирования угла носовой части, положение которых может регулироваться в полете.

"Пряжа" (1) - связка скрученных "прядей".

Особое примечание: "Прядь" - связка "моноволокон" (обычно свыше 200), расположенных приблизительно параллельно.

"Системы FADEC" (7, 9) (полностью автономные электронно-цифровые системы управления двигателем) – цифровая электронная система управления газотурбинными двигателями, которая может автономно управлять двигателем на протяжении всего эксплуатационного диапазона двигателя, как в нормальных, так и в аварийных условиях с момента его запуска до остановки.

"Беспилотный летательный аппарат" ("БПЛА") (9) – любой летательный аппарат, способный взлетать и поддерживать контролируемый полет и аэронавигацию без присутствия человека на борту.

 

Категория 0 Ядерные материалы, установки и оборудование
 

0А Системы, оборудование и компоненты

0А001 "Ядерные реакторы" и специально разработанное или подготовленное оборудование и компоненты, такие как:

a. "Ядерные реакторы", способные работать в режиме контролируемой самоподдерживающейся цепной реакции деления;

b. Специально разработанные или подготовленные металлические корпуса в сборе или их основные части заводского изготовления для размещения в них активной зоны "ядерных реакторов" и способные выдерживать рабочее давление теплоносителя первого контура;

c. Специально разработанное или подготовленное манипуляторное оборудование для загрузки или извлечения топлива из "ядерных реакторов";

d. Специально разработанные или подготовленные стержни для управления скоростью реакции в "ядерных реакторах", опорные и подвесные конструкции, приводы и направляющие трубы для стержней;

e. Специально разработанные или подготовленные реакторные трубы высокого давления для размещения в них топливных элементов и теплоносителя первого контура в "ядерных реакторах" при рабочем давлении, превышающем 5,1 Мпа;

f. Специально разработанные или подготовленные циркониевые трубы или сборки труб из металлического циркония или его сплавов для использования в "ядерных реакторах", в которых отношение по весу гафния к цирконию меньше чем 1:500;

g. Специально разработанные или подготовленные насосы для поддержания циркуляции теплоносителя первого контура "ядерных реакторов";

h. Специально разработанные или подготовленные "внутренние части реактора" для использования в "ядерном реакторе", такие как поддерживающие колонны активной зоны, направляющие трубы для регулирующих стержней, тепловые экраны, перегородки, трубные решетки активной зоны, пластины диффузора;

Примечание: В 0A001.h "Внутренняя часть реактора" - это любая основная структура внутри корпуса реактора, выполняющая одну или более функции, таких как поддержка активной зоны, расположение топливных элементов, направление основного потока охладителя, обеспечение радиационной защиты корпуса реактора и управление аппаратурой, находящейся в активной зоне;

i. Специально разработанные или подготовленные теплообменники (паровые генераторы) для использования в первом контуре "ядерного реактора";

j. Специально разработанные или подготовленные детекторы нейтронов и измерительные приборы для определения нейтронного потока в активной зоне "ядерного реактора".

 

0А001, а 8401 10 000 0
0А001, b 8401 40 000 0
0А001, с 8426 19 000 0
  8426 99 900 0
0A001, d 8401 40 000 0
0А001, е 7304
  7507 12 000 0
  7608 20
  8109 90 000 0
  8401 40 000 0
0A001, f 8109 90 000 0
0A001, g 8413 81 000 9
0A001, h 8401 40 000 0
0A001, i 8419 50 000 0 (кроме, предназначенных для гражданской авиации)
  8404 20 000 0
  8402 19 900 9
0A001, j 9030 10 000 0

 

0В Испытательное, контрольное и производственное оборудование

 

0В001 Установки для разделения изотопов "природного урана", "обедненного урана" и "специальных расщепляющихся материалов", и специально разработанное или подготовленное для этого оборудование и компоненты, такие, как:

a. Специально разработанные установки для разделения изотопов "природного урана", "обедненного урана" и "специальных расщепляющихся материалов", такие как:

1. Газовые центрифуги;

2. Газодиффузионные барьеры;

3. Установки аэродинамического обогащения;

4. Установки химического обмена;

5. Установки ионного обмена;

6. Установки для "лазерного разделения" изотопов по методу атомарных паров (AVLIS);

7. Установки для "лазерного разделения" изотопов по молекулярному методу (MLIS);

8. Установки плазменного разделения;

9. Установки электромагнитного разделения;

b. Специально разработанные или подготовленные газовые центрифуги, узлы и компоненты для использования в газовых центрифугах, как:

Примечание: "материал, имеющий высокое значение отношения прочности к плотности" означает любой из следующего:

a) Мартенситно-стареющие стали, имеющие максимальный предел прочности на разрыв 2 050 МРа или более;

b) Алюминиевые сплавы, имеющие максимальный предел прочности на разрыв 460 МРа или более; или

c) "Волокнистые материалы", пригодные для использования в "композиционных" структурах и имеющие "значения удельного модуля" больше чем 3,18 x 106 м и "максимальный предел прочности" на разрыв больший, чем 76,2 х 103 м.

1. Газовые центрифуги;

2. Полные роторные сборки;

3. Цилиндры роторных труб с толщиной стенки 12 мм или менее, диаметром от 75 мм до 400 мм, изготовленные из одного или более материалов, имеющих "высокое значение отношения прочности к плотности";

4. Кольца или сильфоны с толщиной стенки 3 мм или менее, диаметром от 75 мм до 400 мм, предназначенные для поддержки роторной трубы или соединения роторных труб и изготовленные из одного из материалов, имеющих "высокое значение отношения прочности к плотности";

5. Перегородки диаметром от 75 мм до 400 мм для установки внутри роторной трубы центрифуги, изготовленные из одного из материалов, "имеющих высокое значение отношения прочности к плотности";

6. Верхние/нижние крышки диаметром от 75 мм до 400 мм, точно соответствующие диаметру концов роторной трубы, изготовленные из одного из материалов, имеющих "высокое значение отношения прочности к плотности";

7. Подшипники с магнитной подвеской, состоящие из кольцевого магнита, подвешенного в обойме, содержащей демпфирующую среду. Обойма изготавливается из "материала, коррозионно-стойкого к UF6" или защищена покрытием из таких материалов. Магнит соединяется с полюсным наконечником или вторым магнитом, установленным на верхней крышке ротора;

8. Специально подготовленные подшипники, содержащие узел ось/уплотнительное кольцо, смонтированный на демпфере;

9. Молекулярные насосы, включающие в себя цилиндры с выточенными или выдавленными внутри спиральными канавами и с высверленными внутри отверстиями;

10. Статоры кольцевой формы для высокоскоростных многофазных гистерезисных (или реактивных) электродвигателей переменного тока для синхронной работы в условиях вакуума в диапазоне частот 600-2000 Гц и в диапазоне мощностей 50-1000 ВА.;

11. Корпуса/приемники центрифуги для размещения в них сборки роторной трубы газовой центрифуги. Корпус состоит из жесткого цилиндра с толщиной стенки до 30 мм с прецизионно обработанными концами для установки подшипников. Корпуса изготавливаются из "материалов, коррозионно-стойких к UF6" или защищен покрытием из таких материалов;

12. Ловушки, состоящие из трубки с внутренним диаметром до 12 мм для извлечения газа UF6 из роторной трубы по методу трубки Пито. Трубки изготавливаются из "материалов, коррозионно-стойких к UF6" или защищены покрытием из таких материалов;

13. Специально разработанные или подготовленные преобразователи частоты (конверторы или инверторы) и их компоненты для питания статоров двигателей для газовых центрифуг, обладающие полным набором следующих характеристик:

a) Многофазный выход в диапазоне от 600 до 2 000 Гц;

b) Стабилизация частоты лучше, чем 0,1 %;

c) Низкие линейные искажение меньшие, чем 2 %;и

d) КПД больше чем 80 %;

с. Специально разработанные или подготовленные сборки и компоненты для использования при газодиффузионном обогащении:

1. Газодиффузионные барьеры, изготовленные из пористого металлического, полимерного или керамического "материала, коррозионно-стойкого к UF6" с размером пор от 10 до 100 мм, толщиной 5 мм или меньше, а для трубчатых форм - диаметром 25 мм или меньше;

2. Камеры диффузоров, изготовленные из "материала, коррозионно-стойкого к UF6" или защищенные покрытием из таких материалов;

3. Компрессоры (с положительным смещением, центрифужного и осевого типа) или газодувки с производительностью на входе 1 куб.м/мин или более UF6 и с давлением на выходе до 666,7 кПа, изготовленные из "материала, коррозионно-стойкого к UF6" или защищенные покрытием из таких материалов;

4. Уплотнения вращающихся валов для компрессоров или газодувок, указанных в 0B001.c.З. Такие уплотнения обычно проецируются на скорость натекания буферного газа менее 1 000 куб.см/мин.;

5. Теплообменники, изготовленные из алюминия, меди, никеля или сплавов, содержащих более чем 60 процентов никеля, или из их комбинации, либо покрытые ими, сконструированные для работы при давлении ниже атмосферного и обеспечивающие скорость изменения давления, определяющего утечку, менее 10 Па в час при перепаде давления 100 кПа;

6. Клапаны сильфонного типа, изготовленные из "материала, коррозионно-стойкого к UF6" или защищенные покрытием из таких материалов, диаметром от 40 до 1 500 мм;

d. Специально разработанные или подготовленные оборудование и компоненты для использования на установках аэродинамического обогащения, как:

1. Разделительные сопла, состоящие из щелевидных изогнутых каналов с радиусом изгиба менее 1 мм, изготовленные из "материала, коррозионно-стойкого к UF6", и имеющие внутреннюю режущую кромку, которая разделяет протекающий через сопло газ на две фракции;

2. Вихревые трубки, имеющие цилиндрическую или конусообразную форму, изготовленные из "материала, коррозионно-стойкого к UF6", или защищенные покрытием из таких материалов и имеющие диаметр от 0,5 см до 4 см при отношении длины к диаметру 20:1 или менее, а также одно или более тангенциальное входное отверстие;

3. Компрессоры и газодувки (с положительным смещением, центрифужного и осевого типа) изготовленные из "материала, коррозионно-стойкого к UF6", или защищенные покрытием из таких материалов, производительностью на входе 2 куб.м/мин., и уплотнения вращающихся валов для них;

4. Теплообменники, изготовленные из "материалов, коррозионно-стойких к UF6", или защищенные покрытием из таких материалов;

5. Кожухи разделяющих элементов, изготовленные из "материалов, коррозионно-стойких к UF6", или защищенные покрытием из таких материалов, для помещения в них вихревых трубок или разделительных сопел;

6. Клапаны сильфонного типа, изготовленные из "материалов, коррозионно-стойких к UF6" или защищенные покрытием из таких материалов, диаметром от 40 до 1 500 мм;

7. Системы, предназначенные для выделения UF6 из несущего газа (водород или гелий) до одной части на миллион или менее и могущие включать такое оборудование, как:

a. Криогенные теплообменники и криосепараторы, способные создавать температуры 153 К (-1200С) или менее;

b. Блоки криогенного охлаждения, способные создавать температуры 153 К (-1200С) или менее;

c. Блоки разделительных сопел или вихревых трубок для выделения UF6 из несущего газа;

d. Холодные ловушки UF6, способные создавать температуры 253 К (-200С) или менее;

e. Специально разработанные или подготовленные оборудование и компоненты для использования на установках химического обогащения, такие как:

1. Жидкостно-жидкостные импульсные обменные колонны. Для коррозионной устойчивости к концентрированным растворам соляной кислоты эти колонны и их внутренние компоненты изготовлены из подходящих пластиковых материалов (таких, как фторированные углеводородные полимеры или стекла) или защищены покрытием из таких материалов. Колонны спроектированы на короткое (30 с или менее) время прохождения в каскаде;

2. Жидкостно-жидкостные центрифужные контактные фильтры. Для коррозионной устойчивости к концентрированным растворам соляной кислоты эти контактные фильтры и их внутренние компоненты изготовлены из подходящих пластиковых материалов (таких, как фторированные углеводородные полимеры или стекла) или защищены покрытием из таких материалов. Контактные фильтры спроектированы на короткое (30 с или менее) время прохождения в каскаде;

3. Ячейки электрохимического восстановления для восстановления урана из одного валентного состояния в другое. Материалы ячеек должны быть коррозионно-стойкими к концентрированным растворам соляной кислоты;

4. Системы питания ячеек электрохимического восстановления, состоящие из оборудования экстракции растворителем для извлечения U+4 из органического потока. Те части оборудования системы, которые находятся в контакте с технологическим потоком, должны быть изготовлены из соответствующих материалов (таких, как стекло, фторированные углеводородные полимеры, сульфат полифенила, сульфон полиэфира и пропитанный смолой графит) или защищены покрытием из таких материалов;

5. Системы подготовки питания для производства питательных растворов хлорида урана высокой чистоты, состоящие из оборудования для растворения, экстракции растворителем и (или) ионообменного оборудования для очистки, а также электролитических ячеек для восстановления U+6 или U+4 в U+3;

6. Системы окисления урана для окисления U+3 в U+4;

f. Специально разработанные или подготовленные оборудование и компоненты для использования на установках ионообменного обогащения, такие как:

1. Быстрореагирующие ионообменные смолы/абсорбенты, включая пористые смолы макросетчатой структуры и (или) мембранные структуры, в которых активные группы химического обмена ограничены покрытием на поверхности неактивной пористой вспомогательной структуры, и другие композиционные структуры в любой приемлемой форме, включая частицы или волокна. Эти ионообменные смолы/абсорбенты имеют диаметр 0,2 мм или менее и должны быть химически стойкими по отношению к концентрированным растворам соляной кислоты. Смолы/абсорбенты специально предназначены для получения кинетики очень быстрого обмена изотопов урана (длительность полуобмена менее 10 с) и обладают возможностью работать при температуре в диапазоне от 373 К (1000С) до 473 К (2000С);

2. Ионообменные колонны (цилиндрические) с диаметром более чем 1 000 мм. Эти колонны изготавливаются из материалов (таких, как титан или фторированные углеводородные полимеры), стойких к коррозии, вызываемой концентрированными растворами соляной кислоты, или защищаются покрытием из таких материалов, и способны работать при температуре в диапазоне от 373 К (1000С) до 473 К (2000С) и давлениях выше 0,7 МПа;

3. Ионообменные системы рефлюкса (химического или электрохимического окисления или восстановления) для регенерации реагента(ов) химического восстановления или окисления, используемого(ых) в каскадах ионообменного обогащения урана;

g. Специально разработанные или подготовленные оборудование и компоненты для использования в обогатительных установках для процесса "лазерного" разделения изотопов по методу атомарных паров (AVLIS), такие как:

1. Высоко мощные полосовые или растровые электронно-лучевые пушки с передаваемой мощностью на мишень более 2,5 кВт/см для использования в системах выпаривания урана;

2. Системы для обработки жидкого расплавленного урана или жидких урановых сплавов, состоящие из тиглей и охлаждающего оборудования для тиглей. Тигли и другие компоненты этой системы изготовлены из коррозионно-стойких и термостойких материалов, или защищены покрытием из таких материалов (к примеру, тантал, покрытый оксидом иттрия графит, графит, покрытый окислами других редкоземельных элементов или их составы);

Особое примечание: См. также 2А225.

3. Агрегаты для сбора "продукта" и "хвостов". Компоненты для этих агрегатов изготовлены из материалов, стойких к нагреву и коррозии, вызываемой парами металлического урана или жидким ураном, или защищены покрытием из этих материалов таких, как покрытый оксидом иттрия графит или тантал;

4. Кожухи разделительного модуля (цилиндрические или прямоугольные камеры) для помещения в них источника паров металлического урана, электронно-лучевой пушки и коллекторов "продукта" и "хвостов";

5. "Лазеры" или "лазерные" системы для разделения изотопов урана со стабилизатором частоты спектра для работы в течение длительных периодов времени;

Особое примечание: См. также 6А005 и 6А205.

h. Специально разработанные или подготовленные оборудование и компоненты для использования в обогатительных установках молекулярного "лазерного" разделения изотопов (MLIS) или химической реакции посредством избирательной по изотопам лазерной активации (CRISLA), такие как:

1. Расширительные сверхзвуковые сопла для охлаждения смесей UF6и несущего газа до 150 К (-1230С) или ниже и изготовленные из "материалов, коррозионно-стойких к UF6";

2. Коллекторы продукта пятифтористого урана (UF5), состоящие из фильтра, коллекторов ударного или циклонного типа или их сочетаний и изготовленные из "материалов, коррозионно-стойких к UF5/UF6";

3. Компрессоры, изготовленные из "материалов, коррозионно-стойких к UF6", или защищенные покрытием из таких материалов, и уплотнения вращающихся валов для них;

4. Оборудование для фторирования UF5 (в твердом состоянии) в UF6 (газ);

5. Системы для отделения UF6 от несущего газа (несущим газом может быть азот, аргон или другой газ), включая:

a. Криогенные теплообменники и криосепараторы, способные создавать температуры 153 К (-1200С) или ниже;

b. Блоки криогенного охлаждения, способные создавать температуры 153 К (-1200С) или ниже;

c. Холодные ловушки UF6, способные создавать температуры 253 К (-200С) или ниже;

6. "Лазеры" или "лазерные" системы для разделения изотопов урана со стабилизатором часты спектра для работы в течение длительных периодов времени;

Особое примечание: См. также 6А005 и 6А205

i. Специально разработанные или подготовленные оборудование и компоненты для использования на обогатительных установках с плазменным разделением, такие как:

1. Микроволновые источники энергии и антенны для генерации или ускорения ионов и обладающие следующими характеристиками: частота выше 30 ГГц и средняя выходная мощность для образования ионов более 50 кВт;

2. Соленоиды для радиочастотного возбуждения ионов в диапазоне частот свыше 100 кГц и способные работать при средней мощности более 40кВт;

3. Системы производства урановой плазмы.

4. Системы для обработки жидкого расплавленного урана или жидких урановых сплавов, состоящие из тиглей и охлаждающего оборудования для тиглей. Тигли и другие компоненты этой системы изготовлены из коррозионно-стойких и термостойких материалов или защищены покрытием из таких материалов. Приемлемые материалы включают тантал, покрытый оксидом иттрия графит, графит, покрытый окислами других редкоземельных элементов или их составы;

Особое примечание: См. также 2А225.

5. Агрегаты для сбора "продукта" и "хвостов". Эти агрегаты изготавливаются из материалов, стойких к нагреву и коррозии, вызываемой парами металлического урана, таких, как графит, покрытый оксидом иттрия, или тантал, или защищаются покрытием из таких материалов;

6. Кожухи разделительного модуля (цилиндрические) для помещения в них источника урановой плазмы, энергетического соленоида радиочастоты и коллекторов "продукта" и "хвостов", изготовленные из соответствующих немагнитных материалов (например, нержавеющая сталь);

j. Специально разработанные или подготовленные оборудование и компоненты для использования на установках электромагнитного обогащения, такие как:

1. Отдельные или многочисленные источники ионов урана, состоящие из источника пара, ионизатора ускорителя, изготовленные из соответствующих немагнитных материалов (как графит, нержавеющая сталь или медь) и способные обеспечивать общий ток в пучке ионов 50 м А или более;

2. Пластины-приемники ионов, имеющие две или более щели и паза, для сбора пучков ионов обогащенного и обедненного урана и изготовленные из соответствующих немагнитных материалов (таких, как графит или нержавеющая сталь);

3. Вакуумные кожухи для электромагнитных сепараторов урана, изготовленные немагнитных материалов (например, нержавеющая сталь) и предназначенные для работы при давлениях 0,1 Па или ниже;

4. Магнитные полюсные наконечники, имеющие диаметр более 2 м;

5. Высоковольтные источники питания для источников ионов, обладающие всеми следующими характеристиками:

a. Могут работать в непрерывном режиме;

b. Выходное напряжение 20 000 В или более;

c. Выходной ток 1 А или более; и

d. Стабилизация напряжения лучше, чем 0,01 % в течение 8 часов;

Особое примечание: См. также 3А227.

6. Источники питания для магнитов (высокая мощность, постоянный ток), обладающие всеми следующими характеристиками:

a. Могут работать в непрерывном режиме с выходным током 500 А или более при напряжении 100 V или более;и

b. Стабилизация тока или напряжения лучше, чем 0,01 % в течение 8 часов.

Особое примечание: См. также 3А226

 

0В001 а. 1. 8401 20 000 0
0В001 а. 2. 8401 20 000 0
  8421 39
0В001 а. 3. 8401 20 000 0
0В001 а. 4. 8401 20 000 0
0В001 a. 5. 8421 29 000 9
0В001 a. 6. 8401 20 000 0
  9013 20 000 0
0B001 a. 7. 8401 20 000 0
  9013 20 000 0
0В001 a. 8. 8401 20 000 0
0B001 a. 9. 8401 20 000 0
0B001 b. 1. 8401 20 000 0
0B001 b. 2. 8401 20 000 0
0B001 b. 3. 8401 20 000 0
0B001 b. 4. 8307
  8401 20 000 0
0B001 b. 5. 8401 20 000 0
0В001 b. 6. 8401 20 000 0
0В001 b. 7. 8483 30 800 9
0В001 b. 8. 8483 30 800 9
0В001 b. 9. 8414 10 250 0
0В001 b. 10. 8503 00 990 0
0В001 b. 11. 8401 20 000 0
0B001 b. 12. 8401 20 000 0
0B001 b. 13. 8504 40
  8502 40 000 0
0B001 с. 1. 8401 20 000 0
  8421 39
0В001 c. 2. 7310 10 000 0
  7508 90 000 0
  7611
  7612
0B001 с. 3. 8414 80 (кроме 8414 80 110 1, 8414 80 190 1, 8414 80 220 1, 8414 80 280 1, 8414 80 510 1, 8414 80 750 1, 8414 80 780 1, 8414 80 800 1)
0B001 с. 4. 8484 10 000 0 (кроме, предназначенных для гражданской авиации)
  8484 90 000 0 (кроме, предназначенных для гражданской авиации)
  8487 90 800 0
0B001 с. 5. 8419 50 000 0 (кроме, предназначенных для гражданской авиации)
0B001 с. 6. 8481 10
  8481 30 910 0
  8481 30 990 0
  8481 80
0B001 d. 1. 8401 20 000 0
0В001 d. 2. 8401 20 000 0
0B001 d. 3. 8414 80
0B001 d. 4. 8419 50 000 0 (кроме, предназначенных для гражданской авиации)
0B001 d. 5. 8401 20 000 0
0B001 d. 6. 8481 10
  8481 30 910 0
  8481 30 990 0
  8481 80
d. 7. 8419 50 000 0 (кроме, предназначенных для гражданской авиации)
0B001 e. 1. 8401 20 000 0
0B001 e. 2. 8401 20 000 0
0В001 e. 3. 8401 20 000 0
0В001 e. 4. 8401 20 000 0
0В001 e. 5. 8401 20 000 0
0В001 e. 6. 8401 20 000 0
0В001 f. 1. 3824 90 900 0 (только иониты)
  3914 00 000 0
0В001 f. 2. 8421 29 000 9
0В001 f. 3. 8401 20 000 0
0В001 g. 1. 8401 20 000 0
0В001 g. 2. 8401 20 000 0
0В001 g. 3. 8419 89 989 0
  8486 10 000 9
  8486 20 900 9
  8486 30 900 9
  8486 40 000 9
0В001 g. 4. 8401 20 000 0
0В001 g. 5. 8401 20 000 0
  9013 20 000 0
0В001 h. 1. 8401 20 000 0
0В001 h. 2. 8401 20 000 0
0В001 h. 3. 8414 80 (кроме 8414 80 110 1, 8414 80 190 1, 8414 80 220 1, 8414 80 280 1, 8414 80 510 1, 8414 80 750 1, 8414 80 780 1, 8414 80 800 1)
0В001 h. 4. 8401 20 000 0
0В001 h. 5. 8419 50 000 0 (кроме, предназначенных для гражданской авиации)
0В001 h. 6. 8401 20 000 0
  9013 20 000 0
0В001 i. 1. 8543 10 000 0
0В001 i. 2. 8504 50 950 0
0В001 i. 3. 8401 20 000 0
0В001 i. 4. 8401 20 000 0
0В001 i. 5. 8419 89 989 0
  8486 10 000 9
  8486 20 900 9
  8486 30 900 9
  8486 40 000 9
0В001 i. 6. 8401 20 000 0
0В001 j. 1. 8401 30 000 0
0В001 j. 2. 8401 20 000 0
0В001 j. 3. 8401 20 000 0
0В001 j. 4. 8505 90 100 0
0В001 j. 5. 8504 40 880 9
0В001 j. 6. 8504 40 880 9

 

0B002 Специально-разработанные или подготовленные вспомогательные системы, оборудование и компоненты, для установок разделения изотопов, указанных в 0В001, изготовленные из "материалов, коррозионно-стойких к UF6", или защищенные покрытием из таких материалов, такие как:

a. Автоклавы, термостаты или системы, используемые для подачи UF6к месту обогащения;

b. Десублиматоры или холодные ловушки, используемые для выведения нагретого UF6 из процесса обогащения для последующего перемещения;

c. Станции "продуктов" и "хвостов", используемые для отвода UF6 в контейнеры;

d. Установки сжижения или отвердения, используемые для выведения UF6 из процесса обогащения путем сжатия, охлаждения и перевода UF6 в жидкое или твердое состояние;

e. Специально разработанные или подготовленные системы трубопроводов и коллекторов для удержания UF6 внутри диффузионных, центрифужных или аэродинамических каскадов;

f. 1. Вакуумные системы трубопроводов или вакуумные коллекторы, имеющие всасывающую способность 5 куб.м/минуту или более; или

2. Вакуумные насосы, специально разработанные для использования в атмосфере, содержащей UF6;

g. Специально разработанные или подготовленные масс-спектрометры/ионные источники, способные производить прямой отбор проб подаваемой массы, продукта или хвостов из газовых потоков UF6и обладающие полным набором следующих характеристик:

1. Удельная разрешающая способность по массе свыше 320 аем (amu);

2. Содержат ионные источники, изготовленные из нихрома или монеля или защищенные покрытием из них, или никелированные;

3. Содержат ионизационные источники с бомбардировкой электронами; и

4. Содержат коллекторную систему, пригодную для изотопного анализа.

 

0В002 а.
 
 
 
 
0В002 b.
0В002 с.
0В002 d.
 
 
 
 
0В002 е.
0В002 f. 1.
0B002 f. 2.
 
0B002 g.

 

0B003 Специально разработанные или подготовленные установки и оборудование для конверсии урана, такие как:

a. Системы для конверсии концентратов урановой руды в UO3;

b. Системы для конверсии UO3в UF6;

c. Системы для конверсии UO3в UO2;

d. Системы для конверсии U02в UF4;

e. Системы для конверсии UF4в UF6;

f. Системы для конверсии UF4в металлический уран;

g. Системы для конверсии UF6в UO2;

h. Системы для конверсии UF6в UF4;

i. Системы для конверсии UO2в и UCl4.

 

0B003
 
 
 
 

 

0В004 Специально разработанные или подготовленные установки, оборудование и компоненты для производства или концентрации тяжелой воды, дейтерия и дейтериевых соединений, такие как:

a. Установки для производства тяжелой воды, дейтерия и дейтериевых соединений, такие как:

1. Водо-сероводородные обменные установки;

2. Аммиачно-водородные обменные установки;

b. Оборудование и компоненты, такие как:

1. Водо-сероводородные обменные колонны, изготавливаемые из мелкозернистой углеродистой стали (например, ASTM A516), диаметром от 6 м до 9 м, которые могут эксплуатироваться при давлениях от 2 Мпа и выше и имеют коррозионный допуск в 6 мм или более;

2. Одноступенчатые малонапорные (т.е. 0,2 МПа) центробежные газодувки или компрессоры для циркуляции сероводородного газа (т.е. газа, содержащего более 70 % H2S), имеющие производительность, превышающую или равную 56 куб.м/с при эксплуатации под давлением, превышающим или равным 1,8 МПа на входе, и снабженные сальниками, устойчивыми к воздействию H2S;

3. Аммиачно-водородные обменные колонны высотой 35 м и более, диаметром от 1,5 м до 2,5 м, которые могут эксплуатироваться под давлением, превышающим 15 МПа;

4. Внутренние части колонны и ступенчатые насосы для производства тяжелой воды путем использования процесса аммиачно-водородного обмена. Внутренние части колонны включают контакторы между ступенями. Ступенчатые насосы включают погружаемые в жидкость насосы;

5. Установки для крекинга аммиака, эксплуатируемые под давлением от 3 Мпа и выше для производства тяжелой воды путем использования процесса изотопного обмена аммиака и водорода;

6. Инфракрасные анализаторы поглощения, способные осуществлять анализ соотношения между водородом и дейтерием в реальном масштабе времени, когда концентрации дейтерия равны или превышают 90 %;

7. Каталитические печи для переработки обогащенного дейтериевого газа в тяжелую воду для производства тяжелой воды путем использования процесса изотопного обмена аммиака и водорода;

8. Установки или колоны для переработки тяжелой воды с целью достичь концентрации дейтерия необходимой для применения в реакторах.

 

0В004 а. 1.
0В004 а. 2.
0В004 b. 1.
0В004 b. 2.
0В004 b. 3.
0В004 b. 4.
 
0В004 b. 5.
0В004 b. 6.
0В004 b. 7.
 
 
 
0В004 b. 8.

 

0В005 Специально разработанные или подготовленные установки и оборудование для производства топливных элементов "ядерных реакторов".

Примечание: Установки для производства топливных элементов для "ядерных реакторов" включают в себя оборудование, которое:

а. Обычно находится в непосредственном контакте с технологическим потоком ядерного материала или непосредственно обрабатывает его, или же управляет им;

b. Герметизирует ядерные материалы в резервуарах для хранения (оболочках);

c. Проверяет целостность резервуаров для хранения или их затворов; или

d. Проверяет окончательную обработку герметизированного топлива.

 

0В005 а.
0В005 b.
0В005 с.
0В005 d.

 

0В006 Специально разработанные или подготовленные установки, оборудование и компоненты для переработки топливных элементов "ядерных реакторов".

Примечание: 0В006 включает:

1. Установки для переработки облученных топливных элементов "ядерных реакторов" включают оборудование и компоненты, которые обычно находятся в прямом контакте с облученным топливом и основными технологическими потоками ядерного материала и продуктов деления и непосредственно управляют ими;

a. Машины для измельчения облученных топливных элементов, то есть оборудование с дистанционным управлением для резки, рубки или нарезки сборок, пучков или стержней облученного ядерного топлива "ядерных реакторов";

b. Диссольверы, безопасные с точки зрения критичности резервуары (например, малого диаметра, кольцеобразной или прямоугольной формы резервуары), специально разработанные и подготовленные для растворения облученного в "ядерном реакторе" топлива, которые способны выдерживать горячую, высококоррозионную жидкость и могут дистанционно загружаться и технически обслуживаться;

c. Специально разработанные или подготовленные экстракторы с растворителем и оборудование для процессов ионного обмена для использования на установке по переработке облученного "природного урана", "обедненного урана" и "специальных расщепляющихся материалов";

d. Резервуары для выдерживания или хранения, специально разработанные для обеспечения безопасности с точки зрения критичности и устойчивости к коррозионному воздействию азотной кислоты;

Примечание: Резервуары для выдерживания или хранения могут обладать следующими конструктивными особенностями:

1. Борный эквивалент стенок или внутренних конструкций (рассчитанный для всех элементов как определено в 0С004) равен, по меньшей мере, двум процентам;

2. Цилиндрические резервуары имеют максимальный диаметр 175 мм; или

3. Прямоугольный или кольцевой резервуар имеет максимальную ширину 75 мм.

е. Специально разработанная или подготовленная аппаратура управления процессом для контроля или управления переработкой облученного "природного урана", "обедненного урана" или "специальных расщепляющихся материалов".

 

0В006 а.
0В006 b.
 
 
 
 
 
 
 
0В006 с.
 
 
 
 
 
0В006 d.
 
 
 
 
0В006 е.
 
0В006 f.

 

0В007 Специально разработанные или подготовленные установки, оборудование и компоненты для конверсии плутония, как:

a. Системы для конверсии нитрата плутония в оксид плутония;

b. Системы для производства металлического плутония.

 

0В007 а. 8479 89 970 9
0В007 b. 8479 89 970 9

 

0С Материалы

 

0С001 "Природный уран" или "обедненный уран" или торий в виде металла, сплава, химического соединения или концентрата или любой другой материал, содержащий что-либо из вышеперечисленного;

Примечание: Пункт 0С001 не контролирует следующее:

a. Четыре грамма или меньшее количество "природного урана" или "обедненного урана", когда он является составной частью датчика в приборах (инструментах);

b. "Обедненный уран", специально изготовленный для следующих гражданских неядерных целей:

1. Защита;

2. Упаковка;

3. Балласты, имеющие массу не больше чем 100 Кг;

4. Противовесы, имеющие массу не больше чем 100 Кг.

5. Сплавы, содержащие менее чем 5 % тория;

c. Керамические изделия, содержащие торий, предназначенные для неядерного использования.

 

0С001
 
 
 
 
 

 

0С002 "Специальные расщепляющиеся материалы"

 

0С002
 
 

 

Примечание: Под контроль по пункту 0С002 не попадает: четыре "эффективных грамма" или менее этих материалов, когда они являются составной частью датчика в приборах (инструментах).

0С003 Дейтерий, тяжелая вода (окись дейтерия) и любое другое соединение дейтерия, а также составы и растворы, в которых атомарное отношение дейтерия к водороду превышает 1:5000.

 

0С003
 

 

С004 Ядерно-чистый графит, имеющий степень чистоты менее 5 частей на миллион "борного эквивалента", с плотностью больше, чем 1,5 г/куб.см.

Особое примечание: См. также 1С107.

Примечание 1:Под контроль по пункту 0С004 не подпадают:

a. Изделия из графита массой менее 1 кг, за исключением специально разработанных или подготовленных для использования в "ядерных реакторах";

b. Порошок графита.

Примечание 2:В 0С004, "борный эквивалент" (БЭ), определяется как сумма БЭzдля примесей (исключая БЭуглерод, так как углерод не рассматривается как примесь) включая бор. где:

БЭz(ррт) = CF х Концентрация элемента Z в ррт;

б(сигма)вАв

где CF - коэффициент пересчета = б(сигма)zAz

и бви бz- сечения захвата тепловых нейтронов (в барнах) для естественной концентрации бора и элемента Z соответственно; а Ави Аz- атомные массы бора и элемента Z, соответственно.

 

0С004

 

0С005 Специально подготовленные соединения или порошки для изготовления газодиффузионных барьеров, коррозионно-стойкие к UF6(изготовленные из никеля или сплавов, содержащих 60 или более процентов никеля; оксида алюминия; полностью фторированных углеводородных полимеров), имеющие чистоту 99,9 % или более, с размером частиц менее 10 мкм и высокой однородностью их по крупности.

 

0С005 7504 00 000 0
  2818 20 000 0
  2903 39 900 0 (только фториды)

 

0D Программное обеспечение

 

0D001 Специально разработанное или модифицированное "Программное обеспечение" для "разработки", "производства" или "использования" продукции, указанной в этой Категории.

 

0D001

 

0E Технология

 

0Е001 Согласно "Примечаниям о Ядерных Технологиях", "технология" для "разработки", "производства" или "использования" продукции, указанной в этой Категории.

0Е001

 

Категория 1 Материалы, химикаты, "микроорганизмы" и "токсины"

 

(Подраздел 1 в ред. Постановления Правительства РК от 18.06.2013 N 618)

 

1А Системы, оборудование и компоненты

 

1А001 Компоненты, изготовленные из фторированных соединений, такие как:

a. Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или трубчатые уплотнения, предназначенные для применения в "авиационной" или аэрокосмической технике и изготовленные из материалов, содержащих более 50 % (по весу) любого материала, контролируемого по подпунктам 1С009.b. или 1С009.c.;

b. Пьезоэлектрические полимеры и сополимеры, изготовленные из фтористых винилиденовых материалов, контролируемых по подпункту 1С009.а.:

1. В виде листа или пленки; и

2. Толщиной более 200 мкм;

3. Уплотнения, прокладки, седла клапанов, трубчатые уплотнения или диафрагмы, изготовленные из фторэластомеров, содержащих, по крайней мере, одну виниловую группу как составляющую, специально предназначенные для "авиационной", аэрокосмической или "ракетной техники".

Примечание: В 1А001.c., "ракета" означает ракетные системы и беспилотные воздушные летательные аппараты.

 

1А001 а. 3919 90 900 0
1А001 b. 3921 90 900 0
1А001 с. 3919 90 900 0

 

1А002 "Композиционные материалы" или слоистые структуры (ламинаты), имеющие любую из следующих составляющих:

Особое примечание: Смотрите также 1А202, 9А010 и 9А110

a. "Органическую матрицу" и выполненные из материалов, контролируемых по пунктам 1C010.c., 1C010.d. или 1C010.e.;или

b. Металлическую или углеродную "матрицу" и выполненные из:

1. Углеродных "волокнистых или нитевидных материалов":

a. с "удельным модулем упругости" свыше 10,15х106м;и

b. с "удельной прочностью на разрыв" свыше 17,7x104 м; или

2. Материалов, контролируемых по пункту 1C010.c.

Примечание 1:По пункту 1А002 не контролируются композитные структуры или ламинаты, изготовленные из эпоксидной смолы, импрегнированной углеродом, "волокнистые или нитевидные материалы" для ремонта структур летательных аппаратов или ламинаты, имеющие размеры, не превышающие 1 кв.м.

Примечание 2:По пункту 1А002 не контролируются завершенные или полузавершенные изделия, специально предназначенные для исключительно гражданского применения, такого как:

a. Для спортивных товаров;

b. Для автомобилестроения;

c. Для станкостроительной промышленности;

d. Для применения в медицине.

 

1А002 3926 90 980 2
1А002 b. 1 3801
  6903 10 000 0
1А002 b. 2 3926 90 980 2

 

1А003 Изделия из нефторидных полимерных веществ, как указано в 1С008.а.3., в виде пленки, листа, ленты или полосы, с одной из следующих характеристик:

a. При толщине свыше 0,254 мм; или

b. Покрытые или ламинированные углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами.

Примечание: По пункту 1А003 не контролируются изделия, покрытые или ламинированные медью и предназначенные для производства электронных печатных плат.

 

1А003
 

 

1А004 Оборудование для защиты и обнаружения и его части, не предназначенные специально для контроля товаров военного применения, такие как:

Особое примечание: См. также 2В351 и 2B352.

a. Противогазы, поглотительные фильтры и оборудование для обеззараживания, разработанные или модернизированные для защиты от биологических агентов или радиоактивных веществ, "предназначенных для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ и специально предназначенные для этого компоненты;

b. Защитные костюмы, перчатки и ботинки, специально разработанные или модернизированные для защиты от биологических агентов или радиоактивных веществ, "предназначенных для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ;

c. Ядерные, биологические и химические системы обнаружения и их компоненты, специально разработанные или модернизированные для защиты от биологических агентов или радиоактивных веществ, "предназначенных для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ и специально предназначенные для этого компоненты.

Примечание: По пункту 1А004 не контролируется:

a. Персональные дозиметры радиационного излучения;

b. Оборудование, ограниченное конструктивным или функциональным назначением для защиты от токсичных веществ, специфичных для гражданской промышленности: горного дела, работ в карьерах, сельского хозяйства, фармацевтики, медицинского, ветеринарного использования, утилизации отходов или для пищевой промышленности.

 

1А004 а. 9020 00 900 0
1А004 b. 3926 20 000 0 ("предназначенные для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ)
  4015 19 900 0 ("предназначенные для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ)
  4015 90 000 0 ("предназначенные для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ)
  6204 29 900 0
  6216 00 000 0 ("предназначенные для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ)
  6405 90 ("предназначенные для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ)
  6402 91 100 0 ("предназначенные для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ)
  6402 99 100 0 ("предназначенные для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ)
  6402 99 930 0 ("предназначенные для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ)
  6404 19 900 0 ("предназначенные для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ)
1А004 с. 9027 10 100 0
  9027 10 900 0
  9027 80 170 0 ("предназначенные для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ)
  9027 80 970 0 ("предназначенные для применения в военных целях", или боевых химических отравляющих веществ)
  9027 90 900 0
  9030 10 000 0 (кроме предназначенных для гражданской авиации)
  9030 89 300 0
  9030 89 900 0 (кроме предназначенных для гражданской авиации)

 

1А005 Бронежилеты и специально предназначенные компоненты, изготовленные не по военным стандартам или спецификациям и не равноценные им в исполнении.

Особое примечание: См. также военный список

Особое примечание: Касательно "Волокнистых или нитевидных материалов", используемых при изготовлении бронежилетов, см. пункт 1С010

Примечание 1:По пункту 1А005 не контролируются индивидуальные бронежилеты и принадлежности к ним, когда они предназначены для индивидуального пользования и персональной защиты.

Примечание 2:По пункту 1А005 не контролируются бронежилеты, предназначенные только для обеспечения фронтальной защиты, как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывчатых устройств.

Примечание 3:Пункт 1A005 не применяется к бронежилетам, предназначенным для защиты от травмирующих ударов ножа, заостренного шипа, иглы или тупых предметов.

 

1А005 6211 43 900 0
  7326 90 970 0 (только бронежилеты)

 

(ч. 1А005 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

1А006 Оборудование, специально разработанное или модифицированное для обезвреживания указанных ниже самодельных взрывных устройств и специально предназначенные для него компоненты и приспособления:

a. Дистанционно управляемые транспортные средства.

b. "Разрыватели".

Техническое примечание:

"Разрыватели" – устройства, специально разработанные для предотвращения срабатывания взрывного устройства путем воздействия жидкостью, твердым или хрупким снарядом.

N.B. Описание оборудования, специально предназначенного для военного применения, а именно для обезвреживания самодельных взрывных устройств, приведено также в п. ML4.

Примечание: Пункт 1A006 не применяется к оборудованию, если таковое управляется оператором.

(ч. 1А006 введена Постановлением Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

1А007 Оборудование и устройства, специально разработанные для инициации зарядов и устройств, содержащих энергетические материалы, под воздействием электрических средств, как то:

a. Пульты управления запуском детонаторами взрывных устройств, разработанные для приведения в действие детонаторов взрывных устройств, указанных в пункте 1A007 b.

b. Электродетонаторы взрывных устройств:

1. Детонаторы с взрывающимся мостиком (ЕВ);

2. Детонаторы с взрывающейся перемычкой из провода (EBW);

3. Детонаторы с ударником;

4. Инициаторы с взрывающейся фольгой (EFI);

Техническое примечание:

1. Вместо термина "детонатор" иногда употребляется термин "инициатор" или "запал".

2. Применительно к пункту 1A007.b. во всех описанных в нем детонаторах используется небольшой электрический проводник (мостик, взрывающийся повод или фольга), который испаряется во время взрыва, когда через него проходит короткий сильноточный электрический импульс. В детонаторах безударного действия взрывающийся проводник инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним чувствительном взрывчатом веществе, таком как РЕТМ (пентаэритритолтетранитрат). В детонаторах ударного действия вызванное взрывом испарение электрического проводника приводит в действие боек или пробойник, который воздействует на взрывчатое вещество и инициирует химическую детонацию. В некоторых конструкциях ударник приводится в действие магнитным полем. Термин "детонатор с взрывающейся фольгой" может относиться как к детонаторам с взрывающимся мостиком, так и к детонаторам ударного действия.

N.B. Оборудование и устройства, специально предназначенные для военного использования, описаны в Военном списке (ML).

(ч. 1А007 введена Постановлением Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

1А008 Заряды, устройства и компоненты:

а. "Кумулятивные заряды", имеющие все нижеперечисленные характеристики:

1. Количество нетто взрывчатого вещества (КНВ) более 90 г; и

2. Наружный диаметр оболочки 75 мм и более;

b. Линейные кумулятивные заряды для перебивания элементов конструкции, имеющие все нижеперечисленные характеристики, а также специально разработанные для них компоненты:

1. Заряд взрывчатого вещества более 40 г/м; и

2. Ширина, равная 10 мм или более;

c. Детонирующие шнуры с содержанием взрывчатого вещества в сердцевине более 64 г/м;

d. Пирошпангоуты, за исключением предусмотренных в пункте 1A008. b. и разрывные заряды, имеющие КНВ более 3,5 кг.

Примечание: К зарядам и устройствам, определенным в пункте 1A008 относятся только такие, которые содержат "взрывчатые вещества", перечисленные в Приложении к Категории 1, и их смеси.

Техническое примечание:

"Кумулятивные заряды" – взрывные заряды, имеющие специальную форму, позволяющую направлять действие взрывной волны.

(ч. 1А008 введена Постановлением Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

1А102 Перенасыщенные пиролизные углеродисто-углеродистые компоненты, разработанные для использования в космических летательных аппаратах, указанных в 9А004 или зондирующих ракетах, указанных в 9А104.

 

1А102

 

1А202 Композитные структуры, отличные от определенных в 1А002, в форме труб, обладающие следующими характеристиками:

Особое примечание: См. также 9А010 и 9А110.

a. Внутренним диаметром от 75 мм до 400 мм, и

b. Изготовленные из любого из "волокнистых или нитевидных материалов", контролируемых согласно пунктам 1С010.а. или b., или 1С210.а., или из углеродных импрегнированных материалов, контролируемых согласно пункту 1С210.c.

 

1А202
 
 
 
 
 

 

1А225 Платинированные катализаторы, специально разработанные или подготовленные для ускорения реакции обмена изотопами водорода между водородом и водой в целях восстановления трития из тяжелой воды или для производства тяжелой воды.

 

1А225 3815
  7115

 

1А226 Специализированные сборки, предназначенные для отделения тяжелой воды от обычной, обладающие следующими характеристиками:

a. Изготовленные из фосфористой бронзы (химически обработанные с целью улучшения смачиваемости),и

b. Предназначенные для применения в вакуумных дистилляционных башнях.

 

1А226

 

1А227 Высокоплотные (из свинцового стекла или из других материалов) окна радиационной защиты и специально разработанные рамы для них, обладающие всеми из нижеперечисленных характеристик:

a. Площадью более 0,09 кв.м. по "холодной поверхности",

b. Плотностью свыше 3 г/куб.см, и

c. Толщиной 100 мм или более.

Техническое примечание:

В 1А227 под "холодной поверхностью" подразумевается область рабочей поверхности окна, подвергаемая наинизшему уровню радиационного облучения, согласно промышленному образцу.

 

1А227 7003 19
  7005 29 800 0
  7006 00
  7308 30 000 0 (только рамы)
  9022 90 900 0

 

1А301. Оборудование для распылительной сушки, обеспечивающее высушивание токсинов или патогенных микроорганизмов и имеющее следующие характеристики:

1) производительность по испаренной влаге от 0,4 кг/час до 400 кг/час;

2) способность вырабатывать частицы продукта со средним типичным размером 10 мкм и менее в штатном оснащении или при минимальной модификации сушилки распылительными насадками, позволяющими вырабатывать необходимый размер частиц;

3) возможность стерилизации или дезинфекции без предварительной разборки.

(ч. 1А301 введена Постановлением Правительства РК от 18.06.2013 N 618)

 

1В Испытательное, контрольное и производственное оборудование

 

1B001 Оборудование для производства волокон, препрегов, преформ или композиционных материалов либо изделий, контролируемых по пунктам 1А002 или 1С010, а также специально предназначенные компоненты и вспомогательные устройства:

Особое примечание: См. также 1В101 и 1В201.

a. Машины для намотки волокон, у которых перемещения, связанные с позиционированием, обволакиванием и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более осям и которые специально предназначены для производства "композиционных" материалов или ламинатов из "волокнистых или нитевидных материалов";

b. Машины для намотки ленты или троса, у которых перемещения, связанные с позиционированием и намоткой ленты, троса или рулона, координируются и программируются по двум или более осям и которые специально предназначены для производства элементов корпусов боевых "ракет" или летательных аппаратов из "композиционных" материалов;

Примечание: В 1B001.b., "ракета" означает ракетные системы и беспилотные воздушные летательные аппараты.

c. Ткацкие машины или машины для плетения, действующие в разных измерениях и направлениях, включая адаптеры и устройства для изменения функций машин, которые предназначены для ткачества, перемеживания или переплетения волокон с целью изготовления "композиционных" материалов;

Техническое примечание:

В пункте 1В001.c., техника перемеживания включает вязание.

Примечание: По пункту 1В001.c не контролируется ткацкое оборудование, не модифицированное для вышеуказанного конечного использования.

d. Оборудование, специально спроектированное или приспособленное для производства усиленных волокон, такое как:

1. Оборудование для преобразования полимерных волокон (таких как полиакрилонитрил, вискоза, пек или поликарбосилан) в углеродные или карбид-кремниевые волокна, включая специальное оборудование для усиления волокон в процессе нагревания;

2. Оборудование для осаждения паров химических элементов или сложных веществ на нагретую нитевидную подложку с целью производства карбидокремниевых волокон;

3. Оборудование для производства термостойкой керамики (такой как оксид алюминия) методом влажной намотки;

4. Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминий содержащих прекурсоров в волокна, содержащие глинозем;

e. Оборудование для производства препрегов, контролируемых по пункту 1C010.e., методом горячего плавления;

f. Оборудование для неразрушающего контроля, способное обнаруживать дефекты в трех измерениях с применением методов ультразвуковой или рентгеновской томографии, специально созданное для "композиционных" материалов.

 

1В001 а. 8445 40 000
1В001 b. 8445 40 000
1В001 с. 8446
  8447
1В001 d. 1. 8477 80 990 0
  8486 20 900 9
  8456 10 00
  8456 90 000 0
  8515 80 990 0
1В001 d. 2. 8417 80 850 0
  8419 89
1B001 d. 3. 8417 80 850 0
1B001 d. 4. 8419 39 100 9
  8514 10 800 0
  8514 20 100 0
  8514 20 800 0
  8514 30 190 0
  8514 30 990 0
  8514 40 000 0
1B001 e. 8419 89 989 0
  8486 10 000
  8486 20
  8451 80 800
  8477 59 100 0
  8477 59 800 0
  8486 40 000 9
1В001 f. 9022 12 000 0
  9022 19 000 0
  9022 29 000 0
  9031 80 380 0

 

1В002 Оборудование, специально предназначенное для предотвращения загрязнения и для производства металлических сплавов, порошкообразных металлических сплавов или материалов на основе сплавов, и предназначенное для использования в каком-либо процессе, указанном в 1С002.с2.

Особое примечание: См. также 1В102.

 

1В002 8417

 

1В003 Инструменты, пресс-формы, матрицы или арматура для "суперпластического формования" или "диффузионной сварки" титана, алюминия или их сплавов, специально предназначенных для производства:

a. Корпусов летательных аппаратов или аэрокосмических конструкций;

b. Двигателей летательных или аэрокосмических аппаратов; или

c. Компонентов, специально предназначенных для таких конструкций или двигателей.

 

1В003 8207 30 100 0

 

1В101 Оборудование, отличное от контролируемого пунктом 1В001, для "производства" "композиционных" структур, и специально разработанное или подготовленное для этого дополнительное оборудование и компоненты, такие как:

Особое примечание: См. также 1B201.

Примечание: Компоненты и дополнительное оборудование, контролируемое пунктом 1В101, включает в себя валики, дискодержатели, плашки, прессовочное оборудование для прессовки, термической обработки, литья, спекания или сварки "композиционных" материалов и ламинатов или изделий из них.

a. Машины для намотки волокон, у которых перемещения, связанные с позиционированием, обволакиванием и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более осям и которые специально предназначены для производства композиционных материалов или ламинатов из волокнистых или нитевидных материалов, а также средства для позиционирования и программирования;

b. Машины для намотки ленты, у которых перемещения, связанные с позиционированием и намоткой ленты или рулона, координируются и программируются по двум или более осям и которые предназначены для производства элементов корпусов боевых "ракет" или летательных аппаратов из композиционных материалов;

c. Оборудование, спроектированное или приспособленное для "производства" "волокнистых или нитевидных материалов", такое как:

1. Оборудование для преобразования полимерных волокон (таких как полиакрилонитрил, вискоза, пек или поликарбосилан), включая специальное оборудование для усиления волокон в процессе нагревания;

2. Оборудование для осаждения паров химических элементов или сложных веществ на нагретую нитевидную подложку;

3. Оборудование для производства термостойкой керамики, такой как оксид алюминия, методом влажной намотки;

d. Оборудование, разработанное или измененное для специальной обработки поверхностей волокон или для создания препрегов и заготовок, которые контролируются в пункте 9С110.

Примечание: Оборудование, контролируемое в пункте 1B101.d., включает в себя валики, устройства для вытягивания волокон, оборудование для покрытия поверхностей, режущее оборудование и плашки заготовок.

 

1B101 а.
 
 
1В101 b.
1B101 c. 1.
 
1B101 c. 2.
1В101 c. 3.
 
1B101 d.
 
 
 

 

1B102 "Производственное оборудование" для производства металлического порошка, помимо указанного в пункте 1В002, и следующие его компоненты:

Особое примечание: См. также 1В115.b.

a. Оборудование порошковой технологии, применимое для "производства" в контролируемой среде сферических или измельченных материалов, контролируемых согласно пунктам 1C011.a., 1C011.b., 1С111.а.1., 1С111.a.2. либо согласно Военному Списку.

b. Специально разработанные компоненты "производственного оборудования", контролируемые согласно пунктам 1В002 или 1В102.а.

Примечание: Пункт 1В102 включает:

a. Генераторы плазмы (высокочастотные электродуговые), применимые для получения распыленных или сферических металлических порошкообразных материалов с организацией процесса в аргонно-водяной среде;

b. Электровзрывное оборудование, применимое для получения распыленных или сферических металлических порошкообразных материалов с организацией процесса в аргонно-водяной среде;

c. Оборудование, применимое для "производства" сферических алюминиевых порошков способом распыления расплава в инертной среде (к примеру, азоте).

 

1В102 а.
 
 
 
1В102 b.
 
 
 
1В102 с.
 
 
 
 

 

1B115 Оборудование, помимо указанного в пунктах 1В002 или 1В102, для производства ракетного топлива или его компонентов, а также специально разработанные компоненты для такого оборудования, как-то:

a. "Оборудование" для "производства", перевозки и приемочных испытаний жидкого ракетного топлива или его компонентов, контролируемых в пунктах 1С011.а, 1С001.b., 1С111 или в Военном Списке;

b. "Оборудование" для "производства", перевозки, смешивания, отверждения, отливки, прессовки, обработки на станке, штамповки выдавливанием или приемочных испытаний твердотельного ракетного топлива или его компонентов, контролируемых в пунктах 1С011.a., 1C001.b., 1C111 или в Военном Списке;

Примечание: Пунктом 1В115.b. не контролируются пакетные составители, составители периодического действия и жидкостно-энергетические мельницы. Касательно контроля такого оборудования смотрите пункты 1В117, 1В118 и 1В119.

Примечание 1. Касательно оборудования, специально разработанного для производства военных товаров, см. Военный Список.

Примечание 2. Пунктом 1В115 не контролируется оборудование для "производства", хранения и приемочных испытаний карбида бора.

 

1В115 а.
1B115 b.

 

1В116 Специально разработанные сопла для производства путем осаждения на валики, оправки или другие подложки материалов, полученных пиролитически из газов-прекурсоров, которые распадаются в температурном диапазоне от 1 573 К (1 3000С) до 3173К (2 9000С) при давлениях от 130 Па до 20 кПа.

 

1B116 8417 90 000 0

 

1B117 Пакетные составители, имеющие оборудование для смешивания в вакууме в диапазоне от нуля до 13,326 кПа и имеющие средства для регулирования температуры в камере смешивания, и имеющие все из следующего:

a. Объем камеры 110 литров и более, и

b. По крайней мере, один, смещенный от центра, вал для смешивания/перемешивания.

 

1B117
 

 

1B118 Составители периодического действия, имеющие оборудование для смешивания в вакууме в диапазоне от нуля до 13,326 кПа и имеющие средства для регулирования температуры в камере смешивания и оснащенные следующим, и специально сконструированные для них компоненты:

a. Два или больше вала для смешивания/перемешивания, или

b. Один вращающийся вал, который вибрирует, с зубьями/стержнями для перемешивания, как на валу, так и внутри составительной камеры.

 

1B118

 

1B119 Жидкостно-энергетические мельницы, применимые для измельчения или перемалывания материалов, контролируемых согласно пунктам 1С011.a., 1C011.b., 1C111 или Военным Списком, и специально разработанные компоненты для них.

 

1B119 8479 82 000 0

 

1В201 Следующие машины для намотки волокон, отличающиеся от контролируемых в пунктах 1В001 или 1В101, и соответствующее оборудование:

a. Машины для намотки волокон, обладающие всеми из нижеперечисленных характеристик:

1. В которых движения по размещению, обертыванию и наматыванию волокон координируются и программируются по двум и более осям,

2. Специально разработанные для изготовления "композиционных" или слоистых структур из "волокнистых и нитеобразных материалов",и

3. С возможностью намотки цилиндрических роторов диаметром от 75 до 400 мм и длиной не менее 600 мм.

b. Координирующие и программирующие контрольные устройства для оборудования, контролируемого согласно пункту 1В201.а.

c. Прецизионные оправки для оборудования, контролируемого согласно пункту 1В201.а.

 

1В201 а. 8445 40 000
  8445 90 000
1В201 b. 8537 10
1В201 с. 8448 39 000 0

 

1B225 Электролитические ячейки для производства фтора мощностью больше чем 250г фтора в час.

 

1B225 8543 30 000 0

 

1B226 Электромагнитные сепараторы для разделения изотопов, разработанные для или оснащенные одним или многими источниками ионов, обеспечивающими общий ток ионного пучка 50 мА или более.

Примечание: Пункт 1В226 включает сепараторы:

a. Обеспечивающие обогащение стабильными изотопами;

b. Оснащенные ионными источниками и коллекторами, которые могут находиться как в магнитном поле, так и вне поля.

 

1B226

 

1B227 Аммиачные синтезирующие конвертеры или аммиачные синтезирующие секции, в которые исходные газы (азот и водород) выводятся из аммиачно-водородной обменной колонны высокого давления, а синтезированный аммиак возвращается в ту же колонну.

 

1B227
 

 

1B228 Водородные криогенные дистилляционные колонны, обладающие всеми следующими характеристиками:

a. Предназначенные для работы при внутренних температурах 35 К (-2380С) или менее;

b. Предназначенные для работы при внутреннем давлении от 0,5 до 5 МРа;

c. Изготовленные из:

1. "Мелкозернистой нержавеющей стали" серии 300 с низким содержанием серы и с размером зерна номер 5 или более по стандарту ASTM (или эквивалентному стандарту), или

2. Из других эквивалентных криогенных материалов, совместимых с водородом; и

d. Имеющие внутренний диаметр не менее 1 м или больше и эффективную длину не менее 5 м или больше.

 

1В228 8419 40 000 9

 

1B229 Следующие водно-сероводородные обменные колонны и "внутренние контакторы" для них:

Особое примечание: Касательно колонн, которые специально разработаны или подготовлены для производства тяжелой воды, см. 0В004.

a. Водно-сероводородные обменные колонны, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Способные функционировать при номинальном давлении 2 МПа и более;

2. Изготавливаемые из высококачественной углеродистой стали, размером зерна номер 5 или более, по стандарту ASTM (или эквивалентному стандарту), и

3. Диаметром от 1,8 м и более;

b. "Внутренние контакторы" для водно-сероводородных обменных колонн, контролируемых согласно пункту 1В229.а.

Техническое примечание:

"Внутренними контакторами" колонн являются сегментированные тарелки, которые имеют эффективный диаметр в собранном виде 1,8 м или более, сконструированы для обеспечения противоточного контакта, изготовлены из нержавеющей стали с содержанием углерода 0,03 % или менее. Ими могут быть сетчатые тарелки, провальные тарелки, колпачковые тарелки и спиральные насадки.

 

1В229 а. 8419 40 000 9
1В229 b. 8419 40 000 9

 

1B230 Насосы для перекачки растворов катализатора из разбавленного или концентрированного амида калия в жидком аммиаке (KNH2/NH3) обладающие всеми следующими характеристиками:

a. Герметичные (то есть, герметически запаянные);

b. Производительностью свыше 8,5 куб.м/ч;и

c. Любой из следующих характеристик:

1. Для концентрированных растворов амида калия (более 1 % или свыше) с рабочим давлением 1,5-60 МПа, или

2. Для разбавленных растворов амида калия (менее 1 %) с рабочим давлением 20-60 МПа.

 

1В230

 

1B231 Установки и оборудование для трития, такое как:

a. Установки для производства, восстановления, извлечения, концентрации, или хранения или транспортировки трития;

b. Оборудование для установок трития или установки, такие как:

1. Водородные или гелиевые охладительные установки, способные охладить до температуры 23 К (- 2500С) или меньше, с теплоотводом более 150 ватт;

2. Системы для накопления и очистки изотопов водорода, использующие для накопления или очистки металлические гидриды.

 

1В231 а. 8401
18231 b. 1. 8418
  8401 20 000 0
1В231 b. 2. 8401 20 000 0
  8421 39 900 0

 

1B232 Турборасширители или установки турборасширитель-компрессор, обладающие следующими характеристиками:

a. Сконструированные для эксплуатации при температуре ниже 35 К (-2380С) или меньше, и

b. Имеющие пропускную способность по газообразному водороду 1 000 кг/ч или более.

 

1B232 8411 81 000 9
  8411 82
  8414 30 890 9
  8414 80 220
  8414 80 280

 

1B233 Установки и оборудование для разделения изотопов лития, такие как:

a. Установки или агрегаты для разделения изотопов лития;

b. Оборудование для разделения изотопов лития, такое как:

2. Колонны для обмена жидкость - жидкость с насадками, специально разработанные для амальгам лития;

3. Насосы для ртути или амальгам лития;

4. Электролизные ячейки для амальгам лития;

5. Испарители для концентрированных растворов гидрооксида лития.

 

1B233 а. 8401 20 000 0
1В233 b. 1. 8401 20 000 0
  8479 89 970 9
  8486 10 000
  8486 20
  8486 30
  8486 40 000
1В233 b. 2. 8413 50 800 0
  8413 60 800 0
  8413 70 810 0
  8413 70 890 0
  8413 81 000 9
1В233 b. 3. 8401 20 000 0
  8543 30 000 0
1В233 b. 4. 8401 20 000 0
  8419 39 900 9
  8419 89 989 0

 

1С Материалы

 

Техническое примечание:

Металлы и сплавы:

Везде, где явно не дано иное определение, термины "металлы" и "сплавы" в пунктах с 1С001 по 1С012 охватывают следующие необработанные и полуфабрикатные формы:

Необработанные формы:

Аноды, шары, полосы (включая отрубленные полосы и проволочные полосы), металлические заготовки, блоки, стальные болванки, брикеты, бруски, катоды, кристаллы, кубы, стаканы, зерна, гранулы, слитки, литье, окатыши, чушки, порошок, кольца, дробь, слябы, куски металла неправильной формы, губка, прутки;

Полуфабрикатные формы (независимо от того, облицованы, анодированы, просверлены, прессованы они или нет):

a. Определенной формы или обработанные материалы, полученные путем прокатки, волочения, горячей штамповки выдавливанием, ковки, импульсного выдавливания, прессования, дробления, распыления и разматывания, а именно: угольники, швеллеры, кольца, диски, пыль, хлопья, фольга и лист, поковки, плиты, порошок, изделия, обработанные прессованием или штамповкой, ленты, фланцы, прутки (включая сварные брусковые прутки, проволочные прутки и прокатанные проволоки), профили, формы, листы, полоски, трубы и трубки (включая трубные кольца, трубные прямоугольники и полостные трубки), тянутая или экструдированная проволока;

b. Литейный материал (отливки), полученный литьем в песке, матрице, металле, пластике или других типах материалов, включая литье под высоким давлением, "шлаковые формы" (оплавляемые модели) и формы, полученные с помощью порошковой металлургии.

Цель контроля не должна нарушаться экспортом неуказанных в Списке форм, выдаваемых за законченные изделия, но в действительности представляющих собой необработанные и полуфабрикатные формы.

1С001 Материалы, специально предназначенные для поглощения электромагнитных волн, или электропроводящие полимеры, такие, как:

Особое примечание: См. также 1С101.

а. Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 2 х 108Гц, но меньше 3 х 1012Гц; 3815 19; 3910 00 000 0

Примечание 1: По пункту 1C001.a. не контролируются:

a. Абсорберы волосяного типа, изготовленные из натуральных и синтетических волокон, с немагнитной загрузкой для абсорбции;

b. Абсорберы, не имеющие магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности;

c. Плоские абсорберы, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Изготовленные из любых следующих материалов:

a. Пенопластических материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связывающие присадки, обеспечивающих коэффициент отражения более 5 % по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от центральной частоты падающей энергии более чем на +/-15 %, и не способных противостоять температурам, превышающим 450 К (1770С); или

b. Керамических материалов, обеспечивающих более чем 20 % отражение по сравнению с металлами в диапазоне +/-15 % от центральной частоты падающей энергии и не способных противостоять: температурам, превышающим 800 К (5270С);

Техническое примечание:

Образцы для тестирования для пункта 1C001.a.,

Примечание: 1.1С001. должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн на центральной частоте, расположенного в дальней зоне излучающего элемента.

2. с прочностью на растяжение менее 7 х 106 Н/кв.м.; и

3. с прочностью на сжатие менее 14 х 106 Н/кв.м.;

d. Плоские абсорберы, выполненные из спеченного феррита, имеющие:

1. Удельный вес более 4,4;и

2. Максимальную рабочую температуру 548 К (2750С).

Примечание 2:По пункту 1 к 1C001.a. контролируются также краски, содержащие в своем составе магнитные материалы, обеспечивающие поглощение волн.

b. Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 1,5 х 1014 Гц, но меньших 3,7 х 1014 Гц, и непрозрачные для видимого света:

с. Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью свыше 10000 См/м (Сименс на метр) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/кв., выполненные на основе любого из следующих полимеров:

1. Полианилина;

2. Полипиролла;

3. Политиофена;

4. Полифенилен-винилена; или

5. Политиенилен-винилена

Техническое примечание.

"Объемная электропроводность" и "поверхностное удельное сопротивление" должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или национальным эквивалентом.

 

1С001 а. 3815 19 900 0
  3910 00 000
1С001 b. 3815 19 900 0
  3910 00 000
1С001 с. 1. 3909 30 000 0
1С001 c. 2. 3911 90 990 0
1С001 с. 3. 3911 90 990 0
  3911 90 990 0
1С001 с. 4. 3911 90 990 0
1С001 с. 5. 3919 90 900 0

 

1С002 Металлические сплавы, порошки металлических сплавов или сплавленные материалы следующего типа:

Особое примечание: См. также 1С202.

Примечание: По пункту 1С002 не контролируются металлические сплавы, порошки металлических сплавов или сплавленные материалы, предназначенные для грунтующих покрытий

Технические примечания:

1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1С002 относятся те, которые содержат больший процент по весу указанного металла, чем других элементов.

2. Срок эксплуатации до разрыва следует определять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-139 или ее национальным эквивалентом.

3. Показатель циклической усталости должен определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Рекомендаций по тестированию на усталость при небольшом количестве циклов и постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Тестирование следует производить в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации нагрузки (К), равном единице. Средняя нагрузка определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку.

a. Следующие алюминиды:

1. Никелевые алюминиды, содержащие минимально 15 % по весу, максимально 38 % по весу алюминия и не менее одного дополнительного элемента сплава;

2. Титановые алюминиды, содержащие 10 % по весу или более алюминия, и не менее одного дополнительного элемента сплава.

b. Металлические сплавы, изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1С002.c. такие, как:

1. Никелевые сплавы:

a. Со сроком эксплуатации 10 000 часов или более до разрыва в условиях нагружения на уровне 676 МПа при температуре 923 К (6500С); или

b. С низким показателем циклической усталости 10 000 циклов или более, при температуре 823 К (5500С) и максимальном нагружении в 1,095 МПа;

2. Ниобиевые сплавы:

a. Со сроком эксплуатации 10 000 часов или более до разрыва в условиях нагружения на уровне 400 МПа при температуре 1073 К (8000С); или

b. С низким показателем циклической усталости, 10 000 циклов или более, при температуре 973 К (7000С) и максимальном нагружении 700 МПа;

3. Титановые сплавы:

a. Со сроком эксплуатации 10 000 часов или более до разрыва в условиях нагружения на уровне 200 МПа при температуре 723 К (4500С); или

b. С низким показателем циклической усталости. 10 000 циклов или более, при температуре 723 К (4500С) и максимальной нагрузке 400 МПа;

4. Алюминиевые сплавы, имеющие прочность на растяжение:

a. 240 МПа или более при температуре 473 К (2000С); или

b. 415 МПа или более при температуре 298 К (250С);

5. Магниевые сплавы:

a. С прочностью на растяжение 345 МПа или более;и

b. Скоростью коррозии менее 1 мм в год в 3-процентном водном растворе хлорида натрия, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом.

c. Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие следующие характеристики материалов, такие, как:

1. Изготовленные из любых следующих композиционных систем:

Техническое примечание:

X в дальнейшем соответствует одному или более элементам, входящим в состав сплава.

а. Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), предназначенные для использования в составе частей или компонентов турбин двигателей, т.е. содержащие менее чем три неметаллические частицы (введенными в процессе производства) крупнее 100 мкм в 109частицах сплава;

b. Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti;

c. Титановые сплавы (Ti-Al-Х или Ti-X-Al);

d. Алюминиевые сплавы (Аl-Mg-X или Аl-Х-Mg, Al-Zn-X или Аl-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или

e. Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al);

2. Изготовленные в контролируемой среде при помощи одного из нижеследующих процессов:

a. "Вакуумного распыления";

b. "Газового распыления";

c. "Центробежного распыления";

d. "Охлаждения разбрызгиванием";

e. "Спиннингования расплава" и "раздробления";

f. "Экстракции расплава" и "раздробления"; или

g. "Механического легирования"; и

3. Способные создавать материалы, перечисленные в 1С002.а. или 1С002.b.

d. Сплавленные материалы, имеющие следующие характеристики:

1. Изготовленные из любых композиционных систем, установленных в 1С002.с.1.; В форме не измельченных хлопьев, стружек или тонких стержней; и

2. Изготовленных в контролируемой среде, используя один из следующих методов:

a. "Охлаждения разбрызгиванием";

b. "Спиннингования расплава"; или

c. "Экстракцией расплава".

 

1С002 а. 1. 7502 20 000 0
1С002 а. 2. 8108 20 000 9
  8108 90 300 0
  8108 90 500 0
  8108 90 600 0
  8108 90 900 0
1С002 b. 1. 7502 20 000 0
1С002 b. 2. 8112 92 310 0
  8112 99 300 0
1С002 b. 3. 8108 20 000 9
  8108 90 300 0
  8108 90 500 0
  8108 90 600 0
  8108 90 900 0
1С002 b. 4. 7601 20
  7604 29 100 0
  7608 20 890 0
  7603
1С002 b. 5. 8104
  8104 30 000 0
1С002 с. 1. a. 7502 20 000 0
  7504 00 000 0
1C002 c. 1. b. 8112 92 310 0
  8112 99 300 0
1C002 c. 1. e. 8108 20 000 9
1C002 c. 1. d. 7603
1C002 c. 1. e. 8104 30 000 0
1C002 c. 2. 8112 92 310 0
  8112 99 300 0
1C002 c. 3.  
1C002 d. 7503 00 900 0
  7504 00 000 0
  7505 12 000 0
  7602 00 110 0
  7506
  7603 20 000 0
  7604 29 100 0
  7606 12 910 0
  7606 92 000 0
  7607 19
  8104 30 000 0
  8104 90 000 0
  8108 20 000 1
  8408 20 000 5
  8108 0 300 0
  8108 90 500 0
  8112 92 310 0
  8112 99 300

 

1C003 Магнитные металлы всех типов и любой формы, обладающие какой-нибудь из следующих характеристик:

а. Начальную относительную магнитную проницаемость 120 000 или более и толщину 0,05 мм или менее;

Техническое примечание: Замер начальной относительной магнитной проницаемости должен осуществляться с использованием полностью отожженных материалов:

b. Магнитострикционные сплавы, обладающие любой из следующих характеристик:

1. Магнитострикционное насыщение более 5 х 10-4;или

2. Коэффициент магнитомеханического сцепления (к) более 0,8: или

c. Аморфная или "нанокристаллическая" стружка сплава, обладающая всеми следующими характеристиками:

1. Состоящие, как минимум, на 75 % по весу из железа, кобальта или никеля;

2. Магнитную индукцию насыщения (Ва) 1,6 Т или более: и

3. Любое из нижеследующего:

a. Толщину стружки не более 0,02 мм:или

b. Удельное электрическое сопротивление 2 х 10-4 Ом/см или более.

Техническое примечание:

"Нанокристаллические" материалы, указанные в пункте 1С003.С, являются материалами, имеющими кристаллические зерна размером 50 нм или менее, что определяется дифракцией рентгеновских лучей

 

1С003 а. 8505 11 000 0
  8505 19
1С003 b. 7206 90 000 0
1С003 с. 7206
  7504 00 000 0
  8105

 

1С004 Урано-титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с "матрицей" на основе железа, никеля или меди, и обладающие всеми следующими характеристиками:

a. Плотность свыше 17,5 г/куб.см;

b. Предел упругости свыше 880 МПа;

c. Предел прочности на растяжение более 1 270 МПа; и

d. Относительное удлинение свыше 8 %

 

1С004
 
 

 

1С005 "Сверхпроводящие" "композиционные" проводники длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г, такие, как:

а. Многожильные "сверхпроводящие" "композиционные" проводники, содержащие одну или несколько ниобиево-титановых нитей:

1. Уложенные в "матрицу" не из меди или не на основе содержащего медь материала; или

2. Имеющие площадь поперечного сечения менее 0,28 х 10-4 кв.мм (6 мкм в диаметре при нитях круглого сечения);

b. "Сверхпроводящие" "композиционные" проводники, состоящие из одной или более "сверхпроводящих" нитей, выполненных не из ниобата титана, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. С "критической температурой" при нулевой магнитной индукции, превышающей 9,85 К (-263,310С), но не ниже 24 К (-249,160С)

2. Площадью поперечного сечения менее 0,28 х 10-4 кв.мм; и

3. Остающиеся в состоянии "сверхпроводимости" при температуре 4,2 К (-268,960С), находясь в магнитном поле, соответствующем магнитной индукции 12 Т.

 

1С005 а.
1С005 b.

 

1С006 Жидкости и смазочные материалы, такие, как:

а. Гидравлические жидкости, содержащие в качестве основных составляющих любые из следующих веществ и материалов:

1. Синтетические углеводородные масла или кремний углеводородные масла, обладающие всеми следующими характеристиками:

Техническое примечание:

Для целей пункта 1С006.а.1., кремний углеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод.

a. Точку возгорания свыше 477 К (2040С);

b. Точку застывания 239 К (-340С) или ниже;

c. Коэффициент вязкости 75 или более; и

d. Являющиеся термостабильными при 616 К (3430С); или

2. Хлоро-фторуглероды, обладающие всеми следующими характеристиками:

Техническое примечание:

Для целей пункта 1С006.а.2., хлоро-фторуглероды содержат исключительно углерод, фтор и хлор.

a. Точка возгорания отсутствует;

b. Температуру самовоспламенения свыше 977 К (7040С);

c. Точку застывания 219 К (-540С) или ниже;

d. Коэффициент вязкости 80 или более; и

e. Точку кипения 473 К (2000С) или выше.

b. Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие вещества или материалы:

1. Фениленовые или алкилфекиленовые эфиры или тиоэфиры или их составы, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функций или их смесей;или

Фторированные кремний содержащие жидкости, характеризуемые кинематической вязкостью менее 5 000 кв.мм/с (5 000 сантистоксов) при температуре 298 К (250С);

c. Увлажняющие или флотирующие жидкости с показателем чистоты более 99,8 %, содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл, изготовленные по меньшей мере, на 85 % из любых следующих соединений и материалов:

1. Дибромтетрафторэтана;

2. Полихлортрифторэтилена (только маслянистые и воскообразные модификации); или

3. Полибромтрифторэтилена

d. Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Содержащие 85 % по весу или более любого из следующих веществ или их смесей:

a. Мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров;

b. Перфторалхиламинов;

c. Перфторциклоалканов; или

d. Перфторалканов;

2. Плотность 1,5 г/мл или более при 298 К (250С);

3. Жидкое состояние при 273 К (00С);и

4. Содержащие 60 % по весу или более фтора.

Техническое примечание:

Для целей, указанных в пункте 1С006:

a. Точка возгорания определяется с использованием метода Кливлендской открытой чашки, описанного в стандартной методике ASTM D-92 или ее национальных эквивалентах;

b. Точка плавления определяется с использованием специального метода, описанного в стандартной методике ASTM D-97 или ее национальных эквивалентах;

c. Коэффициент вязкости определяется с использованием специального метода, описанного в стандартной методике ASTM D-2270 или ее национальных эквивалентах;

d. Термостабильность определяется в соответствии со следующей методикой испытаний или ее национальными эквивалентами:

20 мл испытуемой жидкости помещаются в камеру объемом 46 мл из нержавеющей стали, типа 317, содержащую шары номинального диаметра 12,5 мм из инструментальной стали М-10, стали марки 52 100 и корабельной бронзы (60 % Си, 39 % Zn, 0,75 % Sn);

Камера продува азотом, загерметизирована при давлении, равном атмосферному, и температуре, доведенной до (644 +/- 6) К [(371 =+/- 60С)] и выдерживаемой в течение шести часов;

Образец признается термостабильным, если по завершении вышеописанной процедуры выполняются следующие условия:

1. Потеря веса каждого шара не превышает 10 мг/кв.мм его поверхности;

2. Изменение первоначальной вязкости, определенной при 311 К (380С), не превышает 25 % и

3. Общее кислотное или основное число не превышает 0,40;

е. Температура самостоятельного воспламенения определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM Е-659 или ее национальных эквивалентах.

 

1С006 а. 1. 3819 00 000 0
  2909 19 000 0
  3910 00 000
1С006 а. 2. 2812
  2826
  3819 00 000 0
  2903 41 000 0
  2903 42 000 0
  2903 43 000 0
  2903 44
  2903 45
  3824 71 000 0
1С006 b. 1. 2909 30 900 0
  2930 90 850 0
1С006 b. 2. 3910 00 000 9
1С006 с. 1. 2903 46 900 0
1С006 с. 2. 3904 69 900 0
1С006 с. 3. 3904 69 000 0
  3904 69 900 0
1С006 d. 2903
  2903 41 000 0
  2903 42 000 0
  2903 45 100 0
  3824 90 980 0

 

1С007 Материалы на керамической основе, не "композиционные" керамические "материалы", "композиционные материалы" с керамической матрицей и материалы-предшественники, такие, как:

Особое примечание: См. также 1С107.

а. Основные материалы из простых или сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, на уровне менее 5 000 частиц на миллион, при среднем размере частицы равном или меньшем 5 мкм, и при этом не более 10 % частиц имеют размер более 10 мкм;

b. Не "композиционные" керамические материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98 %, или более, от теоретической плотности;

Примечание: 1С007.b. не контролирует абразивные материалы.

c. "Композиционные" материалы типа керамика-керамика со стеклянной или оксидной "матрицей", укрепленные волокнами, имеющие все следующие свойства:

1. Изготовлены из следующего материала:

a. Si-N;

b. Si-C;

c. Si-Al-O-N; или

d. Si-O-N; и

2. Имеющие удельный предел прочности на разрыве более 12,7 х 103 м;

d. "Композиционные материалы" типа керамика-керамика с постоянной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых "матрица" образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора;

e. Материалы-предшественники (т.е. полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, контролируемых по пункту 1С007.c, такие, как:

1. Полидиорганосиланы (для производства карбида кремния);

2. Полисилазаны (для производства нитрида кремния);

3. Поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами);

f. "Композиционные материалы" типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными "матрицами", укрепленные непрерывными волокнами любой из следующих систем:

1. Аl2О3; или

2. Si-C-N.

Примечание: Пункт 1C007.f. не контролируются композиционные материалы, содержащие волокна из этих систем, имеющие предел прочности на растяжение менее 700 МПа при 1 273 К (1 0000С) или относительное удлинение более 1 % при нагрузке 100 МПа и 1 273 К (1 0000С) за 100 ч.

 

1С007 а. 2850 00 900 0
1С007 b. 2850 00 900 0
1С007 с. 2849
  2850 00
  8803 90 900 0
  8803 90 200 0
  9306 90
1С007 d. 8803 90 900 0
  9306 90
  2849 20 000 0
  2849 90 100 0
  2850 00 200 0
  8113 00 200 0
  8113 00 900 0
1С007 е. 3910 00 000 9
1C007 f. 6903
  6914 90 900 0

 

1C008 Полимерные вещества, не содержащие фтор, такие, как:

a. 1. Бисмалеимиды;

2. Ароматические полиамидимиды;

3. Ароматические полиимиды;

4. Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) более 513 К (2400С), измеренную сухим методом, описанным в стандартной методике ASTM D 3418;

Примечание: пункт 1С008.а. не контролирует неплавкие порошки для формообразования под давлением или фасонных форм.

b. Термопластичные жидкокристаллические сополимеры, имеющие температуру тепловой деформации более 523 К (2500С), измеренную в соответствии со стандартной методикой ASTM D-648, метод А, или ее национальными эквивалентами, при нагрузке 1,82 Н/кв.мм. и образованные сочетанием:

1. Любого из следующих веществ:

a. Фенилена, бифенилена или нафталина;или

b. Метила, тетрабутила или фенил-замещенного фенилена, бифенилена или нафталина;и

2. Любая из следующих кислот:

a. Терефталиковой кислоты;

b. 6-гидроксил-2 нафтоиковой кислоты:или

c. 4-гидроксил бензойной кислоты;

c. Полиариленовые эфирные кетоны, такие, как:

1. Полиэфироэфирокетон (ПЭЭК);

2. Полиэфирокетон-кетон (ПЭКК);

3. Полиэфирокетон (ПЭК);

4. Полиэфирокетон эфирокетон-кетон (ПЭКЭКК)

d. Полиариленовые кетоны;

e. Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации;

f. Полибифениленэфирсульфон.

Техническое примечание:

Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для материалов, контролируемых по пункту 1С008 определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D 3418, применяющей сухой метод.

 

1С008 а. 1. 2925 19 950 0
1С008 а. 2. 3908 90 000 0
1С008 а. 3. 3909 30 000 0
  3911 90 990 0
1С008 а. 4. 3907 20 990 0
  3907 91 900 0
1С008 b. 3907 91 900 0
1С008 с. 1. 3907 91 900 0
1С008 с. 2. 3907 91 900 0
1С008 с. 3. 3907 91 900 0
1С008 с. 4. 397 91 900 0
1С008 d. 3907 99
  3907 70 000 0
1С008 е. 3911 90 190 0
  3911 90 990 0
1C008 f. 3911 90 190 0
  3911 90 990 0

 

1С009 Необработанные соединения фтора, такие, как:

a. Сополимеры винилидена фторида, содержащие 75 % или более структуры бета-кристаллина, полученной без вытягивания;

b. Фтористые полиимиды, содержащие 10 % по весу или более связанного фтора;

c. фтористые фосфазеновые эластомеры, содержащие 30 % по весу или более связанного фтора;

 

1С009 а. 3904 69 900 0
1С009 b. 3904 69 900 0
1С009 с. 3904 69 900 0

 

1С010 "Нитевидные или волокнистые материалы", которые могут быть использованы в органических, металлических или углеродных "матричных" "композиционных" материалах или слоистых структурах, такие, как:

Особое примечание: См. также 1С210.

а. Органические "волокнистые или нитевидные материалы", обладающие всеми следующими характеристиками:

1. "Удельный модуль упругости" свыше 12,7 х 106м:и

2. "Удельную прочность на растяжение" свыше 23,5 х 104м;

Примечание: По пункту 1C010.a. не контролируется полиэтилен. Углеродные "волокнистые или нитевидные материалы", имеющие все следующие характеристики:

1. "Удельный модуль упругости" свыше 12,7 х 106м; и

2. "Удельную прочность на растяжение" свыше 23,5 х 104м;

Примечание: По пункту 1C010.b не контролируются изделия, изготовленные из "волокнистых или нитевидных материалов" для ремонта структур летательных аппаратов или ламинаты, у которых размеры единичных листов не превышают 50 х 90 см;

Техническое примечание:

Свойства материалов, указанных в пункте 1C010.b., должны определяться методами рекомендованными SACMA (Ассоциацией производителей усовершенствованных композиционных материалов) методами SRM 12 по 17, или их национальными эквивалентами - буксировочными испытаниями, как Индустриальный Стандарт Японии JIS-R-7601, Параграф 6.6.2, и должны основываться на средних значениях из большого количества опытов (партии).

b. Неорганические "волокнистые или нитевидные материалы", обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Удельный модуль упругости, превышающий 2,54 х106м; и

2. Точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую 1 922 К (1 6490С) в инертной атмосфере.

Примечание: пункт 1С010.с. не контролирует:

a) Дискретные, многофазные, поликристаллические волокна глинозема, содержащие 3 % или более по весу кремнезема, имеющие удельный модуль упругости менее 10 х 106м;

b) Молибденовые волокна и волокна из молибденовых сплавов;

c) Волокна на основе бора;

d) Дискретные керамические волокна с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде менее 2043 К (1 7700С);

c. "Волокнистые или нитевидные материалы":

1. Изготовленные из любого из следующих материалов:

a. Полиэфиримидов, контролируемых в соответствии с пунктом 1С008.а.; или

b. Материалов, определенных в пунктах с 1С008.b. по 1C008.f.; или;

2. Состоящие из материалов, определенных в пунктах 1C010.d.1.a. или 1C010.d.1.b., и связанные с волокнами других типов, определенных в пунктах 1C010.a., 1C010.b. или 1C010.c.;

d. Волокна, импрегнированные смолой или пеком (препреги), волокна, покрытые металлом или углеродом (преформы), или "преформы углеродных волокон" следующего типа:

1. Изготовленные из "волокнистых или нитевидных материалов", контролируемых по пунктам 1C010.a., 1C010.b. или 1C010.c.;

2. Изготовленные из органических или углеродных "волокнистых или нитевидных материалов":

a. "С удельной прочностью на растяжение", превышающей 17,7 х 104м;

b. "С удельным модулем упругости", превышающим 10,15 х 106м;

c. Неконтролируемых по пунктам с 1C010.a. или 1C010.b.; и

d. Импрегнированных материалами, контролируемыми по пунктам 1С008 или 1С009.b., обладающие температурой перехода в стеклообразное состояние (Tg) свыше 383 К (1100С) или фенольными или эпоксидными смолами, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) равную или превышающую 418 К (1450С).

Примечание: 1C010.e. не контролирует:

a. "Матрицы" из эпоксидной смолы, импрегнированные углеродными "волокнистыми или нитевидными материалами" (препрегами), для ремонта структур летательных аппаратов или ламинаты, у которых размер единичных листов препрегов не превышает 50 см х 90 см;

b. Препреги, импрегнированные фенольными или эпоксидными смолами, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) менее 433 К (1600С) и температуру отвердения меньшую, чем температура перехода в стеклообразное состояние.

Техническое примечание:

Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для материалов, контролируемых по пункту 1C010.e, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 3418, с применением сухого метода. Температура перехода в стеклообразное состояние для фенольных и эпоксидных смол определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 4065, при частоте 1Гц и скорости нагрева 2 К (0С) в минуту, с применением сухого метода.

 

1С010 а. 3926 90 980 2
  5402 11 000 0
  5404 11 000 0
  5501 10 000 1
  5503 11 000 0
1C010 b. 3801
  3926 90 980 2
  5402 11 000 0
  5404 90 900 0
  6815 10 100 0
  6903 10 000 0
1С010 с. 3926 90 980 2
  8101 99 100 0
  8101 96 000 0
  8101 99 900 0
  8108 90 300 0
  8108 90 600 0
  8108 90 900 0
1C010 d. 1. a. 5402 49 000 0
  5501 90 000 0
  5503 90 900 0
  5402 11 000 0
  5402 20 000 0
  5402 49 000 0
  5404 11 000 0
  5501 10 000 1
  5501 20 000 0
  5501 90 000 0
  5503 11 000 0
  5503 20 000 0
1C010 d. 1. b. 5402 49 000 0
  5501 90 000 0
  5503 90 900 0
  5402 20 000 0
  5402 49 000 0
  5404 11 000 0
  5501 20 000 0
  5501 90 000 0
  5503 20 000 0
1C010 d. 2. 3801
  3926 90 980 2
1C010 e. 1. 3801
  3926 90 980 2
  6815 10 100 0
  6815 99 900 0
  6903 10 000 0
  7019 11 000 0
  7019 12 000 0
  3006 91 000 0
  6815 10 900

 

1С011 Металлы и компаунды, такие, как:

Особое примечание: См. также военный список и пункт 1С111.

а. Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм, имеющие сферическую, пылевидную, сфероидальную форму, расслаивающиеся или молотые, изготовленные из материала, содержащего 99 % или более циркония, магния или их сплавов;

Техническое примечание:

Природная составляющая гафния в цирконии (как правило, от 2 % до 7 %) учитывается совместно с цирконием.

Примечание: Металлы или сплавы, указанные в пункте 1C011.a, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий.

b. Бор или карбид бора чистотой 85 % или выше и с размером частиц 60 мкм или менее;

Примечание: Металлы или сплавы, указанные в пункте 1C011.b. подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет и алюминий, магний, цирконий или бериллий.

c. Гуанидин нитрат;

d. Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7).

 

1С011 а. 8104 30 000 0
  8109 20 000 0
1С011 b. 2804 50 100 0
  2849 90 100 0
1C011 с. 2825 10 000 0
  2834 29 800 0
  2904
1С011 d. 2925 21 000 0
  2925 29 000 0

 

1С012 Следующие материалы:

Техническое примечание:

Нижеперечисленные материалы обычно используются для ядерных тепловых источников.

a. Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония - 238 более 50 % по весу;

Примечание: По пункту 1С012.а. не контролируются:

a) Поставки, содержащие один грамм плутония или менее;

b) Поставки, содержащие три "эффективных грамма" плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах;

b. "Предварительно очищенный" нептуний-237 в любой форме

Примечание: По пункту 1С012.b. не контролируются поставки с содержанием в один грамм нептуния-237 или менее.

 

1С012 а. 2844 20 590 0
  2844 20 510 0
  2844 20 990 0
1С012 b. 2844 40 800 0
  2844 40 200 0
  2844 40 300 0

 

1С101 Материалы и приборы для уменьшения "видимости" объекта например, для уменьшения радиолокационной отражательной способности, ультрафиолетовых или инфракрасных сигналов и акустических сигналов от объекта, отличные от описанных в пункте 1С001, для использования в "ракетах" и их подсистемах.

Примечание 1:По пункту 1С101 контролируется:

a. Структурные материалы и покрытия, специально разработанные для уменьшения радиолокационной отражательной способности;

b. Покрытия, включая краски, специально разработанные для уменьшения или изменения отражательной или способности излучения в микроволновом, инфракрасном или ультрафиолетовом диапазоне электромагнитного спектра.

Примечание 2:По пункту 1С101 не контролируются покрытия, специально разработанные для термоконтроля спутников.

 

1С101 8512 30
  3206
  9306
  9032 20 000 0
  3910 00 000
  7205 29 000 0

 

1С102 Перенасыщенные пиролизованные углерод-углеродные материалы, специально разработанные для ракет-носителей, контролируемых согласно пункту 9А004, или ракет-зондов, контролируемых согласно пункту 9А104.

 

1С102 3801
  6815 10

 

1С107 Графит и керамические материалы, отличные от описанных в пункте 1С007, такие как:

а. Мелкозернистый рекристаллизованный кусковой графит с объемной плотностью 1,72 г/куб.см или более при температуре 288 К (150C), с размером зерна 100 микрометров или менее, для применения в "ракетных" насадках и носовых частей возвращаемых космических аппаратов, типа:

1. Цилиндры диаметром 120 мм и свыше, длиной 50 мм и свыше;

2. Трубки с внутренним диаметром 65 мм и более, с толщиной стенки в 25 мм и свыше при длине 50 мм и свыше;

3. Блоки размером 120 мм х 120 мм х 50 мм или свыше;

Особое примечание: Смотрите также 0С004

b. Пиролитический или волоконно-армированный графит, для применения в "ракетных" насадках и носовых частях возвращаемых космических аппаратов;

Особое примечание: см. также 0С004

c. Керамические композиционные материалы (с диэлектрической постоянной менее 6 при частотах от 100 Гц до 10 000 МГц), также используемые для "ракетных" антенных обтекателей;

d. Кусковой карбид кремния, который можно обрабатывать резанием, усиленный необожженной керамикой, для применения для "ракетных" носовых обтекателей.

 

1С107 а. 3801
1С107 b-d. 2804 50 100 0
  2849 20 000 0
  2850 00 200 0
  6815 99 100 0
  6815 10 100 0
  6815 99 900 0
  8803 90 900 0
  9306 90

 

1С111 Ракетное топливо и химические составляющие для него, отличные от описанных в пункте 1С011, такие как:

а. Составляющие для ракетного топлива:

1. Сферическая алюминиевая пудра, отличающаяся от описанной в Военном Списке, состоящая из одинаковых частиц диаметром менее 200 микрометров с содержанием алюминия по весу 97 % или больше, когда не менее 10 % по весу материала состоит из частиц диаметром менее 63 микрометров в соответствии со стандартом ISO 2591:1988 или его национальными эквивалентами;

Техническое примечание: Диаметр частиц 63 микрометра (ISO R-565) соответствует 250 меш (Тайлер) или 230 меш (стандарт ASTM Е-11).

2. Металлическое топливо, отличающееся от описанного в Военном Списке, с размером частиц менее 60 микрометров, сферической, мелкодисперсной, или сфероидальной формы, слоистое или измельченное, содержащее по весу 97 % или более любого из следующих элементов (соединений):

a. Цирконий;

b. Бериллий;

c. Магний; или

d. Сплавы материалов, описанных выше в подпунктах а.-с;

Техническое примечание: Природная составляющая гафния в цирконии (как правило, от 2 % до 7 %) учитывается совместно с цирконием.

3. Жидкие окислители, такие как:

a. Динитроген триоксид (азотистый ангидрид);

b. Нитроген диоксид /динитроген тетраоксид (Двуокись азота/четырехокись азота);

c. Динитроген пентоксид (азотный андигрид);

d. Смешанные оксиды азота (MON);

Техническое примечание: Смешанные оксиды азота (MON) - растворы окиси азота (NО) в динитрогене тетрооксида/диоксиде азота (N2O4/NO2, которые используются в ракетных системах. Целый ряд композиций может определяться как MONiили как MONij, где: i и j являются целым числом, представляющим процент окиси азота в составы (к примеру, MОN3 содержит 3 % окиси азота, MON25 соответственно 25 % окиси азота. Верхний предел составляет MON40, 40 % по весу).

e. Смотрите военный список по ингибированной красной дымящейся азотной кислоты (IRFNA);

f. Смотрите военный список по 1С238 по соединениям из фтора и одного или более других галогенов, кислорода и азота.

b. Полимерные субстанции:

1. Полибутадиен с концевыми карбоксильными группами;

2. Полибутадиен с концевыми гидроксильными группами, отличающийся от описанного в Военном Списке;

3. Полибутадиен - акриловая кислота;

4. Полибутадиен - акриловая кислота - акрилонитрил;

c. Другие топливные добавки и агенты:

1. См. военный список по карборанам, декарборанам, пентаборанам и их производным;

2. Триэтиленгликольдинитрат;

3. 2-Нитродифениламин;

4. Триметололэтантринитрат;

5. Диэтиленгликольдинитрат.

6. Производные фероцена

a. Смотрите Военный Список по катоцену:

b. Этилферроцен;

c. Пропилферроцен;

d. Смотрите военный список по Н-бутилферроцену:

e. Пентилферроцен;

f. Дициклопентилферроцен;

g. Дициклогексилферроцен;

h. Диэтилферроцен;

i. Дипропилферроцен;

j. Дибутилферроцен;

k. Дигексилферроцен;

l. Ацетилферроцен;

m. Смотрите Военный Список по Ферроценкарбоновым кислотам;

n. Смотрите Военный Список по бутацину;

о. Другие производные ферроцена, регулирующие скорость горения ракетного топлива, не включенные в Военный список.

Примечание: Касательно ракетного топлива и его химических составляющих, не описанных в пункте 1С111, см. Военный Список.

 

1С111 а. 1. 7603 10 000 0
1С111 а. 2. а 8109 20 000 0
1С111 а. 2. b 8112 12 000 0
1С111 а. 2. с 8104 30 000 0
1С111 а. 2. d 2804 50 100 0
  8112 12 000 0
  8104 30 000 0
  8109 20 000 0
1С111 а. 3. 2811 29 300 0
1C111 b. 1. 4002 20 000 0
1С111 b. 2. 4002 20 000 0
1С111 b. 3. 4002 20 000 0
1С111 b. 4. 4002 59 000 0
1C111 c. 1. 2905 59 990 0
1C111 c. 2. 2905 59 990 0
1C111 c. 3. 2921 44 000 0
1C111 c. 4. 2905 59 990 0
1C111 c. 5. 2905 59 990 0
1C111 c. 6. 2931 00 950 0

 

1C116 Мартенситно-стареющие стали (стали, характеризующиеся высоким содержанием никеля и низким содержанием углерода с использованием замещающих примесей или преципитатов для дисперсионного отвердения), обладающие следующими характеристиками: предел прочности при растяжении 1,500 МПа или более, измеренный при температуре 293 К (200С), в форме листов, полос или труб с толщиной пластины или стенки 5 мм или менее.

 

1С116 7218
  7219
  7220
  7221 00
  7222
  7223 00
  7224
  7225
  7226
  7227
  7228
  7229
  7304 41 000 0
  7304 49 100 0

 

Особое примечание: См. также 1С216.

1С117 Вольфрам, молибден и сплавы этих металлов в форме однородных сферических или распыленных частиц диаметром 500 микрометров или меньше с чистотой 97 % или больше для изготовления компонентов "ракетных" двигателей, таких как тепловые экраны, компонентов сопла, горловин сопел и поверхностей контроля вектора тяги.

 

1С117 8101 10 000 0
  8102 10 000 0

 

1С118 Стабилизированная титаном дуплексная нержавеющая сталь (Ti-DSS), имеющая все из нижеперечисленного:

a. Имеющая все из следующих характеристик:

1. Содержащая 17,0-23,0 весовых процентов хрома и 4,5-7,0 весовых процентов никеля;

2. Содержащая свыше 0,10 весовых процентов титана; и

3. Ферритик-аустенитическая микроструктура которой (также известная как двухфазная микроструктура) содержит не менее 10 объемных процентов аустенита (согласно стандарту ASTM Е-1181-87 млм или его национальным эквивалентам); и

b. Имеющая любую из следующих форм:

1. Слитки, бруски или болванки размером не менее 100 мм в каждом измерении;

2. Листы шириной 600 мм или свыше и толщиной не более 3 мм; или

3. Трубы внешним диаметром 600 мм или свыше и толщиной стенок не более 3 мм.

 

1С118 7304
  7218
  7219
  7304 41 000 0
  7304 49 990 0

 

1С202 Сплавы, отличные от сплавов, описанных в пунктах 1С002.b.3. или b.4, такие как:

a. Алюминиевые сплавы, обладающие следующими характеристиками:

1. "Предел прочности" на растяжение 460 МПа или больше при температуре 293 К (200С), и

2. Изготовлены в форме труб или цилиндрических стержней (включая поковки) с внешним диаметром более 75 мм;

b. Титановые сплавы, обладающие следующими характеристиками:

1. "Предел" прочности на растяжении 900 МПа или больше при температуре 293 К (200С), и

2. Изготовлены в форме труб или цилиндрических стержней (включая поковки) с внешним диаметром более 75 мм.

Техническое примечание: Фраза "сплавы, обладающие следующими характеристиками" относится к сплавам до или после термообработки.

 

1С202 а. 7604 29 100 0
  7608 20 810 0
  7608 20 890 0
1С202 b. 8108 90 300 0
  8108 90 600 0

 

1С210 "Волокнистые или нитевидные материалы" или препреги, отличные от описанных в пунктах 1C010.a, b. или е., такие как:

a. Углеродные или арамидные "волокнистые или нитеобразные материалы", обладающие любыми из следующих характеристик:

1. "Удельный модуль упругости", равный 12,7 х 106м или более, или

2. "Удельная прочность на растяжение" 235 х 103м или более,

Примечание: По пункту 1С210.а. не контролируются арамидные "волокнистые или нитеобразные материалы", имеющие 0,25 % по весу или более поверхностного модификатора волокон, основанного на сложном эфире;

b. Стеклянные "волокнистые или нитеобразные материалы", имеющие обе следующие характеристики:

1. "Удельный модуль упругости" 3,18 х 106м или более, и

2. "Удельную прочность на растяжение" 76,2 х 103м или более;

c. Импрегнированные термоусадочной смолой непрерывные "пряжи", "ровницы", "пакли" или "ленты" шириной не более 15 мм (препреги), изготовленные из углеродных или стеклянных "волокнистых или нитеобразных материалов", указанных в пунктах 1С210.а. или b.

Техническое примечание: Смола образует матрицу композита.

Примечание: В пункте 1С210 термин "волокнистые или нитеобразные материалы" относится к непрерывным "моноволоконным" нитям, "пряже", "ровнице", "пакле" или "лентам".

 

1С210 а. 3801 90 000 0
  5402 11 000 0
  5404 90 900 0
  5501 10 000 1
  5503 11 000 0
  5509 11 000 0
  5509 12 000 0
  6815 10 100 0
1С210 b. 7019
1С210 с. 3801 90 000 0
  3926 90 980 2
  6815 99 900 0
  7019
  3916
  3920
  3921
  5604 90 000 0
  5607 50 110 0
  6815 10 100 0

 

1С216 Мартенситно-стареющие стали, отличающиеся от описанных в пункте 1С116, с "пределом" прочности на растяжение 2 050 МПа или более при температуре 293 К (200С);

Примечание: По пункту 1С216 не контролируются структуры с линейными размерами не более 75 мм.

Техническое Примечание: Фраза мартенситно-стареющие стали "способные" относится к мартенситно-стареющим сталям до или после термообработки.

 

1С216 7218
  7219
  7220
  7221 00
  7222
  7223 00
  7224
  7225
  7226
  7227
  7228
  7229
  7304 41 000 0
  7304 49 100 0

 

1С225 Бор, обогащенный изотопом бор-10 (10В) до более высокой, чем естественная концентрации, в виде: чистого бора, его соединений, смесей, содержащих бор, изделий из перечисленных материалов, или отходов и лома, содержащих их.

Примечание: в 1С225 составы, включающие бор включают нагруженные им материалы.

Техническое примечание: Естественное изотопное содержание бора-10 составляет приблизительно 18,5 весовых процентов (20 атомных процентов).

 

1С225 2845 90 900 0

 

1С226 Вольфрам, карбид вольфрама или сплавы, содержащие более 90 % вольфрама и изделия из них, обладающие обеими из следующих характеристик:

a. Имеющие форму полого симметричного цилиндра (включая сегменты цилиндра) с внутренним диаметром более 100 мм, но менее 300 мм, и

b. Массой более 20 кг;

Примечание: по пункту 1С226 не контролируются детали, специально спроектированные для использования в качестве гирь или коллиматоров гамма-излучения.

 

1С226 2849 90 300 0
  8101 99 900 0

 

1С227 Кальций, обладающий обеими из следующих характеристик:

a. Содержащий менее 1 000 частей на миллион любых металлических примесей по весу, за исключением магния, и

b. Содержащий на миллион частей кальция менее 10 частей бора.

 

1С227 2805 12 000 0

 

1С228 Магний (высокочистый), обладающий обеими из следующих характеристик:

a. Содержащий менее 200 частей на миллион по весу металлических примесей, за исключением кальция, и

b. Менее 10 частей бора по весу на миллион частей магния.

 

1С228 8104 20 000 0
  8104 30 000 0
  8104 90 000 0

 

1С229 Высокочистый висмут, обладающий обеими из следующих характеристик:

a. Чистотой не менее 99,99 весовых процентов или больше по весу, и

b. С очень низким содержанием серебра (менее 10 частей на миллион).

 

1С229 8106 00

 

1С230 Бериллий следующих видов: металл, сплавы, содержащие более 50 % бериллия по весу, соединения бериллия, изделия из них, отходы и лом, содержащие их.

Примечание: по пункту 1С230 не контролируются:

a. Металлические окна для рентгеновских аппаратов или для приборов каротажа скважин;

b. Профили из оксидов бериллия в готовом виде или полуфабрикаты, специально разработанные для электронных блоков или в качестве подложек для электронных схем;

c. Бериллы (силикат бериллия и алюминия) в виде изумрудов или аквамаринов.

 

1С230 2825 90 200 0
  2826 19 900 0
  2827 39 850 0
  2833 29 900 0
  2834 29 200 0
  2836 99 170 0
  2850 00 900 0
  8112 12 000 0
  8112 13 000 0
  8112 19 000 0

 

1С231 Гафний в следующих видах: металл, сплавы и соединения, содержащие более 60 % гафния по весу, и изделия из них, отходы и лом, содержащие их.

 

1С231 2825 90 800 0
  2826 19 900 0
  2826 90 800 0
  2827 39 850 0
  2827 49 900 0
  2827 60 000 0
  2833 29 900 0
  2834 29 800 0
  2841 90 850 0
  2850 00 200 0
  8112 92 100 0

 

1С232 Гелий-3 (3Не) или гелий, обогащенный изотопом гелия-3, составы, содержащие гелий-3, изделия или приборы, содержащие, что-либо из вышеперечисленного.

Примечание: По пункту 1С232 не контролируются изделия или приборы, содержащие менее 1 г гелия-3.

 

1С232 2845 90 900 0

 

1С233 Литий, обогащенный изотопом 6 (6Li) до более высокой, чем естественная концентрации, продукция или устройства, содержащие обогащенный литий как элементарный литий, сплавы, компаунды, смеси, содержащие литий, изделия, отходы и лом, содержащие любое из вышеперечисленного;

Примечание: по пункту 1С233 не контролируются термолюминесцентные дозиметры;

Техническое примечание: Природное содержание изотопа 6 в литии равно приблизительно 6,5 весовых процентов (7,5 атомных процента).

 

1С233 2845 90 900 0

 

1С234 Цирконий с содержанием гафния менее чем 1 часть гафния на 500 частей циркония по весу в виде металла, сплавов, содержащих более 50 % циркония по весу, и соединений, изделия, изготовленные из указанных металла, сплавов и соединений, а также отходы и лом, содержащие их;

Примечание: по пункту 1С234 не контролируется цирконий в форме фольги, имеющей толщину, не превышающую 0,10мм.

имеющей толщину, не превышающую 0,10мм.

 

1С234 2825 60 000 0
  2825 90 800 0
  2826 19 900 0
  2826 90 100 0
  2827 39 850 0
  2827 49 900 0
  2827 60 000 0
  2829 90 100 0
  2833 29 900 0
  2834 29 800 0
  2835 29 800 0
  2836 99 170 0
  2839 90 000 0
  2841 90 850 0
  2849 90 900 0
  2850 00 200 0
  2850 00 900 0
  2915 29 000 0
  3823 19 900 0
  7202 99 800 0
  8109

 

1С235 Тритий, тритиевые соединения, составы, содержащие тритий, в которых отношение атомов трития к водороду превышает 1 к 1 000, или изделия или устройства, содержащие любое из вышеописанного;

Примечание: по пункту 1С235 не контролируются изделия или устройства, содержащие не более 1,48 х 103ГБк (40 кюри) трития в любом виде.

 

1С235 2844 40 800 0

 

1С236 Альфа излучающие радионуклиды, имеющие период альфа-полураспада не менее 10 дней, но не более 200 лет, в виде:

a. Чистого изотопа;

b. Соединения, содержащие любой из этих радионуклидов с суммарной альфа-активностью 1 кюри на 1 кг (37 ГБк/кг) или более;

c. Составы, содержащие любой из этих радионуклидов с суммарной альфа-активностью 1 кюри на 1 кг (37 ГБк/кг) или более;

d. Продукты или устройства, их содержащие.

Примечание: по пункту 1С236 не контролируются изделия или устройства с суммарной альфа-активностью не более 3,7 ГБк (100 миликюри).

 

1С236 2844
  9022 29 000 0

 

1С237 Радий-226 (226Ra), соединения или сплавы радия-226, составы, содержащие радий-226, или изделия или устройства, содержащие любое из вышеописанного.

Примечание: по пункту 1С237 не контролируются:

a. Изделия для медицинских целей;

b. Изделия или устройства, содержащие не более 0,37 ГБк (10 миликюри) радия-226 в любом виде.

 

1С237 2844 40 800 0

 

1С238 Трифторид хлора (CLF3).

 

1С238

 

1С239 Мощные взрывчатые вещества, отличные от описанных в Военном Списке, или их компоненты или составы, содержащие более 2 % этих веществ, с кристаллической плотностью более 1,8 г/куб.см, имеющие скорость детонация более 8 000 м/с.

 

1С239 3602 00 000 0

 

1С240 Никелевый порошок или пористый металлический никель, отличные от описанных в пункте 0С005, такие как:

a. Никелевый порошок, обладающий обеими из следующих характеристик:

1. Чистотой никеля 99,0 % или выше,и

2. Средним размером частиц менее чем 10 мкм, измеренным в соответствии со стандартом ASTM В 330 или эквивалентным стандартом;

b. Пористый металлический никель, изготовленный из материалов, описанных в 1С240.а.;

Примечание: по пункту 1С240 не контролируются:

a. Волокнистые никелевые порошки;

b. Листы пористого металлического никеля, имеющие площадь менее 1 000 кв.см на лист.

Техническое примечание: Пункт 1С240.b. относится к пористому металлу, изготовленному прессованием и спеканием материалов, указанных в пункте 1С240.а, для образования металлического материала с тонкими порами, внутренне связанными по всей структуре.

 

1С240 а.
1С240 b.
 

 

1С350 Химические вещества, которые могут использоваться в качестве прекурсорова для создания токсических химических веществ и "химические составы", содержащие один или более элементов из нижеперечисленного:

(ч. 1С350 в ред. Постановлений Правительства РК от 15.04.2011 N 418, 18.06.2013 N 618)

Особое примечание: См. также военный список и 1С450.

1. Тиодигликоль (111-48-8);

2. Хлорокись фосфора (10025-87-3);

3. Диметилметилфосфонат (756-79-6);

4. См. военный список для Метилфосфонилдифторид (676-99-3);

5. Метилфосфонилдихлорид (676-97-1);

6. Диметилфосфит (868-85-9);

7. Треххлористый фосфор (7719-12-2);

8. Триметилфосфит (121-45-9);

9. Хлористый тионил (7719-09-7);

10. 3-гидрокси-1-метилпиперидин (3554-74-3);

11. N,N-диизопропиламиноэтил-2-хлорид (96-79-7);

12. N,N-диизопропиламиноэтантиол (5842-07-9);

13. Хинуклидин-3-ол (1619-34-7);

14. Фторид калия (7789-23-3);

15. 2-хлорэтанол (107-07-3);

16. Диметиламин (124-40-3);

17. Диэтил(этил)фосфонат (78-38-6);

18. Диэтил-N,N-диметиламидофосфат (2404-03-7);

19. Диэтилфосфит(762-04-9);

20. Диметиламин гидрохлорид (506-59-2);

21. Этилдихлорфосфонит (1498-40-4);

22. Этилдихлорфосфонат (1066-50-8);

23. См военный список для Этилдифторфосфонат (753-98-0);

24. Фтористый водород (7664-39-3);

25. Метилбензилат (76-89-1);

26. Метиддихлорфосфонит (676-83-5);

27. N,N-диизопропиламиноэтан-2-ол (96-80-0);

28. 3,3-диметилбутан-2-ол(пинаколиновый спирт)(464-07-3);

29. См. Военный список для О-этил-O-(2-диизопропиламиноэтил) метилфосфонит (QL) (57856-11-8);

30. Триэтилфосфит (122-52-1);

31. Треххлористый мышьяк (7784-34-1);

32. Фенилуксусная (бензиловая) кислота (2,2-дифенил-2-оксиуксусная кислота) (76-93-7);

33. Диэтил(метил)фосфонит (15715-41-0);

34. Диметил(этил)фосфонат (6163-75-3);

35. Этилдифторфосфонит (430-78-4);

36. Метилдифторфосфонит (753-59-3);

37. 3-Хинуклидин (3731-38-2);

38. Пятифтористый фосфор(10026-13-8);

39. Пинаколин (75-97-8);

40. Цианистый калий (151-50-8);

41. Бифторид калия (7789-29-9);

42. Бифторид аммония (1341-49-7);

43. Бифторид натрия (7681-49-4);

44. Фторид натрия (1333-83-1);

45. Цианистый натрий (143-33-9);

46. Триэтаноламин (102-71-6);

47. Пентасульфид фосфора (1314-80-3);

48. Диизопропиламин (108-18-9);

49. Диэтиламиноэтанол (100-37-8);

50. Сульфид натрия (1313-82-2);

51. Монохлористая сера (10025-67-9);

52. Двухлористая сера (10545-99-0);

53. Триэтаноламиногидрохлорид (637-39-8);

54. N,N-диизопропиламиноэтил-2-хлорид гидрохлорид (4261-68-1);

55. Этилдиэтаноламин;

56. О,О-диэтил-фосфоротиоат;

57. О,О-диэтил-фосфородитиоат;

58. Натрия гексафторосиликат;

59. Метилфосфонотионовый дихлорид;

60. Метилфосфоновая кислота (993-13-5);

61. Диэтил метилфосфат (683-08-9);

62. N,N-диметиламинофосфорил дихлорид (677-43-0);

63. Триизопропил фосфит (116-17-6).

Примечание 1:1С350 не контролирует экспорт в "государства, не являющиеся участниками Конвенции о запрещении разработки, производства, накопления и применения химического оружия и о его уничтожении (далее - КЗХО) "химических смесей", содержащих один или более химических веществ, перечисленных в 1С350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36 и .54, в которых ни один из указанных химикалий не превышает 30 % веса всего состава.

Примечание 2:1С350 не контролирует "химические составы" для экспорта в "государства, являющиеся участниками Конвенции о запрещении разработки, производства, накопления и применения химического оружия и о его уничтожении (далее - КЗХО), содержащие один или более химических веществ, перечисленных в 1С350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36 и .54, в которых ни один из указанных химикалий не превышает 30 % веса всего состава.

Примечание 3:1С350 не контролирует "химические составы", содержащие один или более химикалий, перечисленных в 1С350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52 и .53, в которых ни один из указанных химикалий не превышает 30 % веса всего состава.

Примечание 4:1С350 не контролирует продукцию, отнесенную к разряду потребительских товаров, упакованных для розничной торговли, для личного или индивидуального пользования.

Техническое примечание:

Химические вещества перечислены по наименованию, номеру химической реферативной службы (CAS) и списку веществКонвенциио запрещении разработки, производства, накопления и применения химического оружия и его уничтожении (если применимо). Химические вещества той же самой структурной формулы (например, гидраты) контролируются, независимо от наименования или номера CAS. Номера CAS приводятся для идентификации того, контролируется ли особое химическое вещество или смесь химических веществ, независимо от спецификации. Однако номера CAS не могут использоваться в качестве уникальных идентификаторов во всех ситуациях, потому что у некоторых форм перечисленного химиката различные номера CAS, и у смесей, содержащих перечисленный химикат, могут также быть различные номера CAS.

 

1С350 1. 2920 90 850 0
1С350 2. 2812 10 110 0
1С350 3. 2931 00 100 0
1С350 4. 2931 00 200 0
1С350 5. 2931 00 300 0
1С350 6. 2920 90 200 0
1С350 7. 2812 10 150 0
1С350 8. 2920 90 300 0
1С350 9. 2812 10 950 0
1С350 10. 2933 39 990 0
1С350 11. 2921 19 800 0
1С350 12. 2922 19 800 0
1С350 13. 2933 39 990 0
1С350 14. 2826 19 900 0
1С350 15. 2905 59 100 0
1С350 16. 2921 11 100 0
  2921 11 900 0
1С350 17. 2920 90 850 0
  2931 00 950 0
1С350 18. 2921 19 800 0
1С350 19. 2920 90 500 0
1С350 20. 2921 11 900 0
1С350 21. 2931 00 950 0
1С350 22. 2931 00 950 0
1С350 23. 2931 00 950 0
1С350 24. 2811 11 000 0
1С350 25. 2918 19 850 0
1С350 26. 2931 00 300 0
1С350 27. 2922 19 800 0
1С350 28. 2905 19 000 0
1С350 29. 2931 00 950 0
1С350 30. 2920 90 400 0
1С350 31. 2812 10 990 0
1С350 32. 2916 34 000 0
1С350 33. 2931 00 950 0
1С350 34. 2920 90 850 0
1С350 35. 2931 00 950 0
1С350 36. 2931 00 950 0
1С350 37. 2933 39 990 0
1С350 38. 2812 10 160 0
1С350 39. 2914 19 900 0
1С350 40. 2837 19 000 0
1С350 41. 2826 19 900 0
1С350 42. 2826 19 100 0
  2826 19 900 0
1С350 43. 2826 19 100 0
1С350 44. 2826 19 100 0
1С350 45. 2837 11 000 0
1С350 46. 2922 13 100 0
  2922 13 900 0
1С350 47. 2813 90 100 0
1С350 48. 2921 19 800 0
1С350 49. 2922 19 800 0
1С350 50. 2830 10 000 0
1С350 51. 2812 10 990 0
1С350 52. 2812 10 930 0
1С350 53. 2922 13 900 0
1С350 54. 2921 19 800 0

 

1С351 Патогены, опасные для человека и животных, зоонозы и токсины, такие как:

(ч. 1С351 в ред. Постановлений Правительства РК от 15.04.2011 N 418, 18.06.2013 N 618)

а. Вирусы, естественного происхождения или измененные, в форме "изолированной культуры" или как материал, включая питательную среду, преднамеренно зараженный этими вирусами, такие как:

1. Лихорадки Чикунгунья (Chikungunya virus);

2. Конго-Крымской геморрагической лихорадки (Crimean-Congo haemorrhagic fever virus);

3. Тропической лихорадки Денге (Dengue fever virus);

4. Возбудитель восточного американского энцефаломиелита лошадей (Eastern equine encephalitis virus);

5. Геморрагической лихорадки Эбола (Ebolavirus);

6. Геморрагической лихорадки с почечным синдромом (Хантаан) (Hantaan virus);

7. Аргентинской геморрагической лихорадки (Хунин) (Junin virus);

8. Геморрагической лихорадки Ласса (Lassa virus);

9. Возбудитель лимфоцитарного хориоменингита (Lymphocytic choriomeningitis virus);

10. Боливийской геморрагической лихорадки (Мачупо) (Machupo virus);

11. Лихорадки Марбург (Marburgvirus);

12. Возбудитель оспы обезьян (Monkey pox virus);

13. Возбудитель лихорадки долины Рифт (Rift Valley fever virus);

14. Возбудитель весенне-летнего клещевого энцефалита (русский весенне-летний вирус, вызывающий энцефалит) (Tick-borne encephalitis virus);

15. Возбудитель натуральной оспы (Variola virus);

16. Возбудитель венесуэльского энцефаломиелита лошадей (Venezuelan equine encephalitis virus);

17. Возбудитель западного американского энцефаломиелита лошадей (Western equine encephalitis virus);

18. Возбудитель белой оспы;

19. Возбудитель желтой лихорадки (Yellow fever virus);

20. Возбудитель японского энцефалита (Japanese encephalitis virus);

21. Вирус болезни кьяссанурского леса (Kyasanur Forest disease virus);

22. Вирус Лупинг (Louping virus);

23. Вирус энцефалита долины Муррея (Murray Valley encephalitis virus);

24. Геморрагическая лихорадка Омск (Omsk haemorrhagic fever virus);

25. Вирус Оропуче (Oropouche virus);

26. Вирус Повассан (Powassan virus);

27. Вирус Росио (Rocio virus);

28. Вирус, вызывающий энцефалит Св. Льюиса (St Louis encephalitis virus);

29. Вирус Хендра (Hendra virus) (Equine morbillivirus);

30. Южно-африканская геморрагическая лихорадка Сабиа, Флексал и Гуанарито (Sabia virus, Flexal virus, Guanarito virus);

31. Вирусы, вызывающие легочную и почечную геморрагическую лихорадку Сеул, Добрава, Пуумала, Син Номбре, Андес, Чапаре, Чокло, Лухо, Черная лагуна (Seou virus, Dobrava virus, Puumala virus, Sin Nombre virus, Andes virus, Chapare virus, Choclo virus, Lujo virus, Laguna Negravirus);

32. Вирус Нипах (Nipah virus);

33. Вирус иммунодефицита человека (Human immunodeficiency virus).

b. Риккетсии, естественного происхождения или измененные, в форме "изолированной культуры" или как материал, включая питательную среду, преднамеренно зараженный этими риккетсиями, такие как:

1. Коксиэлла бурнети (Coxiella bumetii);

2. Бартонелла куинтана (Bartonella guintana (Rochalimaea guintana, Rickettsia guintana));

3. Риккетсия провачека (Rickettsia prowasecki);

4. Риккетсия риккетсии (Rickettsia rickettsii);

c. Бактерии, естественного происхождения или измененные, в форме "изолированной культуры" или как материал, включая питательную среду, преднамеренно зараженный этими бактериями, такие как:

1. Бацилус антррацис (Bacillus anthracis);

2. Бруцелла абортус (Brucella abortus);

3. Бруцелла мелитензис (Brucella melitensis);

4. Бруцелла суис (Brucella suis);

5. Хламидия пситтаци (Chlamydia psittaci);

6. Возбудитель ботулизма (Clostridium botulinun);

7. Франсиселла туларенсис (Francisella tularensis);

8. Буркхолдерия малеи (Burkholderia mailer (Pseudomonas mallei));

9. Буркхолдерия псевдомалеи (Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei));

10. Сальмонелла тифи (Salmonella typhi);

11. Возбудитель дизентерии (шигелла) (Shigella dysenteriae);

12. Возбудитель холеры (Vibrio cholerae);

13. Иерсиния пестис (Yersinia pestis);

14. Клостридиальный озноб, вырабатываются токсины, вызывающие болезнь (Clostridium perfringens, Clostridium baratti, Clostridium butyricum);

15. Энтерогеморрагическая кишечная палочка, серотип 0157 и другие серотипы веротоксинообразования (Escherichia coli);

16. Кишечная палочка (Escherichiacoli), продуцирующая токсин Шига (STEC), серотип O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157 и другие серотипы, продуцирующие токсин Шига33;

17. Возбудитель Clostridiumargentinense, ранее известный как возбудитель бутулизма (Clostridiumbotulinum) тип G, ботулинический нейротоксин штаммов-продуцентов.

d. Бактерии вида WB1, WB2, WB3, WB4;

е. Грибы F1 Coccidiodesimmitis, F2 Coccidiodesposadasii, переносклероспорафилиппиненсис, склерофторарайссиэ вариант зиэ, синхитриумэндобитикум, тиллетиаиндика, текафорасолани;

f. Генетические элементы и генетически модифицированные организмы:

1. Генетические элементы, содержащие последовательности нуклеиновых кислот, связанные с патогенностью любого из микроорганизмов, включенных в список.

2. Генетические элементы, содержащие последовательности нуклеиновых кислот, которые кодируют любой из указанных в списке токсинов или их субъединицы.

3. Генетически модифицированные организмы, содержащие последовательности нуклеиновых кислот, связанные с патогенностью любого из микроорганизмов, включенных в список.

4. Генетически модифицированные организмы, содержащие последовательности нуклеиновых кислот, которые кодируют любой из указанных в списке токсинов или их субъединицы.

Примечание: Генетически модифицированные организмы включают организмы, в которых генетический материал (последовательности нуклеиновых кислот) изменен таким путем, который не встречается в природе при скрещивании и(или) естественном мутагенезе, и охватывают такие микроорганизмы, которые полностью или частично получены искусственным путем.

В число генетических элементов входят, помимо прочего, хромосомы, геномы, плазмиды, транспозоны и векторы, как генетически модифицированные, так и не модифицированные.

Последовательности нуклеиновых кислот, связанные с патогенностью любого из микроорганизмов в списке означают любую последовательность, специфичную для соответствующего микроорганизма, указанного в списке:

1. Которая сама по себе или через продукты, полученные при ее трансляции или транскрипции, представляет значительную угрозу для здоровья людей, животных или растений.

2. В отношении которой известно, что она повышает способность перечисленных микроорганизмов или любого другого организма, в который она может быть внесена посредством вставки или иным образом интегрирована, вызывать серьезную опасность для здоровья людей, животных или растений.

3. Указанные меры контроля не применяются в отношении последовательностей нуклеиновых кислот, связанных с патогенностью энтерогеморрагической Escherichiacoli, серотип О157, или другими штаммами, продуцирующими веротоксин, кроме тех, которые кодируют веротоксин или его субъединицы.

Примечание: по пункту 1С351.С. не контролируются вакцины, удовлетворяющие следующим критериям:

1. Если такая продукция - расфасована заранее и предназначена для распределения как медицинский продукт;

2. Если такая продукция санкционирована соответствующим государственным органом к продаже как медицинская продукция.

Сюда следует отнести вакцины против следующих патогенов:

1. Бацилус антррацис (Bacillus anthracis);

2. Бруцелла абортус (Brucella abortus);

3. Бруцелла мелитензис (Brucella melitensis);

4. Бруцелла суис (Brucella suis);

7. Франсиселла туларенсис (Francisella tularensis);

12. Возбудитель холеры (Vibrio cholerae);

13. Иерсиния пестис (Yersinia pestis).

d. "Токсины" и "подтипы токсина", такие как:

1. Ботулинические токсины;

2. Токсины, вызывающие клостридиальный озноб (Clostridium perfringens);

3. Конотоксин;

4. Рицин;

5. Сакситоксин;

6. Шига (Shiga) токсин;

7. Токсины золотистого стафилококка (Staphylococcus aureus);

8. Тетродотоксин;

9. Веротоксин;

10. Микроцистин (циантинозин);

11. Афлатоксин

12. Арбин;

13. Холерный токсин;

14. Токсин диацетотоксисирпенола (Diacetoxyscirpenol toxin);

15. Токсин Т-2;

16. Токсин НТ-2;

17. Модессин (Modeccin);

18. Волкенсин (Volkensin);

19. Вискум альбум лектин 1 (Вискумин);

20. Альфа-токсин гемолизина и токсин синдрома токсического шока (ранее известный как энтеротоксин стафилококка тип F (Staphylococcus enterotoxin F).

Примечание: по пункту 1C351.d. не контролируются ботулинические токсины или конотоксины в продуктах, удовлетворяющих следующим критериям:

1. Если такая продукция является фармацевтическим составом, предназначенным для лечения медицинского состояния;

2. Если такая продукция - расфасована заранее и предназначена для распределения как медицинский продукт;

3. Если такая продукция санкционирована соответствующим государственным органом к продаже как медицинская продукция.

Примечание: по пункту 1С351 не контролируются "токсины вакцины" или "иммунотоксины".

 

1С351 а. 3002 90 500 0
1С351 b. 3002 90 500 0
1С351 с. 3002 90 500 0
1С351 d. 3002 90 900 0
  3002 90 500 0

 

1C352 Патогены, опасные для животных, такие как:

(ч. 1С352 в ред. Постановления Правительства РК от 15.04.2011 N 418)

а. Вирусы, естественного происхождения или измененные, в форме "изолированной живой культуры" или как материал, включая питательную среду, преднамеренно зараженный или привитый нижеперечисленными вирусами:

1. Возбудитель африканской чумы свиней (African swine fever virus);

2. Возбудители гриппа птиц (Influenza A virus):

a. Неклассифицированные; или

b. Определены в Директиве ЕС 92/40/ЕС (OJ L 16, 23.1.1992 р.19) как высокопатогенные, такие как:

1. Тип А с ВВПИ (внутривенный патогенный индекс) для шестинедельных цыплят больший 1,2; или

2. Тип А, подтип Н5 или Н7, в которых в нуклеотидной последовательности основные аминокислоты находятся в состоянии с расщепленным гемаглютином;

3. Возбудитель блютанга (Вирус синего языка овец) (Bluetongue virus);

4. Возбудитель ящура (Foot-and-mouth disease virus);

5. Возбудитель оспы коз (Goat pox virus);

6. Возбудитель болезни Ауески (Вирус герпеса свиней) (Suid herpes virus 1);

7. Возбудитель классической чумы свиней (Classical swine fever virus);

8. Возбудитель бешенства (лиссавирусы) (Lyssavirus);

9. Возбудитель болезни Ньюкасла (Newcastle disease virus);

10. Возбудитель чумы мелких жвачных животных (Peste-des-petits-ruminants virus);

11. Возбудитель энтеровирусной везикулярной инфекции свиней, серотип 9 (Swine vesicular disease virus);

12. Возбудитель чумы крупного рогатого скота (Rinderpest virus);

13. Возбудитель оспы овец (Sheep pox virus);

14. Возбудитель болезни Тешена свиней (Porcine teschovirus 1);

15. Возбудитель везикулярного стоматита (Vesicular stomatitis virus);

16. Вирус актиномикоза кожи (Lumpy skin disease virus);

17. Вирус африканской болезни лошадей (African horse sickness virus).

b. Микоплазма фунгицида (Mycoplasma mycoides), естественного происхождения или измененные, в форме "изолированной живой культуры" или как материал, включая питательную среду, преднамеренно зараженный этой микоплазмой фунгицида.

с. Бактерии вида АВ2 mycoplasmacapricolum (штамм F38);

d. Генетически модифицированных организмов AG2, содержащие последовательности нуклеиновых кислот, связанных с патогенностью любого из включенных в список микроорганизмов.

Примечание: по пункту 1С352 не контролируются "вакцины".

 

1С352 3002 90 500 0

 

1С353 Генетические элементы и генетически измененные микроорганизмы, такие как:

a. Генетически измененные любые микроорганизмы или генетические элементы (фрагменты), которые содержат последовательности (участки) нуклеиновой кислоты, связанные с патогенностью микроорганизмов, указанных в подразделах 1С351.а.-с. или 1С352 или 1С354;

b. Генетически измененные любые микроорганизмы или генетические элементы (фрагменты), которые содержат последовательности (участки) нуклеиновой кислоты, кодирующие любой из "токсинов", указанных в разделе 1С351.d. или "их подтипы токсина".

Техническое примечание: Генетические элементы включают среди прочего хромосомы, геномы, плазмиды, транспозоны и векторы, независимо от генетической модификации или ее отсутствия.

Примечание: 1С353 не применим к последовательностям (участкам) нуклеиновой кислоты, связанным с патогенностью энтерогеморрагического струпного коли, серотип O157, или к другим штаммам, образующим веротоксин, отличающимся от закодированных как веротоксин или как его под-типы;

 

1С353 3002 90 500 0

 

1С354 Патогены, опасные для растений, такие как:

(ч. 1С354 в ред. Постановлений Правительства РК от 15.04.2011 N 418, 18.06.2013 N 618)

a. Вирусы, естественного происхождения или измененные, в форме "изолированной живой культуры" или как материал, включая питательную среду, преднамеренно зараженную или привитую такими культурами как:

1. Латентный тимовирус андского картофеля;

2. Вироид картофельного клубня;

b. Бактерии естественного происхождения или измененные, в форме "изолированной живой культуры" или как материал, включая питательную среду, преднамеренно зараженную или привитую такими культурами как:

1. Ксантомонас албилинеанс (Xanthomonas albilineans);

2. Ксантомонас кампестрис патовар цитри включая штаммы Ксантомонас кампестрис патовар цитри типов A, B, C, D, E или классифицированные иначе, как Ксантомонас цитри, Ксантомонас кампестрис патовар урантифолия или Ксантомонас кампестрис патовар цитромело (Xanthomonas campestris pv. citri);

3. Ксантомонас орузае патовар Орузае (Псюдомонас кампестрис патовар Орузае);

4. Клавибактер михиганенсис подвид Сепедоникуса (коринебактериум михиганенсис подвид Сепедоникуса или коринебактериум Сепедоникум);

5. Ралстония соланасеарум биологическая раса 2 и 3 (псюдомонас соланасеарум биологическая раса 2 и 3);

с. Микроскопические грибы естественного происхождения или измененные, в форме "изолированной живой культуры" или как материал, включая питательную среду, преднамеренно зараженную или привитую такими культурами как:

1. Коллетотрихум коффеанум вариант вируланс (Коллетотрихум кахавэ) (Colletotrichum cffeanum var.virulans (Colletotrichum kahawae));

2. Кохлиоболюс миябеанус (синоним Гельминтоспориум оризэ) (Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae));

3. Микроциклюс улей (синоним Дотиделла улей) (Microcyclus ulei (syn.Dothidella ulei));

4. Пукциния граминис (синоним Пуциния граминис форма специалис тритици) (Puccinia graminis (syn.Puccinia graminis f.sp.tritici));

5. Пуциния стрииформис (синоним Пукциния глумарум) (Puccinia striiformis (syn.Puccinia glumarum));

6. Магнапорте гризеа (пирисулярия гризеа/пирикулярия ориза) (Magnaporthe grisea/pyricularia oryzae));

7. Пероносклероспора филиппиненсис (Peronosclerospora philippinensis);

8. Склерофтора райссиэ вариант зиэ (Sclerophthora rayssiae var. zeae);

9. Синхитриумэндобиотикум (Synchytriumendobioticum);

10. Тиллетиаиндика (Tilletiaindica);

11. Текафорасолани (Thecaphorasolani).

e. Генетически-модифицированные организмы.

 

1С354 а. 3002 90 500 0
1С354 b. 3002 90 500 0
1С354 с. 3002 90 500 0

 

1С450 Токсичные химические вещества и прекурсоры и "химические составы", содержащие один или более из нижеперечисленного:

Особое примечание: См. также пункты 1С350, 1C351.D. и военный список.

а. Токсичные химические вещества, такие как:

1. Амитон: О,О-Диэтил S-[2-(диэтиламино)этил]тиофосфат (78-53-5) и соответствующие алкинированные или протонированные соли;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-пентафтор-2-(трифторметил)-1-пропен (382-21-8);

3. См. военный список для BZ: 3-хинуклидинилбензилат (6581-06-2);

4. Фосген: дихлорангидрид угольной кислоты (75-44-5); 2812 10 940 0

5. Хлорциан (506-77-4); 2851 00 500 0

6. Цианистый водорода (74-90-8); 2811 19 200 0

7. Хлоропикрин: трихлорнитрометан (76-06-2); 2904 90 400 0

Примечание 1:Для экспорта в "государства, не являющиеся участниками Конвенции о запрещении разработки, производства, накопления и применения химического оружия и о его уничтожении (далее - КЗХО), 1С450 не контролирует "химические составы", содержащие один или более химикалий, перечисленных в 1С450.а.1 и а.2, в которых ни один из указанных химикалий не превышает 1 % веса всего состава.

Примечание 2:Для экспорта в "государства, являющиеся участниками Конвенции о запрещении разработки, производства, накопления и применения химического оружия и о его уничтожении (далее - КЗХО), 1С450 не контролирует "химические составы", содержащие один или более химикалий, перечисленных в 1С450.а.1. и .а.2., в которых ни один из указанных химикалий не превышает 30 % веса состава.

Примечание 3:1С450 не контролирует "химические составы", содержащие один или более химикалий, перечисленных в 1С450.а.4, .а.5., .а.6. и .а.7. в которых ни один из указанных химикалий не превышает 30 % веса состава.

b. Токсические химические предшественники, такие как:

1. Химикаты, отличные от описанных в Военном Списке или в 1С350, содержащие атомы фосфора, связанные с метиловыми, этиловыми или пропиловыми (нормальными или изо) группами, но без атомов углерода;

Примечание: по пункту 1С450.b.1. не контролируются Фонофос: О-этил-S-фенил(этил)дитиофосфонат (944-22-9);

2. N,N-Диалкил (метил, этил или пропил (нормальные или изо)) фосфорамидные дигалиды (амидодигалогенофосфаты);

3. Диалкил (метил, этил или пропил (нормальные или изо))-N,N-диалкил (метил, этил или пропил (нормальные или изо))-амидофосфаты, отличные от Диэтил-N,N-диметилфосфорамид, который описан в 1С350;

4. N,N-Диалкил (метил, этил или пропил (нормальные или изо)амино) этилхлориды и соответствующие протонированнные соли, отличные от N,N-Диизопропил-2-аминоэтилхлорида или N,N-диизопропил-2-аминоэтилхлоридгидрохлорида, которые описаны в пункте 1С350;

5. N,N-Диалкил (метил, этил или пропил (нормальные или изо)амино)этанолы и соответствующие протонированные соли, отличные от N,N-Диизопропил-2-аминоэтанол (96-80-0) и N,N-Диэтиламиноэтанол (100-37-8), которые описаны в пункте 1С350;

Примечание: по пункту 1С450.b.5 не контролируются:

a. 2-диметиламиноэтанол (108-01-0) и соответствующие протонированные соли;

b. Протонированные соли 2-диэтиламиноэтанола (100-37-8);

6. N,N-Диалкил (метил, этил или пропил (нормальные или изо)амино) этантиолы и соответствующие протонированные соли, отличные от N,N-Диизоприл-2-аминоэтантиол, которые описаны в пункте 1С350;

7. Этилдиэтаноламин (139-87-7); 2922 19 100 0

8. Метилдиэтаноламин (105-59-9). 2922 19 200 0

Примечание 1:Для экспорта в "государства, не являющиеся участниками Конвенции о запрещении разработки, производства, накопления и применения химического оружия и о его уничтожении (далее - КЗХО), 1С450 не контролирует "химические составы", содержащие один или более химикалий, перечисленных в 1С450.b.1., .b.2, .b.3., .b4., .b.5. и .b.6., в которых не перечисленный в списках химикалий составляет свыше 10 % от веса всего состава.

Примечание 2:Для экспорта в "государства, являющиеся участниками Конвенции о запрещении разработки, производства, накопления и применения химического оружия и о его уничтожении (далее - КЗХО), 1С450 не контролирует "химические составы", содержащие один или более химикалий, перечисленных в 1С450.b.1., .b.2, .b.3., .b4., .b.5. и .b.6., в которых не перечисленный в списках химикалий составляет свыше 30 % от веса всего состава.

Примечание 3:1С450 не контролирует "химические составы", содержащие один или более химикалий, перечисленных в 1С450.b.7,. и .b.8., в которых химикалий, не перечисленный отдельно, составляет свыше 30 % от веса всей составы.

Примечание: 1С450 не контролирует продукты, отнесенные к разряду потребительских товаров, предназначенных в розничную торговлю для личного пользования или расфасованных для индивидуального потребления.

 

1С450 а. 1. 2930 90 850 0
1С450 а. 2. 2930 39 900 0
1С450 а. 3. 2916 39 000 0
1С450 а. 4. 2812 10 940 0
1С450 а. 5. 2853 00 500 0
1С450 а. 6. 2811 19 200 0
1С450 а. 7. 2904 90 400 0
1С450 b. 1. 2931 00 950 0
1С450 b. 2. 2931 00 950 0
1С450 b. 3. 2931 00 950 0
  2929 90 000 0
1С450 b. 4. 2921 19 800 0
1С450 b. 5. 2921 19 800 0
1С450 b. 6. 2930 90 850 0
1С450 b. 7. 2922 19 100 0
1С450 b. 8. 2922 19 200 0

 

1D Программное обеспечение

 

1D001 "Программное обеспечение", специально разработанное или модифицированное для "разработки", "производства" или "применения" оборудования, контролируемого по пунктам с 1В001 по 1В003.

1D001

1D002 "Программное обеспечение" для "разработки" органических "матриц", металлических "матриц" или углеродных "матричных" ламинатов или "композиционных материалов".

1D002

1D101 "Программное обеспечение", специально разработанное или модифицированное для "использования" продукции, подлежащих контролю согласно п. 1В101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 или 1B119.

(ч. 1D101 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

1D103 "Программное обеспечение", специально разработанное или модифицированное для уменьшения видимости объекта, например радиолокационной отражательной способности, видимости в диапазоне ультрафиолетовых/инфракрасных волн и акустическая заметность.

(ч. 1D103 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

1D201 "Программное обеспечение" специально разработанное для "использования" в продукции, определенной в пункте 1В201.

 

1D

 

1E Технология

 

1Е001 "Технологии", в соответствии с технологическим примечанием предназначенные для "разработки" или "производства" оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 1A001.b., 1A001.c, 1A002 по 1А005, 1B или 1С.

1Е001

1Е002 Другие "Технологии", такие, как:

a. "Технологии" для "разработки" или "производства" полибензотиазолов или полибензоксазолей;

b. "Технологии" для "разработки" или "производства" фтористых эластомерных соединений, содержащих, по крайней мере, один винилэфирный мономер;

c. "Технологии" для проектирования или "производства" следующих базовых материалов или "некомпозиционных" керамических материалов:

1. Базовых материалов, обладающих всеми нижеперечисленным:

а. Любой из следующих структур:

1. Простыми или сложными оксидами циркония и сложными оксидами кремния или алюминия;

2. Простыми нитридами бора (имеющих кубическую кристаллическую решетку);

3. Простыми или сложными карбидами кремния или бора; или

4. Простыми или сложными нитридами кремния;

b. Суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем:

1. 1 000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или

2. 5 000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и

c. Представляющих собой:

1. Цирконий со средним размером частицы, равным или меньше 1 мкм и содержащим не более 10 % частиц с размером, превышающим 5 мкм;

2. Другой базовый материал со средним размером частицы, равным или меньше 5 мкм и содержащий не более 10 % частиц с размером, превышающим 10 мкм; или

3. Имеющие все следующие характеристики:

a. Защитные пластинки с отношением длины к толщине, превышающим значение 5;

b. Короткие стержни ("усы") с отношением длины к диаметру, превышающим значение 10 для диаметров стержней менее 2 мкм; и

c. Длинные или рубленные волокна с диаметром меньшим 10 мкм

2. "Некомпозиционных" керамических материалов, изготовленных из материалов, указанных в пункте 1Е002.c.1;

Примечание: По пункту 1Е002.c.2. не контролируются "технологии" разработки и производства абразивных материалов.

d. "Технологии" для "производства" ароматических полиамидных волокон:

e. "Технологии" для сборки, эксплуатации или восстановления материалов, контролируемых по пункту 1С001;

f. "Технологии" для восстановления "композиционных материалов", слоистых структур или материалов, контролируемых по пунктам 1А002, 1С007.c. или 1C007.d.

Примечание: По пункту 1E002.f. не контролируются "технологии" для ремонта структур "гражданских летательных аппаратов", использующих "углеродные волокнистые или нитевидные материалы" и эпоксидные смолы, содержащиеся в инструкциях по эксплуатации авиационных изделий.

1Е002

1Е101 "Технологии" в соответствии с общим технологическим примечанием для "использования" продукции, подлежащих контролю согласно пунктам 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 – 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 – 1C118, 1D101 или 1D103.

(ч. 1Е101 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

1Е102 "Технологии" в соответствии с общим технологическим примечанием для "разработки" "программного обеспечения", подлежащего контролю согласно п. 1D001, 1D101 или 1D103.

(ч. 1Е102 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

1Е103 "Технологии" для регулирования температуры, давления или атмосферы в автоклавах или гидроклавах при "производстве" "композиционных материалов" или частично обработанных "композиционных материалов".

(ч. 1Е103 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

1Е104 "Технологии", связанные с "производством" материалов пиролитическим способом путем подачи на форму, оправку или иную подложку газовой струи, содержащей вещества, разлагающиеся в диапазоне температур от 1573 K (13000C) до 3173 K (29000C) при давлении от 130 Pa до 20 kPa.

Примечание: Пункт 1Е104 включает "технологии" получения газовой среды необходимого состава, с определенной скоростью потока, технологическую последовательность и параметры регулирования процесса.

(ч. 1Е103 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

1Е104

1Е201 "Технологии", в соответствии с технологическим примечанием для "использования" продукции, определенной в пунктах 1А002, 1А202, с 1А225 по 1А227, 1В201, с 1В225 по 1В233, 1С002 а.2.с. или d., 1C010.b., 1C202, 1С210, 1С216, с 1С225 по 1С240 или 1D201.

1Е201

1Е202 "Технологии", в соответствии с Общим технологическим примечанием для "разработки" или "производства" продукции, определенной в 1А202 или с 1А225 по 1А227.

1Е202

1Е203 "Технологии", в соответствии с Общим технологическим примечанием для "разработки" "Программного обеспечения", определенного в 1D201.

1Е203

1Е301. Технологии разработки или производства возбудителей заболеваний (патогенов), указанных в части 1С354.

 

Категория 2 Обработка материалов
 
2А Системы, оборудование и компоненты

 

Особое Примечание: Малошумящие подшипники описаны в Военном Списке

2А001 Антифрикционные подшипники или системы подшипников и их компоненты, такие, как:

Примечание: Пункт 2А001 не контролирует шарики к подшипникам с допусками, устанавливаемыми производителем в соответствии с международным стандартом ISO 3290 по классу 5 или хуже.

а. Шариковые и твердороликовые подшипники, имеющие допуски, устанавливаемые производителем в соответствии с ISO 492 Допуск Класса 4 или его национальным эквивалентом, или лучше, и имеющие кольца, шарики или ролики (ISO 5593), сделанные из медно-никелевого сплава или бериллия;

Примечание: Пункт 2А001.а. не контролирует конические роликовые подшипники.

b. Другие шариковые и твердороликовые подшипники, имеющие допуски, устанавливаемые производителем в соответствии со стандартом ISO 492 по допуску класса 2 или его национальным эквивалентом, или лучше;

Примечание: Пунктом 2А001.b. не контролируются конические роликовые подшипники.

c. Активные магнитные подшипниковые системы, имеющие любую из следующих составляющих:

1. Материалы с магнитной индукцией 2.0 Т или больше и пределом упругости больше 414 МПа;

2. Оснащенные электромагнитным устройством для привода с трехмерным униполярным высокочастотным подмагничиванием; или

3. Высокотемпературные, с температурой 450 К (1770С) и выше, позиционные датчики.

 

2А001 а. 8482 10 900 1
  8482 10 900 9
  8482 50 000 0
  8482 40 000 0
2А001 b. 8482 80 000 0
2А001 с. 8483 30 380 0
  8483 30 800

 

2A101 Шариковые подшипники, отличные от указанных в 2A001, имеющие все допуски, устанавливаемые в соответствии с ISO 492 Класс допуска 2 (или ANSI / ABMA Std 20 класс допуска ABEC-9 или другие национальные эквиваленты), или лучше, и имеющие все следующие характеристики:

a. Внутреннее кольцо диаметром отверстия от 12 до 50 мм;

b. Наружное кольцо диаметром отверстия от 25 до 100 мм; и

c. Ширина между 10 и 20 мм.

(ч. 2A101 ввведена Постановлением Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

2А225 Тигли из материалов, устойчивых к воздействию жидких актинидных металлов, такие как:

а. Тигли, обладающие обеими следующими характеристиками:

1. Объемом от 150 см3до 8 000 см3, и

2. Изготовленные из следующих материалов, имеющих чистоту 98 % или более по весу, или облицованные ими:

a. Фторид кальция (CaF2);

b. Цирконат кальция (метацирконат) (CaZrO3);

c. Сульфид церия (Ce2S3);

d. Оксид эрбия (Еr2О3);

e. Оксид гафния (НfO2);

f. Оксид магния (MgO);

g. Нитрид сплава ниобия, титана и вольфрама (приблизительно 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);

h. Оксид иттрия (Y2O3); или

i. Оксид циркония (ZrO2);

b. Тигли, обладающие обеими следующими характеристиками:

1. Объемом от 50 см3до 2 000 см3, и

2. Изготовленные или защищенные танталом, имеющим чистоту 99,9 % или выше по весу;

с. Тигли, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Объемом от 50 см3до 2 000 см3,

2. Изготовленные или защищенные танталом, имеющим чистоту 98 % и выше по весу, и

3. Покрытые карбидом, нитридом или боридом тантала (или любым их сочетанием).

 

2А225 а. 6903 90 900 0
  6909 19 000
2А225 b. 6903
  8103 90 900 0
2А225 с. 6903
  8103 90 900 0

 

2А226 Клапаны, обладающие обеими следующими характеристиками:

a. Номинальным размером в 5 мм или свыше;

b. С сильфонным уплотнителем, и

c. Полностью изготовленные из алюминия, алюминиевого сплава, никеля или сплава, содержащего не менее 60 % никеля по весу или с покрытием из них.

Техническое примечание: Для клапанов с различными входным и выходным диаметрами параметр условного прохода, указанный в 2А226, относится к наименьшему диаметру.

 

2А226 8481 10 990 0
  8481 30 990 0
  8481 40 900 0
  8481 80 639 0
  8481 80 690 0
  8481 80 739 0
  8481 80 790 0
  8481 80 819 0
  8481 80 990 0

 

2В Испытательное, контрольное и производственное оборудование

 

Технические примечания:

1. Вторичные параллельные горизонтальные оси (например, w-ось на фрезах горизонтальной расточки или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не включаются в общее число горизонтальных осей. Ось вращения необязательно предусматривает поворот на угол, больший 3600. Ось вращения может управляться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой)

2. Для 2В, число осей, которые одновременно скоординированы для "контурного управления" - это число осей, воздействующих на относительное движение между станком и деталью, приставным резаком или шлифовальным кругом, который срезает или удаляет материал с поверхности обрабатываемой детали. Дополнительные оси не используются, которые могли бы оказывать воздействие на относительное движение внутри станка. Такие оси включают:

a. Системы правки шлифовального круга шлифовального станка;

b. Параллельные оси вращения для установки по отдельности нескольких деталей, с. Коллинеарные оси вращения для манипулирования деталью, зажав ее в держателе с разных концов.

3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения".

4. Для категорий с 2В001 по 2В009 "наклоняющиеся шпиндели" рассматриваются как оси вращения.

5. Вместо индивидуальных протоколов испытаний для каждой модели станка могут быть применены гарантируемые уровни точности позиционирования, использующие согласованные процедуры испытаний, соответствующие международному стандарту ISO 230/2 (1988) или его национальным эквивалентам. Гарантируемая точность позиционирования означает уровень точности, заявляемый соответствующему ведомству, когда экспортер является признанным гарантом точности данной модели станка.

Определение гарантированного уровня:

a. Выбрать пять станков тестируемой модели;

b. Измерить точность линейных осей в соответствии со стандартом ISO 230/2 (1988);

c. Определить значения А для каждой оси каждого станка. Метод вычисления значения А описан в стандарте ISO;

d. Определить средние значения А для каждой оси. Это означает, что среднее -А- становится гарантируемым значением для каждой оси данной модели (-А-х, -А-у...);

e. Поскольку список Категории 2 относится к каждой линейной оси, количество гарантируемых значений должно соответствовать количеству линейных осей.

f. Если какая-либо ось модели станка, не контролируемая по пунктам с 2В001.а. по 2В001.c. или 2В201. имеет гарантируемую точность -А- в 6 мкм для шлифовальных станков, или8мкм для фрезерных или токарных станков, или лучше, производителю следует переаттестовать уровень точности каждые 18 месяцев.

2В001 Станки, приведенные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и "композиционных материалов", которые в соответствии с техническими спецификациями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами "числового программного управления" или специально разработанными компонентами, такими как:

Особое примечание: См. также 2В201.

Примечание 1:Пункт 2В001 не контролирует металлорежущие станки, специально разработанные для производства шестерен. См. 2В003 по таким станкам.

Примечание 2:Пункт 2В001 не контролирует металлорежущие станки, специально разработанные для производства следующих деталей и их частей:

a. Вал кривошипа и вал эксцентрика;

b. Станки и фрезы;

c. Шнек экструдера (прессующий шнек);

d. Гравированные или ограненные детали ювелирных украшений.

Примечание 3: Металлорежущий станок, обладающий, по крайней мере, двумя или тремя следующими возможностями: точить, фрезеровать или шлифовать (к примеру, токарный станок с фрезеровочными возможностями оценивается по списку 2В001.а., .b. или .с.

a. Металлорежущие станки для обточки деталей, обладающие любой из следующих характеристик:

1. Точность позиционирования со "всей доступной компенсацией" равной или меньше (лучше) 6 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1988) или его национальными эквивалентами вдоль любой линейной оси; и

2. Две или более оси, которые могут одновременно координироваться для проведения "контурного управления";

Примечание: Пунктом 2В001.а. не контролируются токарные станки, специально разработанные для производства контактных линз.

b. Фрезерные станки, обладающие следующими характеристиками:

1. Такими как:

a. Точность позиционирования со "всей доступной компенсацией" равной или меньше (лучше) 6 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1988) или его национальными эквивалентами вдоль любой линейной оси; и

b. Три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть одновременно скоординированы для "контурного управления";

2. Пять или более осей, которые могут быть одновременно скоординированы для "контурного управления"; или

3. Точность позиционирования для копировально-расточных станков со всей доступной компенсацией равной или меньше (лучше) 4 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1988) или его национальными эквивалентами вдоль любой линейной оси;

4. Летучие резцы, обладающие любой из следующих характеристик:

а. Движение по инерции шпинделя или система кулачков менее (лучше) 0,0004 мм полного внутреннего отражения (TTR); и

b. Угловое отклонение скользящего движения (поворот в горизонтальной плоскости; поворот вокруг вертикальной оси, изменение шага и вращение) менее (лучше) чем 2 секунды дуги, полное внутреннее отражение (TIR) за свыше 300 мм длины хода.

c. Механические станки для шлифования, обладающие следующими характеристиками:

1. Такими как:

a. Точность позиционирования со "всей доступной компенсацией" равной или меньше (лучше) 4 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1988) или его национальными эквивалентами вдоль любой линейной оси; и

b. Три или более оси, которые могут быть одновременно скоординированы для "контурного управления"; или

2. Пять или более осей, которые могут быть одновременно скоординированы для "контурного управления";

Примечание: Пункт 2В001.С. не контролирует следующие шлифовальные станки:

1. Цилиндрические внешние, внутренние и внешневнутренние шлифовальные станки, обладающие всеми следующими характеристиками:

a. ограниченные цилиндрическим шлифованием; и

b. с максимально возможной длиной или диаметром изделия 150 мм;

2. Станки, специально спроектированные для шлифования по шаблону и обладающие любой из следующих характеристик:

a. С-ось применяется для поддержания шлифовального круга перпендикулярно рабочей поверхности; или

b. А-ось определяет конфигурацию цилиндрического кулачка.

3. Плоскошлифовальные станки;

d. Станки для электроисковой обработки (СЭО) без подачи проволоки, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть одновременно скоординированы для "контурного управления";

e. Станки для обработки металлов, керамики или "композитных материалов", обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Удалять материал посредством:

a. Водяных или других жидких струй, включая струи с абразивными присадками;

b. Электронного луча; или

c. "Лазерного" луча: и

2. Имеющие две или более оси вращения, которые:

a. Могут быть одновременно скоординированы для "управления по контуру"; и

b. Имеют точность позиционирования меньше (лучше) 0,0030

f. Станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий 5 000 мм или более, и специально разработанные для них компоненты.

 

2В001 а. 8458 11 200 0
  8458 11 410
  8458 11 490 0
  8458 11 800 0
  8458 19 200 0
  8458 19 400 0
  8465 99 000 0
  8458 19 800 0
  8458 91 200
  8464 91 800 0
  8464 90 800 0
  8465 99 100 0
2В001 b. 8459 31 000 0
  8459 39 000 0
  8459 51 000 0
  8459 61 100 0
  8459 61 900
  8459 61
  8459 69 900 0
  8464 90 800 0
  8465 92 000 0
2В001 с. 8460 11 000 0
  8460 19 000 0
  8460 21 110 0
  8460 21 150 0
  8460 21 190 0
  8460 21 900 0
  8460 21
  8460 29 110 0
  8460 29 190 0
  8460 29 900 0
  8460 29
  8464 20 950 0
  8465 93 000 0
  8464 20 110 0
  8464 20 190 0
  8464 20 200 0
  8464 20 950 0
  8465 93 000 0
2В001 d. 8456 30 190 0
  8424 30 900 0
  8456 30
2B001 е. 8424 30 900 0
  8456 10 001 0
  8456 10 009 0
  8456 90 000 0
  8456 10
2B001 f. 8458 11 200 0
  8458 11 410
  8458 11 490 0
  8458 11 800 0
  8458 19 200 0
  8458 19 400 0
  8458 19 800 0
  8458 91 200
  8458 91 800
  8458 99 000
  8458
  8459 21 000 0
  8459 29 000 0

 

2B002 Станки с числовым программным управлением с использованием магнитореологического процесса чистовой обработки (MRF) [W].

Техническое примечание: Для пункта 2В002, MRF - это процесс по удалению материала с помощью абразивной магнитожидкости, вязкость которой управляется магнитным полем.

 

2B002 8464 20 110 0;
  8464 20 190 0;
  8464 20 950 0;
  8465 93 000 0

 

2B003 Станки с "числовым программным управлением" или станки с ручным управлением и специально разработанные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для полирования, окончательной обработки, шлифования или хонингования закаленных (Rс = 40 или более) прямозубых цилиндрических, одно- или двухзаходных винтовых шестерен с модулем более 1 250 мм и с лицевой шириной, равной 15 % от модуля или более, с качеством Американской Ассоциации Производителей Зубчатых Передач и Приводов (AGMA) 14 или лучше после окончательной обработки (эквивалентно международному стандарту ISO 1328 по классу 3).

 

2В003 8461 40 710 0
  8461 40 790 0

 

2В004 Горячие "изостатические прессы", имеющие все следующие составляющие, и специально разработанные для них компоненты и приспособления:

Особое примечание: См. также 2В104 и 2В204.

a. Камеры с контролируемыми тепловыми условиями внутри закрытой полости и внутренним диаметром полости 406 мм и более; и

b. Любую из следующих характеристик:

1. максимальное рабочее давление более 207 МПа;

2. контролируемые температурные условия, превышающие 1 773 К (1 5000С); или

3. оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения.

Техническое примечание:

Под внутренним размерам камеры понимают рабочие размеры камеры, в которых достигаются рабочие давление и температура; в размер камеры не включается размер зажимных приспособлении. Указанный выше размер будет минимальным из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из двух камер находится в другой.

Особое примечание: касательно специально спроектированных матриц, пресс-форм и инструментов см. Пункты 1В003, 9В009 и Военный Список.

 

2В004 8462 99 100 0
  8462 99 500 0
  8462 99 900 1
  8462 99 900 9
  8462 99

 

2В005 Оборудование, специально спроектированное для оснащения, реализации процесса и управления процессом нанесения неорганического покрытия, защитных слоев и поверхностных модификаций на подложки, не предназначенные для электронной промышленности, посредством процессов, представленных в таблице и отмеченных в примечаниях после пункта 2E003.f., а также специально спроектированные средства автоматизированного регулирования, установки, манипуляции и компоненты управления, включая:

а. "Управляемое встроенной программой" производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD) со всеми следующими показателями:

Особое примечание: См. также 2В105

1. Процесс модифицирован для одного из следующих методов:

a. пульсирующего СУП;

b. теплового осаждения контролируемой нуклеацией (СМТО); или

c. усиленного плазмой или с помощью плазмы СУП; и

2. Включает какой-либо из следующих способов:

a. использующий высокий вакуум (равный или менее 0.01 Па) для уплотнения вращением; или

b. использующий средства контроля толщины слоя покрытия на месте;

b. "Управляемое встроенной программой" производственное оборудование ионной имплантации с силой тока пучка 5 мА или более;

c. "Управляемое встроенной программой" производственное оборудование для физического осаждения паров электронным лучом (EB-PVD) с расчетной мощностью свыше 80 кВт, имеющее любые из следующих составляющих:

1. "Лазерную" систему управления уровнем в заливочной ванне, которая точно регулирует скорость подачи исходного вещества; или

2. Управляемый компьютером регистратор скорости, работающий на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимый для нормирования скорости осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;

d. "Управляемое встроенной программой" производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик:

1. Работающее при уменьшающемся давлении контролируемой атмосферы (равной или менее 10 кПа, измеряемой выше и внутри 300 мм выходного сечения сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, способной обеспечивать снижение давления до 0.01 Па, предшествующее началу процесса напыления; или

2. Имеющее в своем составе средства контроля толщины слоя покрытия на месте;

e. "Управляемое встроенной программой" производственное оборудование металлизации капельным осаждением, способное обеспечить плотность тока 0,1 мА/кв. мм или более, с производительностью напыления 15 мкм/ч или более;

f. "Управляемое встроенной программой" производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления плотностью тока дуги на катоде;

g. "Управляемое встроенной программой" производственное оборудование ионной металлизации, позволяющее осуществлять на месте любое из следующих измерений:

1. Толщины слоя нанесенного на подложку и скорости роста: или

2. Оптических характеристик.

Примечание: Пункт 2В005 не контролирует оборудование химического парового осаждения, катодно-дугового напыления, капельного осаждения, ионной металлизации или ионной имплантации, специально разработанное для покрытия режущего инструмента или для механообработки.

 

2В005 а. 8456 90 000 0
  8486 10
  8486 30
  8486 40
  8419 89 989 0
2В005 b. 8456 10 001 0
  8456 10 009 0
  8543 10 000 0
2В005 с. 8456 10 001 0
  8456 10 009 0
  8486 10
  8486 30
  8486 40
2В005 d. 8456 90 000 0
  8486 10
  8486 30
  8486 40
  8419 89 98
2В005 е. 8456 90 000 0
  8486 10
  8486 30
  8486 40
  8419 89 300 0
  8419 89 98
2В005 f. 8515 80 990 0
  8486 10
  8486 30
  8486 40
2В005 g. 8456 10 001 0
  8456 10 009 0

 

2В006 Системы или оборудование для измерения или контроля размеров, такие как:

а. Управляемые ЭВМ, с "числовым программным управлением" или "управляемые встроенной программой" машины контроля размеров, имеющие способность отражать максимально-допустимую ошибку (МДО) в трехмерных или пространственных измерениях в любой точке в пределах рабочего диапазона станка (к примеру, в пределах длины осей), равную или менее (лучше) (1,7 + L/1 000) мкм (L - длина, измеряемая в миллиметрах), тестируемую в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2001);

Особое примечание: См. также 2В206.

b. Измерительные инструменты для линейных или угловых перемещений, такие, как:

1. Измерительные инструменты для линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих:

Техническое примечание: Для 2В006.b.1., "линейное перемещение" означает изменение расстояния между контактной измерительной головкой и измеряемым объектом.

a) Измерительные системы бесконтактного типа с "разрешающей способностью", равной или менее (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм;

b) Системы с линейным регулируемым дифференциальным преобразователем напряжения, обладающие следующими характеристиками:

1. "Линейностью", равной или меньше (лучше) 0,1 %, в диапазоне измерений до 5 мм; и

2. Отклонением, равным или меньшим (лучшим) 0,1 % в день, при стандартных условиях с колебанием окружающей температуры +/- 1К: или

c) Измерительные системы, имеющие все следующие составляющие:

1. Содержащие "лазер"; и

2. Сохраняющие в течение по крайней мере 12 часов при колебаниях окружающей температуры +/-1 К при стандартных температуре и давлении, обладающие всеми следующими характеристиками:

a. "Разрешение" на полной шкале 0,1 мкм или меньше (лучше); и

b. "Погрешность измерения", равную или меньше (лучше) (0,2 +L/2 000) мкм (L - длина, измеряемая в миллиметрах)

Примечание: Пункт 2B006.b.1. не контролирует измерительные интерфераметрические системы без обратной связи с замкнутым или открытым контуром, содержащие "лазер" для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, средств контроля размеров или подобного оборудования.

2. Угловые измерительные приборы с "отклонением углового положения", равным или меньшим (лучшим) 0,000250;

Примечание: Пункт 2В006.b.2. не контролирует оптические приборы, такие, как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет для фиксации углового смещения зеркала (к примеру, лазерный свет).

c. Оборудование для измерения неровностей поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла, с чувствительностью 0,5 нм или меньше (лучше)

Примечание: Станки, которые могут быть использованы в качестве средств измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или превосходят критерии, установленные для функций станков или измерительных приборов.

 

2В006 а. 9031 80 340 0
  9031 80 320 0
2В006 b. 9031 49 900 0
  9031 49 000 0
  9031 80 320 0
  9031 80 340 0
  9031 80 910 0
2В006 с. 9031 49 900 0

 

2В007 "Роботы", обладающие любой из следующих характеристик, и специально спроектированные контроллеры и "рабочие органы" для них:

Особое примечание: См. также 2В207.

а. Способные в реальном масштабе времени к полной обработке изображений, процессов или объектов в трех измерениях с генерированием или модификацией "программ" или с генерированием или модификацией цифровых данных для программ;

Техническое примечание: Ограничения "по обработке изображения", процесса или объекта не включают аппроксимацию третьего измерения посредством наблюдения под заданным углом или ограниченную эффектами тени интерпретацию восприятия глубины или текстуры полученных заданий (2 1/2 D).

b. Специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности, приспособленные к условиям изготовления взрывчатого военного снаряжения;

c. Специально спроектированные или оцениваемые как радиационно-стойкие, выдерживающие (суммарную дозу) больше 5 х 103рад (кремний) без деградации характеристик; или

Техническое примечание: Термин рад (кремний) относится к энергии (в Дж/кг) ионизирующего излучения, поглощенной неэкранированным кремниевым образцом.

d. Специально предназначенные для операций на высотах, превышающих 30 000 м.

 

2В007 8479 50 000 0
  8537 10 100 0
  8537 10 910
  8537 10 990 0

 

2В008 Узлы и блоки, специально разработанные для металлорежущих станков, или контроль размеров или измерительные системы и оборудование, такие как:

a. Блоки оценки линейного положения с обратной связью (например, приборы индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или "лазерные" системы), имеющие полную "точность" меньше (лучше) (800 + (600 х L х 10-3)) нм (L - эффективная длина в миллиметрах);

Особое примечание: Для "лазерных" систем применяется также примечание к пункту 2В006.b.1.

b. Блоки с обратной связью для кругового позиционирования (например, приборы индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или "лазерные" системы), имеющие "точность" меньше (лучше) 0,000250;

Особое примечание: Для "лазерных" систем применяется также примечание к пункту 2В006.b.1.

b. "Составные вращающиеся столы" или "наклонные шпиндели", применение которых в соответствии со спецификацией изготовителя может модифицировать станки до уровня, указанного в пункте 2В, или выше.

 

2В008 а 8466 10 150 0
  8486 90
2В008 с. 8466 10 310 0
  8466 10 380 0
  8466 10 950 0
  8466 20 150 0
  8486 90
  8466 20 910 0
  8466 20 950 0
  8466 30 000 0
  8466 91 150 0
  8466 91 200 0
  8466 91 950 0
  8466 92 200 0
  8466 92 800 0
  8466 93 000 0
  8466 94 000 0

 

2В009 Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической спецификацией изготовителя могут быть оборудованы блоками "числового программного управления" или компьютерного управления, и которые имеют все следующие характеристики:

Особое примечание: См. также 2В109 и 2В209.

a. С двумя или более контролируемыми осями, которые могут одновременно и согласованно координироваться для "контурного управления"; и

b. С вращательной силой более 60 кН

Техническое примечание: Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2В009 как относящиеся к обкатным вальцовочным станкам

 

2В009 8462 29 100 0
  8462 21 100
  8462 21 800
  8463 90 000 0

 

2В104 Изостатические прессы», кроме подлежащих контролю согласно пункту 2B004, имеющие все следующие характеристики:

Особое примечание: См. также 2В204.

а. Максимальное рабочее давление 69 МПа и более;

b. Разработанные для достижения и поддержания контролируемой температуры в камере 873 K (6000C) и выше; и

c. Имеющие рабочую камеру с внутренним диаметром 254 мм и более.

 

2B104
8462 99 200 09
 

 

(ч. 2В104 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

2В105 Печи для осаждения химических элементов из паровой фазы (CVD), кроме указанных в пункте 2В005.а., специально разработанные или модифицированные для уплотнения углерод-углеродных композиционных материалов.

 

2B105 8462 99 200 9
  8462 99 800

 

(ч. 2В105 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

2В109 Обкатные вальцовочные станки, кроме указанных в пункте 2B009, и специально сконструированные компоненты, такие как:

Особое примечание: См. также 2В209.

а. Обкатные вальцовочные станки, имеющие все следующие характеристики:

1. Согласно технической спецификации производителя могут быть оснащены блоками "числового программного управления" или компьютерным управлением, даже если соответствующее электронное оборудование не поставляется вместе со станками или компонентами для них; и

2. Две и более оси, которые могут быть совместно скоординированы для "контурного управления".

b. Компоненты, специально предназначенные для гибочных станков, подлежащих контролю согласно п. 2B009 или 2B109.a.

Примечание: По пункту 2B109 не контролируются станки, которые не могут применяться в производстве двигательных установок и оборудования, (например, корпуса двигателя) для систем, указанных в пунктах 9A005, 9A007.a. или 9A105.a.

Техническое примечание:

Станки, объединяющие вальцовочные и гибочные функции, для целей пункта 2B109 рассматриваются как вальцовочные станки.

 

2B109 8462 29 100 0
  8463 90 000 0
  8462 21
  8462 29
  8462 99 800
  8462 99 800 9

 

(ч. 2В109 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

2В116 Системы для вибрационных испытаний, оборудование и компоненты для них:

а. Системы для вибрационных испытаний, использующие методы управления с обратной связью или с замкнутым контуром и включающие цифровой контроллер, способные создавать виброперегрузки в 10 g (среднеквадратичное значение) и более в диапазоне частот от 20 Гц до 2 кГц с толкающим усилием 50 кН и более, измеренным в режиме "чистого стола";

b. Цифровые контроллеры в сочетании со специально разработанным программным обеспечением, имеющие "ширину полосы пропускания в реальном масштабе времени" более 5 кГц, сконструированные для использования в системах для вибрационных испытаний, указанных в пункте 2B 116.а.;

Техническое примечание: В пункте 2B116.b. под "шириной полосы пропускания в реальном масштабе времени" понимается максимальная скорость, с которой контроллер может выполнить полный цикл забора образцов, обработки данных и передачи сигналов управления.

c. Вибрационные толкатели (вибраторы) с соответствующими усилителями или без них, способные передавать усилие в 50 кН и более, измеренное в режиме "чистого стола", и пригодные для применения в системах для вибрационных испытаний, описанных в пункте 2B116.a.;

d. Механические и электронные компоненты, разработанные для объединения большого числа блоков вибраторов в систему, способную передавать общее усилие в 50 кН, измеренное в режиме "чистого стола", и пригодные для применения в испытательных системах, описанных в пункте 2В116. а.

Техническое примечание: Применительно к пункту 2B116 "чистый стол" означает плоский стол или поверхность без деталей крепления или монтажа.

 

2B116 a. 9031 20 000 0
2B116 b. 8537 10 100 0
  8537 10 910
  8537 10 990 0
  8537 20
2B116 c. 9031 90 850 0
2B116 d. 9031 20 000 0
  9031 90 850 0

 

(ч. 2В116 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

2В117 Оборудование и контрольное оборудование, за исключением указанного в пунктах 2B004, 2B005.a., 2B104 или 2В105, разработанное или модифицированное для уплотнения и пиролиза композитных материалов сопел ракетных двигателей и наконечников возвращаемых аппаратов.

 

2B117 8803 90 200 0
  8803 90 300 0

 

(ч. 2В117 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

2В119 Балансировочные машины и относящееся к ним оборудование, как то:

Особое примечание: См. также 2В219.

a. Балансировочные машины, имеющие все из следующих характеристик:

1. Не предназначенные для балансировки роторов/сборок массой свыше 3 кг;

2. Способные балансировать роторы/сборки при скоростях свыше 12 500 об/мин;

3. Способные корректировать дисбаланс в двух плоскостях или более; и

4. Способные к балансировке до остаточного дисбаланса 0,2 мм на 1 кг массы ротора;

Примечание: Пунктом 2В119.а. не контролируются балансировочные машины, специально разработанные или модифицированные для стоматологического или другого медицинского оборудования.

b. Индикаторные головки, специально разработанные или модифицированные для использования со станками, указанными в пункте 2В119.а.

Техническое примечание: Индикаторные головки также известны как балансировочное контрольно-измерительное оборудование.

 

2В119 а. 9031 10 000 0
2В119 b. 9031 10 000 0
  9031 90 850 0

 

2В120 Имитаторы движения или столы вращения, обладающие всеми из следующих характеристик:

а. Две и более оси;

b. Разработанные или модифицированные для оснащения токосъемными кольцами или бесконтактными устройствами, способными передавать электрическую энергию и/или информацию сигнала; и

с. Имеющие какие-либо из следующих характеристик:

1. Для любой из осей имеющие все из ниже перечисленного:

a. Способные развивать скорости 400 град/с и более либо 30 град/с и менее; и

b. Имеющие разрешение по скорости 6 град/с и менее, точность 0,6 град/с и менее;

2. Имеющие нижний предел стабильности по скорости, плюс-минус 0,05 % и лучше (менее) на усредненном участке 10 градусов и более; или

3. "Точность" позиционирования, равную 5 угловым секундам и менее (лучше).

Примечание 1: Пункт 2В120 не контролирует столы вращения, специально разработанные или модифицированные для станков или медицинского оборудования. Об устройствах управления поворотных столов для станков см. пункт 2B008.

Примечание 2: Подлежат контролю имитаторы движения или поворотные столы, указанные в пункте 2В120, независимо от того, установлены токосъемные кольца или бесконтактные устройства на момент экспорта или нет.

 

2B120 8805 21 000 0
  9031 20 000 0

 

(ч. 2В120 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

2В121 Столы для позиционирования (оборудование, обеспечивающее возможность точного поворотного позиционирования по любой оси), за исключением указанных в пункте 1В120, имеющие все следующие характеристики:

а. Две и более оси; и

b. "Точность" позиционирования, равную 5 угловым секундам и менее (лучше).

Примечание: Пункт 2В121 не контролирует столы вращения, специально разработанные или модифицированные для станков или медицинского оборудования. Об устройствах управления на поворотных столах для станков см. пункт 2B008.

 

2B121 8805
  9031 20 000 0

 

(ч. 2В121 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

2В122 Центрифуги, способные развивать ускорения свыше 100 g и разработанные или модифицированные для оснащения токосъемными кольцами или бесконтактными устройствами, способными передавать электрическую энергию и/или информацию сигнала.

Примечание: Подлежат контролю центрифуги, указанные в пункте 2В122, независимо от того, установлены на них токосъемные кольца или бесконтактные устройства на момент экспорта или нет.

 

2B122 8421 19 700 9
  8401
  8421 19
  9031 20 000 0

 

(ч. 2В122 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

2B201 Станки, кроме контролируемых по пункту 2В001, для резки или обработки металлов, керамики или "композиционных материалов", которые согласно технической спецификации изготовителя оборудованы электронными устройствами для одновременного "контурного управления", имеющего две или более координатные оси, такие как:

а. Фрезерные станки, обладающие любой из следующих характеристик:

1. Точность позиционирования "со всеми компенсационными возможностями" менее (лучше) чем 0,006 мм в соответствии со стандартом ISO 230/2 (1988) или национальными эквивалентами вдоль любой линейной оси (общий выбор позиции); или

2. Две или более горизонтальных поворотных оси;

Примечание: По пункту 2В201.а. не контролируются фрезерные станки, имеющие следующие характеристики:

a. перемещение по оси X более 2 м, и

b. общую точность выбора позиции по оси X более (хуже) чем 30 мкм

b. Станки шлифовальные, обладающие любой из следующих характеристик:

1. Точность позиционирования "со всеми компенсационными возможностями" менее (лучше) чем 4 мкм в соответствии со стандартом ISO 230/2 (1998) или национальными эквивалентами вдоль любой линейной оси (общий выбор позиции); или

2. Имеющие две или более горизонтальных поворотных оси.

Примечание: По пункту 2В201.b не контролируются шлифовальные станки, имеющие следующие характеристики:

a. Станки для наружного, внутреннего и наружно-внутреннего шлифования, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Предназначенные только для цилиндрического шлифования;

2. Максимальный наружный диаметр или длина обрабатываемой детали 150 мм;

3. Имеющие не более двух осей, которые могут одновременно и согласованно контролироваться для "контурного управления"; и

4. Не имеющие горизонтальной с-оси;

b. Координатно-шлифовальные станки с осями, ограниченными х, у, с и а, где с-ось используется для перпендикулярной установки шлифовальных кругов к обрабатываемой поверхности, а а-ось - для шлифования цилиндрических кулачков:

c. Станки для заточки резцов или режущего инструмента с "программным обеспечением", специально разработанным для производства резцов или режущего инструмента, или

d. Шлифовальные станки для коленчатых и кулачковых валов.

 

2В201 а. 8459 31 000 0
  8459 39 000 0
  8459 51 000 0
  8459 61 100 0
  8459 61 900
  8459 69 100 0
  8459 69 900 0
  8464 90 200 0
  8464 90 800 0
  8465 92 000 0
  8457 20 000 0
  8457 30
  8459 69
2В201 b. 8460 11 000
  8460 19 000 0
  8460 21 110 0
  8460 21 150 0
  8460 21 190 0
  8460 21 900 0
  8460 29 110 0
  8460 29 190 0
  8460 29 900 0
  8460 20 950 0
  8465 93 000 0
  8457 30
  8460 29
  8464 20

 

2В204 "Изостатические прессы", помимо контролируемых по пунктам 2В004 или 2В104, такие как:

a. "Изостатические прессы", обладающие обеими из следующих характеристик:

1. Способные достигать максимального рабочего давления 69 МПа и более, и

2. Имеющие внутренний диаметр рабочей камеры более 152 мм;

b. Специально разработанные для "изостатических прессов", контролируемых по пункту 2В204.а., пуансоны и матрицы, а также системы управления.

Техническое примечание:

Согласно пункту 2В204 внутренние размеры камеры - это размер той части камеры, в которой достигается как рабочая температура, так и рабочее давление, не включающий внутреннюю арматуру. Этот размер будет определяться меньшим из двух диаметров: пресс-камеры или изолированной печной камеры в зависимости от того, какая из двух камер помещается внутри другой.

 

2В204 а. 8462 99 100 0
  8462 99 500 0
  8463 90 000 0;
  8477 40 000 0;
  8477 59 100 0;
  8477 80 990 0
  8466 94 900 0;
  8477 90 100 0;
  8477 90 800 0

 

2В206 Механизмы, системы или устройства контроля размеров, кроме контролируемых по пункту 2В006, такие как:

a. Управляемые компьютером или блоком ЧПУ координатно-измерительные машины (КИМ), обладающие обеими следующими характеристиками:

1. Две или более координатных оси; и

2. Максимальную допустимую погрешность (одномерного) измерения длины (Е0мдп) вдоль любой оси, определенной как ЕЕили Е0z, равную или меньше (лучшую) чем (1,25 + L/1000)мкм (где L измеряемая длина в миллиметрах) в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (т.е. в пределах длины оси), проверенную в соответствии с ИСО 10360-2 (2009).

b. Системы для одновременной проверки линейных и угловых параметров полусфер, обладающие обеими из следующих характеристик:

1. "Погрешность измерения" вдоль любой линейной оси, равную или меньшую (лучшую) 3,5 мкм на 5 мм; и

2. "Погрешность углового измерения" равную или меньшую 0,020дуги.

Примечание 1: Станки, которые могут использоваться в качестве средств измерения, подлежат экспортному контролю, если их параметры соответствуют или превосходят характеристики, установленные для станков или измерительных приборов.

Примечание 2: системы, описанные в пункте 2В206, подлежат экспортному контролю, если они превосходят подлежащие экспортному контролю образцы где-либо в их рабочем диапазоне.

Технические примечания:

1. Все параметры измеряемых величин в этом пункте представляют плюс/минус, т.е. не общий диапазон.

 

2В206 9031 80 340 0
  9031 49 900 0
  9031 80 320 0

 

(ч. 2В206 в ред. Постановления Правительства РК от 18.06.2013 N 618)

2В207 Следующие "роботы" или "рабочие органы", кроме описанных в пункте 2В007:

a. "Роботы" или "рабочие органы", специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности для работ во взрывоопасной среде (например, удовлетворяющие ограничениям на параметры электроаппаратуры, предназначенной для работы во взрывоопасной среде);

b. Контроллеры, специально разработанные для "роботов" или "рабочих органов", контролируемых по пункту 2В207.а..

 

2В207 а. 8479 50 000 0
  8486 30 900
  8428 90 950 0
2В207 b. 8537 10 100 0
  8537 10 910
  8537 10 990 0

 

2В209 Обкатные вальцовочные и гибочные станки, способные исполнять обкатные вальцовочные функции, кроме контролируемых по пунктам 2В009 или 2В109, или оправки, обладающие следующими характеристиками:

a. Станки, обладающие обеими из следующих характеристик:

1. Имеющие три или более валков (активных или направляющих), и

2. Которые согласно технической спецификации изготовителя могут быть оборудованы блоками "числового программного управления" (ЧПУ) или компьютерного управления;

b. Роторно-обкатные оправки для цилиндрических форм с внутренним диаметром от 75 до 400 мм.

Примечание: Пункт 2В209.а. включает также станки, имеющие только один валок, предназначенный для деформирования металла, и два вспомогательных валка, которые поддерживают оправку, но не участвуют непосредственно в процессе деформации.

 

2В209 а. 8462 29 100 0
  8463 90 000 0
  8462 21 100 0
  8462 21 800 0
2В209 b. 8466 10 150 0
  8486 90
  8466 20 150 0
  8466 20 950 0

 

2В219 Центробежные балансировочные машины, стационарные либо передвижные, горизонтальные, либо вертикальные, как-то:

a. Центробежные балансировочные машины для балансировки гибких роторов, имеющих длину 600 мм или более и все следующие характеристики:

1. шарнир или вал диаметром 75 мм или более;

2. способность балансировать массу от 0,9 до 23 кг; и

3. способность балансировать со скоростью вращения более 5 000 об/мин;

b. Центробежные балансировочные машины, сконструированные для балансировки частей полого цилиндрического ротора и имеющие все следующие характеристики:

1. вал диаметром 75 мм или более;

2. способность балансировать массу от 0,9 до 23 кг;

3. способность балансировать с остаточным дисбалансом 0,01 кг х мм/кг на поверхность и менее (лучше); и

4. ременный тип привода.

 

2В219 а. 9031 10 000 0
2В219 b. 9031 10 000 0

 

2B225 Дистанционные манипуляторы, которые могут быть использованы для обеспечения дистанционных действий в операциях радиохимического разделения и в горячих камерах, обладающие любой из следующих характеристик:

a. Способные передавать действия оператора сквозь стенку горячей камеры толщиной 0,6 м или более (операция сквозь стену); или

b. Способные передавать действия оператора через крышку горячей камеры с толщиной стенки 0,6 м или более (операция через крышку).

Техническое примечание:

Дистанционные манипуляторы обеспечивают передачу действий человека-оператора к дистанционно действующей руке и терминальному фиксатору. Это могут быть системы типа "хозяин/слуга" (манипуляторы, копирующие движения оператора) или манипуляторы, управляемые джойстиком или клавиатурой.

 

2В225 8428 90 950 0

 

2B226 Вакуумные или с контролируемой средой (инертный газ) индукционные печи и силовое оборудование, специально разработанное для них, такие как:

Особое примечание: См. также 3В.

а. Печи, обладающие всеми из нижеперечисленных характеристик:

1. Способные развивать рабочую температуру более 1 123 К (8500С);

2. Оснащенные индукционными катушками диаметром 600 мм или менее, и

3. Сконструированные для входной мощности, равной или превышающей 5 кВт;

b. Силовое оборудование с номинальной выходной мощностью, равной или превышающей 5 кВт, специально разработанное для печей, контролируемых по пункту 2В226.а.

Примечание: По пункту 2В226.а. не подлежат экспортному контролю печи, сконструированные для обработки полупроводниковых пластин.

 

2В226 а
2В226 b.

 

2B227 Вакуумные и с контролируемой атмосферой металлургические плавильные и литейные печи с оборудованием к ним, такие как:

a. Печи электродугового плавления, обладающие обеими из следующих характеристик:

1. Использующие электроды объемом от 1 000 до 20 000 куб.см, и

2. Обеспечивающие процесс при температурах плавления свыше 1 973 К (1 7000С);

b. Электронно-лучевые плавильные и плазменно-дуговые печи, обладающие обеими из следующих характеристик:

1. мощность 50 кВт или более, и

2. обеспечивающие процесс при температурах плавления свыше 1 473 К (1 2000С).

c. Компьютерные системы контроля и мониторинга, специально настроенные для любых печей, контролируемых по пунктам 2В227.а. или b.

 

2В227 а. 8514 30 990 0
2В227 b. 8514 30 990 0
2В227 с. 8471

 

2B228 Оборудование для изготовления и сборки роторов, юстировочное оборудование, а также оправки и фасонные штампы для сильфонов, такие как:

a. Монтажное оборудование для сборки трубных секций ротора газовой центрифуги, диафрагм и крышек;

Примечание: Пункт 2В228.а. включает прецизионные оправки, штампы и обжимки.

b. Юстировочное оборудование для центровки трубных секций ротора газовой центрифуги вдоль общей оси;

Техническое примечание:

Применительно к пункту 2В228.b, обычно такое оборудование состоит из прецизионных измерительных датчиков, подключенных к компьютеру, который управляет процессом, например, пневматических силовых цилиндров, используемых для центровки трубных секции ротора.

с. Оправки и штампы для изготовления гофровых сильфонов (одновитковых рессор баллонного типа).

Техническое примечание:

В пункте 2В228.c. сильфоны имеют все следующие характеристики:

1. Внутренний диаметр от 75 до 400 мм;

2. Длину 12,7 мм или более;

3. Глубину гофры более 2 мм, и

4. Изготовленные из высокопрочных сплавов алюминия, мартенситно-стареющей стали и высокопрочных "волокнистых или нитевидных" материалов.

 

2В228 а. 8479 89 970 9
  8486 10 000 0
  8486 20
  8486 30
  8486 40 000 0
  8207 30;
  8462 21;
  8462 29;
  8462 99 500 0;
  8462 99 900 9;
  8466 20;
2В228 b. 9031 80 340 0
2В228 с. 8466 94 000 0

 

2В230 "Датчики давления", способные измерять абсолютное давление в диапазоне от 0 до 13 кПа и обладающие обеими из следующих характеристик:

a. С чувствительными элементами, изготовленными или защищенными никелем, никелевыми сплавами с содержанием более 60 % никеля по весу либо алюминием или алюминиевыми сплавами, и

b. Обладающие любой из следующих характеристик:

1. Датчики давления с полной шкалой до 13 кПа и "точностью" более чем +/- 1 % полной шкалы; или

2. Датчики давления с полной шкалой, превышающей 13 кПа и "точностью" лучше +/- 130 Па

Техническое примечание:

Применительно к пункту 2В230 "точность" включает нелинейность, гистерезис и воспроизводимость при различной температуре окружающей среды.

 

2В230, а 9026 20 200 9
2В230, в 9026 20 200 9
  8543 89 950 0
  9026 90 000 0

 

2B231 Вакуумные насосы, обладающие всеми из нижеперечисленных характеристик:

a. Диаметр входа, равный 380 мм или не более;

b. Скорость откачки 15 м3в секунду или более, и

c. Способные создавать предельный вакуум менее 13,3 мПа.

Технические примечания:

1. Скорость откачки определяется при измерении по азоту или воздуху.

2. Предельный вакуум - это величина вакуума, определяемая на входе насоса при его закрытии.

 

2B231 8414 10 250 0
  8414 10 810 0
  8414 10 890 0

 

(ч. 2В231 в ред. Постановления Правительства РК от 18.06.2013 N 618)

2B232 Многокаскадные легкогазовые ускорители массы или другие высокоскоростные средства метания (катушечные электромагнитные, электротермические или другие высокотехнологичные системы), способные обеспечить скорость движения изделия 2 км/с или более.

 

2B232 8501
  9024 10 990 0

 

2В350 Химические производственные установки и оборудование, такие как:

(ч. 2В350 в ред. Постановлений Правительства РК от 15.04.2011 N 418,18.06.2013 N 618)

a. Реакторы или реакционные сосуды со смесителями или без них, с полным внутренним (геометрическим) объемом большим 0,1 м3(100 литров) и меньшим 20 м3(20 000 литров), у которых все поверхности, находящиеся в непосредственном контакте с обрабатываемыми или содержащимися химикалиями, изготовлены из любого из следующих материалов:

1. Сплавов, содержащих свыше 25 % никеля и 20 % хрома (по весу);

2. Фторполимеров;

3. Стекла (включая застеклованные или эмалевые покрытия);

4. Никеля или никелевых сплавов с содержанием никеля более 40 % по весу;

5. Тантала или танталовых сплавов;

6. Титана или титановых сплавов; или

7. Циркония или циркониевых сплавов.

b. Смесители, используемые в реакторах или реакционных сосудах, перечисленные в Пункте 2В350.а.; лопасти, крылья или главные валы, предназначенные для таких смесителей, в которых все поверхности смесителя, находящиеся в непосредственном контакте с химикалиями, содержащимися или обрабатываемыми в реакторе, изготовлены из любого из следующих материалов:

1. Сплавов, содержащих свыше 25 % никеля и 20 % хрома по весу;

2. Фторполимеров;

3. Стекла (включая застеклованные или эмалевые покрытия);

4. Никеля или никелевых сплавов с содержанием никеля более 40 % по весу;

5. Тантала или танталовых сплавов;

6. Титана или титановых сплавов; или

7. Циркония или циркониевых сплавов.

c. Резервуары для хранения, контейнеры или приемники с полным внутренним (геометрическим) объемом, большим 0,1 м3(100 литров), в которых все поверхности, находящиеся в непосредственном контакте с содержащимися в них химическими материалами, изготовлены из любого из следующих материалов:

1. Сплавов, содержащих свыше 25 % никеля и 20 % хрома (по весу);

2. Фторполимеров;

3. Стекла (включая застеклованные или эмалевые покрытия);

4. Никеля или никелевых сплавов с содержанием никеля более 40 % (по весу);

5. Тантала или танталовых сплавов;

6. Титана или титановых сплавов; или

7. Циркония или циркониевых сплавов.

d. Теплообменники или конденсаторы с площадью поверхности теплообмена свыше 0,15 м2или менее 20 м2; и трубы, пластины, катушки или узлы (стержни), предназначенные для таких теплообменников и конденсаторов, в которых все поверхности, находящиеся в непосредственном контакте с обрабатываемыми химикалиями, изготовлены из любого из следующих материалов:

1. Сплавов, содержащих свыше 25 % никеля и 20 % хрома (по весу);

2. Фторполимеров;

3. Стекла (включая застеклованные или эмалевые покрытия);

4. Графита или "угольного графита";

5. Никеля или никелевых сплавов с содержанием никеля более 40 % (по весу);

6. Тантала или танталовых сплавов;

7. Титана или титановых сплавов;

8. Циркония или циркониевых сплавов;

9. Карбида кремния; или

10. Карбида титана.

e. Дистилляторные или абсорбционные колонны с внутренним диаметром, превышающим 0,1 м; и распределители жидкости, распределители отделенного пара или коллекторы жидкости, предназначенные для таких дистилляторных и абсорбционных колонн, в которых все поверхности, находящиеся в посредственном контакте с обрабатываемыми химикалиями, изготовлены из любого из следующих материалов:

1. Сплавов, содержащих свыше 25 % никеля и 20 % хрома (по весу);

2. Фторполимеров;

3. Стекла (включая застеклованные или эмалевые покрытия);

4. Графита или "угольного графита";

5. Никеля или никелевых сплавов с содержанием никеля более 40 % по весу;

6. Тантала или танталовых сплавов;

7. Титана или титановых сплавов; или

8. Циркония или циркониевых сплавов.

f. Дистанционно управляемое наливное оборудование, в котором все поверхности, находящиеся в непосредственном контакте обрабатываемыми химикалиями, изготовленные из любого из следующих материалов:

1. Сплавов, содержащих свыше 25 % никеля и 20 % хрома (по весу); или

2. Никеля или никелевых сплавов с содержанием никеля более 40 % (по весу);

g. Вентили с номинальными размерами, превышающими 10 мм, и корпуса клапана или предварительно сформованные прокладки корпуса, предназначенные для таких вентилей, все поверхности которых, находящиеся в непосредственном контакте с химикалиями, содержащимися или обрабатываемыми в реакторе, изготовлены из любого из следующих материалов:

1. Сплавов, содержащих свыше 25 % никеля и 20 % хрома по весу;

2. Фторполимеров;

3. Стекла (включая застеклованные или эмалевые покрытия);

4. Никеля или никелевых сплавов с содержанием никеля более 40 % (по весу);

5. Тантала или танталовых сплавов;

6. Титана или титановых сплавов; или

7. Циркония или циркониевых сплавов.

h. Многостенные трубопроводы с отверстиями для обнаружения течи, у которых все поверхности, находящиеся в непосредственном контакте с содержащимися или обрабатываемыми химикалиями, изготовлены из любого из следующих материалов:

1. Сплавов, содержащих свыше 25 % никеля и 20 % хрома (по весу);

2. Фторполимеров;

3. Стекла (включая застеклованные или эмалевые покрытия);

4. Графита или "угольного графита";

5. Никеля или никелевых сплавов с содержанием никеля более 40 % (по весу);

6. Тантала или танталовых сплавов;

7. Титана или титановых сплавов; или

8. Циркония или циркониевых сплавов.

i. Насосы герметичные с многократным уплотнением, с магнитным приводом, сильфонные, или диафрагменные, с максимальной производительностью согласно спецификации изготовителя свыше 0,6 м3/час, или вакуумные насосы, имеющие согласно спецификации изготовителя максимальную производительность свыше 5 м3/час (при нормальных условиях - температуре (273К (00С)) и давлении (101,3 кПа)); и корпуса насосов, предварительно сформованные прокладки корпуса, лопасти, роторы или сопла струйных насосов, предназначенные для таких вентилей, все поверхности которых, находящиеся в непосредственном контакте с обрабатываемыми химикалиями, изготовлены из любого из следующих материалов:

1. Сплавов, содержащих свыше 25 % никеля и 20 % хрома (по весу);

2. Керамики;

3. Ферросилиция;

4. Фторполимеров;

5. Стекла (включая застеклованные или эмалевые покрытия);

6. Графита или "угольного графита";

7. Никеля или никелевых сплавов с содержанием никеля более 40 % (по весу);

8. Тантала или танталовых сплавов;

9. Титана или титановых сплавов; или

10. Циркония или циркониевых сплавов.

j. Печи для сжигания химикалиев, контролируемых по пункту 1С350, имеющие специально сконструированную систему подачи отходов, и специальные погрузочно-разгрузочные механизмы, со средней температурой в камере свыше 1 273 К (1 0000С), у которых все поверхности в системе подачи отходов, находящиеся в непосредственном контакте с продуктами отходов, изготовлены из любого или покрыты любым из следующих материалов:

1. Сплавов, содержащих свыше 25 % никеля и 20 % хрома (по весу);

2. Керамики; или

3. Никеля или никелевых сплавов с содержанием никеля более 40 % по весу.

k. Реакционные сосуды, реакторы из ниобия (колумбия) без уплотнителя и с несколькими уплотнителями;

l. Баки для хранения, контейнеры или приемные резервуары из ниобия (колумбия) без уплотнителя и с несколькими уплотнителями;

m. Теплообменники или конденсационные аппараты из ниобия (колумбия) без уплотнителя и с несколькими уплотнителями;

n. Ректификационные или поглотительные колонки из ниобия (колумбия) без уплотнителя и с несколькими уплотнителями;

o. Клапаны, которые изготовлены из следующих материалов:

1. Ниобия (колумбия) без уплотнителя и с несколькими уплотнителями.

2. Керамических материалов, включая кремниевый карбид с чистотой 80 % или более по весу, алюминиевая окись (алюминий-оксидный) с чистотой 99,99 % или более по весу или окись циркония (двуокись циркония).

p. Агитаторы из ниобия (колумбия) без уплотнителя и с несколькими уплотнителями;

r. Многослойные трубопроводы из ниобия (колумбия) без уплотнителя и с несколькими уплотнителями;

s. Насосы из ниобия (колумбия) без уплотнителя и с несколькими уплотнителями;

t. Системы мониторинга токсичных газов и их специализированные компоненты обнаружения: датчики; сенсорные устройства; сменные картриджи сенсора; и специализированное программное обеспечение, таким образом:

1. Разработано для непрерывной работы и применимо для обнаружения боевых химических веществ или контролируемых АГ прекурсоров при концентрациях менее 0,3 мг/м3;

2. Разработано для обнаружения холинестераза.p. Агитаторы из ниобия (колумбия) без уплотнителя и с несколькими уплотнителями;

r. Многослойные трубопроводы из ниобия (колумбия) без уплотнителя и с несколькими уплотнителями;

s. Насосы из ниобия (колумбия) без уплотнителя и с несколькими уплотнителями;

t. Системы мониторинга токсичных газов и их специализированные компоненты обнаружения: датчики; сенсорные устройства; сменные картриджи сенсора; и специализированное программное обеспечение, таким образом:

1. Разработано для непрерывной работы и применимо для обнаружения боевых химических веществ или контролируемых АГ прекурсоров при концентрациях менее 0,3 мг/м3;

2. Разработано для обнаружения холинестераза.

Техническое примечание: материалы, из которых изготовлены прокладки, упаковка, уплотнители, винты, шайбы или любые другие материалы, выполняющие герметизирующую функцию, не определяют статус контроля упомянутых выше пунктов, при условии, что такие компоненты разработаны как сменные.

Техническое примечание:

"Угольный графит" - это композиционный материал, состоящий из аморфного углерода и графита, в котором содержание графита составляет 8 % или более по весу.

 

2В350 а. 7310 10 000 0
  8419 40 000 9
  8479 82 000 0
  3926 90 990 9
  7020 00
  7115 90
  7309 00 300 0
  7309 00 590 0
  7508 90 000 0
  8103 90 900 0
  8108 90 900 0
  8419 89 989 0
2В350 b. 8479 82 000 0
  8479 90 930 0
  8479 90 960 0
  7020 00
2B350 с. 7309 00 300 0
  7310 10 000 0
  7311 00 910 0
  8609 00 900 9
  3923 10 000 0
  3923 29 900 0
  3923 30 909 0
  7010 90 910 0
  7010 90 990 0
  7020 00
  7115 90
  7309 00 300 0
  7309 00 590 0
  7311 00
  7508 90 000 0
  8103 90 900 0
  8108 90 900 0
  8109 90 000 0
2B350 d. 8419 50 000 0
  7020 00;
  8419 50 000 0
2B350 e. 8419 40 000 9
  7020 00
2B350 f. 8422 30 000 8
2B350 g. 8481 80 790 0
  8481 80 870 0
  8481 80 990 0
  7020 00
  8481
2B350 h. 8419 90 850 9
  3917
  6815 10 900 9
  7020 00
  7115 90
  7303 00
  7304
  7305
  7306
  7508 90 000 0
  8103 90 900 0
  8108 90 900 0
  8109 90 000 0
  8419 90 800
2В350 i. 8413 81 000 9
  8414 10 250 0
  8414 10 810 0
  8414 20 800 0
  7020 00;
  8413 81 900 0
  8414 10 300 0
  8414 10 500 0
  8414 10 800 0
2B350 j. 8417 80 850 0
  8514 20 800 0
  8514 30 990 0
  8417 80 100 0

 

2В351 Системы и датчики контроля токсичных газов, такие как:

a. спроектированные для непрерывного функционирования и пригодные для обнаружения агентов боевых отравляющих веществ или химикатов, указанных в разделе 1С350 при их концентрациях 0,3 мг/куб.м или менее; или

b. датчики, спроектированные для обнаружения фосфорорганических соединений при помощи препаратов группы холинэстераз.

 

2В351, а 9027 10 100 0
2В351, b 9027 10 900 0
  9027 90 800 0

 

2В352 Оборудование для обработки биологических материалов, такое как:

(ч. 2В352 в ред. Постановлений Правительства РК от 15.04.2011 N 418)

а. Комплекты оборудования, обеспечивающие высокий и максимальный уровень биологической защиты (Р3 или Р4);

b. Системы распыления или мелкокапельного опрыскивания и их компоненты;

c. Межфазные поликонденсаторы;

d. Фазовые разделители;

e. Обычные помещения или помещения с турбулентным потоком воздуха.

Техническое примечание:

Уровни защиты Р3 или Р4 (BL3, BL4, L3, L4) определены ВОЗ (Руководство по лабораторной биозащите, Женева, 1993 год, второе издание).

b. Ферментеры, которые могут быть использованы для непрерывного культивирования патогенных "микроорганизмов", вирусов или токсинов без риска образования аэрозолей, и имеют полную емкость 20 литров или более;

Техническое примечание:

Ферментеры включают биореакторы, хемостаты и непрерывные проточные системы.

c. Центрифужные сепараторы, обеспечивающие непрерывную сепарацию патогенных микробов без риска образования аэрозолей и обладающие всеми следующими характеристиками:

1. производительность - свыше 100 л/час;

2. конструкция выполнена полностью или частично из полированной нержавеющей стали или из титана;

3. двойные или многослойные уплотнительные паровые прокладки; и

4. возможность стерилизации паром без предварительной разборки.

Техническое примечание:

Центрифужные сепараторы включают устройство для декантирования.

d. Следующие системы фильтрации в поперечном (тангенциальном) потоке и компоненты для них:

1. Системы фильтрации в поперечном (тангенциальном) потоке, предназначенные для непрерывной сепарации патогенных микроорганизмов, вирусов или токсинов или культуры клеток без риска образования аэрозолей, и имеющие обе следующие характеристики:

a. площадь фильтрации равную или свыше 1 кв. м; и

b. возможность стерилизации или дезинфекции на месте;

Техническое примечание:

Применительно к Пункту 2B352.d.1.b. термин "стерилизованный" означает удаление всех жизнеспособных микробов с оборудования и приборов путем использования либо физического (к примеру, пар) или химического средства. Термин "дезинфицированный" означает уничтожение потенциальной микробной инвазионной способности в оборудовании и приборах путем использования химических средств, имеющих бактерицидное действие. Дезинфекция и стерилизация отличаются от санитарной обработки. Санитарная обработка относится к процедурам чистки с целью уменьшения содержания микробов на оборудовании и приборах при этом не обязательно ставится цель уничтожить микробную инвазионную способность полностью или жизнеспособность микробов.

2. Компоненты системы фильтрации в поперечном (тангенциальном) потоке (к примеру, модули, элементы, кассеты, картриджи, узлы и пластины) с площадью фильтрации, равной или выше 0,2 м2каждого компонента, предназначенные для использования в оборудовании системы фильтрации в поперечном (тангенциальном) потоке, перечисленном в 2B352.d.;

Примечание: Пунктом 2B352.d. не контролируется оборудование обратного осмоса, как например, контролируемое производителем.

e. Оборудование для лиофильной сушки с производительностью свыше 10 кг льда в сутки и менее 1 000 кг льда в сутки;

f. Защитное оборудование и защитная оболочка, как:

1. Защитные костюмы с полной или частичной автономной вентиляцией, или вытяжные шкафы, зависящие от привязной подачи внешнего воздуха и функционирующие под избыточным давлением;

Примечание: Пунктом 2B352.f.1. не контролируются костюмы, предназначенные к ношению со встроенным дыхательным аппаратом.

2. Биологические защитные боксы класса III или изолирующие системы с аналогичным уровнем защиты;

Примечание: По пункту 2B352.f.2. изолирующие системы включают гибкие изоляторы, сушильные боксы, анаэробные камеры, коробки для перчаток и вытяжные шкафы с ламинарным потоком воздуха (замкнутым вертикальным потоком воздуха).

g. Аэрозольные (ингаляционные) камеры для исследования воздействия аэрозолей "микроорганизмов", "вирусов" или "токсинов" с объемом один куб. м и более.

 

2В352 а. 6113 00
  9020 00 000 0
2В352 b. 8419 89 989 0
  8486 10 000
  8486 20
  8479 82 000 0
2В352 с. 8421 19 200 9
  8421 19 910 9
  8421 19 990 9
2B352 d. 8421 29 000 9
  8421 29 900 9
2В352 е. 8419 39 900 8
  8419 39 900 9
2B352 f. 1. 8479 89 970 9
  8486 10 000 0
  8486 20
  8486 30
  8486 40 000 0
  4015 90 000 0;
  6113 00 100 0;
  6210 20 000 0;
  6210 40 000 0;
  9020 00 900 0
2B352 f. 2. 8414 80 800 9
  8414 60 000 0;
  8414 80 900 0
2B352 g. 8424 89 000 9
  8424 89 950 9

 

2C Материалы
 

Нет

 

2D Программное обеспечение

 

2D001 "Программное обеспечение", отличное от перечисленного в Пункте 2D002, специально спроектированное или модифицированное для "разработки", "производства" или "применения" оборудования, контролируемого по пунктам 2А001 или с 2В001 по 2В009;

 

2D001 8523 80 950 0
  8523 80 990 0

 

2D002 "Программное обеспечение" для электронных устройств, в том числе встроенное, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок "числового программного управления", способный координировать одновременно свыше четырех осей для "контурного управления";

Примечание 1:Пунктом 2D002 не контролируется "программное обеспечение", спроектированное или модифицированное для управления функциями станочной автоматизированной системой, не перечисленной в Категории 2.

Примечание 2:Пунктом 2D002 не контролируется "программное обеспечение" для станков, перечисленных в 2В002. Смотрите 2D001 по контролю "Программного обеспечения" к станкам, перечисленным в Пункте 2В002.

 

2D002 8523 80 950 0
  8523 80 990 0

 

2D101 "Программное обеспечение", специально разработанное или модифицированное для "применения" оборудования, указанного в 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 или 2B119 – 2B122.

Особое примечание: См. также 9D004.

 

2D101 8523 80
  8523 80 0

 

(ч. 2D101 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

2D202 "Программное обеспечение" специально разработанное или модифицированное для "разработки", "производства" или "использования" в оборудовании, контролируемом по пункту 2В201.

 

2D202 8523 80 950 0
  8523 80 990 0

 

2E Технология

 

2Е001 "Технологии", в соответствии с технологическим примечанием предназначенные для "разработки" оборудования или "программного обеспечения", контролируемых по пунктам 2А, 2В или 2D.

2Е001

2Е002 "Технологии", в соответствии с Общим технологическим примечанием предназначенные для "производства" оборудования, контролируемого по пунктам 2А или 2В.

2Е002

2Е003 Другие "технологии", такие как:

a. "Технологии" для "разработки" интерактивной графики как интегральной части блоков "числового программного управления" для подготовки или модификации элементов программ;

b. Нижеперечисленные "технологии" производственных процессов металлообработки:

1. "Технологии" проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально спроектированных для любого из следующих процессов:

a. "Сверхпластического формования";

b. "Диффузионной сварки"; или

c. "Непосредственного гидравлического прессования";

2. Технические данные, включающие параметры или методы реализации процесса, перечисленные ниже и используемые для управления:

а. "Сверхпластическим формованием" алюминиевых, титановых сплавов или "суперсплавов":

1. Данные о подготовке поверхности;

2. Данные о степени деформации;

3. Температура;

4. Давление;

b. "Диффузионной сваркой" "суперсплавов" или титановых сплавов:

1. Данные о подготовке поверхности;

2. Температура;

3. Давление;

c. "Гидравлическим прессованием прямого действия" алюминиевых или титановых сплавов:

1. Давление;

2. Продолжительность цикла;

d. "Горячим изостатическим уплотнением" титановых, алюминиевых сплавов или "суперсплавов":

1. Температура;

2. Давление;

3. Продолжительность цикла;

c. "Технологии" "разработки" или "производства" гидравлических вытяжных формовочных машин и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;

d. "Технологии" для "разработки" генераторов машинных команд (например, элементов программ) из проектных данных, находящихся внутри блоков "числового программного управления";

e. "Технологии" для "разработки" интегрирующего "программного обеспечения" для встраивания в экспертные системы, повышающие в заводских условиях операционные возможности блоков "числового программного управления";

f. "Технологии" применения неорганических поверхностных покрытий или неорганических покрытий с модификацией поверхности изделия (отмеченных в графе 3 таблицы) к неэлектронным подложкам (отмеченных в графе 2 нижеследующей таблицы) с помощью процессов, отмеченных в графе 1 нижеследующей таблицы и определенных Техническим примечанием.

Примечание: Таблица и техническое примечание приведены после пункта 2Е301

2Е003

2Е101 "Технологии" в соответствии с общим технологическим примечанием для "применения" оборудования или "программного обеспечения", указанного в пунктах 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 - 2B122 или 2D101.

(ч. 2Е101 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

2Е201 "Технология" в соответствии с Общим технологическим примечанием для "использования" в оборудовании или "программном обеспечении", перечисленных в пунктах 2А225, 2А226, 2В001, 2В006, 2B007.b., 2В007.c, 2В008, 2В009, 2В201, 2В204, 2В206, 2В207, 2В209, с 2В225 по 2В232, 2D201 или 2D202.

2Е201

2Е301 "Технология" в соответствии с Общим технологическим примечанием, требуемая для "использования" изделий, перечисленных в пунктах с 2В350 по 2В352.

2Е301

 

Таблица технических приемов осаждения покрытий

 

1. Название процесса нанесения покрытия (1)х 2. Подложка 3. Результирующее покрытие
А. Алюминиды для паровой фазы (CVD) "Суперсплавы" Химическое осаждение из внутренних каналов
Керамика (19) и стекло с малым коэффициентом расширения (14) Силицилы
Карбиды
Диэлектрические слои (15)
Алмаз
Алмазо-подобный углерод (17)
Углерод-углерод, керамика и "композиционные материалы" с металлической "матрицей" Силициды
Карбиды
Тугоплавкие металлы
Смеси перечисленных выше материалов (4)
Слои диэлектриков (15)
Алюминиды
Сплавы алюминидов (2)
Нитрид бора
Цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) Карбиды
Вольфрам
Смеси перечисленных выше материалов (4)
Слои диэлектриков (15)
Молибден и его сплавы Слои диэлектриков (15)
Бериллий и его сплавы Слои диэлектриков (15)
Алмаз
Алмазо-подобный углерод (17)
Материалы окон датчиков (9) Слои диэлектриков (15)
Алмаз
Алмазо-подобный углерод (17)
В. Физическое осаждение из паровой фазы термовыпариванием (ТЕ-PVD)    
В.1. Физическое осаждение паров (PVD): осаждение электронным лучом (EB-PVD) "Суперсплавы" Сплавы силицидов
Сплавы алюминидов (2)
МСrАlХ (5)
Модифицированные виды циркония (12)
Силициды
Алюминиды
Смеси перечисленных выше материалов (4)
Керамика (19) и стекло с малым коэффициентом расширения (14) Слои диэлектриков (15)
  Коррозионно стойкие стали (7) МСrАlХ (5)
Модифицированые виды циркония (12)
Смеси перечисленных выше материалов (4)
  Углерод-углерод, керамика и "композиционные материалы" с металлической "матрицей" Силициды
Карбиды
Тугоплавкие металлы
Смеси перечисленных выше материалов (4)
Слои диэлектриков (15)
Нитрид бора
  Цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) Карбиды
Вольфрам
Смеси перечисленных выше материалов (4)
Слои диэлектриков (15)
  Молибден и его сплавы Слои диэлектриков (15)
  Бериллий и его сплавы Слои диэлектриков (15)
Бориды
Бериллий
  Материалы окон датчиков (9) Слои диэлектриков (15)
  Титановые сплавы (13) Бориды
Нитриды
В.2. Физическое осаждение из паровой фазы посредством ионно-резистивного нагрева (ионное гальваническое покрытие) Керамика (19) и стекла с малым коэффициентом расширения (14) Слои диэлектриков (15)
Алмазо-подобный углерод (17)
  Углерод-углерод, керамика и "композиционные материалы" с металлической "матрицей" Слои диэлектриков (15)
  Цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния Слои диэлектриков (15)
  Молибден и его сплавы Слои диэлектриков (15)
  Берилий и его сплавы Слои диэлектриков (15)
  Материалы окон датчиков (9) Слои диэлектриков (15)
Алмазо-подобный углерод (17)
В.3. Физическое осаждение из паровой фазы: испарение лазером Керамика (19) и стекла с малым коэффициентом расширения (14) Силициды
Слои диэлектриков (15)
Алмазо-подобный углерод (17)
Углерод-углерод, керамика и "композиционные материалы" с металлической "матрицей" Слои диэлектриков (15)
Цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния Слои диэлектриков (15)
Молибден и его сплавы Слои диэлектриков (15)
Бериллий и его сплавы Слои диэлектриков (15)
Материалы окон датчиков (9) Слои диэлектриков (15) Алмазо-подобный углерод
В.4. Физическое осаждение из паровой фазы: катодный дуговой разряд "Суперсплавы" Сплавы силицидов
Сплавы алюминидов (2)
MCrAlX (5)
  Полимеры (11) и "композитные материалы" с органической "матрицей" Бориды
Карбиды
Нитриты
Алмазо-подобный углерод (17)
С. Цементация с использованием карбюризаторов (см. пункт "А" выше о цементации без использования карбюризаторов) (10) Углерод-углерод, керамика и "композиционные материалы" с металлической "матрицей" Силициды
Карбиды
Смеси перечисленных выше материалов (4)
  Титановые сплавы (13) Силициды
Алюминиды
Сплавы алюминидов (2)
  Тугоплавкие металлы и сплавы (8) Силициды
Оксиды
D. Плазменное напыление "Суперсплавы" МСrАlХ (5)
    Модифицированные виды циркония (12)
Смеси перечисленных выше материалов (4)
Эррозионно стойкий никель-графит
    Эррозионно стойкий материал, содержащий никель-хром-алюминий
Эррозионно стойкий алюминий-кремний-полиэфир
Сплавы алюминидов (2)
  Алюминиевые сплавы (6) МСrАlХ (5)
Модифицированные виды циркония (12)
Силициды
Смеси перечисленных выше материалов (4)
  Тугоплавкие металлы и сплавы (8) Алюминиды
Силициды
Карбиды
  Коррозионно стойкие стали (7) МСrАlХ (15)
Модифицированные виды циркония (12)
Смеси перечисленных выше материалов (4)
  Титановые сплавы (13) Карбиды
Алюминиды
Силициды
Сплавы алюминидов (2)
Эррозионно стойкий никель-графит
Эррозионно стойкий материал, содержащий никель-хром-алюминий
Эррозионно стойкий алюминий-кремний-полиестер
Е. Осаждение суспензии (шлама) (8) Тугоплавкие металлы и сплавы (8) Легкоплавкие силициды
Легкоплавкие алюминиды, (кроме материалов для теплостойких элементов)
  Углерод-углерод, керамика и "композиционные материалы" с металлической "матрицей" Силициды
Карбиды
Смеси перечисленных выше материалов (4)
F. Металлизация
напылением
"Суперсплавы" Сплавы силицидов
Сплавы алюминидов (2)
Алюминиды, модифицированные благородными металлами (3)
МСrАlХ (5)
Модифицированные виды циркония (12)
Платина
Смеси перечисленных выше материалов (4)
  Керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14) Силициды
Платина
Смеси перечисленных выше материалов (4)
Слои диэлектриков (15)
Алмазо-подобный углерод (17)
  Титановые сплавы (13) Бориды
Нитриды
Оксиды
Силициды
Алюминиды
Сплавы алюминидов (2)
Карбиды
  Углерод-углерод, керамика и "композиционные материалы" с металлической "матрицей" Силициды
Карбиды
Тугоплавкие металлы
Смеси перечисленных выше материалов (4)
Слои диэлектриков (15)
Нитрид бора
  Цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) Карбиды
Вольфрам
Смеси перечисленных выше материалов (4)
Слои диэлектриков (15)
Нитрид бора
  Молибден и его сплавы Слои диэлектриков (15)
  Берилий и его сплавы Бориды
Слои диэлектриков (15)
Берилий
  Материалы окон датчиков (9) Слои диэлектриков (15)
Алмазо-подобный углерод (17)
  Тугоплавкие металлы и сплавы (8) Алюминиды
Силициды
Оксиды
Карбиды
G. Ионная имплантация Термостойкие стали Добавки хрома тантала или ниобия (Колумбия)
  Титановые сплавы (13) Бориды
Нитриды
  Берилий и его сплавы Бориды
  Цементированный карбид вольфрама (16) Карбиды
Нитриды
(*) Числа в скобках относятся к Примечаниям, идущим после таблицы.

 

Техническая терминология, используемая
в таблице технических приемов осаждения покрытий:

 

1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает в себя как изначальное нанесение покрытия, так и работы по исправлению и улучшению уже нанесенного покрытия.

2. Термин "покрытие сплавами алюминида" включает единичное или многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или элементы осаждается покрытие до или в течение процесса алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса пакетной цементации для получения сплавов алюминидов.

3. Термин "покрытие алюминидами, модифицированными благородными металлами", включает многошаговое нанесение покрытий, в котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида.

4. "Смеси" включают инфильтрующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многослойные материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов нанесения покрытий, изложенных в таблице.

5. "MCrAlX" соответствует сложному составу покрытия, где М означает кобальт, железо, никель или их комбинации, а X означает гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01 % (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

a. CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22 % (по весу) хрома, менее 7 % (по весу) алюминия и менее 2 % (по весу) иттрия;

b. CoCrAlY - покрытий, содержащих 22-24 % (по весу) хрома, 10-12 % (по весу) алюминия и 0,5-0,7 % (по весу) иттрия: или

c. NiCrAlY - покрытий, содержащих 21-23 % (по весу) хрома, 10-12 % (по весу) алюминия и 0,9-1,1 % (по весу) иттрия.

6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 К (200С).

7. Термин "коррозионно стойкая сталь" относится к сталям, удовлетворяющим требованиям стандарта 300 Американского института железа и стали AISI (American Iron and Steel Institute), или требованиям соответствующих национальных стандартов для сталей.

8. К тугоплавким металлам относятся следующие металлы и их сплавы: ниобий (Колумбии), молибден, вольфрам и тантал.

9. "Материалами окон датчиков" являются: глинозем (окись алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, некоторые галогениды металлов; а окон датчиков диаметром более 40 мм - фторид циркония и фторид гафния.

10. "Технология" для одношаговой пакетной цементации твердых профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.

11. "Полимеры" включают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны.

12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) для стабилизации определенных кристаллографических фаз и фаз смешения. Термостойкие покрытия из циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или сплавления, не контролируются.

13. Термин "титановые сплавы" здесь относится к аэрокосмическим сплавам с предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более, измеренным при 293 К (200С).

14. "Стекла с малым коэффициентом расширения" определяются как стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 1 х 10-7К-1или менее, измеренный при 293 К (200С).

15. "Диэлектрические слоистые покрытия" (слои диэлектриков) относятся к многослойным изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами отражения, что используется для отражения, передачи или поглощения волн в различных диапазонах. Диэлектрические слоистые покрытия состоят из четырех и более слоев диэлектрика или слоев "композита" диэлектрик-металл.

16. "Цементированный карбид вольфрама" не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама/(кобальт, никель), карбида титанаДкобальт, никель), карбид хрома/(никель-хром) и карбид хрома/никель.

17. Не контролируются "технологии" нанесения алмазо-подобного углерода на следующие объекты:

магнитные диски и головки, оборудование для производства товаров одноразового использования, вентили кранов, акустические диафрагмы громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты и резцы, штампы для штамповочно-прессовальных инструментов, оборудование для автоматизации делопроизводства, микрофоны или медицинское оборудование или формы, для отливки и формирования пластмассы, произведенной из сплавов, содержащих менее 5 % бериллия.

18. "Карбид кремния" не включает материалов для резцов, в т.ч. фасонных резцов.

19. Керамические материалы, указанные в данном пункте, не включают керамических материалов, содержащих 5 % или более по весу глинозема или цемента, как самостоятельных составных частей либо в комбинации.

 

Процессы, представленные в графе 1 Таблицы
Определяются следующим образом:

 

a. Химическое осаждение паров (CVD) - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, "композиционный материал", диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом или лучом "лазера".

Особое примечание 1:Химическое осаждение паров включает следующие процессы: непакетное нанесение покрытия направленным газовым потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое термическое нанесение с ядерным дроблением, с применением мощного патока плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы;

Особое примечание 2:Пакет означает подложку, погруженную в пудру из нескольких составляющих;

Особое примечание 3:Газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими, как пакетная цементация, кроме случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.

b. Физическое осаждение из паровой фазы с ионизацией посредством резистивного нагрева (TE-PVD) - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия.

Добавление в вакуумную камеру газов в процессе покрытия для синтезирования сложного покрытия является просто модификацией данного процесса.

Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации или способствования оседанию покрытия - также обычная модификация в данном процессе. Применение мониторов для обеспечения измерения оптических характеристик или толщины покрытия в ходе процесса может рассматриваться как свойство данного процесса.

Специфическими являются следующие процессы физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева (TE-PVD):

1. Электронно-лучевое физическое осаждение - для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный луч;

2. Физическое осаждение ионно-резистивного типа использует электрическое сопротивление в качестве источника тепла в сочетании с соударяющимися ионными пучками для производства контролируемого и однородного потока паров материала покрытия;

3. "Лазерное испарение", при котором используется импульсный или непрерывный луч "лазера" для нагрева материала, который формирует покрытие;

4. Формирование покрытия с применением катодной дуги использует расходуемый катод в качестве материала, который формирует покрытие, и имеет установившийся дуговой разряд на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером). Контролируемое движение искрения эродирует поверхность катода, при этом создавая высокоионизированную плазму. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера может играть роль анода. Подача напряжения на подложку применяется, когда нанесение покрытия производится под углом (не прямо).

Особое примечание:

Описанный в подпункте 4 процесс не относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением подложки.

5. Ионная металлизация - специальная модификация общего процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение (заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, являются обычными модификациями процесса физического осаждения паров термовыпариванием.

c. Цементация с использованием цементирующего средства (карбюризатора) - процесс модификации поверхности или нанесения внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (карбюризатор), которая состоит из:

1. Металлических порошков, составляющих покрытие (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

2. Активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

3. Инертной пудры, чаще всего глинозем (оксид алюминия)

Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры), которая нагревается до температуры от 1 030 К (7570С) до 1 375 К (1,1020С) на время, достаточное для нанесения покрытия.

d. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется покрытие как неотъемлемая часть изделия. Плазменное напыление может быть основано либо на напылении плазмой низкого давления, либо высокоскоростной плазмой.

Особое примечание 1:Низкое давление означает давление ниже атмосферного.

Особое примечание 2:Высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 К (200С) и давлении 0,1 МПа.

e. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс модификации покрываемой поверхности или нанесения внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия.

f. Металлизация напылением - это процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени требуемого покрытия.

Особое примечание 1:В таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной или реактивной металлизации напылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления, используемом для испарения неметаллических материалов покрытий.

Особое примечание 2:Низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия.

g. Ионная имплантации - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, когда пары материала, предназначенного для нанесения, ионизируются, ускоряются градиентом потенциала и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация выполняется совместно с электронно-лучевым выпариванием или металлизацией напылением.

 

Категория 3 Электроника

 

3А Системы, оборудование и компоненты

 

Примечание 1:Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3А001 или 3А002, других, нежели те, которые указаны в пунктах 3А001.а.3. до 3А001.а.10. или 3А001.а.12. которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу другого оборудования.

Примечание 2:Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах с 3А001.а.3. по 3А001.а.9. или 3А001.а.12. программы которых не могут быть изменены, или разработанных для выполнения конкретных функций для другого оборудования, определяется по контрольному статусу другого оборудования.

Особое примечание: В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах с 3А001.а.3. по 3А001.а.9. и 3А001.а.12.

Если интегральная схема является кремниевой микросхемой "микроЭВМ" или микросхемой микроконтроллера, указанных в пункте 3А001.а.3., и имеет длину слова операнда 8 бит или менее, то ее контрольный статус должен определяться в соответствии с пунктом 3А001.а.3.

3А001 Электронные компоненты, такие, как:

a. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:

Примечание 1:Контрольный статус пластин (готовых или полуфабрикатов) для их изготовления, на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3А001.а.

Примечание 2:Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:

"Монолитные интегральные схемы";

"Гибридные интегральные схемы";

"Многокристальные интегральные схемы";

"Пленочные интегральные схемы", включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";

"Оптические интегральные схемы".

1. Интегральные схемы, спроектированные или определяемые как радиационно-стойкие, способные выдержать следующее:

а: Общую дозу 5 х 103рад (Si) (кремний) или выше;

b. Мощность дозы до наступления сбоя в 5 х 106рад (кремний)/с или выше; или

c. Интегральная плотность потока нейтронов на кремний (эквивалентно 1MeV) составляет 5 х 1013н/см2или выше, или его эквиваленту для других металлов;

Примечание: Пунктом 3А001.а.1.с. не контролируется металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структура).

2. "Микропроцессорные микросхемы", "микросхемы микроЭВМ", микросхемы микроконтроллеров, микросхемы памяти, изготовленные из многокомпонентных полупроводников, аналого-цифровые преобразователи, цифровые-аналоговые преобразователи, электрооптические или "оптические-интегральные микросхемы" разработанные для "обработки сигналов", программируемые пользователем матрицы логических ключей на полевых транзисторах, программируемые пользователем логические матрицы полевых транзисторов, интегральные схемы для нейронных сетей, изготовленные по индивидуальному заказу интегральные схемы, функция которых неизвестна либо производителю неизвестно, распространяется ли контрольный статус на аппаратуру, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, процессоры быстрого Фурье-преобразования, интегральные схемы электрически программируемых постоянных запоминающих устройств (ЭППЗУ), программируемые с ультрафиолетовым стиранием, или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), обладающие любой из нижеперечисленных характеристик:

а. Работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+1250С);

b. Работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-550С); или

c. Работоспособные за пределами диапазона температур окружающей среды от 218 К (-550С) до 398 К (+1250С);

Примечание: Пункт 3A001.а.2 не распространяется на интегральные схемы для гражданских автомобилей и железнодорожных локомотивов.

3. "Микропроцессорные микросхемы", "микрокомпьютерные микросхемы" и микросхемы микроконтроллеров, обладающие любой из нижеперечисленных характеристик:

Примечание: Пункт 3A001.а.3. включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры.

a. Не используются;

b. Изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или

c. Более чем одну шину данных или команд, или порт последовательной связи для внешнего межсоединения в параллельный "микропроцессорный ИС" со скоростью передачи, превышающей 150 Мбайт/с;

4. Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях;

5. Интегральные схемы для аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей, такие, как:

а. Аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:

Особое примечание: См. также 3А101

1. Разрешающую способность 8 бит или более, но меньше 12 бит, с "полным временем преобразования" менее 5 нс;

2. Разрешающую способность 12 бит с "полным временем преобразования" менее 20 нс;

3. Разрешающую способность более 12 бит, но равную или менее 14 бит с "полным временем преобразования" менее 200 нс; или

4. Разрешающая способность более 14 бит с "полным временем преобразования" менее 1us;

b. Цифро-аналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит и более и "временем выхода на установившийся режим" менее 10 нс;

Технические примечания:

1. Разрешающая способность в n бит соответствует n квантованию до 2 уровней;

2. "Полное время преобразования" определяется как обратное к скорости взятия проб.

6. Электронно-оптические и "оптические интегральные схемы" для "обработки сигналов", имеющие одновременно все перечисленные составляющие:

a. Один внутренний "лазерный" диод или более;

b. Один внутренний светочувствительный элемент или более; и

c. Оптические волноводы.

7. Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик:

a. Эквивалентное количество затворов (вентилей) более 30 000 (в пересчете на двухвходовые);

b. Типовое "время задержки" основного логического элемента менее 0,1 нc; или

c. Частоту переключения, превышающую 133 МГц;

Примечание: Пункт 3A001.а.7. включает:

a. Простые программируемые логические устройства

b. Сложные программируемые логические устройства

c. Программируемые матрицы логических ключей на полевых транзисторах

d. Программируемые логические матрицы на полевых транзисторах

e. Программируемые соединители

Особое примечание: Программируемые логические устройства на полевых транзисторах также известны как программируемые матрицы логических ключей на полевых транзисторах или программируемые логические матрицы на полевых транзисторах

8. Не используется;

9. Интегральные схемы для нейронных сетей;

10. Изготовленные по индивидуальному заказу интегральные схемы, функция которых неизвестна, либо производителю неизвестен контрольный статус аппаратуры, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, имеющие любую из следующих характеристик:

a. Свыше 1 000 выводов;

b. Типовое "время задержки" элемента менее 0,1 нc; или

c. Рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;

11. Цифровые интегральные схемы, отличающиеся от указанных в пунктах с 3A001.а.3 по 3A001.а.10. и 3A001.а.12., созданные на основе какого-либо полупроводникового соединения и обладающие любой из следующих характеристик:

a. Эквивалентное количество вентилей более 3 000 (в пересчете на двухвходовые); или

b. Частоту переключения, превышающую 1,2 ГГц;

12. Процессоры быстрого преобразования Фурье, обладающие расчетным временем выполнения комплексного N-точечного быстрого преобразования Фурье менее чем N log2N/20 480 мс, где N - число точек;

Техническое примечание:

При N равном 1 024 точкам, формула, указанная в Пункте 3A001.а.12., дает расчетное время выполнения комплексного 1024-точечного быстрого преобразования Фурье в 500us;

b. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона, такие как:

1. Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:

Примечание 1:Пункт 3A001.b.1 не контролирует лампы, разработанные или спроектированные для работы на любой полосе частот, обладающие следующими характеристиками:

a. Не превышают 31,8 ГГц; и

b. Распределяются Международным Союзом Телекоммуникаций для сферы радиокоммуникационных услуг, но не для радиообнаружения.

Примечание 2:Пунктом 3A001.b.1 не контролируются лампы "не предназначенные для применения в космосе", обладающие всеми следующими характеристиками:

a. Средняя выходная мощность равная или менее 50 Вт; и

b. Разработанные или рассчитанные для работы на любой полосе частот, которая отвечает всем следующим характеристикам:

1. Превышает 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и

2. Распределяется Международным Союзом Телекоммуникаций для сферы радиокоммуникационных услуг, но не для радиообнаружения

а. Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия, такие, как:

1. Работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;

2. Имеющие элемент подогрева катода со временем от включения до выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;

3. Лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с "мгновенной шириной полосы" частот более 7 % или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт,

4. Спиральные лампы или их модификации, обладающие любой из следующих характеристик:

а. "Мгновенную ширину полосы частот" более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;

b. "Мгновенную ширину полосы частот" в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или

c. "Пригодные для применения в космосе";

b. Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ;

c. Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, обеспечивающие плотность тока при непрерывной эмиссии и штатных условиях функционирования, превышающую 5 А/кв. см

2. Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС), обладающие обеими из следующих характеристик:

a. Рассчитанные для работы на частотах свыше 3,2 ГГц до и включая 6 ГГц и со средней выходной мощностью свыше 4 Вт (36 dBm) при "относительной ширине частоты" полос свыше 15 %;

b. Рассчитанные для работы на частотах свыше 6 ГГц до и включая 16 ГГц со средней выходной мощностью свыше 1 Вт (30 dBm) при "относительной ширине частоты" полос свыше 10 %;

c. Рассчитанные для работы на частотах свыше 16 ГГц до и включая 31,8 ГГц и со средней выходной мощностью свыше 0,8 Вт (29 dBm) при относительной ширине частоты полос свыше 10 %;

d. Рассчитанные для работы на частотах свыше 31,8 ГГц до и включая 37,5 ГГц;

e. Рассчитанные для работы на частотах свыше 37,5 ГГц до и включая 43,5 ГГц и со средней выходной мощностью свыше 0,25 Вт (24 dBm) при "относительной ширине частоты" полос свыше 10 %; или

f. Рассчитанные для работы на частотах свыше 43,5 ГГц;

Примечание 1:Пункт 3A001.b.2. не контролирует вещательное спутниковое оборудование, разработанное и рассчитанное для работы в диапазоне частот с 40,5 ГГц до 42,5 ГГц.

Примечание 2:Контролируемое состояние микроволновых интегральных схем или модулей (МИСМ) определяется контролируемым порогом - самой низкой выходной мощностью. Рабочая частота МИСМ колеблется в диапазоне свыше одной частоты.

Примечание 3:Примечания 1 и 2 в заголовке к Категории 3 означают, что Пункт 3A001.b.2. не контролирует МИСМ, если они специально спроектированы для других приложений, к примеру, телекоммуникационных систем, радаров и автомобилей.

3. Микроволновые транзисторы, обладающие следующими характеристиками:

a. Работающие на частотах свыше 3,2 ГГц и до 6 ГГц со средней выходной мощностью свыше 60 Вт (47,8 dBm);

b. Работающие на частотах свыше 6 ГГц и до 31,8 ГГц со средней выходной мощностью свыше 20Вт (43 dBm).

c. Работающие на частотах свыше 31,8 ГГц и до 37,5 ГГц со средней выходной мощностью свыше 0,5 Вт (27 dBm).

d. Работающие на частотах свыше 37,5 ГГц и до 43,5 ГГц со средней выходной мощностью свыше 1 Вт (30 dBm); или.

e. Работающие на частотах свыше 43,5 ГГц.

4. Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие микроволновые усилители, обладающие любой из следующих характеристик:

a. Работающие на частотах свыше 3,2 ГГц и до 6 ГГЦ со средней выходной мощностью свыше 60 Вт (47,8 dBm) с "относительной шириной полосы" частот свыше 15 %;

b. Работающие на частотах свыше 6 ГГц и до 31,8 ГГц со средней выходной мощностью свыше 15Вт (42 dBm) с "относительной шириной полосы частот" свыше 10 %.

c. Работающие на частотах свыше 31,8 ГГц и до 37,5 ГГц.

d. Работающие на частотах свыше 37,5 ГГц и до 43,5 ГГц со средней выходной мощностью свыше 1 Вт (30 dBm) с "относительной шириной полосы частот" свыше 10 %.

e. Работающие на частотах свыше 43,5 ГГц; или

f. Работающие на частотах свыше 3 ГГц и обладающих следующими характеристиками:

1. Средняя выходная мощность (в Вт.) Р свыше 150 деленная на максимальную рабочую частоту (в ГГц.) возведенную в квадрат [Р>150 WxGHz2/fGHz2];

2. Относительной шириной полосы частот 5 % или свыше; и

3. С перпендикулярно расположенными по отношению друг к другу сторонами при длине d (в см), равной или меньше 15, поделенной на самую нижнюю рабочую частоту в ГГц [d = 15 cмxGHz/fGHz];

Особое примечание: Усилители мощности для МИСМ оцениваются согласно критериям, установленным в Пункте 3А001.b.2.

Примечание 1:Пунктом 3A001.b.4. не контролируется спутниковая вещательная аппаратура, спроектированная и рассчитанная для работы на частотах в диапазоне от 40,5 до 42,5 ГГЦ.

Примечание 2:Контролируемое состояние аппаратуры, чья рабочая частота колеблется в диапазоне свыше одной частоты согласно Пункту 3A001.b.4., определяется контролируемым порогом - самой низкой средней выходной мощностью.

5. Фильтры с электронной или магнитной настройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5: 1 (f max/f min) менее чем за 10 мкс, имеющие любую из следующих составляющих:

а. Полосовые фильтры, имеющие полосу пропускания частоты более 0,5 % от резонансной частоты; или

b. Заградительные фильтры, имеющие полосу подавления частоты менее 0,5 % от резонансной частоты;

6. Не используются;

7. Смесители и преобразователи, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пунктах 3A002.c, 3A002.е. или 3A003.f за пределы, указанные в этих пунктах;

8. Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3A001.b., и обладающие всеми следующими характеристиками:

a. Рабочие частоты свыше 3 ГГц;

b. Среднюю плотность выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и

c. Объем менее 400 куб. см;

Примечание: Пункт 3A001.b.8. не контролирует аппаратуру, разработанную или пригодную для работы на частотах, "распределяемых Международным Союзом Телекоммуникаций" для сферы радиокоммуникационных услуг, но не для радиообнаружения.

с. Приборы на акустических волнах и специально спроектированные для них компоненты, такие, как:

1. Приборы на поверхностных (мелких объемных) акустических волнах и на акустических волнах в тонкой подложке (т.е. приборы для "обработки сигналов", использующие упругие волны в материале), обладающие любой из следующих характеристик:

a. Несущую частоту более 2,5 ГГц;

b. Несущую частоту более 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно обладающие любой из следующих характеристик:

1. Частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ;

2. Произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;

3. Ширину полосы частот более 250 МГц; или

4. Задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или

c. Несущую частоту от 1 ГГц и менее и дополнительно обладающие любой из следующих характеристик:

1. Произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;

2. Задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или

3. Частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц;

2. Приборы на объемных акустических волнах (т.е. приборы для "обработки сигналов", использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц;

3. Акустооптические приборы "обработки сигналов", использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку;

d. Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из "сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже "критической температуры" хотя бы одной из "сверхпроводящих" составляющих, имеющие любой из следующих признаков:

1. Токовые переключатели для цифровых схем, использующие "сверхпроводящие" вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеяние мощности на вентиль (в ваттах) ниже 10-14Дж): или

2. Селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;

e. Нижеперечисленные накопители энергии:

1. Батареи и фотоэлектрические батареи (элементы), такие как:

Примечание: Пункт 3A001.е.1. не контролирует батареи объемом 27 куб.см и меньше (например, стандартные угольные элементы или батареи типа R-14);

a. Первичные элементы и батареи "с плотностью энергии" свыше 480 Вт-ч/кг и пригодные по техническим условиям для работы в диапазоне температур от 243 К (-300С) и ниже до 343 К (700С) и выше;

b. Подзаряжаемые элементы и батареи с "плотностью энергии" свыше 150 Вт-ч/кг после 75 циклов заряда-разряда при токе разряда, равном С/5 ч (С - номинальная емкость в ампер-часах), при работе в диапазоне температур от 253 К (-200С) и ниже до 333 К (600С) и выше; 8506; 8507; 8541 40 900 0

Техническое примечание:

"Плотность энергии" определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75 % от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в кг;

c. Батареи, по техническим условиям "пригодные для применения в космосе", и радиационно-стойкие батареи на фотоэлектрических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей температуре 301 К (280С) и вольфрамовом источнике, нагретом до

2 800 К (2 5270С) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м

2. Конденсаторы для накопления большой энергии, такие как:

Особое примечание: См. также 3А201.А.

а. Конденсаторы с частотой повторения менее 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Номинальное напряжение 5 кВ или более:

2. Плотность энергии 250 Дж/кг или более: и

3. Общую энергию 25 кДж или более;

b. Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и более (многоразрядные конденсаторы), обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Номинальное напряжение не менее 5 кВ;

2. Плотность энергии не менее 50 Дж/кг,

3. Общую энергию не менее 100 Дж; и

4. Количество циклов заряда-разряда не менее 10 000;

3. "Сверхпроводящие" электромагниты и соленоиды, специально спроектированные на полный заряд или разряд менее чем за одну секунду, обладающие всеми из нижеперечисленных характеристик:

Особое примечание: См. также 3А201.b.

Примечание: Пункт 3A001.е.3. не контролирует "сверхпроводящие" электромагниты или соленоиды, специально спроектированные для медицинской аппаратуры - магниторезонансной томографии.

a. Энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;

b. Внутренний диаметр токопроводящих обмоток более 250 мм; и

c. Номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или "суммарную плотность тока" в обмотке больше 300 А/кв.мм;

f. Вращающиеся преобразователи абсолютного углового положения вала в код, обладающие любой из следующих характеристик:

1. Разрешение лучше 1/265 000 от полного диапазона (18 бит); или

2. Точность лучше +/- 2,5 угл. секунды.

g. Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и "тиристорные модули" с электрическим, оптическим или электронно-эмиссионным управлением переключением, имеющие любую из следующих характеристик:

1. Максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 A/мкс и напряжение в замкнутом состоянии более 1100 В; или

2. Максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 A/мкс и все нижеследующие характеристики:

a. Импульсное напряжение в замкнутом состоянии 3000 В и более; и

b. Максимальный ток в импульсе (ударный ток) более 3000 А;

Примечание 1: Пункт 3A001g включает:

кремниевые управляемые тиристоры (SCR)

электрически управляемые тиристоры (ETT)

светоуправляемые тиристоры (LTT)

коммутируемые по затвору запираемые тиристоры (IGCT)

запираемые тиристоры (GTO)

МОП-управляемые тиристоры (МОП-структуре металл-оксид- полупроводник)

полупроводниковые коммутаторы марки Solidtron

Примечание 2: Пункт 3A001g не применяется к тиристорным устройствам и "тиристорным модулям", интегрированным в оборудование, предназначенное для применения в железнодорожном транспорте или "гражданских летательных аппаратах.".

Особое примечание:

В контексте пункта 3A001g "тиристорный модуль" содержит одно или несколько тиристорных устройств.

h. Твердотельные, полупроводниковые силовые переключатели, диоды или "модули", имеющие все нижеследующие характеристики:

1. Максимальную номинальную рабочую температуру перехода выше 488 K (215oC);

2. Периодическое импульсное напряжение в замкнутом состоянии (блокирующее напряжение) более 300 В; и

3. Непрерывный ток более 1 A.

Примечание 1: В пункте 3A001 h периодическое импульсное напряжение в замкнутом состоянии включает напряжение источника, напряжение коллектор-эмиттер, периодическое импульсное обратное напряжение и периодическое импульсное блокирующее напряжение в замкнутом состоянии.

Примечание 2: Пункт 3A001 h включает:

полевые транзисторы с управляющим p – n переходом (JFET)

полевые транзисторы с вертикальным p – n переходом (VJFET)

полевые транзисторы со структурой металл–оксид-проводник (MOSFET)

двухдиффузионные полевые транзисторы со структурой МОП (DMOSFET)

биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT)

биполярные плоскостные транзисторы (BJT)

тиристоры и кремниевые управляемые тиристоры (SCR)

запираемые тиристоры (GTO)

тиристоры с эмиттерным запиранием (ETO)

регулируемые резистивные диоды

диоды Шоттки

Примечание 3: Пункт 3A001 h не применяется к переключателям, диодам или "модулям", встроенным в оборудование, предназначенное для применения в гражданском автомобильном, железнодорожном транспорте или "гражданских летательных аппаратах".

Специальное примечание:

Применительно к пункту 3A001 h, "модуль" состоит из одного или нескольких твердотельных полупроводниковых силовых переключателей или диодов.

 

3A001 а. 1. 8542
3A001 а. 2. 8542
3A001 а. 3. 8542
  8542 21 500 0
  8542 21 83
  8542 21 850 0
  8542 60 000
3A001 а. 4. 8542
  8542 21 45
  8542 21 500 0
  8542 21 83
  8542 21 850 0
  8542 60 000
3A001 а. 5. 8542
  8542 29 600 0;
  8542 29 900 9;
  8542 60 000 9
3A001 а. 6. 8542
3A001 а. 7. 8542
  8542 21 690 0;
  8542 21 990 0
3A001 а. 8. 8542
3A001 а. 9. 8542
3A001 а. 10. 8542
  8542 21 690 0;
  8542 21 990 0;
  8542 29;
  8542 60 000
3A001 а. 11. 8542
3A001 а. 12. 8542
  8542 21 45
  8542 21 500 0
  8542 21 83
  8542 21 850 0
  8542 60 000
3A001 b. 1. 8540
  8540 99 000 0
  8540 71 000 0
  8540 79 000 0
3A001 b. 2. 8540
  8542 29
  8542 60 000
  8542 70 000 0
3A001 b. 3. 8540
  8541 21 000 0;
  8541 29 000 0
3A001 b. 4. 8540
  8543 89 950 0
3A001 b. 5. 8540
  8543 89 950 0
3A001 b. 6. 8540
3A001 b. 7. 8540
  8543 89 950 0
3A001 b. 8. 8540
  8543 89 950 0
3A001 с. 1. 8541
  8541 60 000 0
3A001 с. 2. 8541
  8541 60 000 0
3A001 с. 3. 5418
  8541 60 000 0
3A001 d. 8542
  8540
  8541
  8543
3A001 е. 1. 8506
  8507
  8541 40 900 0
3A001 е. 2. 8506
  8507
  8532
3A001 е. 3. 8505 19 900 0
  8504 50
  8505 90 100 0
3A001 f. 9031 80
  9031 80 320 0
  9031 80 340 0

 

(ч. 3A001 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

3A002 Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения:

а. Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее, такие как:

1. Накопители на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), обладающие любой из следующих характеристик:

a. Полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку;

b. Полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при числе дорожек более 42; или

c. Ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (1К.10) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/-0,1 мкс

Примечание: Аналоговые видеомагнитофона, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающая аппаратура.

2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса свыше 360 Мбит/с;

Примечание: Пункт 3A002.а.2. не контролирует цифровые видеомагнитофоны, специально спроектированные для телевизионной записи, использующие стандартный формат сигнала, возможно, включая сжатие сигнала, стандартизованный или рекомендуемый Международным Союзом Телекоммуникаций, Международной электротехнической комиссией (МЭIС), Обществом кино- и телеинженеров США, Европейским телевещательным союзом, Европейским институтом стандартизации электросвязи или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике.

3. Накопители на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и обладающие любой из следующих характеристик:

a. Максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или

b. "Пригодные для применения в космосе";

Примечание: Пункт 3A002.а.3. не контролирует аналоговые накопители на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных.

4. Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса свыше 175 Мбит/с, спроектированная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры;

5. Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики:

a. Скорость преобразования в цифровую форму не менее 200 млн. проб в секунду и разрешение 10 или более бит в секунду; и

b. Пропускную способность не менее 2 Гбит/с или свыше;

Техническое примечание:

Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове.

Пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования.

6. Цифровые измерительные приборы для записи цифровых сигналов, с использованием техники записи данных на магнитном диске и обладающие следующими характеристиками:

a. Скорость дискретизации равная 100 миллионам выборок в секунду или более с резолюцией 8 бит или свыше; и

b. Постоянная пропускная способность в 1 Гбит/сек или более;

b. "Синтезаторы частот" "электронные блоки", имеющие "время переключения частоты" с одной заданной частоты на другую менее 1 мс;

c. "Анализаторы сигналов", способные анализировать радиочастоты, такие как:

1. "Анализаторы сигналов", способные анализировать радиочастоты, превышающие 31,8 ГГц, но менее 37,5 Ггц или свыше 43,5 Ггц;

2. "Динамические анализаторы сигналов" с "полосой пропускания в реальном времени", превышающей 500 кГц

Примечание: Пункт 3A002.С.2. не контролирует "динамические анализаторы сигналов", использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (Фильтры с полосой пропускания фиксированных долей известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);

d. Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, обладающие любой из следующих характеристик:

1. Максимальную синтезируемую частоту более 31,8 ГГц, но не свыше 43,5 ГГц спроектированную для создания импульса продолжительностью не менее 100 нc;

2. Максимальную синтезируемую частоту свыше 43,5 ГГц;

3. "Время переключения" с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; или

4. Фазовый шум одной боковой полосы лучше - (126 + 20log10F - 20log10f) в единицах дБ х с/Гц, где f - смещение рабочей частоты в Гц, a F - рабочая частота в МГц

Техническое примечание:

Для целей Пункта 3A002.d.1., "длительность импульса" определяется как интервал времени между передним фронтом импульса, достигающим пика в 90 % и задним фронтом импульса, достигающим пика в 10 %.

Примечание: Пункт 3A002.d. не контролирует аппаратуру, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты.

e. Сетевые анализаторы с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц;

f. Микроволновые приемники-тестеры, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и

2. Способные одновременно измерять амплитуду и фазу;

g. Атомные эталоны частоты, обладающие любой из следующих характеристик:

1. Долговременную стабильность (старение) менее (лучше), чем 1x10-11/месяц; или

2. "Пригодные для применения в космосе".

Примечание: Пункт 3A002.g.l. не контролирует рубидиевые эталоны, не "предназначенные для космического применения".

 

3A002 а. 1. 8519 81 560
  8520 32 500 0
  8520 32 990 0
  8520 39 900 0
  8520 90 900 0
  8521 10 300 0
  8521 10 800 0
3A002 а. 2. 8521
  8521 10;
  8521 90 000 0
3A002 а. 3. 8521 10
  8471 70 600 0
3A002 а. 4. 8521 90 000 9
  8521 90 000 0
3A002 а. 5. 8543
  8471 90 000 0
  8543 89 950 0
  8486 10
  8486 20
  8486 30
  8486 40
  8523 59
  8523 52
3A002 а. 6. 8471 50;
  8471 60 100 0;
  8471 60 900 0;
  8471 70 100 0;
  8471 70 510 0;
  8471 70 530 0;
  8520 90 100 0;
  8520 90 900 0;
  8521 90 000 0;
  8522 90 590 0;
  8522 90 930 0;
  8522 90 980 0
3A002 b. 8543
  8486 10
  8486 20
  8486 30
  8486 40
  8523 59
  8523 52
  8543 20 000 0
3A002 с. 1. 8543
  8486 10
  8486 20
  8486 30
  8486 40
  8523 59
  8523 52
  9030 83 900 0
  9030 89 920 0
3A002 с. 2. 8543
  8586 10
  8486 20
  8486 30
  8486 40
  8523 59
  8523 52
  9030 83 900 0;
  9030 89 920 0
3A002 d. 8543 20 000 0
3A002 е. 8543
  8486 10
  8486 20
  8486 30
  8486 40
  8523 59
  8523 52
  9030 40 900 0
3A002 f. 8527 99 000 0
  8527 90 980 0
3A002 g. 8543 20 000 0

 

3A003 Системы контроля теплового охлаждения и разбрызгивания, в которой используется замкнутый цикл автоматически регулирующегося оборудования для транспортировки и восстановления свойств флюида в герметичном пространстве. Здесь диэлектрический флюид распыляется на электронные компоненты с помощью специально спроектированных форсунок, которые должны удерживать электронные компоненты в пределах их рабочей температуры, и специально спроектированные компоненты.

 

3A003 8419 89 989 0
  8424 89 950 9
  8479 89 980 0

 

3А101 Электронное оборудование, устройства и компоненты, отличающиеся от описанных в пункте 3А001, такие как:

a. Аналого – цифровые преобразователи, пригодные для использования

в "реактивных снарядах" разработанные в соответствии с военными спецификациями для оборудования повышенной защищенности;

b. Ускорители, создающие электромагнитное излучение за счет тормозного излучения ускоренных электронов с энергией 2 МэВ или более, и системы, содержащие такие ускорители.

Примечание: По пункту ЗА101.b. не контролируется вышеописанное оборудование, если оно предназначено для медицинских целей.

 

3A101 а. 8471 30
  8471 41
  8471 49
  8471 50
  8542
3A101 b. 8543 10 000 0
  8543 19 000 0

 

(ч. 3А101 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

3А102 "Тепловые батареи", разработанные или модифицированные для "реактивных снарядов".

Технические примечания:

1. В пункте 3А102 "тепловые батареи" определяются как батареи одноразового применения, содержащие в качестве электролита твердые непроводящие неорганические соли. Эти батареи содержат пиролитические материалы, которые при воспламенении расплавляют электролит и активируют батарею.

2. В пункте 3A102 "реактивный снаряд" означает ракетные системы и беспилотные воздушные летательные аппараты с дальностью более 300 км.

(ч. 3А102 введена Постановлением Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

3А201 Электронные компоненты, отличающиеся от описанных в пункте 3А001, такие как:

a. Конденсаторы, обладающие любым из следующих наборов характеристик:

1. а. Напряжение более 1,4 кВ,

b. Запас энергии более 10 Дж,

c. Емкость более 0,5 мкф, и

d. Последовательная индуктивность менее 50 нГ; или

2. а. Напряжение более 750 В,

b. Емкость более 0,25 мкф, и

c. Последовательная индуктивность менее 10 нГ;

b. Сверхпроводящие соленоидальные электромагниты, обладающие одновременно всеми следующими характеристиками:

1. Способность создавать магнитные поля свыше 2 Т;

2. Отношение длины к внутреннему диаметру (L/D) больше 2;

3. Внутренний диаметр более 300 мм; и

4. Однородность магнитного поля лучше чем 1 % в пределах 50 % внутреннего объема по центру;

Примечание: По пункту 3A201.b. не подлежат экспортному контролю магниты, специально разработанные для медицинских ядерных магнитно-резонансных (ЯМР) систем отображения и экспортируемые как их составные части. Слова "составные части" не обязательно означают физическую часть того же самого оборудования. Допускаются отдельные отгрузки из различных источников при условии, что в соответствующих экспортных документах ясно указывается связь составных частей.

с. Импульсные рентгеновские генераторы или импульсные электронные ускорители, обладающие любым из следующих наборов характеристик:

1. а. Имеющие пиковую энергию электронов ускорителя 500 кэВ или более, но менее 25 МэВ, и

b. С "коэффициентом качества" (К) 0,25 или более, или

2. а. Имеющие пиковую энергию электронов 25 МэВ или более, и

b. "Пиковую мощность" более 50 МВт

Примечание: По пункту 3A201.c. не контролируются ускорители, являющиеся составными частями устройств, предназначенных для иных целей, чем получение электронных пучков или рентгеновского излучения (например, электронная микроскопия), и устройств, которые предназначены для медицинских целей:

Технические примечания:

1. "Коэффициент качества" К определяется по формуле:

K=1,7x10^(3)V^(2,65)Q

где V - пиковая энергия электронов в мегаэлектронвольтах.

Если длительность импульса пучка ускорителя менее или равна 1 мкc, то Q - суммарный ускоренный заряд в кулонах. Если длительность пучка ускорителя более 1 мке, то Q - это максимальный ускоренный заряд за 1 мкс.

Q равен интегралу i пo t по интервалу, представляющему собой меньшую величину из 1 мкс или продолжительности импульса пучка (Q =Sidt), где i - ток пучка в амперах, a t - время в секундах;

2. "Пиковая мощность" = (пиковому потенциалу в вольтах) х на пиковый ток пучка в амперах.

3. Длительность импульса пучка в устройствах, базирующихся на микроволновых ускорительных полостях, - это наименьшая из двух величин: 1 мкс или длительности сгруппированного пакета импульсов пучка, определяемая длительностью импульса микроволнового модулятора.

4. Пиковый ток пучка - в устройствах, базирующихся на микроволновых ускорительных полостях, - это средняя величина тока на протяжении длительности сгруппированного пакета импульсов пучка.

 

3A201 а. 8532 10 000 0
  8532 29 000 0
  8532 23 000 0
  8532 24 000 0
  8532 25 000 0
3A201 b. 8505 90 100 0
3A201 с. 8543
  8486 10
  8486 20
  8486 30
  8486 40
  8523 59
  8523 52
  8543 19 000 0
  9022 19 000 0

 

3A225 Преобразователи частоты или генераторы, отличающиеся от описанных в пункте 0В001.b.13., обладающие всеми следующими характеристиками:

a. Многофазный выход мощностью 40 Вт или более;

b. Работающие в интервале частот от 600 до 2 000 Гц;

c. Суммарные нелинейные искажения лучше (ниже) чем 10 %; и

d. Регулировку частоты с точностью лучше (менее) 0,1 %.

Техническое примечание:

Преобразователи частоты в пункте 3A225 также известны как инверторы или конвертеры.

 

3A225 8502 39 800 0
  8504 40 000 0
  8502 39 990 0
  8502 40 900 0

 

3A226 Мощные источники постоянного тока, отличающиеся от описанных в пункте 0B001.j.6., обладающие обеими из следующих характеристик:

a. Способные непрерывно работать более 8 часов при напряжении более 100 В и выходном токе 500 А или более, и

b. Со стабильностью тока или напряжения лучше 0,1 % за 8-ми часовой период времени.

 

3A226 8504 40 900 9
  8504 40 940 9"
  8504 40 990 0

 

3A227 Высоковольтные источники постоянного тока, отличающиеся от описанных в пункте 0B001.j.5., обладающие обеими из следующих характеристик:

a. Способные создавать в течение 8 часов напряжение 20 кВ или более при выходном токе 1 А или более, и

b. Со стабильностью тока или напряжения лучше 0,1 % за 8-ми часовой период времени.

 

3A227 8501 61
  8501 62
  8501 63 000 0
  8501 64 000 0
  8501 32 990 9
  8501 33 900 9
  8501 34 910 0
  8501 34 990 0
  8504 40 940 9

 

3A228 Переключающие устройства, такие как:

a. Трубки с холодным катодом, независимо от того, заполнены они газом или нет, действующие как искровой разрядник и обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Содержат три и более электродов;

2. Пиковое анодное напряжение 2,5 кВ или более;

3. Пиковый анодный ток 100 А или более; и

4. Анодное запаздывание 10 мкс или менее;

(ч. 3А228 в ред. Постановлений Правительства РК от 18.06.2013 N 618)

Примечание: Пункт 3A228 включает газонаполненные криптоновые лампы и вакуумные спрайтроны.

b. Управляемые искровые разрядники, обладающие обеими из следующих характеристик:

1. Анодное запаздывание не более 15 мкс. и

2. Рассчитанные на пиковый ток 500 А или более;

c. Модули или сборки для быстрого переключения, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Пиковое анодное напряжение 2 кВ или более;

2. Пиковый анодный ток 500 А или более; и

3. Время включения 1 мкс или менее.

 

3A228 а. 8540 89 000 0
  8535 90 000 0
3A228 b. 8536 90 850 0
  8536 30 900 0
  8535 90 000 0
  8540 89 000 0
3A228 с. 8535
  8535 90 000 0

 

3A229 Запускающие устройства и эквивалентные импульсные генераторы большой силы тока, такие как:

Особое примечание: См также военный список.

а. Запускающие устройства детонаторов взрывных устройств, разработанные для запуска параллельно управляемых детонаторов, указанных в пункте 3A232;

b. Модульные электрические импульсные генераторы, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. Предназначенные для портативного, мобильного или ужесточенного режима использования;

2. Выполнены в пыленепроницаемом корпусе;

3. Способные к выделению запасенной энергии в течение менее чем 15 мкс;

4. Дающие на выходе ток свыше 100 А;

5. Со "временем нарастания" импульса менее 10 мкс при сопротивлении нагрузки менее 40 Ом;

6. Ни один из размеров не превышает 254 мм;

7. Вес менее 25 кг; и

8. Приспособлены для использования в температурном диапазоне от 223 К (-500С) до 373 К (1000С) или указаны как пригодные для использования в космосе.

Примечание: Пункт 3A229.b. включает драйверы с ксеноновой лампой-вспышкой.

Техническое примечание:

В пункте 3A229.b.5 "время нарастания" определяется как временной интервал между 10 % и 90 % амплитуды тока, проходящего через соответствующую нагрузку

 

3A229 а. 8543 70 900 9
  8486 10
  8486 20
  8486 30
  8486 40
  8523 52
  8543 70
  3603 00 900 0
  8543 89 950 0
3A229 b. 8543 20 000 0
  8543 89 950 0
  8548 90 900 0

 

3A230 Сверхскоростные импульсные генераторы, обладающие обеими из следующих характеристик:

a. Напряжение на выходе более 6 В при резистивной нагрузке менее 55 Ом, и

b. "Время нарастания (длительности фронта) импульса" менее 500 пс

Техническое Примечание:

В пункте 3A230, "время нарастания" определяется как временной интервал между 10 % и 90 % амплитуды напряжения.

 

3A230

 

3A231 Системы нейтронных генераторов, включающие трубки, обладающие обеими из следующих характеристик:

a. Сконструированные для работы без внешней вакуумной системы, и

b. Использующие электростатическое ускорение для индуцирования тритиево-дейтериевой ядерной реакции.

 

3A231 8543 10 000 0
  8479 89 980 0
  8543 19 000 0
  9015 80 110 0

 

3A232 Детонаторы и многоточечные инициирующие системы, такие как

Особое примечание: См. также военный список.

a. Электродетонаторы, такие как:

1. Взрывающийся перемычкой;

2. Взрывающийся перемычкой-проводом;

3. Ударного действия;

4. Инициаторы со взрывающейся фольгой;

b. Устройства, использующие один или несколько детонаторов, предназначенные для почти одновременного инициирования взрывчатого вещества на поверхности более 5 000 кв.мм по единому сигналу с разновременностью по всей площади менее 2,5 мкс.

Примечание: По пункту 3A232 не подлежат экспортному контролю детонаторы, использующие только первичное ВВ, такое как азид свинца.

Техническое Примечание:

Все детонаторы, указанные в пункте 3A232, используют малый электрический проводник (мостик, взрывающийся провод или фольгу), который испаряется со взрывом, когда через него проходит мощный электрический импульс. Во взрывателях безударных типов взрывающийся провод инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним чувствительном взрывчатом веществе (ВВ), таком как РЕТМ (пентаэритритолтетранитрат). В ударных детонаторах взрывное испарение провода приводит в движение ударник или пластинку в зазоре, и воздействие пластинки на ВВ дает начало химической детонации. Ударник в некоторых конструкциях ускоряется магнитным полем. Термин взрывающийся фольговый детонатор может относиться как к детонаторам со взрывающимся проводником, так и к детонаторам ударного типа. Кроме того, вместо термина детонатор иногда употребляется термин инициатор.

 

3A232 а. 3603 00 900 0
3A232 b. 8543 70 900 9
  8486 10
  8486 20
  8486 30
  8486 40
  8523 52
  8543 70
  8543 89 950 0

 

3A233 Масс-спектрометры, отличающиеся от описанных в пункте 0B002.g., обеспечивающие измерение значений массовых чисел атомов, равных 230 и более, имеющие разрешающую способность лучше, чем 2 части в 230, и источники ионов для них, в том числе:

a. Масс-спектрометры с индуктивно связанной плазмой (ПМС/ИС);

b. Масс-спектрометры тлеющего разряда (МСТР);

c. Термоионизационные масс-спектрометры (ТИМС);

d. Масс-спектрометры с электронным ударом, имеющие ионизационную камеру, сконструированную из материалов, устойчивых к гексафториду урана, или защищенные такими материалами;

e. Масс-спектрометры с молекулярным пучком, такие как:

1. Имеющие ионизационную камеру, сконструированную из нержавеющей стали или молибдена или защищенную ими, и камеру охлаждения, обеспечивающую охлаждение до 193К (-800С) или менее; или

2. Имеющие ионизационную камеру, сконструированную из материалов или защищенную материалами, устойчивыми по отношению к гексафториду урана;

f. Масс-спектрометры, оборудованные микрофтористым источником ионов, разработанные для использования с актинидами или фторидами актинидов.

 

3A233 а. 9027 80 970 0
3A233 b. 9027 80 970 0
3A233 с. 9027 80 970 0
3A233 d. 9027 80 970 0
3A233 е. 9027 80 970 0
3A233 f. 9027 80 970 0

 

3 В Испытательное, контрольное и производственное оборудование

 

3B001 Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:

а. Установки, предназначенные для эпитаксиального выращивания, такие, как:

1. Оборудование, способное производить следующее:

a. Кремниевый слой с равномерной толщиной менее +/- 2,5 % на протяжении 200 мм или более; или

b. Слой из любого материала помимо кремния равномерной толщины менее +/- 2,5 % на протяжении 75 мм или более;

2. Установки химического осаждения паров металлорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов сложных полупроводников с помощью химических реакций между материалами, которые контролируются по пункту 3C003 или 3С004;

3. Молекулярно-лучевые установки эпитаксиального выращивания, использующие газовые источники;

b. Установки, разработанные для ионной имплантации, обладающие любой из следующих характеристик:

1. Энергетика пучка (ускоряющее напряжение) свыше 1 МэВ;

2. Специально спроектированные и оптимизированные для работы с энергетикой пучка (ускоряющим напряжением) ниже 2 кэВ;

3. Обладающие способностью непосредственной записи; или

4. Энергетика пучка в 65 кэВ или более и ток пучка в 45 миллиампер или свыше, пригодные для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую "подложку" полупроводникового материала;

c. Оборудование для сухого травления анизотропной плазмой, такие как:

1. С покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, обладающие любой из следующих характеристик:

a. Спроектированные или оптимизированные для получения

критических величин в 0,3um или менее с+5 % 3 сигма-точностью; или

b. Спроектированные для выработки менее 0,04 частиц/см2при измеримом размере частицы свыше 0,1um по диаметру;

2. Специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3B001.е. и обладающие любой из следующих характеристик:

a. Спроектированные или оптимизированные для получения

критических величин в 0,3um или менее с+5 % 3 сигма-точностью; или

b. Спроектированные для выработки менее 0,04 частиц/см2при измеримом по диаметру размере частицы свыше 0,12um;

d. Установки химического парогазового осаждения и плазменной стимуляции, такие как:

1. С покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, спроектированные в соответствии с техническими спецификациями производителя или оптимизированные для использования в производстве полупроводниковых устройств, с критическими размерами в 180 нм или менее;

2. Специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3B001.е. в соответствии с техническими спецификациями производителя или оптимизированные для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическими размерами в 180 нм или менее;

e. Управляемые встроенной программой автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой пластин, имеющие все следующие составляющие:

1. Интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин, к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и

2. Предназначенные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин в вакуумной среде;

Примечание: Пункт 3B001.е. не контролирует автоматические робототехнические системы загрузки пластин, не предназначенные для работы в вакууме.

f. Установки литографии, такие как:

1. Установки многократного совмещения (прямой шаг на пластину) и экспонирования или пошагового экспонирования и сканирования (сканнер) для обработки пластин методом фотооптической или рентгеновской литографии, имеющие любую из следующих составляющих:

a. Источник света с длиной волны короче 350 нм; или

b. Способность воспроизводить рисунок с "минимальным размером разрешения" от 0,35 мкм и менее

Техническое примечание: "Минимальный размер разрешения" (МРР) рассчитывается по следующей формуле:

(длина волны излучения света в мкм) х (К Фактор)

МРР = цифровая апертура

где К фактор = 0,7;

МРР - Минимальный размер разрешения.

2. Установки, специально спроектированные для производства шаблонов или обработки полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого фокусируемого электронного луча, пучка ионов или луча "лазера", обладающие любой из следующих характеристик:

a. Размер пятна менее 0,2 мкм;

b. Способность производить рисунок с минимальными разрешенными проектными нормами менее 1 мкм; или

c. Точность совмещения лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма);

g. Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3А001;

h. Многослойные шаблоны с фазосдвигаюшим слоем.

Примечание: Пунктом 3B001.h. не контролируются многослойные шаблоны в фазосдвигающим слоем, предназначенным для производства запоминающих устройств (ЗУ), не контролируемых 3A001.

 

3B001 а. 1. 8419 89
  8486 10 000
  8486 20
  8479 89 650 0
3B001 а. 2. 8419 89
  8486 10 000
  8486 20
  8419 89 200 0
3B001 а. 3. 8417 80
  8479 89 700 0
  8543 89 650 0
3B001 b. 8456 10
  8486 10 000 0
  8486 20
  8486 30
  8543 11 000 0
3B001 с. 1. 8456 90 000 0
  8456 91 000 0
  8456 99 800 0
3B001 с. 2. 8456 90 000 0
  8456 91 000 0
  8456 99 800 0
3B001 d. 8456 90 000 0
  8419 89 200 0
  8419 89 300 0
3B001 е. 8456 10
  8456 90 000 0
  8486 10 000 0
  8486 30
  8486 40
  8456 91 000 0
  8456 99 800 0
  8456 99 300 0
  8479 50 000 0
3B001 f. 1. 8443 39 290 0
  9009 22 000 0
3B001 f. 2. 8456 10
  8486 10 000 0
  8486 20
  8486 30
  8456 99
3B001 g. 8471
  8443 31
  8443 32
  8528 41
  8528 51
  8528 61
  8517 62
  9010 90
3B001 h. 9010 90 000 0
  9010 90

 

3B002 Аппаратура испытаний, "управляемая встроенной программой", специально спроектированная для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные компоненты и приспособления для нее:

a. Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах свыше 31,8 ГГц;

b. Для испытаний интегральных схем, способная выполнять функциональное тестирование (по таблицам истинности) с "частотой тестирования" строк свыше 667 МГц

Примечание: Пункт 3B002.b. не контролирует аппаратуру испытаний, специально спроектированную для испытаний:

1. "Электронных сборок" или класса "электронных сборок" для бытовой или игровой электронной аппаратуры;

2. Неконтролируемых электронных компонентов, "электронных сборок" или интегральных схем.

3. Запоминающих устройств.

Техническое примечание:

Здесь под "частотой тестирования" подразумевается частота цифровых операций тестера. Таким образом, она эквивалентна максимальной скорости выдачи данных тестером в не-мультиплексном режиме. Она также известна как скорость теста, максимальная цифровая частота или максимальная цифровая скорость.

c. Для испытаний микроволновых интегральных схем; указанных в пункте 3A001.b.2.

 

3B002 а. 9031 80 380 0
  9031 80 390 0
3B002 b. 9031 80 380 0
  9030;
  9031 20 000 0
  9031 80 390 0
3B002 с.  
  9031 80 380
  9030
  9031 20 000 0
  9031 80 390 0

 

3С Материалы

 

3C001 Гетероэпитаксиальные материалы, состоящие из "подложки" с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями, имеющими любую из следующих составляющих:

a. Кремний;

b. Германий;

c. Карбид кремния; или

d. Соединения III/V на основе галлия или индия.

Техническое примечание:

Соединения III/V - это поликристаллические или двухэлементные или сложные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIА и VA периодической системы Менделеева (напр. Арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и т.п.)

 

3C001 а. 3818 00
  3818 00 100 0
  3818 00 900 0
3C001 b. 3818 00
  3818 00 900 0
3C001 с. 3818 00
  3818 00 900 0
3C001 d. 3818 00
  3818 00 900 0

 

3C002 Материал для резистивных элементов и "подложки", покрытые контролируемыми резистами, такие, как:

a. Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на спектральную чувствительность менее 350 нм;

b. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм или лучше;

c. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или лучше;

d. Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая "силицированные" резисты.

Техническое примечание:

Методы "силицирования" - это процессы, включающие оксидирование поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления.

 

3C002 а. 8541 40 100 0
  8443 31
  8443 32
  8443 39
  8443 99
3C002 d. 8541 40 900 0

 

3C003 Органо-неорганические соединения, такие, как:

a. Органо-металлические соединения на основе алюминия, галлия или индия с чистотой (металлической основы) свыше 99,999 %;

b. Органо-мышьяковистые, органо-сурьмянистые и органо-фосфорные соединения с чистотой (неорганической элементной основы) свыше 99,999 %

Примечание: Пункт 3C003 контролирует только соединения, чей металлический, частично металлический или неметаллический элемент непосредственно связан с углеродом в органической части молекулы.

 

3C003 а. 2931 00 950 0
3C003 b. 2931 00 950 0

 

3C004 Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту свыше 99,999 % даже после растворения в инертных газах или водороде.

Примечание: Пункт 3C004 не контролирует гидриды, содержащие 20 % и более молей инертных газов или водорода.

 

3C004 2848 00 000 0;
  2850 00 200 0

 

3D Программное обеспечение

 

3D001 "Программное обеспечение", специально созданное для "разработки" или "производства" оборудования, контролируемого по пунктам с 3A001.b. по 3A002.g. или 3В.

3D001

3D002 "Программное обеспечение", специально созданное для "применения" в оборудовании,

a. Оборудовании, контролируемом Пунктом 3B001.а. до f; или

b. Оборудовании, контролируемом Пунктом 3B002.

3D002

3D003 "Программное обеспечение" в основе которого лежит симуляция физических свойств, специально предназначенное для "разработки" последовательности операций литографии, травления и осаждения в целях воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топологические рисунки проводников, диэлектриков или полупроводникового материала.

Техническое примечание:

"Основанное на учете физических свойств" в Пункте 3.D.3. - использование расчетов для определения на основе физических свойств последовательности таких физических причин и воздействий (температура, давление, коэффициент диффузии и свойства полупроводниковых материалов).

Примечание: Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как "технология".

3D003

3D004 "Программное обеспечение", специально разработанное для "разработки" оборудования, контролируемого Пунктом 3A003.

3D004

3D101 "Программное обеспечение", специально разработанное или модифицированное для "применения" оборудования, указанного в пункте 3A101.b.

 

3D 8523

 

(ч. 3D101 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

 

3Е Технология

 

3E001 "Технология", в соответствии с Общим технологическим примечанием предназначенные для "разработки" или "производства" оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 3А, 3В или 3С;

Примечание 1:Пункт 3Е001 не контролирует "технологии" для "разработки" или "производства" оборудования или компонентов, контролируемых 3A003.

Примечание 2:Пункт 3Е001 не контролирует "технологии" для "разработки" или "производства" интегральных микросхем (ИС), контролируемых Пунктам с 3A001.а.3. до 3A001.а.12., имеющих оба нижеперечисленных признака:

1. Использующие "технологии" 0,5 мкм или выше; и

2. Не содержащие "многослойных структур".

Техническое примечание:

Термин "многослойные структуры" не включает приборы, содержащие максимум три металлических слоя и три слоя поликремния.

3E001

3E002 "Технологии", в соответствии с Общим технологическим примечанием, кроме указанных в пункте 3E001, для "разработки" или "производства" "микропроцессорных микросхем", "микросхем микроЭВМ", микросхем микроконтроллеров, имеющих "совокупную теоретическую производительность" ("СТП") 530 млн. теоретических операций в секунду (Мтопс) или более и арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бита или более.

Примечание: Примечание 2 об освобождении от контроля для Пункта 3E001 относится также и к 3A002.

3E002

3E003 Прочие "технологии" для "разработки" или "производства":

a. Вакуумных микроэлектронных приборов;

b. Полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках;

Примечание: 3E003.b. не контролирует технологии по выпуску транзисторов с высокой подвижностью электронов, работающих на частотах ниже 31,8 ГГц и биполярных транзисторов на гетероструктуре, работающих на частотах ниже 31,8 ГГц.

c. "Сверхпроводящих" электронных приборов;

d. Подложек из пленок алмаза для электронных компонентов;

e. Подложек "кремний-на-изоляторе" для интегральных схем, где в качестве изолятора используется диоксид кремния;

f. Подложек из карбида кремния для электронных компонентов.

g. Электровакуумные лампы, работающие на частотах в 31,8 ГГц или выше.

3E003

3Е101 "Технологии" в соответствии с общим технологическим примечанием для "применения" оборудования или "программного обеспечения", указанного в пунктах 3A001.a.1. или 2., 3A101, 3А102 или 3D101.

(ч. 3Е101 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

3Е102 "Технологии", в соответствии с общим технологическим примечанием для "разработки" "программного обеспечения", подлежащего контролю согласно пункту 3D101.

(ч. 3Е102 в ред. Постановления Правительства РК от 20.12.2013 N 1372)

3Е201 "Технологии", в соответствии с Общим технологическим примечанием для "использования" оборудования, определенного в пунктах 3A001.е.2., 3A001.е.3, 3A201, с 3A225 по 3A233.

3Е201

 

Категория 4 Вычислительная техника

 

Примечание 1:Компьютеры, сопутствующее оборудование и "программное обеспечение", используемые в телекоммуникациях или "локальных вычислительных сетях", должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 Категории 5 (Телекоммуникации).

Примечание 2:Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, "оперативную память" или контроллеры накопителей на магнитных дисках, не входят в понятие телекоммуникационной аппаратуры, рассматриваемой в части 1 Категории 5 (Телекоммуникации).

Особое примечание: Для определения контрольного статуса "программного обеспечения", которое специально создано для коммутации пакетов, следует использовать пункт 5D001.

Примечание 3:Компьютеры, сопутствующее оборудование и "программное обеспечение", выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции изоляции пользователей либо ограничивающие электромагнитную совместимость (ЭМС), должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 2 Категории 5 ("Защита информации").

 

4А Системы, оборудование и компоненты

 

4А001 Нижеперечисленные ЭВМ и сопутствующее оборудование, а также "электронные сборки" и специально разработанные для них компоненты:

Особое примечание: См. также 4А101. а. Специально созданные со следующими характеристиками:

1. По техническим условиям пригодные для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-450С) или выше 358 К (850С);

Примечание: Пункт 4А001.а.1. не применяется к компьютерам, созданным для гражданских автомобилей или железнодорожных локомотивов.

2. Радиационно-стойкие, превышающие любое из следующих требований:

a. Поглощенная доза = 5 х 103рад (кремний);

b. Мощность дозы на сбой = 5 х 106рад (кремний)/с; или

c. Сбой от высокоэнергетической частицы =1x10-7ошибок/бит/день;

b. Имеющие характеристики или функциональные особенности, превосходящие пределы, указанные в части 2 Категории 5 "Защита информации").

Примечание: Пункт 4А001.b. не применяется к компьютерам и сопутствующему оборудованию, перевозимому пользователем с целью его личного использования.

 

4А001 а. 8471 30 000 0
  8471 41 000 0
  8471 49 000 0
  8471 50 000 0
4А001 b. 8471 30 000 0
  8471 41 000 0
   
  8471 49 000 0
  8471 50 000 0
4А002 8471 30

 

4А003 "Цифровые компьютеры", "электронные сборки", сопутствующее оборудование и специально разработанные для них компоненты

Примечание 1:Пункт 4А003 включает:

a. векторные процессоры;

b. матричные процессоры;

c. цифровые процессоры обработки сигнала;

d. логические процессоры;

e. оборудование для "улучшения качества изображения";

f. оборудование для "обработки сигналов"

Примечание 2:Контрольный статус "цифровых компьютеров" и сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4А003, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:

a. "Цифровые компьютеры" или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем;

b. "Цифровые компьютеры" или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем: и

Особое примечание 1:

Контрольный статус оборудования "обработки сигналов" или "улучшения качества изображения", специально спроектированного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом другого оборудования, даже если первое соответствует критерию "основного элемента"

Особое примечание 2:

Для определения контрольного статуса "цифровых компьютеров" или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 Категории 5 (Телекоммуникации).

c. "Технология" для "цифровых компьютеров" и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4Е.

а. Разработанные или модифицированные для обеспечения "отказоустойчивости";

Примечание: Для целей пункта 4А003.а., "цифровые компьютеры" и сопутствующее оборудование не считаются спроектированными или модифицированными для обеспечения "отказоустойчивости", если в них используется любое из следующего:

1. Алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в "оперативной памяти";

2. Взаимосвязь двух "цифровых компьютеров" такая, что если активный центральный процессор отказывает, ждущий, но отслеживающий центральный процессор может продолжить функционирование системы;

3. Взаимосвязь двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением общей памяти, чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять другую работу, пока не откажет второй центральный процессор, тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или

4. Синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством "программного обеспечения" так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи отказавшего устройства.

b. "Цифровые компьютеры", имеющие "совокупную теоретическую производительность" ("СТП") свыше 190 000 Мтопс (миллионов теоретических операции в секунду);

c. "Электронные сборки", специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения "вычислительных элементов" таким образом, чтобы совокупная теоретическая производительность объединенных сборок превышала пределы, указанные в пункте 4А003.b.;

Примечание 1:Пункт 4А003.С. распространяется только на "электронные сборки" и программируемые взаимосвязи, не превышающие пределы, указанные в пункте 4А003.b. при поставке в виде несвязанных "электронных сборок". Он не применим к "электронным сборкам", конструкция которых пригодна только для использования в качестве сопутствующего оборудования, контролируемого по пунктам 4A003.d. или 4А003.е.

Примечание 2:Пункт 4А003.С. не контролирует "электронные сборки", специально разработанные для продукции или целого семейства продукции, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, указанные в пункте 4А003.b.

d. He используются;

e. Оборудование, выполняющее аналого-цифровые преобразования, превосходящее пределы, указанные в пункте 3A001.а.5.;

f. He используется;

g. Оборудование, специально разработанное для обеспечения внешних соединений "цифровых компьютеров" или сопутствующего оборудования, и позволяющее достигать скорости передачи данных свыше 1.25 Гбайт/с.

Примечание: По пункту 4A003.g. не контролируется оборудование для внутренних соединений (например, задние панели, шины), пассивное оборудование для обеспечения соединений, "сетевые контроллеры" или "контроллеры коммуникационных каналов".

 

4А003 а. 8471 (кроме машин вычислительных аналоговых или гибридных)
  8443 31
  8443 32
  8528 41 000 0
  8528 51 000 0
  8528 61 000 0
  8517 62 000
A003 b. 8471 (кроме машин вычислительных аналоговых или гибридных)
  8443 31
  8443 32
  8528 41 000 0
  8528 51 000 0
  8528 61 000 0
  8517 62 000
4А003 с. 8471 (кроме машин вычислительных аналоговых или гибридных)
4А003 d.  
4А003 е. 8471 90 000 0;
  8525 60 000 0
  8517 12 000 0
  8517 61 000
  8543 90 000 1
4А003 f.  
4А003 g. 8471 90 000 0;
  8517 61 000

 

4А004 Перечисленные ниже ЭВМ, специально разработанное сопутствующее оборудование, "электронные сборки" и компоненты для них:

a. "ЭВМ с систолической матрицей";

b. "Нейронные ЭВМ";

c. "Оптические ЭВМ"

 

4А004 а. 8471
4А004 b. 8471
4А004 с. 8471

 

4А101 Аналоговые компьютеры, "цифровые компьютеры" или цифровые дифференциальные анализаторы, кроме описанных в пункте 4А001.а.1., конструкция которых была усилена или модифицирована для использования в космических аппаратах, контролируемых по пункту 9А004, или в ракетах-зондах, контролируемых по пункту

 

4А101 9А104.

8471

 

4А102 "Гибридные компьютеры", специально разработанные для моделирования, имитации или интеграции проекта космических аппаратов, контролируемых по пункту 9А004, или ракет-зондов, контролируемых по пункту 9А104.

Примечание: Этот контроль применяется лишь в случае, когда оборудование снабжено программным обеспечением, контролируемым по пунктам 7D103 или 9D103.

 

4А102

 

4В Испытательное, контрольное и производственное оборудование

 

Нет.

 

4С Материалы

 

Нет.

 

4D Программное обеспечение

 

Примечание: Контрольный статус "программного обеспечения" для "разработки", "производства" или "использования" оборудования, указанного в других Категориях, определяется в соответствующей Категории. В данной Категории определен контрольный статус "программного обеспечения" для оборудования этой категории.

4D001 а. "Программное обеспечение", специально разработанное или модифицированное для "разработки", "производства" или "использования" оборудования или "программного обеспечения", контролируемых по пунктам с 4А001 по 4А004, или 4D.

b. "Программное обеспечение", отличное от "программного обеспечения" контролируемого Пунктом 4D001.a., специально разработанное или модифицированное для "разработки" или "производства" нижеперечисленного:

1. "Цифровых ЕВМ" имеющих "составную теоретическую производительность" (СРП) превышающую 28 000 миллионов теоретических операций в секунду (Mtops); или

2. "Электронных сборок", специально разработанных или модифицированных для улучшения функции концентрации (конфигурации) "вычислительных элементов" для превышения предела "СРП" концентрации, установленного в 4D001.b.1.

4D001

4D002 "Программное обеспечение", специально разработанное или модифицированное для поддержки "технологии", контролируемой по пункту 4Е.

4D002

4D003 Специальное "программное обеспечение", такое как:

a. "Программное обеспечение" для операционных систем, инструментарий для "разработки" "программного обеспечения" и компиляторы, специально разработанные для оборудования с "многопоточной обработкой данных", в "исходном тексте";

b. Не используется;

c. "Программное обеспечение", имеющее характеристики или выполняющее функции, которые превосходят пределы, указанные в части 2 Категории 5 ("Защита информации");

Примечание: Пункт 4D003.C. не применяется к "программному обеспечению", перевозимому пользователем с целью его личного использования.

 

4Е Технологии

 

4Е001 а. "Технологии", в соответствии с Общим технологическим примечанием предназначенные для "разработки", "производства" или "использования" оборудования или "программного обеспечения", контролируемых по пункту 4А или 4D.

b. "Технологии", помимо контролируемых Пунктом 4Е001.а., специально разработанные или модифицированные для "разработки", "производства" нижеуказанного:

1. "Цифровых ЕВМ" имеющих "составную теоретическую производительность" (СРП), превышающую 28 000 миллионов теоретических операций в секунду (Mtops); или

2. "Электронных сборок", специально разработанных или модифицированных для улучшения функции концентрации (конфигурации) вычислительных элементов для превышения предела "СРП" концентрации, установленного в 4Е001.b.1

4Е001

 

Техническое примечание по вычислению "совокупной
теоретической производительности" ("СТП").

 

Сокращения, используемые в данном техническом примечании:

"ВЭ" - Вычислительный элемент" (обычно арифметическое логическое устройство)

ПЗ - Плавающая запятая

ФЗ - Фиксированная запятая

Т - Время выполнения

XOR - Исключающее ИЛИ

ЦП - Центральный процессор

ТП - Теоретическая производительность (одного "ВЭ")

"СТП" - Совокупная теоретическая производительность (всех "ВЭ")

R - Эффективная скорость вычислений

ДС - Длина слова

L - Корректировка длины слова

Х - Знак умножения

Время выполнения "t" выражается в микросекундах, ТП и СТП выражаются в миллионах теоретических операций в секунду (Мтопс), ДС выражается в битах.

 

Основной метод вычисления СТП

 

"СТП" - это мера вычислительной производительности в миллионах теоретических операций в секунду. При вычислении "СТП" (концентрации) конфигурации вычислительных элементов (ВЭ) необходимо выполнить три следующих этапа:

1. Определить эффективную "скорость вычислений" для каждого "ВЭ";

2. Произвести корректировку длины слова (L) для этой скорости (R), что даст в результате теоретическую производительность (ТП) для каждого "ВЭ";

3. Если имеется больше одного "ВЭ", то следует объединить ТП и получить суммарную "СТП"для данной конфигурации.

Подробное описание приведено ниже.

Примечание 1:Для объединенных в подсистемы многих "ВЭ", имеющих как общую память, так и память каждой подсистемы, вычисление "СТП" производится в два этапа: сначала "ВЭ" с совместно используемым запоминающим устройством объединяются в группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется "СТП" групп для всех "ВЭ", не имеющих общей памяти.

Примечание 2:"ВЭ", скорость действия которых ограничена скоростью работы устройства ввода-вывода данных и периферийных функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при вычислении "СТП".

 

Техническое примечание ПО "СТП"

 

В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета эффективной скорости вычислений R для каждого "ВЭ":

Этап 1: Эффективная скорость вычислений R

 

Для "ВЭ", выполняющих действия: Примечание: каждый "ВЭ" должен оцениваться отдельно
Эффективная скорость вычислений, R
Только с ФЗ
          1
(Rxp)=----------
       3x(txpadd)
если нет операции сложения, то:
          1
(Rxp)=---------
       (txpmult)
Если нет ни операции сложения, ни операции умножения, то Rфз рассчитывается через самую быструю из имеющихся арифметических операций
          1
(Rxp)=--------
       3x(txp)
См. примечания X и Z
Только с ПЗ
           1       1
(Rfp)=max-------,-------
        (tfpadd)  (tfpmult)
См. примечания X и Y
Оба типа - с ФЗ и с ПЗ. (R)
Вычислить оба значения Rфз, Rпз
Для простых логических процессоров, не выполняющих указанные арифметические операции
     3
R=--------
    3xtlog
Где tlog- время выполнения "исключающего ИЛИ" или для аппаратной логики, не выполняющей "исключающее ИЛИ, самая скоростная и простая логическая операция.
Смотрите Примечания X и Z
Для специализированных логических процессоров, не использующих особых арифметических или логических операций
R=R'x WL/64,
где R' - число результатов в секунду. WL - число битов при которых возникает логическая операция, а 64 - это фактор нормализации 64-х битовой операции.

Примечание W:Для "ВЭ", работающего в режиме поточной обработки данных и предназначенного для выполнения до одной арифметической или логической операции в каждом машинном такте, скорость вычисления может быть определена после завершения цикла. Эффективная скорость вычисления (R) для таких "ВЭ" в режиме поточной обработки данных выше, чем без этого режима.

Примечание X:Для "ВЭ", которые выполняют многократные арифметические операции за один цикл (например, два сложения за цикл или две независимые логические операции за цикл) время выполнения t вычисляется как:

время цикла

t=__________________________________________________

число одинаковых операций за один машинный цикл

"ВЭ", выполняющий различные типы арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен рассматриваться как множество отдельных "ВЭ", работающ