25 лет успешной работы!
Горячая линия:
Москва
Центральный офис:
Контакты Дилеры
онлайн-справочник

Указ Президента Российской Федерации от 17.12.2011 № 1661

Указ Президента Российской Федерации от 17 декабря 2011 года N 1661
"Об утверждении списка
товаров и технологий двойного назначения, которые могут
быть использованы при создании вооружений и военной техники
и в отношении которых осуществляется экспортный контроль"

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 

В целях защиты национальных интересов, выполнения международных обязательств Российской Федерации и в соответствии со статьей 6 Федерального закона от 18 июля 1999 г. N 183-ФЗ "Об экспортном контроле" ПОСТАНОВЛЯЮ:

1. Утвердить прилагаемый Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль.

2. Установить, что коды единой Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Таможенного союза, приведенные в Списке товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, при необходимости могут уточняться Федеральной таможенной службой по согласованию с Федеральной службой по техническому и экспортному контролю.

3. Признать утратившими силу:

Указ Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2004, N 19, ст. 1881);

Указ Президента Российской Федерации от 1 декабря 2005 г. N 1384 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2005, N 49, ст. 5201);

Указ Президента Российской Федерации от 6 марта 2008 г. N 326 "О внесении изменений в Указ Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" и в Список, утвержденный этим Указом" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N 10, ст. 912);

Указ Президента Российской Федерации от 4 декабря 2008 г. N 1726 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N 50, ст. 5893).

4. Настоящий Указ вступает в силу через три месяца со дня его официального опубликования.

 

Президент
Российской Федерации
Д.Медведев

 

 

Утвержден
Указом Президента
Российской Федерации
от 17 декабря 2011 г. N 1661
СПИСОК
ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ
БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ
И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ
 
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
РАЗДЕЛ 1

 

──────────────────┬───────────────────────────────────┬────────────────────
     N пункта     │         Наименование <*>          │  Код ТН ВЭД <**>
──────────────────┴───────────────────────────────────┴────────────────────

 

           КАТЕГОРИЯ 1. СПЕЦИАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И СВЯЗАННЫЕ С НИМИ
                         ОБОРУДОВАНИЕ И СНАРЯЖЕНИЕ

 

 1.1.              Системы, оборудование и компоненты

 

 1.1.1.            Компоненты, изготовленные из
                   фторированных соединений:

 

    ────────────────────────────────
    <*> См. общее примечание к настоящему Списку.
    <**> Здесь и далее код  ТН  ВЭД  -  код  единой  Товарной  номенклатуры
внешнеэкономической деятельности Таможенного союза.

 

 1.1.1.1.          Уплотнения, прокладки,              3919 90 000 0
                   уплотнительные материалы или
                   топливные диафрагмы, специально
                   разработанные для использования в
                   летательных или аэрокосмических
                   аппаратах и изготовленные из
                   материалов, содержащих более 50%
                   (по весу) любого материала,
                   определенного в пункте 1.3.9.2 или
                   1.3.9.3;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.1.1.2.          Пьезоэлектрические полимеры или     3921 90 900 0
                   сополимеры, изготовленные из
                   винилиденфторидных (CAS 75-38-7)
                   материалов, определенных в пункте
                   1.3.9.1, имеющие форму листа или
                   пленки толщиной более 200 мкм;

 

 1.1.1.3.          Уплотнения, прокладки, седла        3919 90 000 0
                   клапанов, диафрагмы или мембраны,
                   отвечающие всем следующим условиям:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) изготовленные из
                   фторэластомеров, содержащих по
                   крайней мере одну группу винилового
                   эфира как структурное звено; и
                   б) специально разработанные для
                   использования в летательных
                   аппаратах, авиационно-космических
                   средствах или ракетах

 

 1.1.2.            Конструкции из композиционных
                   материалов объемной или слоистой
                   структуры, имеющие любую из
                   следующих составляющих:

 

 1.1.2.1.          Состоящие из органической матрицы и 3926 90 920 0;
                   материалов, определенных в пункте   3926 90 970
                   1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5;
                   или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.1.2.2.          Состоящие из металлической или
                   углеродной матрицы и любого из
                   следующего:

 

 1.1.2.2.1.        Углеродных волокнистых или          3801;
                   углеродных нитевидных материалов,   3926 90 920 0;
                   имеющих все следующие               3926 90 970;
                   характеристики:                     6903 10 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) удельный модуль упругости,
                   превышающий 10,15 x 106  м; и
                   б) удельную прочность при
                   растяжении, превышающую
                   17,7 x 104  м; или

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.1.2.2.1 не применяется к
                   частично изготовленным
                   конструкциям,
                   включающим максимум двухмерное
                   сплетение нитей и специально
                   разработанным для следующего
                   использования:
                   а) в печах для отпуска металлов
                   термообработкой;
                   б) в оборудовании для производства
                   кремниевых булей

 

 1.1.2.2.2.        Материалов, определенных в пункте
                   1.3.10.3

 

                   Примечания:
                   1. Пункт 1.1.2 не применяется к
                   элементам конструкций из
                   композиционных материалов объемной
                   или слоистой структуры,
                   изготовленным из пропитанных
                   эпоксидной смолой углеродных
                   волокнистых или нитевидных
                   материалов, для ремонта гражданских
                   летательных аппаратов, имеющим все
                   следующее:

 

                   а) площадь, не превышающую 1 м2;
                   б) длину, не превышающую 2,5 м; и
                   в) ширину более 15 мм.
                   2. Пункт 1.1.2 не применяется к
                   частично изготовленным
                   конструкциям, специально
                   разработанным для следующего только
                   гражданского использования:
                   а) в спортивных товарах;
                   б) в автомобильной промышленности;
                   в) в станкостроительной
                   промышленности;
                   г) в медицинских целях.
                   3. Пункт 1.1.2 не применяется к
                   полностью изготовленным товарам
                   (конструкциям), специально
                   разработанным для конкретного
                   использования

 

                   Особое примечание.
                   В отношении конструкций из
                   композиционных материалов,
                   указанных в пунктах 1.1.2 -
                   1.1.2.2.2, см. также пункты 1.1.1 -
                   1.1.1.2.2 раздела 2 и пункт 1.1.1
                   раздела 3

 

 1.1.3.            Изделия из неплавких ароматических  3919 90 000 0;
                   полиимидов в виде пленки, листа,    3920 99 900 0
                   ленты  или полосы, имеющие любую из
                   следующих характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) толщину более 0,254 мм; или
                   б) покрытие или ламинирование
                   углеродом, графитом, металлами или
                   магнитными веществами

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.1.3 не применяется к
                   изделиям, покрытым или
                   ламинированным медью и
                   разработанным для производства
                   электронных печатных плат

 

                   Особое примечание.
                   Для плавких ароматических
                   полиимидов в любом виде см. пункт
                   1.3.8.1.3

 

 1.1.4.            Защитное снаряжение, аппаратура
                   систем обнаружения и комплектующие
                   изделия, не специально
                   разработанные для военного
                   применения:

 

 1.1.4.1.          Противогазы, фильтрующие коробки    9020 00 000 0
                   противогазов и оборудование для их
                   обеззараживания, разработанные либо
                   модифицированные для защиты от
                   любого из нижеприведенных
                   поражающих факторов, а также
                   специально разработанные для них
                   компоненты:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) бактериологических
                   (биологических) агентов или
                   токсинов, которые могут быть
                   использованы в военных целях;
                   б) радиоактивных материалов,
                   которые могут быть использованы в
                   военных целях;
                   в) токсичных химикатов,
                   используемых в химическом оружии;
                   или
                   г) химических средств для борьбы с
                   массовыми беспорядками, включающих:
                   альфа-бромбензацетонитрил
                   (бромбензил цианид) (CA)
                   (CAS 5798-79-8);
                   [(2-хлорфенил) метилен]
                   пропандинитрил
                   (о-хлорбензальмалононитрил) (CS)
                   (CAS 2698-41-1);
                   2-хлор-1-фенил-этанон, хлористый
                   фенацил (омега-хлорацетофенон) (CN)
                   (CAS 532-27-4);
                   дибенз-(b, f)-1,4-оксазепин (CR)
                   (CAS 257-07-8);
                   10-хлор-5,10-дигидрофенарсазин,
                   (хлористый фенарсазин), (адамсит)
                   (DM) (CAS 578-94-9);
                   N-нонилморфолин (MPA)
                   (CAS 5299-64-9)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.1.4.1 включает противогазы
                   с принудительной подачей воздуха,
                   разработанные или модифицированные
                   для защиты от поражающих факторов,
                   перечисленных в пункте 1.1.4.1
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей пункта 1.1.4.1:
                   а) противогазами также называются
                   полнолицевые маски;
                   б) фильтрующие коробки
                   противогазов также включают
                   фильтрующие картриджи;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.1.4.2.          Защитные костюмы, перчатки и обувь, 3926 20 000 0;
                   специально разработанные или        4015 19 000 0;
                   модифицированные для защиты от      4015 90 000 0;
                   любого из нижеприведенных           6204 23;
                   поражающих факторов:                6210 40 000 0;
                   а) бактериологических               6210 50 000 0;
                   (биологических) агентов или         6216 00 000 0;
                   токсинов, которые могут быть        6401 92;
                   использованы в военных целях;       6401 99 000 0;
                   б) радиоактивных материалов,        6402 91;
                   которые могут быть использованы в   6402 99 100 0;
                   военных целях; или                  6402 99 930 0;
                   в) токсичных химикатов,             6404 19 900 0
                   используемых в химическом оружии;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.1.4.3.          Системы, специально разработанные   9027 10 100 0;
                   или модифицированные для            9027 10 900 0;
                   обнаружения или распознавания       9027 80 170 0;
                   любого из нижеприведенных           9027 80 990 9;
                   поражающих факторов, а также        9027 90 800 0;
                   специально разработанные для них    9030 10 000 0;
                   компоненты:                         9030 89 300 0;
                   а) бактериологических               9030 89 900 0;
                   (биологических) агентов или         9030 90 850 0;
                   токсинов, которые могут быть
                   использованы в военных целях;
                   б) радиоактивных материалов,
                   которые могут быть использованы в
                   военных целях; или
                   в) токсичных химикатов,
                   используемых в химическом оружии
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.1.4.4.          Электронное оборудование и его      9027 10 100 0
                   компоненты, разработанные для       9027 30 000 0
                   автоматического обнаружения или     9027 80 170 0
                   распознавания наличия следов        9027 90 800 0
                   взрывчатых веществ (ВВ) с           9030 89 300 0
                   использованием методов их
                   обнаружения (например,
                   поверхностной акустической волны,
                   спектрометрии подвижных ионов, в
                   том числе с дифференциальной
                   подвижностью, масс-спектрометрии)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Техническое примечание.
                   Под обнаружением следов понимается
                   обнаружение менее миллионной части
                   испарения или 1 мг твердого
                   вещества или жидкости

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.1.4.4 не применяется:
                   а) к оборудованию, специально
                   разработанному для лабораторного
                   использования;
                   б) к пропускным порталам
                   безопасности для бесконтактного
                   контроля

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.1.4 не применяется:
                   а) к персональным радиационным
                   дозиметрам;
                   б) к снаряжению или системам,
                   применяемым в системе стандартов
                   безопасности труда, конструктивно
                   или функционально ограниченным
                   защитой от факторов риска в целях
                   обеспечения безопасности
                   в гражданской области,
                   например:
                   в горном деле;
                   при работе в карьерах;
                   в сельском хозяйстве;
                   в фармацевтической промышленности;
                   в медицинской промышленности;
                   в ветеринарии;
                   при работах по охране окружающей
                   среды;
                   при сборе и утилизации отходов;
                   в пищевой промышленности
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Технические примечания:
                   1. Пункт 1.1.4 включает снаряжение,
                   системы и их компоненты, которые
                   были сертифицированы, либо их
                   работоспособность в отношении
                   обнаружения или защиты от
                   радиоактивных материалов,
                   бактериологических (биологических)
                   агентов или токсинов, которые могут
                   быть использованы в военных целях,
                   токсичных химикатов, используемых в
                   химическом оружии, имитирующих
                   продуктов (заменителей) или
                   химических средств для борьбы с
                   массовыми беспорядками была
                   подтверждена испытаниями,
                   проведенными в соответствии с
                   национальными стандартами, или иным
                   способом, даже если такие системы,
                   снаряжение или их компоненты
                   используются в гражданских
                   областях, таких как горное дело,
                   работы в карьерах, сельское
                   хозяйство, фармацевтическая и
                   медицинская промышленность,
                   ветеринария, охрана окружающей
                   среды, сбор и утилизация отходов
                   или пищевая промышленность.
                   2. Имитирующие продукты (заменители) -
                   вещества или материалы, которые
                   используются вместо токсичных
                   веществ (химических или
                   биологических) для обучения,
                   исследования, опробования или
                   оценки

 

 1.1.5.            Бронежилеты и компоненты для них:

 

 1.1.5.1.          Бронежилеты, изготовленные не по    6211 43 900 0
                   военным стандартам или техническим
                   условиям или неравноценные им по
                   характеристикам, и специально
                   разработанные для них компоненты,
                   в том числе (включая) гибкие
                   защитные элементы;

 

 1.1.5.2.          Жесткие пластины для бронежилетов,  6914 90 000 0;
                   обеспечивающие класс баллистической 7326 19 100 0;
                   защиты, равный IIIA или менее       7326 19 900 9;
                   в соответствии со стандартом        7326 90 910 0;
                   Национального института юстиции     7326 90 930 9;
                   США NIJ 0101.06 (июль 2008 г.)      7326 90 980 8
                   или его национальным эквивалентом
(п. 1.1.5 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечания:
                   1. Пункт 1.1.5 не применяется к
                   бронежилетам, которые вывозятся
                   пользователем для собственной
                   индивидуальной защиты.
                   2. Пункт 1.1.5 не применяется к
                   бронежилетам, разработанным для
                   обеспечения только фронтальной
                   защиты как от осколков, так и от
                   взрыва невоенных взрывных
                   устройств.
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   3. Пункт 1.1.5 не применяется
                   к бронежилетам, разработанным для
                   защиты только от колюще-режущих
                   или тупых предметов
(п. 3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Особое примечание.
                   Для нитевидных и волокнистых
                   материалов, используемых в
                   производстве бронежилетов, см.
                   пункт 1.3.10

 

 1.1.6.            Оборудование, специально
                   разработанное или модифицированное
                   для обезвреживания самодельных
                   взрывных устройств, приведенное
                   ниже, а также специально
                   разработанные компоненты и
                   принадлежности для него:

 

 1.1.6.1.          Дистанционно управляемые
                   транспортные средства;

 

 1.1.6.2           Подрыватели (разрушители)           8424 30;
                                                       8424 89 000 9;
                                                       8479 89 970 8
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Техническое примечание.
                   Подрыватели (разрушители) -
                   устройства, специально
                   разработанные для предотвращения
                   срабатывания взрывного устройства
                   путем воздействия жидкостью,
                   твердым или хрупким снарядом

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.1.6 не применяется к
                   оборудованию, которое не является
                   предметом передачи или обмена и
                   сопровождается его оператором

 

 1.1.7.            Оборудование и устройства,
                   специально разработанные
                   для инициации зарядов
                   и устройств, содержащих
                   энергетические материалы,
                   воздействием электричества:

 

 1.1.7.1.          Запускающие устройства (запальные   8543 70 900 0;
                   системы), разработанные для         9306 90 900 0
                   приведения в действие детонаторов
                   взрывчатого вещества, определенных
                   в пункте 1.1.7.2;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.1.7.2.          Электродетонаторы взрывчатого       3603 00 900
                   вещества, такие как:

 

 1.1.7.2.1.        Детонаторы со взрывающимся мостиком
                   (ВМ) (искровые детонаторы);

 

 1.1.7.2.2.        Детонаторы со взрывающейся
                   перемычкой из провода (токовые
                   детонаторы);

 

 1.1.7.2.3.        Детонаторы с ударником
                   (пробойником) (детонаторы ударного
                   действия);

 

 1.1.7.2.4.        Инициаторы со взрывающейся фольгой

 

                   Технические примечания:
                   1. Понятие "детонатор" также
                   включает понятие "инициатор" или
                   "зажигатель".
                   2. Для целей пункта 1.1.7.2 во всех
                   описанных в нем детонаторах
                   используется небольшой
                   электрический проводник (мостик,
                   перемычка из провода или фольга),
                   который испаряется со взрывом,
                   вызванным прохождением через него
                   короткого сильноточного
                   электрического импульса. В
                   детонаторах безударного действия
                   взрывающийся проводник инициирует
                   химическую детонацию в
                   контактирующем с ним бризантном
                   взрывчатом веществе, таком как ТЭН
                   (PETN) - тетранитропентаэритрит. В
                   детонаторах ударного действия (типа
                   "Слэппер") вызванное взрывом
                   испарение электрического проводника
                   приводит в действие боек или
                   пробойник, который воздействует на
                   взрывчатое вещество и инициирует
                   химическую детонацию. В некоторых
                   конструкциях ударник приводится в
                   движение силой магнитного поля.
                   Термин "инициатор со взрывающейся
                   фольгой" может относиться как к ВМ,
                   так и к детонатору ударного
                   действия (типа "Слэппер")

 

 1.1.8.            Заряды, устройства и компоненты:    3604 90 000 0

 

 1.1.8.1.          Кумулятивные заряды, имеющие все
                   нижеперечисленные характеристики:
                   а) количество нетто ВВ (КНВ) более
                   90 г; и
                   б) внешний диаметр оболочки, равный
                   или больше 75 мм;

 

 1.1.8.2.          Кумулятивные линейные заряды для
                   резки, имеющие все
                   нижеперечисленные характеристики, и
                   специально разработанные для них
                   компоненты:
                   а) заряд ВВ более 40 г/м; и
                   б) ширину, равную или больше 10 мм;

 

 1.1.8.3.          Шнур детонирующий с внутренним
                   зарядом ВВ более 64 г/м;

 

 1.1.8.4.          Резаки, отличные от определенных в
                   пункте 1.1.8.2, и другие отрезные
                   средства, имеющие КНВ более 3,5 кг

 

                   Техническое примечание.
                   Кумулятивные заряды - устройства,
                   концентрирующие действие ВВ в
                   процессе его взрыва

 

                   Примечание.
                   К зарядам и устройствам,
                   определенным в пункте 1.1.8,
                   относятся только те заряды, которые
                   содержат ВВ, перечисленные в
                   таблице к этому пункту, и их смеси

 

───────────────────────────────────────────────────────────────────────────

 

Таблица к пункту 1.1.8

 

Перечень взрывчатых веществ

 

───────────┬───────────────────────────────────────────────────────────────
  N пункта │               Наименование взрывчатых веществ
───────────┴───────────────────────────────────────────────────────────────

 

    1.      Аминодинитробензофуроксан (ADNBF; 7-амино-4,6-
            динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 97096-78-1)

 

    2.      Цис-бис(5-тетранитразолато) тетраамин-кобальт (III) перхлорат
            (BNCP) (CAS 117412-28-9)

 

    3.      Диаминодинитробензофуроксан (CL─14; 5,7-диамино-4,6-
            динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 117907-74-1)

 

    4.      Гексанитрогексаазаизовюрцитан (CL─20; HNIW) (CAS 135285-90-4);
            клатраты (соединения/включения) вещества CL─20

 

    5.      2-(5-цианотетразолато)пентаамин-кобальт (III) перхлорат (CP)
            (CAS 70247-32-4)

 

    6.      1,1-диамино-2,2-динитроэтилен (DADE; FOX7) (CAS 145250-81-3)

 

    7.      Диаминотринитробензол (DATB) (CAS 1630-08-6)

 

    8.      1,4-динитродифуразанопиперазин (DDFP)

 

    9.      2,6-диамино-3,5-динитропиразин-1-оксид (DDPO; PZO) (CAS
            194486-77-6)

 

    10.     3,3'-диамино-2,2',4,4',6,6'-гексанитробифенил (DIPAM;
            дипикрамид) (CAS 17215-44-0)

 

    11.     Динитрогликольурил (DNGU; DINGU) (CAS 55510-04-8)

 

    12.     Фуразаны:
            а) диаминоазоксифуразан (DAAOF);
            б) диаминоазофуразан (DAAzF) (CAS 78644-90-3)

 

    13.     Октоген (HMX) и его производные:
            а) циклотетраметилентетранитрамин (HMX; октоген; октагидро-
            1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразин;
            1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразациклооктан) (CAS 2691-41-0);
            б) дифтораминированные аналоги октогена;
            в) 2,4,6,8-тетранитро-2,4,6,8-тетраазабицикло [3,3,0]-октанон-
            3 (тетранитросемигликольурил; кето-бициклический октоген;
            K-55) (CAS 130256-72-3)

 

    14.     Гексанитроадамантан (HNAD) (CAS 143850-71-9)

 

    15.     Гексанитростильбен (HNS) (CAS 20062-22-0)

 

    16.     Имидазолы:
            а) октагидро-2,5-бис(нитроимино)имидазо [4,5-d]имидазол
            (BNNII);
            б) 2,4-динитроимидазол (DNI) (CAS 5213-49-0);
            в) 1-фтор-2,4-динитроимидазол (FDIA);
            г) N-(2-нитротриазоло)-2,4-динитроимидазол (NTDNIA);
            д) 1-пикрил-2,4,5-тринитроимидазол (PTIA)

 

    17.     1-(2-нитротриазоло)-2-динитрометиленгидразин (NTNMH)

 

    18.     3-нитро-1,2,4-триазол-5-он (NTO; ONTA) (CAS 932-64-9)

 

    19.     Полинитрокубаны с числом нитрогрупп более четырех

 

    20.     2,6-бис(пикриламино)-3,5-динитропиридин (PYX)
            (CAS 38082-89-2)

 

    21.     Гексоген (RDH) и его производные:
            а) циклотриметилентринитрамин (гексоген; RDX; циклонит; T4;
            гексагидро-1,3,5-тринитро-1,3,5-триазин; 1,3,5-тринитро-1,3,5-
            триазациклогексан) (CAS 121-82-4);
            б) кето-гексоген (Keto-RDX; K-6; 2,4,6-тринитро-2,4,6-
            триазациклогексанон) (CAS 115029-35-1)

 

    22.     Триаминогуанидиннитрат (TAGN) (CAS 4000-16-2)

 

    23.     Триаминотринитробензол (TATB) (CAS 3058-38-6)

 

    24.     3,3,7,7-тетрабис(дифторамин) октагидро-1,5-динитро-1,5-
            диазоцин (TEDDZ)

 

    25.     Тетразолы:
            а) нитротриазоламинотетразол (NTAT);
            б) 1-N-(2-нитротриазоло)-4-нитротетразол (NTNT)

 

    26.     Тринитрофенилметилнитрамин (тетрил) (CAS 479-45-8)

 

    27.     1,4,5,8-тетранитро-1,4,5,8-тетраазадекалин (TNAD)
            (CAS 135877-16-6)

 

    28.     1,3,3-тринитроазетидин (TNAZ) (CAS 97645-24-4)

 

    29.     Тетранитрогликольурил (TNGU; SORGUYL) (CAS 55510-03-7)

 

    30.     1,4,5,8-тетранитропиридазино[4,5-d]пиридазин (TNP)
            (CAS 229176-04-9)

 

    31.     Триазины:
            а) 2-окси-4,6-динитроамино-S-триазин (DNAM) (CAS 19899-80-0);
            б) 2-нитроимино-5-нитро-гексагидро-1,3,5-триазин (NNHT)
            (CAS 130400-13-4)

 

    32.     Триазолы:
            а) 5-азидо-2-нитротриазол;
            б) 4-амино-3,5-дигидразино-1,2,4-триазол динитрамид (ADHTDN)
            (CAS 1614-08-0);
            в) 1-амино-3,5-динитро-1,2,4-триазол (ADNT);
            г) бис(динитротриазол)амин) (BDNTA);
(пп. "г" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
            д) 3,3'-динитро-5,5-би-1,2,4-триазол (DBT) (CAS 30003-46-4);
            е) динитробистриазол (DNBT) (CAS 70890-46-9);
            ж) исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
            з) 1-N-(2-нитротриазоло) 3,5-динитротриазол (NTDNT);
            и) 1-пикрил-3,5-динитротриазол (PDNT);
            к) тетранитробензотриазолобензотриазол (TACOT)
            (CAS 25243-36-1)

 

    33.     ВВ, не поименованные в настоящем перечне, имеющие при
            максимальной плотности скорость детонации более 8700 м/с или
            давление детонации более 34 ГПа (340 кбар)

 

    34.     Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519

 

    35.     Нитроцеллюлоза с содержанием азота более 12,5% (CAS 9004-70-0)

 

    36.     Нитрогликоль (CAS 628-96-6)

 

    37.     Тетранитропентаэритрит (пентаэритриттетранитрат;
            пентаэритритолтетранитрат; ТЭН; PETN) (CAS 78-11-5)

 

    38.     Пикрилхлорид (CAS 88-88-0)

 

    39.     2,4,6-тринитротолуол (TNT) (CAS 118-96-7)

 

    40.     Нитроглицерин (NG) (CAS 55-63-0)

 

    41.     Триацетонтрипероксид (TATP) (CAS 17088-37-8)

 

    42.     Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4)

 

    43.     Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)

 

    44.     2,4-динитроанизол (DNAN) (CAS 119-27-7)
(п. 44 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

    45.     4,10-динитро-2,6,8,12-тетраокса-4,10-диазаизовюрцитан (TEX)
(п. 45 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

    46.     динитрамид гуанил-мочевины (GUDN) FOX-12 (CAS 217464-38-5)
(п. 46 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

    47.     Тетразины:
            а) бис(2,2,2-тринитроэфир)-3,6-диаминотетразин (BTAT)
            б) 3,6-диамино-1,2,4,5-тетразина-1,4-диоксид (LAX-112)
(п. 47 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

    48.     Энергетические ионические материалы, плавящиеся при
            температурах от 343 K (70 °C) до 373 K (100 °C) и имеющие
            скорость детонации более 6800 м/с или давление взрывной волны
            более 18 ГПа (180 кбар)
(п. 48 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

───────────────────────────────────────────────────────────────────────────

 

──────────────────┬───────────────────────────────────┬────────────────────
     N пункта     │           Наименование            │    Код ТН ВЭД
──────────────────┴───────────────────────────────────┴────────────────────

 

 1.2.              Испытательное, контрольное и
                   производственное оборудование

 

 1.2.1.            Оборудование, приведенное ниже, для
                   производства или контроля
                   конструкций из композиционных
                   материалов объемной или слоистой
                   структуры, определенных в пункте
                   1.1.2, или волокнистых или
                   нитевидных материалов, определенных
                   в пункте 1.3.10, а также специально
                   разработанные для него компоненты и
                   вспомогательные устройства:

 

 1.2.1.1.          Машины для намотки волокон,         8445 40 000;
                   специально разработанные для        8445 90 000 1
                   производства конструкций из
                   композиционных материалов объемной
                   или слоистой структуры из
                   волокнистых или нитевидных
                   материалов, в которых движения,
                   связанные с позиционированием,
                   пропиткой и намоткой волокон,
                   координируются и программируются по
                   трем или более осям основного
                   сервопозиционирования;

 

 1.2.1.2.          Машины для выкладки ленты, в        8445 40 000;
                   которых движения, связанные с       8445 90 000 1
                   позиционированием и укладкой ленты,
                   координируются и программируются
                   по пяти или более осям основного
                   сервопозиционирования и которые
                   специально разработаны для
                   производства элементов конструкций
                   летательных аппаратов или ракет из
                   композиционных материалов
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей пункта 1.2.1.2 машины
                   для выкладки ленты имеют
                   способность выкладки одной
                   нитевидной ленты или более шириной
                   от более 25 мм до 305 мм
                   включительно, а также резки ленты
                   и возобновления отдельных операций
                   в течение процесса выкладки;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.2.1.3.          Многокоординатные ткацкие машины    8446 21 000 0;
                   или машины для плетения, включая    8446 90 000
                   приспособления и устройства,
                   специально разработанные или
                   модифицированные для плетения,
                   ткачества или переплетения волокон
                   для конструкций из композиционных
                   материалов объемной структуры

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей пункта 1.2.1.3 плетение
                   включает вязание;

 

 1.2.1.4.          Оборудование, специально
                   разработанное или приспособленное
                   для производства армирующих
                   волокон:

 

 1.2.1.4.1.        Оборудование для превращения        8456 10 00;
                   полимерных волокон (таких как       8456 90 800 0;
                   полиакрилонитриловые, вискозные,    8515 80 900 0
                   пековые или поликарбосилановые) в
                   углеродные или карбидкремниевые
                   волокна, включая специальное
                   оборудование для натяжения волокон
                   при нагреве;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.2.1.4.2.        Оборудование для химического        8419 89 989 0
                   осаждения элементов или соединений
                   из паровой фазы на нагретую
                   нитевидную подложку в целях
                   производства карбидкремниевых
                   волокон;

 

 1.2.1.4.3.        Оборудование для получения          8445 90 000 9
                   тугоплавких керамических волокон
                   (например, из оксида алюминия) по
                   мокрому способу;

 

 1.2.1.4.4         Оборудование для преобразования     8514 10 800 0;
                   путем термообработки волокон        8514 20 100 0;
                   алюминийсодержащих прекурсоров в    8514 20 800 0;
                   волокна оксида алюминия;            8514 30 000 0;
                                                       8514 40 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.2.1.5.          Оборудование для производства       8451 80 800 9;
                   препрегов, определенных в пункте    8477 59 100 0;
                   1.3.10.5, методом горячего          8477 59 800 0
                   плавления;

 

 1.2.1.6.          Оборудование для неразрушающего
                   контроля, специально разработанное
                   для композиционных материалов,
                   такое как:

 

 1.2.1.6.1.        Системы рентгеновской томографии    9022 12 000 0;
                   для  трехмерного обнаружения        9022 19 000 0;
                   дефектов;                           9022 29 000 0

 

 1.2.1.6.2.        Установки ультразвуковой            9031 80 380 0
                   дефектоскопии с числовым
                   программным управлением, в которых
                   перемещения для позиционирования
                   трансмиттеров или приемников
                   одновременно координируются и
                   программируются по четырем или
                   более осям, чтобы отслеживать
                   трехмерные контуры обследуемого
                   объекта;

 

 1.2.1.7.          Машины для выкладки жгута, в        8445 40 000;
                   которых движения, связанные с       8445 90 000 1
                   позиционированием и укладкой жгута,
                   координируются и программируются по
                   двум или более осям основного
                   сервопозиционирования и которые
                   специально разработаны для
                   производства элементов конструкций
                   летательных аппаратов или ракет из
                   композиционных материалов
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей пункта 1.2.1.7 машины
                   для выкладки жгута имеют
                   способность выкладки одной
                   нитевидной ленты или более шириной
                   25 мм или менее, а также резки
                   ленты и возобновления отдельных
                   операций в процессе выкладки
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Технические примечания:
                   1. Для целей пункта 1.2.1 основное
                   сервопозиционирование
                   (позиционирование от основного
                   сервопривода) означает управление
                   положением рабочего органа
                   (например, головки) в пространстве
                   с помощью задающей направление
                   компьютерной программы для его
                   точной ориентации относительно
                   осей координат обрабатываемой
                   детали и достижения заданных
                   требований обработки.

 

                   2. Для целей пункта 1.2.1
                   нитевидной лентой является
                   непрерывная полоса в виде ленты,
                   выполненной из жгута или нити,
                   полностью или частично
                   пропитанных смолой
(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.2.2.            Оборудование, специально
                   разработанное для исключения
                   загрязнения при производстве
                   металлических сплавов, порошков
                   металлических сплавов или
                   легированных материалов и
                   использования в одном из процессов,
                   определенных в пункте 1.3.2.3.2

 

 1.2.3.            Инструменты, пресс-формы, матрицы   8207 30 100 0
                   или арматура для формообразования в
                   условиях сверхпластичности или
                   диффузионной сварки титана,
                   алюминия или их сплавов, специально
                   разработанные для производства
                   любого из следующего:
                   а) корпусных конструкций
                   летательных аппаратов или
                   авиационно-космических средств;
                   б) двигателей для летательных
                   аппаратов или авиационно-
                   космических средств; или
                   в) компонентов, специально
                   разработанных для конструкций,
                   определенных в подпункте "а" пункта
                   1.2.3, или двигателей, определенных
                   в подпункте "б" пункта 1.2.3

 

 1.3.              Материалы

 

                   Техническое примечание.
                   Термины "металлы" и "сплавы", если
                   специально не оговорено иное,
                   относятся к следующим
                   необработанным формам и
                   полуфабрикатам:
                   а) необработанные формы - аноды,
                   блюмы, болванки, брикеты, бруски,
                   гранулы, губка, дробь, катоды,
                   кольца, кристаллы, спеки, заготовки
                   металла неправильной формы, листы,
                   окатыши, плитки, поковки, порошки,
                   прутки (включая надрубленные прутки
                   и заготовки для проволоки), слитки,
                   слябы, стаканы, сутунки, чушки,
                   шары;
                   б) полуфабрикаты (независимо от
                   того, имеют они плакирование,
                   покрытие, сверления, пробитые
                   отверстия или нет):
                   1) материалы, подвергнутые
                   обработке давлением или иным
                   способом, полученные путем
                   прокатки, волочения, штамповки
                   выдавливанием, ковки, штамповки
                   ударным выдавливанием, прессования,
                   гранулирования, распыления и
                   размалывания, а именно: диски,
                   изделия прессованные и
                   штампованные, кольца, ленты, листы,
                   плиты, поковки, полосы, порошки,
                   профили, прутки (включая непокрытые
                   сварочные прутки, присадочную
                   проволоку и катанку), пудры, трубы
                   круглого и квадратного сечения,
                   уголки, фасонные профили, фольга и
                   тонкие листы, чешуйки, швеллеры;
                   2) отливки, полученные литьем в
                   любые формы (песчаные,
                   металлические, гипсовые и другие),
                   включая полученные литьем под
                   давлением, а также спеченные
                   заготовки и заготовки, полученные
                   методами порошковой металлургии.
                   Цель контроля не должна нарушаться
                   при экспорте не указанных выше
                   заготовок или полуфабрикатов,
                   выдаваемых за готовые изделия, но,
                   по существу, представляющих собой
                   контролируемые заготовки или
                   полуфабрикаты

 

 1.3.1.            Материалы, специально разработанные
                   для поглощения электромагнитных
                   волн, или полимеры, обладающие
                   собственной проводимостью:

 

 1.3.1.1.          Материалы для поглощения            3815 19;
                   электромагнитных волн в области     3910 00 000 2;
                   частот от 2 x 108 Гц до 3 x 1012 Гц  3910 00 000 8
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечания:
                   1. Пункт 1.3.1.1 не применяется:
                   а) к поглотителям войлочного типа,
                   изготовленным из натуральных и
                   синтетических волокон, содержащим
                   немагнитный наполнитель;
                   б) к поглотителям, не имеющим
                   магнитных потерь, рабочая
                   поверхность которых не является
                   плоской, включая пирамиды, конусы,
                   клинья и спиралевидные поверхности;
                   в) к плоским поглотителям, имеющим
                   все нижеперечисленные
                   характеристики:
                   1) изготовленным из любых следующих
                   материалов:
                   вспененных полимерных материалов
                   (гибких или негибких) с углеродным
                   наполнением или органических
                   материалов, включая связующие,
                   обеспечивающих более 5% отражения
                   по сравнению с металлом в диапазоне
                   волн, отличающихся от средней
                   частоты падающей энергии более чем
                   на +/- 15%, и неспособных
                   выдерживать температуры,
                   превышающие 450 K (177 °C); или
                   керамических материалов,
                   обеспечивающих более 20% отражения
                   по сравнению с металлом в диапазоне
                   волн, отличающихся от средней
                   частоты падающей энергии более чем
                   на +/- 15%, и не способных
                   выдерживать температуры,
                   превышающие 800 K (527 °C)

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей подпункта 1 пункта "в"
                   примечания 1 к пункту 1.3.1.1
                   образцы для проведения испытаний на
                   поглощение должны иметь
                   форму квадрата со стороной не
                   менее пяти длин волн средней
                   частоты и располагаться
                   в дальней зоне излучающего
                   элемента;
                   2) прочность при растяжении менее
                   7 x 106  Н/м2; и
                   3) прочность при сжатии менее 14 x
                   106  Н/м2;
                   г) к плоским поглотителям,
                   выполненным из спеченного феррита и
                   имеющим все нижеперечисленные
                   характеристики:
                   удельный вес более 4,4 г/см3; и
                   максимальную рабочую температуру
                   548 K (275 °C).
                   2. Магнитные материалы для
                   обеспечения поглощения волн,
                   указанные в примечании 1 к пункту
                   1.3.1.1, не освобождаются от
                   контроля, если они содержатся в
                   красках

 

 1.3.1.2.          Материалы для поглощения волн на    3815 19;
                   частотах, превышающих               3910 00 000 2;               
                   1,5 x 1014   Гц, но ниже, чем       3910 00 000 8
                   3,7 x 1014   Гц, и непрозрачные для
                   видимого света
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.3.1.2 не применяется
                   к материалам, специально
                   разработанным или определенным
                   для применения в лазерной
                   маркировке или сварке полимеров;
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.1.3.          Электропроводящие полимерные
                   материалы с объемной
                   электропроводностью выше 10 000
                   См/м (Сименс/м) или поверхностным
                   удельным сопротивлением менее 100
                   Ом/м2, полученные на основе любого
                   из следующих полимеров:

 

 1.3.1.3.1.        Полианилина;                        3909 30 000 0

 

 1.3.1.3.2.        Полипиррола;                        3911 90 990 0

 

 1.3.1.3.3.        Политиофена;                        3911 90 990 0

 

 1.3.1.3.4.        Полифенилен-винилена; или           3911 90 990 0

 

 1.3.1.3.5.        Политиенилен-винилена               3919 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Техническое примечание.
                   Объемная электропроводность
                   и поверхностное удельное
                   сопротивление должны
                   определяться в соответствии со
                   стандартной методикой ASTM D-257
                   или ее национальным эквивалентом

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.3.1.3 не применяется
                   к материалам в жидком виде
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Особое примечание.
                   В отношении материалов, указанных
                   в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5,
                   см. также пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5
                   разделов 2 и 3

 

 1.3.2.            Металлические сплавы, порошки
                   металлических сплавов и
                   легированные материалы следующих
                   типов:

 

 1.3.2.1.          Алюминиды:

 

 1.3.2.1.1.        Алюминиды никеля, содержащие        7502 20 000 9
                   от 15 до 38% (по весу) алюминия и
                   по крайней мере один дополнительный
                   легирующий элемент;

 

 1.3.2.1.2.        Алюминиды титана, содержащие 10%    8108 20 000;
                   (по весу) или более алюминия и по   8108 90 300 9;
                   крайней мере один дополнительный    8108 90 500 9;
                   легирующий элемент;                 8108 90 600 2;
                                                       8108 90 600 8;
                                                       8108 90 900 9

 

 1.3.2.2.          Металлические сплавы, приведенные
                   ниже, изготовленные из порошков или
                   частиц материалов, определенных в
                   пункте 1.3.2.3:

 

 1.3.2.2.1.        Никелевые сплавы с:                 7502 20 000 9
                   а) ресурсом длительной прочности
                   10 000 часов или более при
                   напряжении 676 МПа и температуре
                   923 K (650 °C); или
                   б) малоцикловой усталостью 10 000
                   циклов или более при температуре
                   823 K (550 °C) и максимальном
                   напряжении цикла 1095 МПа;

 

 1.3.2.2.2.        Ниобиевые сплавы с:                 8112 92 310 0;
                   а) ресурсом длительной прочности    8112 99 300 0
                   10 000 часов или более при
                   напряжении 400 МПа и температуре
                   1073 K (800 °C); или
                   б) малоцикловой усталостью 10 000
                   циклов или более при температуре
                   973 K (700 °C) и максимальном
                   напряжении цикла 700 МПа;

 

 1.3.2.2.3.        Титановые сплавы с:                 8108 20 000;
                   а) ресурсом длительной прочности    8108 90 300 9;
                   10 000 часов или более при          8108 90 500 9;
                   напряжении 200 МПа и температуре    8108 90 600 2;
                   723 K (450 °C); или                 8108 90 600 8;
                                                       8108 90 900 9
                   б) малоцикловой усталостью 10 000
                   циклов или более при температуре
                   723 K (450 °C) и максимальном
                   напряжении цикла 400 МПа;

 

 1.3.2.2.4.        Алюминиевые сплавы с пределом       7601 20;
                   прочности при растяжении:           7604 29 100 9;
                   а) 240 МПа или выше при температуре 7608 20 810 8;
                   473 K (200 °C); или                 7608 20 890 7
                   б) 415 МПа или выше при температуре
                   298 K(25 °C);
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.2.2.5.        Магниевые сплавы:                   8104
                   а) с пределом прочности при
                   растяжении 345 МПа или выше; и
                   б) со скоростью коррозии в
                   3-процентном водном растворе
                   хлорида натрия менее 1 мм в год,
                   измеренной в соответствии со
                   стандартной методикой ASTM G-31 или
                   ее национальным эквивалентом;

 

 1.3.2.3.          Порошки металлических сплавов или
                   частицы материала, имеющие все
                   следующие характеристики:

 

 1.3.2.3.1.        Изготовленные из любых следующих по
                   составу систем:

 

                   Техническое примечание.
                   X в дальнейшем соответствует одному
                   или более легирующим элементам

 

 1.3.2.3.1.1.      Никелевые сплавы (Ni-Al-X,          7504 00 000 9
                   Ni-X-Al), для деталей или
                   компонентов газотурбинных
                   двигателей, содержащие менее трех
                   неметаллических частиц размером
                   более 100 мкм (введенных в процессе
                   производства) на 109  частиц сплава;

 

 1.3.2.3.1.2.      Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или       8112 92 310 0
                   Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si,
                   Nb─Ti-X или Nb-X─Ti);

 

 1.3.2.3.1.3.      Титановые сплавы (Ti-Al-X или       8108 20 000 5
                   Ti-X-Al);

 

 1.3.2.3.1.4.      Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или     7603
                   Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn,
                   Al-Fe-X или Al-X-Fe); или

 

 1.3.2.3.1.5.      Магниевые сплавы (Mg-Al-X или       8104 30 000 0
                   Mg-X-Al); и

 

 1.3.2.3.2.        Изготовленные в контролируемой
                   среде с использованием одного из
                   нижеследующих процессов:
                   а) вакуумное распыление;
                   б) газовое распыление;
                   в) центробежное распыление;
                   г) скоростная закалка капли;
                   д) спиннингование расплава и
                   последующее измельчение;
                   е) экстракция расплава и
                   последующее измельчение; или
                   ж) механическое легирование;

 

 1.3.2.3.3.        Могущие быть исходными материалами
                   для получения сплавов, определенных
                   в пункте 1.3.2.1 или 1.3.2.2;

 

 1.3.2.4.          Легированные материалы,             7504 00 000 9;
                   характеризующиеся всем              7504 12 000 9;
                   нижеследующим:                      7506;
                   а) изготовлены из любых систем,     7603 20 000 0;
                   определенных в пункте 1.3.2.3.1;    7604 29 100 9;
                   б) имеют форму неизмельченных       7606 12 920 9;
                   чешуек, ленты или тонких стержней;  7606 92 000 0;
                   и                                   7607 19;
                   в) изготовлены в контролируемой     8104 30 000 0;
                   среде любым из следующих методов:   8104 90 000 0;
                   скоростная закалка капли;           8108 20 000;
                   спиннингование расплава; или        8108 90 300 9;
                   экстракция расплава                 8108 90 500 9;
                                                       8112 92 210 9;
                                                       8112 92 310 0;
                                                       8112 99 300 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.3.2 не применяется к
                   металлическим сплавам, порошкам
                   металлических сплавов и
                   легированным материалам для
                   нанесения покрытий на подложки
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Технические примечания:
                   1. К металлическим сплавам,
                   указанным в пункте 1.3.2, относятся
                   сплавы, которые содержат больший
                   процент (по весу) указанного
                   металла, чем любых других
                   элементов.
                   2. Ресурс длительной прочности
                   следует измерять в соответствии со
                   стандартной методикой ASTM E-139
                   или ее национальным эквивалентом.
                   3. Малоцикловую усталость следует
                   измерять в соответствии со
                   стандартной методикой ASTM E-606
                   "Технические рекомендации по
                   испытаниям на малоцикловую
                   усталость при постоянной амплитуде"
                   или ее национальным эквивалентом.
                   Образцы должны нагружаться в осевом
                   направлении при среднем значении
                   показателя нагрузки, равном
                   единице, и коэффициенте
                   концентрации напряжения (Kt),
                   равном единице. Средний показатель
                   нагрузки определяется как частное
                   от деления разности максимальной и
                   минимальной нагрузок на
                   максимальную нагрузку

 

 1.3.3.            Магнитные металлические материалы
                   всех типов и в любой форме, имеющие
                   любую из следующих характеристик:

 

 1.3.3.1.          Начальную относительную магнитную   8505 11 000 0;
                   проницаемость 120 000 или более и   8505 19 100 0;
                   толщину 0,05 мм или менее           8505 19 900 0;

 

                   Техническое примечание.
                   Измерение начальной относительной
                   магнитной проницаемости следует
                   проводить на полностью отожженных
                   материалах;

 

 1.3.3.2.          Магнитострикционные сплавы, имеющие 2803 00 000 0;
                   любую из следующих характеристик:   2846 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) магнитострикцию насыщения более
                   5 x 10-4  ; или
                   б) коэффициент магнитомеханического
                   взаимодействия (к) более 0,8; или

 

 1.3.3.3.          Ленты из аморфных или               7226 11 000 0;
                   нанокристаллических сплавов,        7506;
                   имеющие все следующие               8105
                   характеристики:
                   а) содержание железа, кобальта или
                   никеля не менее 75% (по весу);
                   б) магнитную индукцию насыщения
                   (Bs) 1,6 Т или более; и
                   в) любое из нижеследующего:
                   толщину ленты 0,02 мм
                   или менее; или
                   удельное электрическое
                   сопротивление 2 x 10-4   Ом•см или
                   более

 

                   Техническое примечание.
                   К нанокристаллическим материалам,
                   указанным в пункте 1.3.3.3,
                   относятся материалы, имеющие размер
                   кристаллических зерен 50 нм или
                   менее, определенный методом
                   рентгеновской дифракции

 

 1.3.4.            Урано-титановые сплавы или          2844 10 900 0;
                   вольфрамовые сплавы с матрицей на   8101 94 000 0;
                   основе железа, никеля или меди,     8101 96 000 0;
                   имеющие все следующие               8101 99 100 0;
                   характеристики:                     8101 99 900 0;
                   а) плотность выше 17,5 г/см3;       8108 20 000;
                   б) предел упругости выше 880 МПа;   8108 90 300 9;
                   в) предел прочности при растяжении  8108 90 500 9;
                   выше 1270 МПа; и                    8108 90 600 2;
                   г) относительное удлинение более    8108 90 600 8;
                   8%                                  8108 90 900 9

 

 1.3.5.            Следующие сверхпроводящие
                   проводники из композиционных
                   материалов длиной более 100 м или
                   массой, превышающей 100 г:

 

 1.3.5.1.          Проводники из сверхпроводящих       8544
                   композиционных материалов,
                   содержащие одну или несколько
                   ниобийтитановых нитей, имеющих все
                   нижеперечисленное:
                   а) уложенных в матрицу не из меди
                   или не на основе меди; и
                   б) имеющих площадь поперечного
                   сечения менее 0,28 x 10-4   мм2 (6
                   мкм в диаметре для нитей круглого
                   сечения);

 

 1.3.5.2.          Проводники из сверхпроводящих       8544
                   композиционных материалов,
                   содержащие одну или несколько
                   сверхпроводящих нитей, выполненных
                   не из ниобийтитана, имеющих все
                   нижеперечисленное:
                   а) критическую температуру при
                   нулевом магнитном поле, превышающую
                   9,85 K (-263,31 °C); и
                   б) остающихся в сверхпроводящем
                   состоянии при температуре 4,2 K
                   (-268,96 °C) в магнитном поле,
                   ориентированном в любых
                   направлениях, перпендикулярных
                   продольной оси проводника, и
                   соответствующем магнитной индукции
                   12 Т, при пропускании
                   электрического тока критической
                   плотностью более 1750 А/мм2 по
                   всему сечению проводника;

 

 1.3.5.3.          Проводники из сверхпроводящих       8544
                   композиционных материалов,
                   содержащие одну или несколько
                   сверхпроводящих нитей, остающихся в
                   сверхпроводящем состоянии при
                   температуре выше 115 K (-158,16 °C)

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей пункта 1.3.5 нити могут
                   быть в виде проволоки, цилиндра,
                   пленки, ленты или полосы

 

 1.3.6.            Жидкости и смазочные материалы:

 

 1.3.6.1.          Гидравлические жидкости, содержащие
                   в качестве основных составляющих
                   любые из следующих соединений или
                   материалов:

 

 1.3.6.1.1.        Синтетические кремнийуглеводородные 3910 00 000 2;
                   масла, имеющие все следующие        3910 00 000 8
                   характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) температуру воспламенения выше
                   477 K (204 °C);
                   б) температуру застывания 239 K
                   (-34 °C) или ниже;
                   в) индекс вязкости 75 или более;
                   г) термостабильность при
                   температуре 616 K (343 °C) или
                   выше; или

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей пункта 1.3.6.1.1
                   кремнийуглеводородные масла
                   содержат исключительно кремний,
                   водород и углерод

 

 1.3.6.1.2.        Хлорофторуглероды, имеющие все      2812;
                   следующие характеристики:           2826;
                   а) температуру воспламенения не     2903 71 000 0 -
                   имеют;                              2903 76 900 0;
                   б) температуру самовоспламенения    2903 77 100 0 -
                   выше 977 K (704 °C);                2903 77 900 0;
                   в) температуру застывания 219 K     3819 00 000 0;
                   (-54 °C) или ниже;                  3824 71 000 0;
                   г) индекс вязкости 80 или более; и
                   д) температуру кипения 473 K
                   (200 °C) или выше
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей пункта 1.3.6.1.2
                   хлорофторуглероды содержат
                   исключительно углерод, фтор и хлор

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей пункта 1.3.6.1:
                   а) температура воспламенения
                   определяется с использованием
                   метода Кливлендской открытой чашки,
                   описанного в стандартной методике
                   ASTM D-92 или ее национальном
                   эквиваленте;
                   б) температура застывания
                   определяется с использованием
                   метода, описанного в стандартной
                   методике ASTM D-97 или ее
                   национальном эквиваленте;
                   в) индекс вязкости определяется с
                   использованием метода, описанного в
                   стандартной методике ASTM D-2270
                   или ее национальном эквиваленте;
                   г) термостабильность определяется в
                   соответствии со следующей методикой
                   испытаний или ее национальным
                   эквивалентом:
                   20 мл испытуемой жидкости
                   помещается в камеру объемом 46 мл
                   из нержавеющей стали типа 317,
                   содержащую шары номинального
                   диаметра 12,5 мм из
                   инструментальной стали М-10, стали
                   марки 52100 и корабельной бронзы
                   (Сu - 60%, Zn - 39%, Sn - 0,75%).
                   Камера наполняется азотом,
                   герметизируется при давлении,
                   равном атмосферному, температура
                   повышается до (644 +/- 6)
                   K [(371 +/-6) °C] и выдерживается
                   в течение шести часов. Образец
                   считается термостабильным, если по
                   завершении вышеописанной процедуры
                   выполнены все следующие требования:
                   потеря веса каждым шаром не
                   превышает 10 мг/мм2 его
                   поверхности;
                   изменение первоначальной вязкости,
                   определенной при температуре 311 K
                   (38 °C), не превышает 25%; и
                   суммарное кислотное или основное
                   число не превышает 0,40;
                   д) температура самовоспламенения
                   определяется с использованием
                   метода, описанного в стандартной
                   методике ASTM E-659 или ее
                   национальном эквиваленте;

 

 1.3.6.2.          Смазочные материалы, содержащие в
                   качестве основных составляющих
                   следующие соединения или материалы:

 

 1.3.6.2.1.        Фениленовые или алкилфениленовые    2909 30 900 0;
                   эфиры или тиоэфиры или их смеси,    2930 90 600 0;
                   содержащие более двух эфирных или   2930 90 990 0
                   тиоэфирных функциональных групп или
                   их смесей; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.6.2.2.        Фторированные кремнийорганические   3910 00 000 2;
                   жидкости, имеющие                   3910 00 000 8
                   кинематическую вязкость менее 5000
                   мм2/с (5000 сантистоксов) при
                   температуре 298 K (25 °C);
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.6.3.          Амортизаторные или флотационные     2903 76 900 0;
                   жидкости, отвечающие всему          3904 69 200 0;
                   следующему:                         3904 69 800 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) имеющие чистоту более 99,8%;
                   б) содержащие менее 25 частиц
                   размером 200 мкм или более на 100
                   мл; и
                   в) полученные по меньшей мере на
                   85% из любого из следующего:
                   дибромтетрафторэтана (CAS 25497-30-
                   7, CAS 124-73-2, CAS 27336-23-8);
                   полихлортрифторэтилена (только
                   маслообразные и воскообразные
                   модификации); или
                   полибромтрифторэтилена;

 

 1.3.6.4.          Фторуглеродные охлаждающие          2903 77 100 0;
                   жидкости для электроники, имеющие   2903 77 200 0;
                   все следующие характеристики:       2903 77 900 0;
                   а) содержащие 85% (по весу) или     3824 90 970 9
                   более любого из следующих веществ
                   или любой из их смесей:
                   мономерных форм
                   перфторполиалкилэфиртриазинов или
                   перфторалифатических эфиров;
                   перфторалкиламинов;
                   перфторциклоалканов; или
                   перфторалканов;
                   б) плотность 1,5 г/мл или более при
                   температуре 298 K (25 °C);
                   в) жидкое состояние при температуре
                   273 K (0 °C); и
                   г) содержащие 60% (по весу) или
                   более фтора
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.3.6.4 не применяется
                   к материалам, определенным
                   и упакованным как медицинская
                   продукция
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.7.            Исходные керамические материалы,
                   некомпозиционные керамические
                   материалы, композиционные материалы
                   с керамической матрицей и
                   соответствующие прекурсоры:

 

 1.3.7.1.          Исходные материалы из простых или   2850 00 900 0
                   сложных боридов титана, имеющие
                   суммарно металлические примеси,
                   исключая специальные добавки, менее
                   5000 частей на миллион, при среднем
                   размере частицы, равном или меньше
                   5 мкм, и при этом не более 10%
                   частиц имеют размер более 10 мкм;

 

 1.3.7.2.          Некомпозиционные керамические       2850 00 900 0
                   материалы в сыром виде или в виде
                   полуфабриката на основе боридов
                   титана с плотностью 98% или более
                   от теоретической плотности

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.3.7.2 не применяется к
                   абразивам;

 

 1.3.7.3.          Композиционные материалы типа       2849;
                   керамика-керамика со стеклянной или 2850 00;
                   оксидной матрицей, армированной     8803 90 200 0;
                   волокнами, имеющими все следующие   8803 90 300 0;
                   характеристики:                     8803 90 900 0;
                   а) изготовлены из любых             9306 90
                   нижеследующих материалов:
                   Si-N;
                   Si-C;
                   Si-Al-O-N; или
                   Si-O-N; и
                   б) имеют удельную прочность при
                   растяжении, превышающую
                   12,7 x 103  м;

 

 1.3.7.4.          Композиционные материалы типа       2849 20 000 0;
                   керамика-керамика с непрерывной     2849 90 100 0;
                   металлической фазой или без нее,    2850 00 200 0;
                   включающие частицы, нитевидные      8113 00 200 0;
                   кристаллы или волокна, в которых    8113 00 900 0
                   матрица образована из карбидов или
                   нитридов кремния, циркония или бора

 

                   Особое примечание.
                   В отношении материалов, указанных в
                   пунктах 1.3.7.3 и 1.3.7.4, см.
                   также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2
                   раздела 2;

 

 1.3.7.5.          Следующие материалы-                3910 00 000 2;
                   предшественники (то есть полимерные 3910 00 000 8
                   или металлоорганические материалы
                   специализированного назначения) для
                   производства какой-либо фазы или
                   фаз материалов, определенных
                   в пункте 1.3.7.3:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) полидиорганосиланы (для
                   производства карбида кремния);
                   б) полисилазаны (для производства
                   нитрида кремния);
                   в) поликарбосилазаны (для
                   производства керамики с
                   кремниевыми, углеродными или
                   азотными компонентами);

 

 1.3.7.6.          Композиционные материалы типа       6903;
                   керамика-керамика с оксидными или   6914 90 000 0
                   стеклянными матрицами,
                   армированными непрерывными
                   волокнами любой из следующих
                   систем:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) AL2O3  (CAS 1344-28-1); или
                   б) Si-C-N

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.3.7.6 не применяется к
                   композиционным материалам,
                   армированным указанными волокнами
                   из этих систем, имеющими предел
                   прочности при растяжении ниже 700
                   МПа при температуре 1273 K
                   (1000 °C) или деформацию ползучести
                   более 1% при напряжении 100 МПа и
                   температуре 1273 K (1000 °C) за
                   100 ч

 

 1.3.8.            Нефторированные полимерные
                   вещества:

 

 1.3.8.1.          Нижеперечисленные плавкие имиды в
                   жидкой или твердой форме, в том
                   числе в виде смол, порошков,
                   гранул, пленок, листов, лент или
                   полос:

 

 1.3.8.1.1.        Бисмалеимиды;                       2925 19 950 0

 

 1.3.8.1.2.        Ароматические полиамид-имиды (PAI), 3908 90 000 0
                   имеющие температуру перехода в
                   стеклообразное состояние (Tg) выше
                   563 K (290 °C);

 

 1.3.8.1.3.        Ароматические полиимиды,            3911 90 990 0
                   имеющие температуру перехода
                   в стеклообразное состояние
                   (Tg) выше 505 K (232 °C);
(п. 1.3.8.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.8.1.4.        Ароматические полиэфиримиды,        3907 20 990 0;
                   имеющие температуру перехода в      3907 91 900 0
                   стеклообразное состояние (Tg) выше
                   563 K (290 °C)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Особое примечание.
                   Для неплавких ароматических
                   полиимидов в форме пленки, листа,
                   ленты или полосы см. пункт 1.1.3;

 

 1.3.8.2.          Термопластичные                     3907 91 900 0
                   жидкокристаллические сополимеры,
                   имеющие температуру термодеформации
                   выше 523 K (250 °C), измеренную в
                   соответствии с международным
                   стандартом ISO 75-2 (2004), метод
                   A, или его национальным
                   эквивалентом при нагрузке 1,80
                   Н/мм2, и состоящие из:
                   а) любых из следующих соединений:
                   фенилена, бифенилена или нафталена;
                   или
                   метил, третбутил или
                   фенилзамещенного фенилена,
                   бифенилена или нафталена; и
                   б) любой из следующих кислот:
                   терефталевой кислоты (СAS 100-21-
                   0); 6-гидрокси-2 нафтойной кислоты
                   (CAS 16712-64-4); или 4-
                   гидроксибензойной кислоты (CAS 99-
                   96-7);

 

 1.3.8.3.          Полиариленовые кетоны;              3907 99

 

 1.3.8.4.          Полиариленовые сульфиды, где        3911 90 190 0
                   ариленовая группа представляет
                   собой бифенилен, трифенилен или их
                   комбинации;

 

 1.3.8.5.          Полибифениленэфирсульфоны, имеющие  3911 90 190 0
                   температуру перехода в
                   стеклообразное состояние (Tg) выше
                   563 K (290 °C)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Технические примечания:
                   1. Температура перехода
                   в стеклообразное состояние (Tg)
                   для термопластичных материалов
                   и материалов, определенных
                   в пунктах 1.3.8.1.2 и 1.3.8.1.4
                   соответственно, определяется
                   с использованием метода, описанного
                   в международном стандарте
                   ISO 11357-2(1999) или его
                   национальном эквиваленте.
                   2. Температура перехода
                   в стеклообразное состояние (Tg)
                   для термореактивных материалов
                   и материалов, определенных
                   в пунктах 1.3.8.1.2 и 1.3.8.1.3
                   соответственно, определяется
                   с использованием метода
                   трехточечного изгиба, описанного
                   в международном стандарте
                   ASTM D 7028-07 или его национальном
                   эквиваленте. Испытание должно
                   проводиться на сухом образце,
                   который достиг минимум 90% степени
                   отверждения при стандартных
                   термореактивных процессах с
                   максимальной температурой перехода
                   в стеклообразное состояние,
                   как это определено в стандарте
                   ASTM E 2160-04 или его
                   национальном эквиваленте
(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.9.            Необработанные фторированные
                   соединения:

 

 1.3.9.1.          Сополимеры винилидена фторида       3904 69 800 0
                   (1,1-дифторэтилена), содержащие
                   75% или более
                   бета-кристаллической структуры,
                   полученной без вытягивания;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.9.2.          Фторированные полиимиды,            3904 69 800 0
                   содержащие 10% (по весу) или более
                   связанного фтора;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.9.3.          Фторированные фосфазеновые          3904 69 200 0;
                   эластомеры, содержащие 30% (по      3904 69 800 0
                   весу) или более связанного фтора
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.10.           Волокнистые или нитевидные
                   материалы:

 

 1.3.10.1.         Органические волокнистые или        5402 11 000 0;
                   нитевидные материалы, имеющие       5404 12 000 0;
                   все следующие характеристики:       5404 19 000 0;
                   а) удельный модуль упругости более  5501 10 000 1;
                   12,7 x 106  м; и                    5503 11 000 0
                   б) удельную прочность при
                   растяжении более 23,5 x 104  м

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.3.10.1 не применяется к
                   полиэтилену;

 

1.3.10.2.          Углеродные волокнистые              6815 10 100 0
                   или нитевидные материалы, имеющие
                   все следующие характеристики:
                   а) удельный модуль упругости более
                   14,65 x 106  м; и
                   б) удельную прочность при
                   растяжении более 26,82 x 104  м

 

                   Техническое примечание. Исключено. - Указ  Президента РФ
                   от 21.07.2014 N 519

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.3.10.2 не применяется:

 

                   а) к элементам конструкций из
                   волокнистых или нитевидных
                   материалов объемной или слоистой
                   структуры для ремонта гражданских
                   летательных аппаратов, имеющим все
                   следующее:
                   площадь, не превышающую 1 м2;
                   длину, не превышающую 2,5 м; и
                   ширину более 15 мм;
                   б) к механически штапелированным,
                   валяным или резаным (кусковым)
                   углеродным волокнистым или
                   нитевидным материалам длиной 25 мм
                   или менее;

 

 1.3.10.3.         Неорганические волокнистые или      8101 96 000 0;
                   нитевидные материалы, имеющие все   8101 99 900 0;
                   следующие характеристики:           8108 90 300 9;
                   а) удельный модуль упругости,       8108 90 900 9
                   превышающий 2,54 x 106  м; и
                   б) точку плавления, размягчения,
                   разложения или сублимации в
                   инертной среде, превышающую
                   температуру 1922 K (1649 °C)

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.3.10.3 не применяется:
                   а) к дискретным, многофазным,
                   поликристаллическим волокнам
                   оксида алюминия в виде рубленых
                   волокон или волокон, беспорядочно
                   уложенных в матах, содержащим 3%
                   или более (по весу) диоксида
                   кремния и имеющим удельный модуль
                   упругости менее 10 x 106  м;
                   б) к молибденовым волокнам и
                   волокнам из молибденовых сплавов;
                   в) к волокнам бора;
                   г) к дискретным керамическим
                   волокнам с температурой плавления,
                   размягчения, разложения или
                   сублимации в инертной среде ниже
                   2043 K (1770 °C)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Технические примечания:
                   1. Для целей расчета удельной
                   прочности при растяжении, удельного
                   модуля упругости или удельного веса
                   волокнистых или нитевидных
                   материалов, определенных в пункте
                   1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3,
                   их значения должны определяться
                   с использованием Метода A,
                   описанного в международном
                   стандарте ISO 10618 (2004) или
                   его национальном эквиваленте.
                   2. Оценка удельной прочности при
                   растяжении, удельного модуля
                   упругости или удельного веса
                   волокнистых или нитевидных
                   материалов, определенных
                   в пункте 1.3.10, должна
                   основываться на механических
                   свойствах содержащихся в них
                   однонаправленных моноволокон
                   до их переработки
                   в неоднонаправленные волокнистые
                   или нитевидные материалы;
(технические примечания введены Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.10.4.         Волокнистые или нитевидные
                   материалы, имеющие любой из
                   следующих составов:

 

 1.3.10.4.1.       Состоящие из любого из
                   нижеследующих материалов:

 

 1.3.10.4.1.1.     Полиэфиримидов, определенных в      5402 11 000 0;
                   пункте 1.3.8.1; или                 5402 20 000;
                                                       5402 49 000 0;
                                                       5404 12 000 0;
                                                       5404 19 000 0;
                                                       5501 10 000 1;
                                                       5501 20 000 0;
                                                       5501 90 000 0;
                                                       5503 11 000 0;
                                                       5503 20 000 0;
                                                       5503 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.10.4.1.2.     Материалов, определенных в          5402 20 000;
                   пунктах 1.3.8.2 - 1.3.8.5; или      5402 49 000 0;
                                                       5404 12 000 0;
                                                       5404 19 000 0;
                                                       5501 20 000 0;
                                                       5501 90 000 0;
                                                       5503 20 000 0;
                                                       5503 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 1.3.10.4.2.       Состоящие из материалов,
                   определенных в пункте 1.3.10.4.1.1
                   или 1.3.10.4.1.2, и связанные с
                   волокнами других типов,
                   определенных в пункте 1.3.10.1,
                   1.3.10.2 или 1.3.10.3

 

                   Особое примечание.
                   В отношении материалов, указанных
                   в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2,
                   см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2
                   раздела 2;

 

 1.3.10.5.         Волокнистые или нитевидные          3801;
                   материалы, полностью или частично   3926 90 970 5;
                   пропитанные смолой или пеком        6815 10 100 0;
                   (препреги), волокнистые или         6815 10 900;
                   нитевидные материалы, покрытые      6815 99 000;
                   металлом или углеродом (преформы),  7019 11 000 0;
                   или углеродные волокнистые          7019 12 000 0;
                   преформы, имеющие все следующее:    7019 19;
                   а) имеющие любое из следующего:     7019 40 000 0;
                   1) неорганические волокнистые или   7019 51 000 0;
                   нитевидные материалы, определенные  7019 52 000 0;
                   в пункте 1.3.10.3; или              7019 59 000 0
                   2) органические или углеродные
                   волокнистые или нитевидные
                   материалы, имеющие все следующее:
                   удельный модуль упругости,
                    превышающий 10,15 x 106  м; и
                   удельную прочность при растяжении,
                   превышающую 17,7 x 104  м; и
                   б) имеющие любое из следующего:
                   1) смолу или пек, определенные в
                   пункте 1.3.8 или 1.3.9.2; или
                   2) температуру перехода в
                   стеклообразное состояние по
                   динамическому - термомеханическому
                   анализу (DMA Tg ), равную 453 K
                   (180 °C) или выше, а также феноло-
                   альдегидный полимер; или
                   3) температуру перехода в
                   стеклообразное состояние по
                   динамическому - термомеханическому
                   анализу (DMA Tg ), равную 505 K
                   (232 °C) или выше, а также смолу
                   или пек, не определенные в пункте
                   1.3.8 или 1.3.9.2, и не являющиеся
                   феноло-альдегидным полимером
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Техническое примечание.
                   Температура перехода в
                   стеклообразное состояние по
                   динамическому (во времени) -
                   термомеханическому
                   (гранулометрическому) анализу
                   (DMA Tg ) для материалов,
                   определенных в пункте 1.3.10.5,
                   определяется с использованием
                   метода, описанного в ASTM D 7028-
                   07, или его национальном
                   эквиваленте, на сухом образце для
                   испытаний. Для термореактивных
                   материалов степень отверждения
                   сухого образца для испытаний
                   должна быть минимум 90%, как это
                   определяется стандартом
                   ASTM E 2160-04 или его
                   национальным эквивалентом

 

                   Примечания:
                   1. Волокнистые или нитевидные
                   материалы, покрытые металлом или
                   углеродом (преформы), или
                   углеродные волокнистые преформы,
                   не пропитанные смолой или пеком,
                   определяются как волокнистые или
                   нитевидные материалы по пункту
                   1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3.
                   2. Пункт 1.3.10.5 не применяется:
                   а) к элементам конструкций
                   объемной
                   или слоистой структуры из
                   углеродных волокнистых или
                   нитевидных материалов, пропитанных
                   матрицей из эпоксидной смолы
                   (препрегов), для ремонта
                   гражданских летательных аппаратов,
                   имеющим все следующее:
                   площадь, не превышающую 1 м2;
                   длину, не превышающую 2,5 м; и
                   ширину более 15 мм;
                   б) к механически штапелированным,
                   валяным или резаным (кусковым)
                   углеродным волокнистым или
                   нитевидным материалам длиной 25 мм
                   или менее, полностью или частично
                   пропитанным смолами или пеками,
                   отличными от определенных в
                   пунктах 1.3.8 или 1.3.9.2

 

 1.3.11.           Следующие металлы и соединения:

 

 1.3.11.1.         Металлы в виде частиц с размерами   8104 30 000 0;
                   менее 60 мкм сферической,           8109 20 000 0
                   пылевидной, сфероидальной форм,
                   чешуйчатые или измельченные,
                   изготовленные из материала,
                   содержащего 99% или более
                   циркония, магния или их сплавов

 

                   Техническое примечание.
                   При определении содержания
                   циркония в него включается
                   природная примесь
                   гафния (обычно 2 - 7%)

 

                   Примечание.
                   Металлы или сплавы, определенные в
                   пункте 1.3.11.1, подлежат контролю
                   независимо от того, инкапсулированы
                   они или нет в алюминий, магний,
                   цирконий или бериллий;

 

 1.3.11.2.         Бор или его сплавы, приведенные     2804 50 100 0;
                   ниже, с размерами частиц 60 мкм     2849 90 100 0;
                   или менее:                          3824 90 970 9
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) бор чистотой 85% по весу или
                   выше;
                   б) сплавы бора с содержанием бора
                   85% по весу или выше

 

                   Примечание.
                   Металлы или сплавы, определенные в
                   пункте 1.3.11.2, подлежат контролю
                   независимо от того, инкапсулированы
                   они или нет в алюминий, магний,
                   цирконий или бериллий;

 

 1.3.11.3.         Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4);     2925 29 000 0

 

 1.3.11.4.         Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)   2925 29 000 0

 

 1.3.12.           Следующие материалы:

 

 1.3.12.1.         Плутоний в любой форме с            2844 20 510 0;
                   содержанием изотопа плутония-238    2844 20 590 0;
                   более 50% (по весу)                 2844 20 990 0

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.3.12.1 не применяется:
                   а) к поставкам, содержащим
                   плутоний в количестве 1 г или
                   менее;
                   б) к поставкам, содержащим три
                   эффективных грамма плутония или
                   менее при использовании в качестве
                   чувствительного элемента в
                   приборах;

 

 1.3.12.2.         Предварительно обогащенный          2844 40 200 0;
                   нептуний-237 в любой форме          2844 40 300 0

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.3.12.2 не применяется к
                   поставкам, содержащим нептуний-237
                   в количестве 1 г или менее

 

                   Техническое примечание.
                   Материалы, указанные в пункте
                   1.3.12, обычно используются для
                   ядерных источников тепла

 

                   Особое примечание.
                   В отношении материалов, указанных
                   в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см.
                   также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2
                   и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3

 

 1.4.              Программное обеспечение

 

 1.4.1.            Программное обеспечение,
                   специально
                   разработанное или модифицированное
                   для разработки, производства или
                   применения оборудования,
                   определенного в пункте 1.2

 

 1.4.2.            Программное обеспечение для
                   разработки композиционных
                   материалов с объемной или слоистой
                   структурой на основе органических,
                   металлических или углеродных
                   матриц

 

                   Особое примечание.
                   В отношении программного
                   обеспечения, указанного в пункте
                   1.4.2, см. также пункт 1.4.1
                   раздела 2

 

 1.4.3.            Программное обеспечение,
                   специально разработанное или
                   модифицированное,
                   для того чтобы дать возможность
                   оборудованию/системам выполнять
                   функции оборудования/систем,
                   определенных в пункте 1.1.4.3 или
                   1.1.4.4;

 

 1.5.              Технология

 

 1.5.1.            Технологии в соответствии с общим
                   технологическим примечанием для
                   разработки или производства
                   компонентов из фторированных
                   соединений, определенных в пункте
                   1.1.1.2 или 1.1.1.3, конструкций
                   из композиционных материалов,
                   определенных в пункте 1.1.2,
                   изделий из ароматических
                   полиимидов, определенных в пункте
                   1.1.3, снаряжения, систем и
                   комплектующих, определенных в
                   пункте 1.1.4, бронежилетов и
                   компонентов, определенных в пункте
                   1.1.5, оборудования, определенного
                   в пункте 1.1.6.2, 1.1.7 или 1.2,
                   или материалов, определенных в
                   пункте 1.3

 

                   Особое примечание.
                   В отношении технологий, указанных
                   в пункте 1.5.1, см. также
                   пункт 1.5.1 разделов 2 и 3

 

 1.5.2.            Иные нижеследующие технологии:

 

 1.5.2.1.          Технологии разработки или
                   производства полибензотиазолов или
                   полибензоксазолов;

 

 1.5.2.2.          Технологии разработки или
                   производства фторэластомерных
                   соединений, содержащих по крайней
                   мере один винилэфирный мономер;

 

 1.5.2.3.          Технологии разработки или
                   производства следующих исходных
                   материалов или некомпозиционных
                   керамических материалов:

 

 1.5.2.3.1.        Исходных материалов, обладающих
                   всем нижеперечисленным:
                   а) любой из следующих композиций:
                   простые или сложные оксиды
                   циркония и сложные оксиды
                   кремния или алюминия;
                   простые нитриды бора (с кубической
                   кристаллической решеткой);
                   простые или сложные карбиды
                   кремния или бора; или простые
                   или сложные нитриды кремния;
                   б) суммарными металлическими
                   примесями, исключая преднамеренно
                   вносимые добавки, в количестве, не
                   превышающем:
                   1000 частей на миллион для простых
                   оксидов или карбидов; или
                   5000 частей на миллион для сложных
                   соединений или простых нитридов; и
                   в) являющихся любым из следующего:
                   1) диоксидом циркония (CAS 1314-
                   23-4), имеющим средний размер
                   частиц, равный или меньше 1 мкм,
                   и не более 10% частиц размером,
                   превышающим 5 мкм;
                   2) другими исходными материалами,
                   имеющими средний размер частиц,
                   равный или меньше 5 мкм, и не
                   более 10% частиц размером более 10
                   мкм; или
                   3) имеющих все следующее:
                   пластинки, отношение длины к
                   толщине которых превышает значение
                   5;  нитевидные кристаллы диаметром
                   менее 2 мкм, отношение длины к
                   диаметру которых превышает
                   значение 10; и непрерывные или
                   рубленные волокна диаметром менее
                   10 мкм;

 

 1.5.2.3.2.        Некомпозиционных керамических
                   материалов, состоящих из
                   материалов, определенных
                   в пункте 1.5.2.3.1

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.5.2.3.2 не применяется к
                   технологиям разработки или
                   производства абразивных
                   материалов;

 

 1.5.2.4.          Технологии производства
                   ароматических полиамидных волокон;

 

 1.5.2.5.          Технологии сборки, эксплуатации
                   или восстановления материалов,
                   определенных в пункте 1.3.1;

 

 1.5.2.6.          Технологии восстановления
                   конструкций из композиционных
                   материалов объемной или слоистой
                   структуры, определенных в пункте
                   1.1.2, или композиционных
                   материалов, определенных в пункте
                   1.3.7.3 или 1.3.7.4

 

                   Примечание.
                   Пункт 1.5.2.6 не применяется к
                   технологиям ремонта элементов
                   конструкций гражданских
                   летательных
                   аппаратов с использованием
                   углеродных волокнистых или
                   нитевидных материалов и эпоксидных
                   смол, содержащимся в руководствах
                   производителя летательных
                   аппаратов

 

                   Особое примечание.
                   В отношении технологий, указанных
                   в пунктах 1.5.2.5 и 1.5.2.6, см.
                   также пункты 1.5.2.1 и 1.5.2.2
                   раздела 2;

 

 1.5.2.7.          Библиотеки (параметрические
                   технические базы данных),
                   специально разработанные или
                   модифицированные, для того чтобы
                   дать возможность
                   оборудованию/системам выполнять
                   функции оборудования/систем,
                   определенных в пункте 1.1.4.3 или
                   1.1.4.4

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей пункта 1.5.2.7 под
                   термином "библиотека"
                   (параметрическая техническая база
                   данных) понимается совокупность
                   технической информации, обращение
                   к которой может улучшить рабочие
                   характеристики соответствующего
                   оборудования или систем

 

                     КАТЕГОРИЯ 2. ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ

 

 2.1.              Системы, оборудование и компоненты

 

 2.1.1.            Подшипники качения или
                   подшипниковые системы и их
                   составные части:

 

 2.1.1.1.          Шариковые и неразъемные роликовые   8482 10 100 9;
                   радиальные и радиально-упорные      8482 10 900;
                   подшипники качения, имеющие все     8482 30 000 9;
                   допуски, определенные               8482 40 000 9;
                   производителем, в соответствии с    8482 50 000 9;
                   классом точности 4 или лучше по     8482 91 900 0;
                   международному стандарту ISO 492    8482 99 000 0
                   или его национальному эквиваленту,
                   в которых как кольца, так и тела
                   качения (ISO 5593) изготовлены из
                   медно-никелевого сплава или
                   бериллия

 

                   Примечание.
                   Пункт 2.1.1.1 не применяется к
                   коническим роликовым подшипникам;

 

 2.1.1.2.          Активные магнитные подшипниковые    8483 30 380 9;
                   системы, характеризующиеся хотя бы  8483 30 800 8;
                   одним из нижеперечисленных          8505 11 000 0;
                   качеств:                            8505 19 100 0;
                   а) выполнены из материала с         8505 19 900 0;
                   магнитной индукцией 2 Т или более   8505 90 200 0;
                   и пределом текучести выше 414 МПа;  8505 90 900 0
                   б) являются полностью
                   электромагнитными с трехмерным
                   униполярным подмагничиванием
                   привода; или
                   в) имеют высокотемпературные, с
                   температурой 450 K (177 °C) и
                   выше, позиционные датчики
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечание.
                   Пункт 2.1.1 не применяется к
                   шарикам с допусками, определенными
                   производителем, в соответствии с
                   международным стандартом ISO 3290,
                   по степени точности 5 или ниже
                   (хуже)

 

 2.2.              Испытательное, контрольное и
                   производственное оборудование

 

                   Технические примечания:
                   1. Вторичные параллельные оси для
                   контурной обработки (например, W-
                   ось на горизонтально-расточных
                   станках или вторичная ось
                   вращения, центральная линия
                   которой параллельна первичной оси
                   вращения) не засчитываются в общее
                   количество осей. Ось вращения
                   необязательно означает вращение на
                   угол, больший 360 градусов.
                   Вращение может задаваться
                   устройством линейного перемещения
                   (например, винтом или зубчатой
                   рейкой).
                   2. Для целей пункта 2.2 количество
                   осей, которые могут быть совместно
                   скоординированы для контурного
                   управления, является количеством
                   осей, по которым или вокруг
                   которых в процессе обработки
                   заготовки осуществляются
                   одновременные и взаимосвязанные
                   движения между обрабатываемой
                   деталью и инструментом. Это не
                   включает любые
                   дополнительные оси, по которым или
                   вокруг которых осуществляются
                   другие относительные движения в
                   станке. Такие оси включают:
                   а) оси систем правки шлифовальных
                   кругов в шлифовальных станках;
                   б) параллельные оси вращения,
                   предназначенные для установки
                   отдельных обрабатываемых деталей;
                   в) коллинеарные оси вращения,
                   предназначенные для
                   манипулирования одной
                   обрабатываемой деталью путем
                   закрепления ее в патроне с разных
                   концов.
                   3. Номенклатура осей определяется
                   в соответствии с международным
                   стандартом ISO 841 "Станки с
                   числовым программным управлением.
                   Номенклатура осей и видов
                   движения".
                   4. Для целей настоящей категории
                   качающийся шпиндель
                   рассматривается как ось вращения.
                   5. Заявленная точность
                   позиционирования для каждой модели
                   станка, полученная в результате
                   измерений, проведенных в
                   соответствии с международным
                   стандартом ISO 230/2 (2006) или
                   его национальным эквивалентом,
                   может использоваться для всех
                   станков одной модели как
                   альтернатива испытаниям отдельных
                   станков.
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   Заявленная точность
                   позиционирования означает значение
                   точности, представленное в
                   качестве показателя точности
                   станков модели конкретного
                   исполнения специально
                   уполномоченному федеральному
                   органу исполнительной власти в
                   области экспортного контроля.
                   Определение заявленной точности
                   позиционирования:
                   а) выбирается пять станков модели,
                   подлежащей оценке;
                   б) измеряется точность линейных
                   осей в соответствии с
                   международным
                   стандартом ISO 230/2 (1997);
                   в) определяются величины
                   показателей A для каждой оси
                   каждого станка. Метод определения
                   величины показателя A описан в
                   стандарте ISO;
                   г) определяется среднее значение
                   показателя A для каждой оси. Эта
                   средняя величина Ā становится
                   заявленной величиной (Āх, Āу...)
                   для всех станков данной модели;
                   д) поскольку станки, указанные в
                   категории 2 настоящего раздела,
                   имеют несколько линейных осей,
                   количество заявленных величин
                   показателя точности равно
                   количеству линейных осей;
                   е) если любая из осей какой-либо
                   модели станка, не определенного
                   в пунктах 2.2.1.1 - 2.2.1.3,
                   характеризуется показателем Ā,
                   равным или менее (лучше), чем
                   заявленная точность
                   позиционирования каждой модели
                   станка плюс 2 мкм, то производитель
                   обязан каждые 18 месяцев заново
                   подтверждать величину точности
                   позиционирования.
(пп. "е" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   6. Для целей пункта 2.2 не следует
                   учитывать погрешность измерения
                   точности позиционирования станков,
                   определенную в соответствии
                   с международным стандартом
                   ISO 230/2 (2006) или его
                   национальным эквивалентом
(п. 6 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 2.2.1.            Станки, определенные ниже, и любые
                   их сочетания для обработки или
                   резки металлов, керамики и
                   композиционных материалов, которые
                   в соответствии с техническими
                   условиями изготовителя могут быть
                   оснащены электронными устройствами
                   для числового программного
                   управления:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечания:
                   1. Пункт 2.2.1 не применяется к
                   станкам, ограниченным
                   изготовлением зубчатых колес. Для
                   таких станков см. пункт 2.2.3.
                   2. Пункт 2.2.1 не применяется
                   к специальным станкам, ограниченным
                   изготовлением любых из следующих
                   изделий:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) коленчатых или
                   распределительных валов;
                   б) режущих инструментов;
                   в) червяков экструдеров;
                   г) гравированных или ограненных
                   частей ювелирных изделий; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   д) зубных протезов.
(пп. "д" введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   3. Станок, имеющий по крайней мере
                   две возможности из трех: токарной
                   обработки, фрезерования или
                   шлифования (например, токарный
                   станок с возможностью
                   фрезерования), должен быть оценен
                   по каждому соответствующему пункту
                   2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3

 

                   Особое примечание.
                   Для станков чистовой обработки
                   (финишных станков) оптики см.
                   пункт 2.2.2

 

 2.2.1.1.          Токарные станки, имеющие все        8458;
                   следующие характеристики:           8464 90 000 0;
                   а) точность позиционирования вдоль  8465 99 000 0
                   одной линейной оси или более со
                   всеми доступными компенсациями,
                   равную 3 мкм или менее (лучше)
                   в соответствии с международным
                   стандартом ISO 230/2 (2006) или
                   его национальным эквивалентом; и
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   б) две или более оси, которые
                   могут быть совместно
                   скоординированы для контурного
                   управления
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечание.
                   Пункт 2.2.1.1 не применяется к
                   токарным станкам, специально
                   разработанным для производства
                   контактных линз, имеющим все
                   следующие характеристики:
                   а) контроллер станка, ограниченный
                   для применения в
                   офтальмологических целях и
                   основанный на программном
                   обеспечении для частичного
                   программируемого ввода данных; и
                   б) отсутствие вакуумного патрона;

 

 2.2.1.2.          Фрезерные станки, имеющие любую из  8459 31 000 0;
                   следующих характеристик:            8459 51 000 0;
                   а) имеющие все следующие            8459 61;
                   характеристики:                     8464 90 000 0;
                   точность позиционирования вдоль     8465 92 000 0
                   одной линейной оси или более со
                   всеми доступными компенсациями,
                   равную 3 мкм или менее (лучше)
                   в соответствии с международным
                   стандартом ISO 230/2 (2006) или
                   его национальным эквивалентом; и
                   три линейные оси плюс одну ось
                   вращения, которые могут быть
                   совместно скоординированы для
                   контурного управления;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   б) пять или более осей, которые
                   могут быть совместно
                   скоординированы для контурного
                   управления и имеют любую из
                   следующих характеристик:

 

                   Примечание.
                   Станки с механизмом параллельной
                   кинематики определены в пункте 4
                   подпункта "б" пункта 2.2.1.2

 

                   1) точность позиционирования вдоль
                   одной линейной оси или более со
                   всеми доступными компенсациями,
                   равную 3 мкм или менее (лучше)
                   в соответствии с международным
                   стандартом ISO 230/2 (2006) или
                   его национальным эквивалентом,
                   с рабочей зоной менее 1 м;

 

                   2) точность позиционирования вдоль
                   одной линейной оси или более со
                   всеми доступными компенсациями,
                   равную 4,5 мкм или менее (лучше) в
                   соответствии с международным
                   стандартом ISO 230/2 (2006) или
                   его национальным эквивалентом,
                   с рабочей зоной от 1 м до 2 м;

 

                   3) точность позиционирования вдоль
                   одной линейной оси или более со
                   всеми доступными компенсациями,
                   равную 4,5 + 7 x (L - 2) мкм
                   (где L - длина рабочей зоны в
                   метрах) или менее (лучше)
                   в соответствии с международным
                   стандартом ISO 230/2 (2006)
                   или его национальным эквивалентом,
                   с рабочей зоной 2 м или более; или

 

                   4) являющиеся станками с механизмом
                   параллельной кинематики
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Техническое примечание.
                   Станок с механизмом параллельной
                   кинематики - станок, имеющий
                   множество штанг, связанных
                   со станиной и исполнительными
                   механизмами, каждый из которых
                   управляет соответствующей штангой
                   одновременно и автономно;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   в) для координатно-расточных
                   станков точность позиционирования
                   вдоль одной линейной оси или более
                   со всеми доступными компенсациями,
                   равную 3 мкм или менее (лучше) в
                   соответствии с международным
                   стандартом ISO 230/2 (2006) или
                   его национальным эквивалентом; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   г) станки с летучей фрезой,
                   имеющие все следующие
                   характеристики:
                   биение шпинделя и эксцентриситет
                   менее (лучше) 0,0004 мм полного
                   показания индикатора (ППИ); и
                   повороты суппорта относительно
                   трех ортогональных осей меньше
                   (лучше) двух дуговых секунд ППИ на
                   300 мм перемещения;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 2.2.1.3.          Шлифовальные станки, имеющие любую  8460 11 000;
                   из следующих характеристик:         8460 19 000 0;
                   а) имеющие все следующие            8460 21;
                   характеристики:                     8460 29;
                   точность позиционирования вдоль     8464 20 800 0;
                   одной линейной оси или более со     8465 93 000 0
                   всеми доступными компенсациями,
                   равную 3 мкм или менее (лучше) в
                   соответствии с международным
                   стандартом ISO 230/2 (2006) или
                   его национальным эквивалентом; и
                   три или более оси, которые могут
                   быть совместно скоординированы для
                   контурного управления; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   б) пять или более осей, которые
                   могут быть совместно
                   скоординированы для
                   контурного управления
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечание.
                   Пункт 2.2.1.3 не применяется к
                   следующим шлифовальным станкам:
                   а) круглошлифовальным,
                   внутришлифовальным и универсальным
                   шлифовальным станкам, обладающим
                   семи следующими характеристиками:
                   предназначенным лишь для круглого
                   шлифования; и
                   максимально возможной длиной или
                   наружным диаметром
                   обрабатываемой детали 150 мм;
                   б) станкам, специально
                   разработанным как координатно-
                   шлифовальные станки, не имеющие Z-
                   оси или W-оси, с точностью
                   позиционирования со всеми
                   доступными компенсациями меньше
                   (лучше) 3 мкм в соответствии с
                   международным стандартом ISO 230/2
                   (2006) или его национальным
                   эквивалентом;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   в) плоскошлифовальным станкам;

 

 2.2.1.4.          Станки для электроискровой          8456 30
                   обработки (СЭО) беспроволочного
                   типа, имеющие две или более оси
                   вращения, которые могут быть
                   совместно скоординированы для
                   контурного управления;

 

 2.2.1.5.          Станки для обработки металлов,      8424 30 900 0;
                   керамики или композиционных         8456 10 00;
                   материалов, имеющие все следующие   8456 90 800 0
                   характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) обработка материалов
                   осуществляется любым из следующих
                   способов:
                   струями воды или других жидкостей,
                   в том числе с абразивными
                   присадками;
                   электронным лучом;
                   или лазерным лучом; и
                   б) по крайней мере две оси
                   вращения, имеющие все следующее:
                   возможность быть совместно
                   скоординированными для контурного
                   управления; и
                   точность позиционирования менее
                   (лучше) 0,003 градуса;

 

 2.2.1.6.          Сверлильные станки для сверления    8458;
                   глубоких отверстий или токарные     8459 21 000 0;
                   станки, модифицированные для        8459 29 000 0
                   сверления глубоких отверстий,
                   обеспечивающие максимальную
                   глубину сверления отверстий более
                   5000 мм
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 2.2.2.            Станки с числовым программным       8464 20 110 0;
                   управлением для чистовой обработки  8464 20 190 0;
                   (финишные станки) асферических      8464 20 800 0;
                   оптических поверхностей с           8465 93 000 0
                   выборочным снятием материала,
                   имеющие все следующие
                   характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) осуществляющие доводку контура
                   до менее (лучше) 1,0 мкм;
                   б) осуществляющие чистовую
                   обработку до среднеквадратичного
                   значения шероховатости менее
                   (лучше) 100 нм;
                   в) имеющие четыре или более оси,
                   которые могут быть совместно
                   скоординированы для контурного
                   управления; и
                   г) использующие любой из следующих
                   процессов:
                   магнитореологической чистовой
                   обработки (МРЧО);
                   электрореологической чистовой
                   обработки (ЭРЧО);
                   чистовой обработки пучками
                   высокоэнергетических частиц;
                   чистовой обработки с помощью
                   рабочего органа в виде надувной
                   мембраны; или
                   жидкоструйной чистовой обработки

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей пункта 2.2.2:
                   а) под МРЧО понимается процесс
                   съема материала, использующий
                   абразивную магнитную жидкость,
                   вязкость которой регулируется
                   магнитным полем;
                   б) под ЭРЧО понимается процесс
                   съема материала, использующий
                   абразивную жидкость, вязкость
                   которой регулируется электрическим
                   полем;
                   в) под чистовой обработкой пучками
                   высокоэнергетических частиц
                   понимается процесс, использующий
                   плазму атомов химически активных
                   элементов или пучки ионов для
                   избирательного съема материала;
                   г) под чистовой обработкой с
                   помощью рабочего органа в виде
                   надувной мембраны понимается
                   процесс, в котором используется
                   мембрана под давлением,
                   деформирующая изделие при контакте
                   с ней на небольшом участке;
                   д) под жидкоструйной чистовой
                   обработкой понимается процесс,
                   использующий поток жидкости для
                   съема материала

 

 2.2.3.            Станки с числовым программным       8461 40 710 0;
                   управлением или станки с ручным     8461 40 790 0
                   управлением и специально
                   предназначенные для них
                   компоненты, оборудование для
                   контроля и приспособления,
                   специально разработанные для
                   шевингования, финишной обработки,
                   шлифования или хонингования
                   закаленных (Rc = 40 или более)
                   прямозубых цилиндрических,
                   косозубых и шевронных шестерен
                   диаметром делительной окружности
                   более 1250 мм и шириной зубчатого
                   венца, равной 15% от диаметра
                   делительной окружности или более,
                   с качеством после финишной
                   обработки по классу 3 в
                   соответствии с международным
                   стандартом ISO 1328

 

 2.2.4.            Горячие изостатические прессы,      8462 99
                   имеющие все нижеперечисленное,
                   и специально разработанные для
                   них компоненты и приспособления:
                   а) камеры с регулируемыми
                   температурами внутри рабочей
                   полости и внутренним диаметром
                   полости камеры 406 мм и более; и
                   б) любую из следующих
                   характеристик:
                   максимальное рабочее давление выше
                   207 МПа;
                   регулируемые температуры
                   выше 1773 K (1500 °C); или
                   оборудование для насыщения
                   углеводородом и удаления
                   газообразных продуктов разложения

 

                   Техническое примечание.
                   Внутренний размер камеры относится
                   к полости, в которой достигаются
                   рабочие давление и температура,
                   при этом исключаются установочные
                   приспособления. Указанный выше
                   размер будет наименьшим из двух
                   размеров - внутреннего диаметра
                   камеры высокого давления или
                   внутреннего диаметра изолированной
                   высокотемпературной камеры - в
                   зависимости от того, какая из этих
                   камер находится в другой

 

 2.2.5.            Оборудование, специально
                   разработанное для осаждения,
                   обработки и активного управления
                   процессом нанесения неорганических
                   покрытий, слоев и модификации
                   поверхности (за исключением
                   формирования подложек для
                   электронных схем) с использованием
                   процессов, указанных в таблице к
                   пункту 2.5.3.6 и отмеченных в
                   примечаниях к ней, а также
                   специально разработанные для него
                   автоматизированные компоненты
                   установки, позиционирования,
                   манипулирования и регулирования:

 

 2.2.5.1.          Производственное оборудование для   8419 89 989 0
                   химического осаждения из паровой
                   фазы (CVD), имеющее все
                   нижеследующее:
                   а) процесс, модифицированный для
                   реализации одного из следующих
                   методов:
                   CVD с пульсирующим режимом;
                   термического осаждения с
                   управляемым образованием центров
                   кристаллизации (CNTD); или
                   CVD с применением плазменного
                   разряда, модифицирующего процесс; и
                   б) включающее любое из следующего:
                   высоковакуумные (вакуум, равный
                   0,01 Па или ниже (лучше)
                   вращающиеся уплотнения; или
                   средства регулирования толщины
                   покрытия в процессе осаждения;

 

 2.2.5.2.          Производственное оборудование       8543 10 000 0
                   ионной имплантации с током пучка 5
                   мА или более;

 

 2.2.5.3.          Технологическое оборудование для    8543 70 900 0
                   физического осаждения из паровой
                   фазы, получаемой нагревом
                   электронным пучком (EB-PVD),
                   включающее силовые системы с
                   расчетной мощностью более 80 кВт и
                   имеющее любую из следующих
                   составляющих:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) лазерную систему управления
                   уровнем жидкой ванны, которая
                   точно регулирует скорость подачи
                   заготовок; или
                   б) управляемое компьютером
                   контрольно-измерительное
                   устройство, работающее на принципе
                   фотолюминесценции ионизированных
                   атомов в потоке пара, необходимое
                   для управления скоростью осаждения
                   покрытия, содержащего два или
                   более элемента;

 

 2.2.5.4.          Производственное оборудование       8419 89 300 0;
                   плазменного напыления, обладающее   8419 89 98
                   любой из следующих характеристик:
                   а) работающее при пониженном
                   давлении контролируемой атмосферы
                   (равном или ниже 10 кПа,
                   измеряемом на расстоянии до 300 мм
                   над выходным сечением сопла
                   плазменной горелки) в вакуумной
                   камере, которая перед началом
                   процесса напыления может быть
                   откачана до 0,01 Па; или
                   б) включающее средства
                   регулирования толщины покрытия в
                   процессе напыления;

 

 2.2.5.5.          Производственное оборудование       8419 89 300 0;
                   осаждения распылением,              8419 89 98
                   обеспечивающее плотность тока 0,1
                   мА/мм2 или более, со скоростью
                   осаждения 15 мкм/ч или более;

 

 2.2.5.6.          Производственное оборудование       8543 70 900 0
                   катодно-дугового напыления,
                   включающее систему электромагнитов
                   для управления положением
                   активного пятна дуги на катоде;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 2.2.5.7.          Производственное оборудование,       8543 70 900 0
                   способное к измерению в процессе
                   ионного осаждения любого из
                   следующего:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   а) толщины покрытия на подложке с
                   управлением скоростью осаждения;
                   или
                   б) оптических характеристик

 

                   Примечание.
                   Пункты 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5,
                   2.2.5.6 и 2.2.5.7 не применяются
                   соответственно к оборудованию
                   химического осаждения из паровой
                   фазы (CVD), ионной имплантации,
                   осаждения распылением, катодно-
                   дугового напыления и ионного
                   осаждения, специально
                   разработанному для покрытия
                   режущего или обрабатывающего
                   инструмента

 

 2.2.6.            Системы, оборудование и
                   электронные сборки для измерения
                   или контроля размеров:

 

 2.2.6.1.          Координатно-измерительные машины    9031 80 320 0;
                   (КИМ) с компьютерным управлением    9031 80 340 0
                   или числовым программным
                   управлением, имеющие в
                   соответствии с международным
                   стандартом ISO 10360-2 (2009)
                   пространственную (объемную)
                   максимально допустимую погрешность
                   измерения длины
                   (E0,MPE,) в любой точке в пределах
                   рабочего диапазона машины (то есть
                   в пределах длины осей), равную или
                   меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм
                   (L - измеряемая длина в
                   миллиметрах)

 

                   Техническое примечание.
                   (E0,MPE) лучшей компоновки КИМ,
                   определенная производителем
                   например, лучшее из следующего:
                   измерительная головка, длина
                   измерительного наконечника,
                   параметры хода, режим работы) и со
                   всеми доступными компенсациями,
                   должна сравниваться с пороговой
                   величиной (1,7 + L/1000) мкм;

 

 2.2.6.2.          Приборы для измерения линейных или
                   угловых перемещений:

 

 2.2.6.2.1.        Приборы для измерения линейных      9031 49 900 0;
                   перемещений, имеющие любую из       9031 80 320 0;
                   следующих составляющих:             9031 80 340 0;
                                                       9031 80 910 0
                   Примечание.
                   Лазерные интерферометры для
                   измерения перемещений определены
                   только в подпункте "в" пункта
                   2.2.6.2.1
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей пункта 2.2.6.2.1
                   линейное перемещение означает
                   изменение расстояния между
                   измеряющим элементом и
                   контролируемым объектом

 

                   а) измерительные системы
                   бесконтактного типа с разрешением,
                   равным или меньше (лучше) 0,2 мкм,
                   при диапазоне измерений до 0,2 мм;
                   б) системы дифференциальных
                   преобразователей для измерения
                   линейных перемещений (LVDT),
                   имеющие все следующие
                   характеристики:
                   1) имеющие любое из следующего:
                   линейность, равную или меньше
                   (лучше) 0,1%, измеренную от 0
                   до предела рабочего диапазона
                   для LVDT с пределом рабочего
                   диапазона
 
                   ±5 мм или менее;
                   или
                   линейность, равную или меньше
                   (лучше) 0,1%, измеренную от
                   0 до 5 мм для LVDT с пределом
                   рабочего диапазона более
                   
                   ±5 мм; и
                   2) дрейф, равный или меньше
                   (лучше) 0,1% в день, при
                   стандартной комнатной температуре
                   
                    ±1 K
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Техническое примечание.
                   Для целей подпункта "б" пункта
                   2.2.6.2.1 пределом рабочего
                   диапазона является половина
                   полного возможного линейного
                   перемещения LVDT. Например,
                   LVDT с пределом рабочего
                   диапазона 
                   
                   ±5 мм или менее могут
                   измерять полное возможное
                   линейное перемещение в 10 мм;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   в) измерительные системы, имеющие
                   все следующие составляющие:
                   содержащие лазер; и
                   сохраняющие в течение по крайней
                   мере 12 часов при температуре
                   20 °C +/- 1 °C все следующие
                   характеристики:
                   разрешение на полной шкале 0,1 мкм
                   или меньше (лучше); и
                   способность достигать погрешности
                   измерения при компенсации
                   показателя преломления воздуха в
                   любой точке в пределах измеряемого
                   диапазона, равной или меньше
                   (лучше) (0,2 + L/2000) мкм
                   (L - измеряемая длина в
                   миллиметрах); или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   г) электронные сборки, специально
                   разработанные для обеспечения
                   возможности обратной связи в
                   системах, определенных в подпункте
                   "в" пункта 2.2.6.2.1

 

                   Примечание.
                   Пункт 2.2.6.2.1 не применяется к
                   измерительным интерферометрическим
                   системам с автоматическим
                   управлением, разработанным для
                   применения техники без обратной
                   связи, содержащим лазер для
                   измерения погрешностей перемещения
                   подвижных частей станков, приборов
                   для измерения размеров или другого
                   подобного оборудования;

 

 2.2.6.2.2.        Приборы для измерения угловых       9031 49 900 0;
                   перемещений с точностью             9031 80 320 0;
                   измерения по угловой координате,    9031 80 340 0;
                   равной или меньше (лучше) 0,00025   9031 80 910 0
                   градуса
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечание.
                   Пункт 2.2.6.2.2 не применяется к
                   оптическим приборам, таким как
                   автоколлиматоры, использующие
                   коллимированный свет (например,
                   лазерное излучение) для фиксации
                   углового смещения зеркала;

 

 2.2.6.3.          Оборудование. использующее принцип  9031 49 900 0
                   оптического рассеяния для
                   измерения неровности
                   (шероховатости) поверхности
                   (включая дефекты поверхности) с
                   чувствительностью 0,5 нм или менее
                   (лучше);
(п. 2.2.6.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечание.
                   Пункт 2.2.6 включает станки,
                   отличные от определенных в пункте
                   2.2.1, которые могут быть
                   использованы в качестве
                   измерительных машин, если их
                   параметры соответствуют критериям,
                   определенным для параметров
                   измерительных машин, или
                   превосходят их

 

 2.2.7.            Роботы, имеющие любую из            8479 50 000 0;
                   нижеперечисленных характеристик, и  8537 10 100 0;
                   специально разработанные для них    8537 10 910 9;
                   устройства управления и рабочие     8537 10 990 0
                   органы:
                   а) способность в реальном масштабе
                   времени осуществлять полную
                   трехмерную обработку изображений
                   или полный трехмерный анализ сцены
                   с генерированием или модификацией
                   программ либо с генерированием или
                   модификацией данных для числового
                   программного управления

 

                   Техническое примечание.
                   Ограничения по анализу сцены не
                   включают аппроксимацию третьего
                   измерения по результатам
                   наблюдения под заданным углом или
                   ограниченную черно-белую
                   интерпретацию восприятия глубины
                   или текстуры для утвержденных
                   заданий (2 1/2 D);

 

                   б) специально разработанные в
                   соответствии с национальными
                   стандартами безопасности
                   применительно к условиям работы со
                   взрывчатыми веществами, которые
                   могут быть использованы в военных
                   целях

 

                   Примечание.
                   Подпункт "б" пункта 2.2.7 не
                   применяется к роботам, специально
                   разработанным для применения в
                   камерах для окраски распылением;

 

                   в) специально разработанные или
                   оцениваемые как радиационно
                   стойкие, выдерживающие более
                   5 x 103  Гр (по кремнию) [5 x 105
                   рад] без ухудшения
                   эксплуатационных
                   характеристик; или
                   г) специально разработанные для
                   работы на высотах, превышающих
                   30 000 м

 

 2.2.8.            Узлы или блоки, специально
                   разработанные для станков, или
                   системы для контроля или измерения
                   размеров:

 

 2.2.8.1.          Линейные измерительные элементы     9031
                   обратной связи, имеющие полную
                   точность менее (лучше) [800 +
                   (600 x L x 10-3  )] нм (L -
                   эффективная длина в миллиметрах)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Особое примечание.
                   Для лазерных систем см. также
                   подпункты "в" и "г" пункта
                   2.2.6.2.1;

 

 2.2.8.2.          Угловые измерительные элементы      9031
                   обратной связи, имеющие точность
                   менее (лучше) 0,00025 градуса
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Особое примечание.
                   Для лазерных систем см. также
                   пункт 2.2.6.2.2;

 

                   Примечание.
                   Пункты 2.2.8.1 и 2.2.8.2
                   применяются к измерительным
                   элементам, таким как устройства
                   индуктивного типа, калиброванные
                   шкалы, инфракрасные системы или
                   лазерные системы, предназначенным
                   для получения информации
                   о позиционировании при управлении
                   с обратной связью;
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 2.2.8.3.          Составные поворотные столы или      8466
                   качающиеся шпиндели, применение
                   которых в соответствии с
                   техническими характеристиками
                   изготовителя может модифицировать
                   станки до уровня, определенного в
                   пункте 2.2, или выше

 

 2.2.9.            Обкатные вальцовочные и гибочные    8462 21 100;
                   станки, которые в соответствии с    8462 21 800;
                   технической документацией           8463 90 000 0
                   производителя могут быть
                   оборудованы блоками числового
                   программного управления или
                   компьютерным управлением и которые
                   имеют все следующие
                   характеристики:
                   а) три или более оси, которые могут
                   быть одновременно скоординированы
                   для контурного управления; и
(пп. "а" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   б) усилие на валке/ролике более 60
                   кН

 

                   Техническое примечание.
                   Станки, объединяющие функции
                   обкатных вальцовочных и гибочных
                   станков, рассматриваются для целей
                   пункта 2.2.9 как относящиеся к
                   гибочным станкам

 

 2.3.              Материалы - нет

 

 2.4.              Программное обеспечение

 

 2.4.1.            Программное обеспечение иное, чем
                   определенное в пункте 2.4.2:

 

 2.4.1.1.          Программное обеспечение,
                   специально разработанное или
                   модифицированное для разработки
                   или производства подшипников
                   или подшипниковых систем,
                   определенных в пункте 2.1.1,
                   или оборудования, определенного
                   в пункте 2.2;

 

 2.4.1.2.          Программное обеспечение,
                   специально разработанное или
                   модифицированное для применения
                   подшипниковых систем,
                   определенных в пункте 2.1.1.2,
                   или оборудования, определенного
                   в пунктах 2.2.1, 2.2.3 - 2.2.9
(п. 2.4.1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Примечание.
                   Пункт 2.4.1 не применяется к
                   программному обеспечению,
                   которое генерирует коды
                   числового программного
                   управления для обработки
                   различных деталей
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                   Особое примечание.
                   В отношении программного
                   обеспечения, указанного в
                   пункте 2.4.1, см. также пункт
                   2.4.1 раздела 2
(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 2.4.2.            Программное обеспечение для
                   электронных устройств, в том числе
                   встроенное в электронное
                   устройство
                   или систему, дающее возможность
                   таким устройствам или системам
                   функционировать как блок ЧПУ,
                   способный координировать
                   одновременно более четырех осей
                   для контурного управления

 

                   Примечания:
                   1. Пункт 2.4.2 не применяется к
                   программному обеспечению,
                   специально разработанному или
                   модифицированному для работы
                   изделий, не определенных в
                   категории 2.
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   2. Пункт 2.4.2 не применяется к
                   программному обеспечению для
                   изделий, определенных в пункте
                   2.2.2. Для такого программного
                   обеспечения см. пункты 2.4.1 и
                   2.4.3.
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                   3. Пункт 2.4.2 не применяется
                   к программному обеспечению,
                   минимально необходимому для
                   эксплуатации изделий, не
                   определенных в категории 2,
                   и экспортируемому совместно
                   с этими изделиями
(п. 3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 2.4.3.            Программное обеспечение,
                   разработанное или модифицированное
                   для эксплуатации станков,
                   определенных в пункте 2.2.2,
                   преобразующее функции оптического
                   приспособления, измерения
                   обрабатываемой детали и снятия
                   материала в команды числового
                   программного управления для
                   получения заданной формы детали
(п. 2.4.3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 2.5.              Технология

 

 2.5.1.            Технологии в соответствии с общим
                   технологическим примечанием для
                   разработки подшипников или
                   подшипниковых систем, определенных
                   в пункте 2.1.1, оборудования,
                   определенного в пункте 2.2, или
                   программного обеспечения,
                   определенного в пункте 2.4

 

                   Примечание.
                   Пункт 2.5.1 включает технологию
                   встраивания систем щупов в КИМ,
                   определенные в пункте 2.2.6.1
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 2.5.2.            Технологии в соответствии с общим
                   технологическим примечанием для
                   производства подшипников или
                   подшипниковых систем, определенных
                   в пункте 2.1.1, или оборудования,
                   определенного в пункте 2.2

 

                   Особое примечание.
                   В отношении технологий, указанных
                   в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также
                   пункт 2.5.1 раздела 2

 

 2.5.3.            Иные нижеследующие технологии:

 

 2.5.3.1.          Технологии разработки
                   интерактивной графики как
                   встроенной части блока числового
                   программного управления для
                   подготовки или модификации
                   программ обработки деталей;

 

 2.5.3.2.          Технологии производственных
                   процессов металлообработки:

 

 2.5.3.2.1.        Технологии проектирования
                   инструмента, пресс-форм или
                   зажимных приспособлений,
                   специально разработанные для
                   любого из следующих процессов:
                   а) формообразования в условиях
                   сверхпластичности;
                   б) диффузионной сварки; или
                   в) гидравлического прессования
                   прямого действия;

 

 2.5.3.2.2.        Технические данные, включающие
                   описание технологического процесса
                   или его параметры:
                   а) для формообразования в условиях
                   сверхпластичности изделий из
                   алюминиевых, титановых сплавов или
                   суперсплавов:
                   подготовка поверхности;
                   скорость деформации;
                   температура;
                   давление;
                   б) для диффузионной сварки
                   титановых сплавов
                   или суперсплавов:
                   подготовка поверхности;
                   температура;
                   давление;
                   в) для гидравлического прессования
                   прямого действия алюминиевых или
                   титановых сплавов:
                   давление;
                   время цикла;
                   г) для горячего изостатического
                   уплотнения титановых, алюминиевых
                   сплавов или суперсплавов:
                   температура;
                   давление;
                   время цикла;

 

 2.5.3.3.          Технологии разработки или
                   производства гидравлических
                   прессов для штамповки с вытяжкой и
                   соответствующих матриц для
                   изготовления конструкций корпусов
                   летательных аппаратов;

 

 2.5.3.4.          Технологии разработки генераторов
                   машинных команд для управления
                   станком (например, программ
                   обработки деталей) на основе
                   проектных данных, хранимых в
                   блоках числового программного
                   управления;

 

 2.5.3.5.          Технологии разработки комплексного
                   программного обеспечения для
                   включения экспертных систем,
                   повышающих в заводских условиях
                   операционные возможности блоков
                   числового программного управления;

 

 2.5.3.6.          Технологии нанесения наружных
                   слоев неорганических покрытий, в
                   том числе для модификации
                   поверхностей, определенных в
                   колонке "Получаемое покрытие"
                   таблицы к настоящему пункту, на
                   подложки для неэлектронных
                   приборов/компонентов, определенные
                   в колонке "Подложки" указанной
                   таблицы, с использованием
                   процессов, определенных в колонке
                   "Процесс нанесения покрытия" этой
                   же таблицы и описанных в
                   технических примечаниях к ней

 

                   Особое примечание.
                   Нижеприведенная таблица к пункту
                   2.5.3.6. должна рассматриваться
                   для определения технологии
                   конкретного процесса нанесения
                   покрытия, только когда относящееся
                   к этому процессу получаемое
                   покрытие находится в абзаце
                   таблицы, расположенном напротив
                   выбранной подложки.

 

                   Например, технические
                   характеристики процесса
                   химического осаждения из паровой
                   фазы (CVD) (колонка таблицы
                   "Процесс нанесения покрытия")
                   включают нанесение силицидов
                   (колонка таблицы "Получаемое
                   покрытие") на подложки из углерод-
                   углерода, композиционных
                   материалов с керамической или
                   металлической матрицей (колонка
                   таблицы "Подложки"), но не
                   включают их нанесение на подложки
                   из металлокерамического карбида
                   вольфрама (16), карбида кремния
                   (18), так как во втором случае
                   покрытие из силицидов не
                   перечислено в абзаце колонки
                   "Получаемое покрытие",
                   расположенном непосредственно
                   напротив абзаца соответствующего
                   перечня колонки "Подложки"
                   (металлокерамический карбид
                   вольфрама (16), карбид кремния
                   (18)

 

───────────────────────────────────────────────────────────────────────────
Таблица к пункту 2.5.3.6
Технические приемы нанесения покрытий
─────────────────┬──────────────────────────┬──────────────────────────────
     Процесс     │         Подложки         │     Получаемое покрытие
    нанесения    │                          │
 покрытия (1) <*>│                          │
─────────────────┴──────────────────────────┴──────────────────────────────
 1. Химическое    суперсплавы                алюминиды на поверхности
 осаждение из                                внутренних каналов
 паровой фазы
 (CVD)            керамика (19) и стекла с   силициды, карбиды,
                  малым коэффициентом        диэлектрические слои (15),
                  линейного расширения (14)  алмаз, алмазоподобный углерод
                                             (17)

 

                  углерод-углерод,           силициды, карбиды,
                  композиционные материалы   тугоплавкие металлы, смеси
                  с керамической или         перечисленных выше материалов
                  металлической матрицей     (4), диэлектрические слои
                                             (15), алюминиды, сплавы на
                                             основе алюминидов (2), нитрид
                                             бора

 

                  металлокерамический        карбиды, вольфрам, смеси
                  карбид вольфрама (16),     перечисленных выше материалов
                  карбид кремния (18)        (4), диэлектрические слои
                                             (15)

 

                  молибден и его сплавы      диэлектрические слои (15)

 

                  бериллий и его сплавы      диэлектрические слои (15),
                                             алмаз, алмазоподобный углерод
                                             (17)

 

                  материалы окон             диэлектрические слои (15),
                  датчиков (9)               алмаз, алмазоподобный углерод
                                             (17)

 

 2. Физическое
 осаждение из
 паровой фазы,
 получаемой
 нагревом

 

 2.1. Физическое  суперсплавы                сплавы на основе силицидов,
 осаждение из                                сплавы на основе алюминидов
 паровой фазы,                               (2), MCrAlX (5),
 полученной                                  модифицированный
 нагревом                                    диоксид циркония (12),
 электронным                                 силициды, алюминиды, смеси
 пучком                                      перечисленных выше материалов
                                             (4)

 

                  керамика (19) и стекла с   диэлектрические слои
                  малым коэффициентом        (15)
                  линейного расширения (14)

 

                  коррозионно-стойкие        MCrAlX (5),
                  стали (7)                  модифицированный
                                             диоксид циркония (12),
                                             смеси перечисленных
                                             выше материалов (4)

 

                  углерод-углерод,           силициды, карбиды,
                  композиционные             тугоплавкие металлы,
                  материалы с керамической   смеси перечисленных
                  или металлической          выше материалов (4),
                  матрицей                   диэлектрические слои (15),
                                             нитрид бора

 

                  металлокерамический        карбиды, вольфрам, смеси
                  карбид вольфрама (16),     перечисленных выше материалов
                  карбид кремния (18)        (4), диэлектрические слои
                                             (15)

 

                  молибден и его сплавы      диэлектрические слои (15)

 

                  бериллий и его сплавы      диэлектрические слои
                                             (15), бориды, бериллий

 

                  материалы окон             диэлектрические слои
                  датчиков (9)               (15)

 

                  титановые сплавы (13)      бориды, нитриды

 

 2.2. Ионно-      керамика (19) и стекла с   диэлектрические слои (15),
 ассистированное  малым коэффициентом        алмазоподобный углерод (17)
 физическое       линейного расширения (14)
 осаждение из
 паровой фазы,    углерод-углерод,           диэлектрические слои (15)
 полученной       композиционные материалы
 резистивным      с керамической или
 нагревом (ионное металлической матрицей
 осаждение)
                  металлокерамический        диэлектрические слои (15)
                  карбид вольфрама (16),
                  карбид кремния (18)

 

                  молибден и его сплавы      диэлектрические слои (15)

 

                  бериллий и его сплавы      диэлектрические слои (15)

 

                  материалы окон             диэлектрические слои (15),
                  датчиков (9)               алмазоподобный углерод (17)

 

 2.3. Физическое  керамика (19) и стекла с   силициды, диэлектрические
 осаждение из     малым коэффициентом        слои (15), алмазоподобный
 паровой фазы,    линейного расширения       углерод (17)
 полученной       (14)
 лазерным
 нагревом         углерод-углерод,           диэлектрические слои (15)
                  композиционные материалы
                  с керамической или
                  металлической матрицей

 

                  металлокерамический        диэлектрические слои (15)
                  карбид вольфрама (16),
                  карбид кремния (18)

 

                  молибден и его сплавы      диэлектрические слои (15)

 

                  бериллий и его сплавы      диэлектрические слои (15)

 

                  материалы окон             диэлектрические слои (15),
                  датчиков (9)               алмазоподобный углерод (17)

 

 2.4. Физическое  суперсплавы                сплавы на основе силицидов,
 осаждение из                                сплавы на основе алюминидов
 паровой фазы,                               (2), MCrAlX (5)
 полученной
 катодно-дуговым  полимеры (11) и            бориды, карбиды, нитриды,
 разрядом         композиционные материалы   алмазоподобный углерод (17)
                  с органической матрицей

 

 3. Твердофазное  углерод-углерод,           силициды, карбиды, смеси
 диффузионное     композиционные материалы   перечисленных выше материалов
 насыщение (10)   с керамической или         (4)
                  металлической матрицей

 

                  титановые сплавы (13)      силициды, алюминиды, сплавы
                                             на основе алюминидов (2)

 

                                             силициды, оксиды
                  тугоплавкие металлы и
                  сплавы (8)

 

 4. Плазменное    суперсплавы                MCrAlX (5),
 напыление                                   модифицированный диоксид
                                             циркония (12), смеси
                                             перечисленных выше материалов
                                             (4), истираемый никель-
                                             графитовый материал,
                                             истираемый никель-хром-
                                             алюминиевый сплав, истираемый
                                             алюминиево-кремниевый сплав,
                                             содержащий полиэфир, сплавы
                                             на основе алюминидов (2)

 

                  алюминиевые сплавы (6)     MCrAlX (5), модифицированный
                                             диоксид циркония (12),
                                             силициды, смеси
                                             перечисленных выше материалов (4)

 

                  тугоплавкие металлы и      алюминиды, силициды,
                  сплавы (8)                 карбиды

 

                  коррозионно-стойкие        MCrAlX (5), модифицированный
                  стали (7)                  диоксид  циркония (12), смеси
                                             перечисленных выше материалов (4)

 

                  титановые сплавы (13)      карбиды, алюминиды, силициды,
                                             сплавы на основе алюминидов
                                             (2), истираемый никель-
                                             графитовый материал,
                                             истираемый никель-хром-
                                             алюминиевый сплав, истираемый
                                             алюминиево-кремниевый сплав,
                                             содержащий полиэфир

 

 5. Нанесение     тугоплавкие металлы и      оплавленные силициды,
 шликера          сплавы (8)                 оплавленные алюминиды (кроме
                                             резистивных нагревательных
                                             элементов)

 

                  углерод-углерод,           силициды, карбиды,
                  композиционные             смеси перечисленных
                  материалы с керамической   выше материалов (4)
                  или металлической
                  матрицей

 

 6. Осаждение     суперсплавы                сплавы на основе силицидов,
 распылением                                 сплавы на основе алюминидов
                                             (2), алюминиды,
                                             модифицированные благородным
                                             металлом (3), MCrAlX (5),
                                             модифицированный диоксид
                                             циркония (12), платина, смеси
                                             перечисленных выше материалов
                                             (4)

 

                  керамика (19) и стекла с   силициды, платина,
                  малым коэффициентом        смеси перечисленных
                  линейного расширения       выше материалов (4),
                  (14)                       диэлектрические слои (15),
                                             алмазоподобный углерод (17)

 

                  титановые сплавы (13)      бориды, нитриды, оксиды,
                                             силициды, алюминиды, сплавы
                                             на основе алюминидов (2),
                                             карбиды

 

                  углерод-углерод,           силициды, карбиды,
                  композиционные материалы   тугоплавкие металлы,
                  с керамической или         смеси перечисленных
                  металлической матрицей     выше материалов (4),
                                             диэлектрические слои (15),
                                             нитрид бора

 

                  металлокерамический        карбиды, вольфрам,
                  карбид вольфрама (16),     смеси перечисленных
                  карбид кремния (18)        выше материалов (4),
                                             диэлектрические слои (15),
                                             нитрид бора

 

                  молибден и его сплавы      диэлектрические слои (15)

 

                  бериллий и его сплавы      бориды, диэлектрические слои
                                             (15), бериллий

 

                  материалы окон             диэлектрические слои (15),
                  датчиков (9)               алмазоподобный углерод (17)

 

                  тугоплавкие металлы и      алюминиды, силициды, оксиды,
                  сплавы (8)                 карбиды

 

 7. Ионная        высокотемпературные        присадки хрома, тантала
 имплантация      подшипниковые стали        или ниобия

 

                  титановые сплавы (13)      бориды, нитриды

 

                  бериллий и его сплавы      бориды

 

                  металлокерамический        карбиды, нитриды
                  карбид вольфрама (16)

 

───────────────────────────────────────────────────────────────────────────

--------------------------------

<*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.

 

Примечания к таблице:

1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий.

2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов.

3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия.

4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.

5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где M обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, X - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;

б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;

в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.

6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 °C).

7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта.

8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.

9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.

10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.

11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны.

12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются.

13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 °C).

14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20 °C) коэффициент линейного расширения 10-7K-1 или менее.

15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. "Диэлектрический слой" - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев в структуре диэлектрик - металл.

16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель.

17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы.

18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.

19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, так и в сочетании с другими компонентами.

 

Технические примечания к таблице:

Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера.

 

Особые примечания:

а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;

б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;

в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении.

2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.

Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.

Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:

а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;

б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;

в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и который имеет дуговой разряд, инициирующийся на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку.

 

Особое примечание.

Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку;

д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.

3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:

а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.

Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 °C) до 1375 К (1102 °C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия.

4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую плазму и управляющую ею, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости.

 

Особые примечания:

а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 °C) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.

5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия.

6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку.

 

Особые примечания:

а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;

б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).

7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.

Некоторые пояснения к таблице.

Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:

1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:

1.1.1. Состав раствора:

1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;

1.1.2. Время обработки;

1.1.3. Температура ванны;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;

1.3. Параметры цикла термообработки:

1.3.1. Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав атмосферы;

1.3.1.2. Давление;

1.3.2. Температура термообработки;

1.3.3. Время термообработки;

1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:

1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:

1.4.1.1. Состав крошки, дроби;

1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;

1.4.1.3. Скорость крошки;

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;

1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;

1.5. Параметры маски:

1.5.1. Материал маски;

1.5.2. Расположение маски.

2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:

2.1. Параметры атмосферы:

2.1.1. Состав;

2.1.2. Давление;

2.2. Время;

2.3. Температура;

2.4. Толщина;

2.5. Коэффициент преломления;

2.6. Контроль состава покрытия.

3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:

3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость дроби;

3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;

3.3. Параметры цикла термообработки:

3.3.1. Параметры атмосферы:

3.3.1.1. Состав;

3.3.1.2. Давление;

3.3.2. Температура и время цикла;

3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки.

4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:

4.1. Критерии для статистической выборки;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1. Увеличения;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности;

4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):

4.3.1. Коэффициент отражения;

4.3.2. Коэффициент пропускания;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние.

5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:

5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):

5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;

5.1.2. Состав газа-носителя;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температура - время - давление циклов;

5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;

5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:

5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав газа-реагента;

5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;

5.2.5. Температура - время - давление циклов;

5.2.6. Управление пучком и подложкой;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1. Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:

5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;

5.3.2. Состав газа-носителя;

5.3.3. Температура - время - давление циклов;

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.4.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;

5.5. Для осаждения распылением:

5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;

5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;

5.5.3. Состав газа-реагента;

5.5.4. Напряжение смещения;

5.5.5. Температура - время - давление циклов;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Управление деталью (подложкой);

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1. Управление пучком и подложкой;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температура - время - давление циклов;

5.7. Для ионного осаждения:

5.7.1. Управление пучком и подложкой;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температура - время - давление циклов;

5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.

 

────────────────┬─────────────────────────────────────┬────────────────────
    N пункта    │            Наименование             │    Код ТН ВЭД
────────────────┴─────────────────────────────────────┴────────────────────

 

                         КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА

 

 3.1.            Системы, оборудование и компоненты

 

                 Примечания:
                 1. Контрольный статус оборудования и
                 компонентов, описанных в пункте 3.1,
                 других, нежели описаны в пунктах
                 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8, 3.1.1.1.10 или
                 пункте 3.1.1.1.11, и которые специально
                 разработаны для другого оборудования
                 или имеют те же самые функциональные
                 характеристики, как и другое
                 оборудование, определяется по
                 контрольному статусу такого
                 оборудования.
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 2. Контрольный статус интегральных
                 схем, описанных в пунктах 3.1.1.1.3 -
                 3.1.1.1.7, 3.1.1.1.10 или пункте
                 3.1.1.1.11, которые являются неизменно
                 запрограммированными или
                 разработанными для выполнения
                 определенных функций другого
                 оборудования, определяется по
                 контрольному статусу такого
                 оборудования.
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Особое примечание.
                 В тех случаях, когда изготовитель или
                 заявитель не может определить
                 контрольный статус другого
                 оборудования, этот статус для
                 интегральных схем определяется в
                 соответствии с отдельными
                 пунктами 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7,
                 3.1.1.1.10 или пунктом 3.1.1.1.11
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.1.          Электронные компоненты:

 

 3.1.1.1.        Нижеперечисленные интегральные
                 микросхемы общего назначения:

 

 3.1.1.1.1.      Интегральные схемы, спроектированные  8542
                 или относящиеся к классу радиационно
                 стойких, выдерживающие любое из
                 следующих воздействий:
                 а) суммарную дозу 5 x 103  Гр (по
                 кремнию) [5 х 105  рад] или выше;
                 б) мощность дозы 5 x 106  Гр
                 (по кремнию)/с [5 x 108  рад/с] или
                 выше; или
                 в) флюенс (интегральный поток)
                 нейтронов (соответствующий энергии
                 в 1 МэВ) 5 x 1013   н/см2 или более по
                 кремнию или его эквивалент для других
                 материалов

 

                 Примечание.
                 Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не
                 применяется к структуре металл -
                 диэлектрик - полупроводник
                 (МДП-структуре);

 

 3.1.1.1.2.      Микросхемы микропроцессоров,          8542
                 микросхемы микроЭВМ, микросхемы
                 микроконтроллеров, изготовленные из
                 полупроводниковых соединений
                 интегральные схемы памяти, аналого-
                 цифровые преобразователи,
                 цифроаналоговые преобразователи,
                 электронно-оптические или оптические
                 интегральные схемы для обработки
                 сигналов, программируемые
                 пользователем логические устройства,
                 заказные интегральные схемы, функции
                 которых неизвестны, или неизвестно,
                 распространяется ли статус контроля
                 на аппаратуру, в которой будут
                 использоваться эти интегральные
                 схемы, процессоры быстрого
                 преобразования Фурье, электрически
                 перепрограммируемые постоянные
                 запоминающие устройства (ЭППЗУ),
                 память с групповой перезаписью или
                 статические запоминающие устройства с
                 произвольной выборкой (СЗУПВ),
                 имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) работоспособные при температуре
                 окружающей среды выше 398 К
                 (125 °C);
                 б) работоспособные при температуре
                 окружающей среды ниже 218 К
                 (-55 °C); или
                 в) работоспособные во всем диапазоне
                 температур окружающей среды от 218 К
                 (-55 °C) до 398 К (125 °C)

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к
                 интегральным схемам, используемым для
                 гражданских автомобилей и
                 железнодорожных поездов;

 

 3.1.1.1.3.      Микросхемы микропроцессоров,          8542 31 901 1;
                 микросхемы микроЭВМ, микросхемы       8542 31 909 2;
                 микроконтроллеров, изготовленные на   8542 31 909 8;
                 полупроводниковых соединениях и       8542 39 909 9
                 работающие на тактовой частоте,
                 превышающей 40 МГц
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры
                 цифровых сигналов, цифровые
                 матричные процессоры и цифровые
                 сопроцессоры;

 

 3.1.1.1.4.      Следующие интегральные схемы          8542 31 901 9;
                 аналого-цифровых преобразователей     8542 31 909 2;
                 (АЦП) и цифроаналоговых               8542 31 909 8;
                 преобразователей (ЦАП):               8542 39 901 9;
                                                       8542 39 909 9
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) аналого-цифровые преобразователи,
                 имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 разрешающую способность 8 бит или
                 более, но менее 10 бит, со скоростью
                 на выходе более 1 млрд. слов в
                 секунду; разрешающую способность 10
                 бит или более, но менее 12 бит, со
                 скоростью на выходе более 300 млн.
                 слов в секунду;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 разрешающую способность 12 бит со
                 скоростью на выходе более 200 млн.
                 слов в секунду;
                 разрешающую способность более 12 бит,
                 но равную 14 бит или меньше, со
                 скоростью на выходе более 125 млн.
                 слов в секунду; или
                 разрешающую способность более 14 бит
                 со скоростью на выходе более 20 млн.
                 слов в секунду

 

                 Технические примечания:
                 1. Разрешающая способность n битов
                 соответствует 2n уровням квантования.
                 2. Количество бит в выходном слове
                 соответствует разрешающей способности
                 АЦП.
                 3. Скоростью на выходе является
                 максимальная скорость на выходе
                 преобразователя независимо от
                 структуры или выборки с запасом по
                 частоте дискретизации.
                 4. Для многоканальных АЦП выходные
                 сигналы не объединяются и скоростью
                 на выходе является максимальная
                 скорость на выходе любого канала.
                 5. Для АЦП с временным разделением
                 каналов или многоканальных АЦП,
                 которые в соответствии со
                 спецификацией имеют режим с временным
                 разделением каналов, выходные сигналы
                 объединяются и скоростью на выходе
                 является максимальная объединенная
                 общая скорость на выходе всех
                 выходных сигналов.
                 6. Поставщики могут также ссылаться
                 на скорость на выходе как на частоту
                 выборки, скорость преобразования или
                 пропускную способность. Ее часто
                 определяют в мегагерцах (МГц) или
                 миллионах выборок в секунду
                 (Мвыб./с).
                 7. Для целей измерения скорости на
                 выходе одно выходное слово в секунду
                 равнозначно одному герцу или одной
                 выборке в секунду.
                 8. Многоканальные АЦП определяются
                 как устройства, которые объединяют
                 более одного АЦП, разработанные так,
                 чтобы каждый АЦП имел отдельный
                 аналоговый вход.
                 9. АЦП с временным разделением
                 каналов определяются как устройства,
                 имеющие блоки с многоканальными  АЦП,
                 которые производят выборку одного и
                 того же аналогового входного сигнала
                 в различное время таким образом,
                 чтобы при объединении выходных
                 сигналов осуществлялись эффективный
                 выбор аналогового входного сигнала и
                 его преобразование на более высокую
                 скорость выборки;

 

                 б) цифроаналоговые преобразователи,
                 имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 1) разрешающую способность 10 бит или
                 более с приведенной скоростью
                 обновления 3,5 миллиарда выборок в
                 секунду или более; или
                 2) разрешающую способность 12 бит или
                 более с приведенной скоростью
                 обновления, равной 1,25 миллиарда
                 выборок в секунду или более, и
                 имеющие любое из следующего:
                 время установления сигнала менее 9 нс
                 с точностью 0,024% полной шкалы от
                 шага полной шкалы; или
                 динамический диапазон без паразитных
                 сигналов (SFDR) более 68 дБнч
                 (несущая частота) при синтезировании
                 аналогового сигнала полной шкалы в
                 100 МГц или наивысшей частоты
                 аналогового сигнала полной шкалы,
                 определенной ниже 100 МГц

 

                 Технические примечания:
                 1. Динамический диапазон без
                 паразитных сигналов (SFDR)
                 определяется как отношение
                 среднеквадратичного значения несущей
                 частоты (максимального компонента
                 сигнала) на входе ЦАП к
                 среднеквадратичному значению
                 следующего наибольшего компонента
                 шума или гармонического искажения
                 сигнала на его выходе.
                 2. SFDR определяется непосредственно
                 из справочных таблиц или графиков
                 зависимости характеристик SFDR от
                 частоты.
                 3. Сигнал определяется как сигнал
                 полной шкалы, когда его амплитуда
                 более -3 дБпш (полная шкала).
                 4. Приведенная скорость обновления
                 для ЦАП:
                 а) для обычных (неинтерполирующих)
                 ЦАП приведенная скорость обновления -
                 скорость, на которой цифровой сигнал
                 преобразуется в аналоговый сигнал при
                 помощи ЦАП. ЦАП, в которых
                 интерполяционный режим
                 может быть обойден (коэффициент
                 интерполяции 1), следует
                 рассматривать как обычные
                 (неинтерполирующие) ЦАП;
                 б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с
                 избыточной дискретизацией)
                 приведенная скорость обновления
                 определяется как скорость обновления
                 ЦАП, деленная на наименьший
                 коэффициент интерполяции. Для
                 интерполирующих ЦАП приведенная
                 скорость обновления может выражаться
                 по-разному, в том числе как:
                 скорость ввода данных;
                 скорость ввода слов;
                 скорость ввода выборок;
                 максимальная общая скорость
                 пропускания шины;
                 максимальная тактовая частота ЦАП
                 для входного тактового сигнала ЦАП;

 

 3.1.1.1.5.      Электронно-оптические и оптические    8542
                 интегральные схемы для обработки
                 сигналов, имеющие одновременно все
                 перечисленные составляющие:
                 а) один внутренний лазерный диод или
                 более;
                 б) один внутренний
                 светочувствительный элемент или
                 более; и
                 в) световоды;

 

 3.1.1.1.6.      Программируемые пользователем         8542 39 901 9
                 логические устройства, имеющие любую
                 из следующих характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) максимальное количество цифровых
                 несимметричных входов/выходов - 500
                 или более; или
(пп. "а" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 б) совокупную одностороннюю пиковую
                 скорость передачи данных
                 последовательного приемопередатчика
                 (трансивера) 200 Гбит/с или более
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.1.1.1.6 включает:
                 простые программируемые логические
                 устройства (ППЛУ);
                 сложные программируемые логические
                 устройства (СПЛУ);
                 программируемые пользователем
                 вентильные матрицы (ППВМ);
                 программируемые пользователем
                 логические матрицы (ППЛМ);
                 программируемые пользователем
                 межсоединения (ППМС)

 

                 Технические примечания:
                 1. Программируемые пользователем
                 логические устройства известны также
                 как программируемые пользователем
                 логические элементы (вентили) или
                 программируемые пользователем
                 логические матрицы.
                 2. Максимальное количество цифровых
                 входов/выходов, определенное в
                 подпункте "а" пункта 3.1.1.1.6,
                 называется также максимальным
                 количеством пользовательских
                 входов/выходов или максимальным
                 количеством доступных входов/выходов,
                 независимо от того, является ли
                 интегральная схема заключенной в
                 корпус или бескорпусным кристаллом.
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 3. Совокупная односторонняя пиковая
                 скорость передачи данных
                 последовательного приемопередатчика
                 является результатом произведения
                 пиковой скорости передачи данных
                 последовательного одностороннего
                 приемопередатчика на количество
                 приемопередатчиков на
                 программируемой пользователем
                 вентильной матрице (ППВМ);
(п. 3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.1.1.7.      Интегральные схемы для нейронных      8542
                 сетей;

 

 3.1.1.1.8.      Заказные интегральные схемы, функции  8542 31 901 9;
                 которых неизвестны или изготовителю   8542 31 909 2;
                 неизвестен статус контроля            8542 31 909 8;
                 аппаратуры, в которой будут           8542 39 901 9;
                 использоваться эти интегральные       8542 39 909 9
                 схемы, с любой из следующих
                 характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) более 1500 выводов;
                 б) типовое время задержки основного
                 логического элемента менее 0,02 нс;
                 или
                 в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;

 

 3.1.1.1.9.      Цифровые интегральные схемы, иные,    8542
                 нежели описанные в пунктах
                 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и пункте
                 3.1.1.1.10, созданные на основе
                 любого полупроводникового соединения
                 и характеризующиеся любым из
                 нижеследующего:
                 а) эквивалентным количеством
                 логических элементов более 3000 (в
                 пересчете на элементы с двумя
                 входами); или
                 б) частотой переключения выше 1,2
                 ГГц;

 

 3.1.1.1.10.     Процессоры быстрого преобразования    8542 31 901 1;
                 Фурье, имеющие расчетное время        8542 31 909 2;
                 выполнения комплексного N-точечного   8542 31 909 8;
                 сложного быстрого преобразования      8542 39 909 9
                 Фурье менее (N log2  N) / 20 480 мс,
                 где N - количество точек
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 В случае когда N равно 1024 точкам,
                 формула в пункте 3.1.1.1.10 дает
                 результат времени выполнения 500 мкс

 

 3.1.1.1.11.     Интегральные схемы цифровых           8542 39 901 9;
                 синтезаторов с прямым синтезом        8542 39 909 9
                 частот, имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) тактовую частоту
                 цифроаналогового преобразователя
                 (ЦАП) 3,5 ГГц или более и
                 разрешающую способность ЦАП
                 от 10 бит до 12 бит; или
                 б) тактовую частоту ЦАП 1,25 ГГц
                 или более и разрешающую способность
                 ЦАП 12 бит или более
(п. 3.1.1.1.11 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Тактовая частота ЦАП может быть
                 определена как задающая тактовая
                 частота или тактовая частота
                 входного сигнала
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечания:
                 1. Контрольный статус подложек
                 (готовых или полуфабрикатов), на
                 которых воспроизведена конкретная
                 функция, оценивается по параметрам,
                 указанным в пункте 3.1.1.1.
                 2. Понятие "интегральные схемы"
                 включает следующие типы:
                 монолитные интегральные схемы;
                 гибридные интегральные схемы;
                 многокристальные интегральные схемы;
                 пленочные интегральные схемы, включая
                 интегральные схемы типа "кремний на
                 сапфире";
                 оптические интегральные схемы;
                 трехмерные интегральные схемы;
(абзац введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.1.2.        Компоненты микроволнового или
                 миллиметрового диапазона:

 

 3.1.1.2.1.      Нижеперечисленные электронные
                 вакуумные лампы и катоды:

 

 3.1.1.2.1.1.    Лампы бегущей волны импульсного или   8540 79 000 9
                 непрерывного действия:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) работающие на частотах,
                 превышающих 31,8 ГГц;
                 б) имеющие элемент подогрева катода
                 со временем выхода лампы на
                 предельную радиочастотную мощность
                 менее 3 с;
                 в) лампы с сопряженными резонаторами
                 или их модификации с относительной
                 шириной полосы частот более 7% или
                 пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
                 г) спиральные лампы или их
                 модификации, имеющие любую из
                 следующих характеристик:
                 мгновенную ширину полосы частот более
                 одной октавы и произведение средней
                 мощности (выраженной в кВт) на
                 рабочую частоту (выраженную в ГГц)
                 более 0,5;
                 мгновенную ширину полосы частот в
                 одну октаву или менее и произведение
                 средней мощности (выраженной в кВт)
                 на рабочую частоту (выраженную в ГГц)
                 более 1; или
                 пригодные для применения в космосе;

 

 3.1.1.2.1.2.    Лампы-усилители магнетронного типа с  8540 71 000 0
                 коэффициентом усиления более 17 дБ;

 

 3.1.1.2.1.3.    Импрегнированные катоды,              8540 99 000 0
                 разработанные для электронных ламп,
                 эмитирующие в непрерывном режиме и
                 штатных условиях работы ток
                 плотностью, превышающей 5 А/см2

 

                 Примечания:
                 1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к
                 лампам, разработанным или
                 определенным изготовителем для
                 работы в любом диапазоне частот,
                 который удовлетворяет всем следующим
                 характеристикам:
                 а) частота не превышает 31,8 ГГц; и
                 б) диапазон распределен
                 Международным союзом электросвязи
                 для обслуживания радиосвязи, но не
                 для радиоопределения.
                 2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к
                 лампам, непригодным для применения в
                 космосе и имеющим все следующие
                 характеристики:
                 а) среднюю выходную мощность, равную
                 или меньше 50 Вт; и
                 б) разработанным или определенным
                 изготовителем для работы в любом
                 диапазоне частот, который
                 удовлетворяет всем следующим
                 характеристикам:
                 частота выше 31,8 ГГц, но не
                 превышает 43,5 ГГц; и
                 диапазон распределен Международным
                 союзом электросвязи для обслуживания
                 радиосвязи, но не для
                 радиоопределения;

 

 3.1.1.2.2.      Монолитные микроволновые              8542 31 901 9;
                 интегральные схемы (ММИС) -           8542 33 000;
                 усилители мощности, имеющие любую     8542 39 901 9;
                 из следующих характеристик:           8543 90 000 1
                 а) определенные изготовителем для
                 работы на частотах от более 2,7
                 ГГц до 6,8 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 15% и имеющие любое из
                 следующего:
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 75 Вт (48,75 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня
                 1 мВт) на любой частоте от более
                 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 55 Вт (47,4 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня
                 1 мВт) на любой частоте от более
                 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 40 Вт (46 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня
                 1 мВт) на любой частоте от более
                 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно;
                 или пиковую выходную мощность в
                 режиме насыщения более 20 Вт
                 (43 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте от
                 более 3,6 ГГц до 6,8 ГГц
                 включительно;
                 б) определенные изготовителем для
                 работы на частотах от более 6,8 ГГц
                 до 16 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 10% и имеющие любое из
                 следующего:
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 10 Вт (40 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 6,8
                 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 5 Вт (37 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 8,5
                 ГГц до 16 ГГц включительно;
                 в) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью
                 в режиме насыщения более 3 Вт (34,77
                 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте от
                 более 16 ГГц до 31,8 ГГц
                 включительно при относительной
                 ширине полосы частот более 10%;
                 г) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью
                 в режиме насыщения более 0,1 нВт
                 (-70 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте от
                 более 31,8 ГГц до 37 ГГц
                 включительно;
                 д) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью
                 в режиме насыщения более 1 Вт (30
                 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте от
                 более 37 ГГц до 43,5 ГГц
                 включительно при относительной
                 ширине полосы частот более 10%;
                 е) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью
                 в режиме насыщения более 31,62 мВт
                 (15 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) для работы на любой
                 частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц
                 включительно при относительной
                 ширине полосы частот более 10%;
                 ж) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью
                 в режиме насыщения более 10 мВт (10
                 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте от
                 более 75 ГГц до 90 ГГц включительно
                 при относительной ширине полосы
                 частот более 5%; или
                 з) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью
                 в режиме насыщения более 0,1 нВт
                 (-70 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте выше
                 90 ГГц
(п. 3.1.1.2.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечания:
                 1. Контрольный статус ММИС,
                 номинальные рабочие частоты которых
                 относятся к более чем одной полосе
                 частот, указанной в подпунктах "а" -
                 "з" пункта 3.1.1.2.2, определяется
                 наименьшим контрольным порогом
                 пиковой выходной мощности в режиме
                 насыщения.
                 2. Пункты 1 и 2 примечаний к пункту
                 3.1 подразумевают, что пункт
                 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС,
                 если они специально разработаны для
                 применения, например, в
                 телекоммуникациях, радиолокационных
                 станциях, автомобилях;
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.1.2.3.      Дискретные микроволновые              8541 21 000 0;
                 транзисторы, имеющие любую из         8541 29 000 0
                 следующих характеристик:
                 а) определенные изготовителем для
                 работы на частотах от более 2,7 ГГц
                 до 6,8 ГГц включительно и имеющие
                 любое из следующего:
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 400 Вт (56 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 2,7
                 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 205 Вт (53,12 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 2,9
                 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 115 Вт (50,61 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 3,2
                 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 60 Вт (47,78 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня
                 1 мВт) на любой частоте от более
                 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
                 б) определенные изготовителем для
                 работы на частотах от более 6,8 ГГц
                 до 31,8 ГГц включительно и имеющие
                 любое из следующего:
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 50 Вт (47 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 6,8
                 ГГц до 8,5 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 15 Вт (41,76 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 8,5
                 ГГц до 12 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 40 Вт (46 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 12
                 ГГц до 16 ГГц включительно; или
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 7 Вт (38,45 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 16
                 ГГц до 31,8 ГГц включительно;
                 в) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью
                 в режиме насыщения более 0,5 Вт (27
                 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте от
                 более 31,8 ГГц до 37 ГГц
                 включительно;
                 г) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью
                 в режиме насыщения более 1 Вт (30
                 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте от
                 более 37 ГГц до 43,5 ГГц
                 включительно; или
                 д) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью
                 в режиме насыщения более 0,1 нВт
                 (-70 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте выше
                 43,5 ГГц
(п. 3.1.1.2.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечания:
                 1. Контрольный статус транзисторов,
                 номинальные рабочие частоты которых
                 относятся к более чем одной полосе
                 частот, указанной в подпунктах "а" -
                 "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется
                 наименьшим контрольным порогом
                 пиковой выходной мощности в режиме
                 насыщения.
                 2. Пункт 3.1.1.2.3 включает
                 бескорпусные интегральные схемы, а
                 также интегральные схемы,
                 смонтированные на плате или в
                 корпусе. Некоторые дискретные
                 транзисторы могут также называться
                 усилителями мощности, но контрольный
                 статус таких дискретных транзисторов
                 определяется пунктом 3.1.1.2.3;
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.1.2.4.      Микроволновые твердотельные           8543 70 900 0
                 усилители и микроволновые
                 сборки/модули, содержащие такие
                 усилители, имеющие любую из
                 следующих характеристик:
                 а) определенные изготовителем для
                 работы на частотах от более 2,7 ГГц
                 до 6,8 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 15% и имеющие все следующее:
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 500 Вт (57 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 2,7
                 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 270 Вт (54,3 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 2,9
                 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 200 Вт (53 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 3,2
                 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 90 Вт (49,54 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более
                 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
                 б) определенные изготовителем для
                 работы на частотах от более 6,8 ГГц
                 до 31,8 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 10% и имеющие все следующее:
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 70 Вт (48,54 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 6,8
                 ГГц до 8,5 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 50 Вт (47 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 8,5
                 ГГц до 12 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 30 Вт (44,77 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 12
                 ГГц до 16 ГГц включительно; или
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 20 Вт (43 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 16
                 ГГц до 31,8 ГГц включительно;
                 в) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью
                 в режиме насыщения более 0,5 Вт (27
                 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте от
                 более 31,8 ГГц до 37 ГГц
                 включительно;
                 г) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью
                 в режиме насыщения более 2 Вт (33
                 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте от
                 более 37 ГГц до 43,5 ГГц
                 включительно при относительной
                 ширине полосы частот более 10%;
                 д) определенные изготовителем для
                 работы на частотах выше 43,5 ГГц и
                 имеющие любое из следующего:
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 0,2 Вт (23 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 43,5
                 ГГц до 75 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 10%;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 20 Вт (13 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 75
                 ГГц до 90 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 5%; или
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 0,1 нВт
                 (-70 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) на любой частоте выше
                 90 ГГц; или
                 е) определенные изготовителем для
                 работы на частотах выше 2,7 ГГц и
                 имеющие все следующее:
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения 
               
                 Psat(Вт) большую, чем
                 результат от деления величины 400
                (Вт·ГГц2) на максимальную рабочую
                 частоту f (ГГц) в квадрате, то есть:
                 Psat > 400/f2 или в единицах
                 размерности [(Вт)>(Вт·ГГц2)/(ГГц)2 ]; 
                 относительную ширину
                 полосы частот 5% или более; и
                 любые две взаимно перпендикулярные
                 стороны с длиной d (см), равной или
                 меньше, чем результат от деления
                 величины 15 (см•ГГц) на наименьшую
                 рабочую частоту f (ГГц), то есть:
                 d ≤ 15 f или в единицах размерности
                 [(см) (см•ГГц) / (ГГц)]
(п. 3.1.1.2.4 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Для усилителей, имеющих номинальный
                 рабочий диапазон частот,
                 простирающийся в сторону уменьшения
                 до 2,7 ГГц и ниже, в формуле
                 последнего абзаца подпункта "е"
                 пункта 3.1.1.2.4 значение наименьшей
                 рабочей частоты f (ГГц) следует
                 применять равным 2,7 ГГц, то есть:
                 d 15/2,7 или в единицах размерности
                 [(см) (см•ГГц)/ГГц]
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Особое примечание.
                 Для оценки ММИС усилителей мощности
                 должны применяться критерии,
                 определенные в пункте 3.1.1.2.2
(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечания:
                 1. Контрольный статус изделий,
                 номинальные рабочие частоты которых
                 относятся к более чем одной полосе
                 частот, указанной в подпунктах "а" -
                 "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется
                 наименьшим контрольным порогом
                 пиковой выходной мощности в режиме
                 насыщения.
                 2. Пункт 3.1.1.2.4 включает
                 приемопередающие и передающие
                 модули;
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.1.2.5.      Полосовые или заградительные          8543 70 900 0
                 фильтры с электронной или магнитной
                 перестройкой, содержащие более пяти
                 настраиваемых резонаторов,
                 обеспечивающих настройку в полосе
                 частот с соотношением максимальной и
                 минимальной частот 1,5 : 1
                 (fmax / fmin) менее чем за 10 мкс,
                 и имеющие любую из следующих
                 характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) полосу пропускания частоты более
                 0,5% от резонансной частоты; или
                 б) полосу подавления частоты менее
                 0,5% от резонансной частоты;

 

 3.1.1.2.6.      Преобразователи и смесители на        8543 70 900 0
                 гармониках, разработанные для
                 расширения частотного диапазона
                 аппаратуры, описанной в пункте
                 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 или
                 3.1.2.5, сверх пороговых значений,
                 установленных в этих пунктах;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.1.2.7.      Микроволновые усилители мощности      8543 70 900 0
                 СВЧ-диапазона, содержащие лампы,
                 определенные в пункте 3.1.1.2.1, и
                 имеющие все следующие
                 характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) рабочие частоты выше 3 ГГц;
                 б) среднюю выходную мощность по
                 отношению к массе, превышающую 80
                 Вт/кг; и
                 в) объем менее 400 см3

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к
                 аппаратуре, разработанной или
                 определенной изготовителем для
                 работы в любом диапазоне частот,
                 распределенном Международным союзом
                 электросвязи для обслуживания
                 радиосвязи, но не для
                 радиоопределения;

 

 3.1.1.2.8.      Микроволновые модули питания          8540 79 000 9;
                 (ММП), содержащие, по крайней мере,   8542 31 901 9;
                 лампу бегущей волны, монолитную       8543 70 900 0;
                 микроволновую интегральную схему и    8543 90 000 1
                 встроенный электронный стабилизатор
                 напряжения, имеющие все следующие
                 характеристики:
                 а) время включения от выключенного
                 состояния до полностью
                 эксплуатационного состояния менее 10
                 с;
                 б) физический объем ниже
                 произведения максимальной
                 номинальной мощности в ваттах на 10
                 см3/Вт; и
                 в) мгновенную ширину полосы частот
                 более одной октавы (fmax > 2fmin   ) и
                 любое из следующего:
                 для частот, равных или ниже 18 ГГц,
                 радиочастотную выходную мощность
                 более 100 Вт; или
                 частоту выше 18 ГГц
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Технические примечания:
                 1. Для подпункта "а" пункта
                 3.1.1.2.8 время включения относится
                 к периоду времени от полностью
                 выключенного состояния до полностью
                 эксплуатационного состояния, то есть
                 оно включает время готовности ММП.
                 2. Для подпункта "б" пункта
                 3.1.1.2.8 приводится следующий
                 пример расчета физического объема
                 ММП.
                 Для максимальной номинальной
                 мощности 20 Вт физический объем
                 определяется как
                 20 [Вт] x 10 [см3/Вт] = 200 [см3].
                 Это значение физического объема
                 является контрольным показателем и
                 сравнивается с фактическим
                 физическим объемом ММП;

 

 3.1.1.2.9.      Гетеродины или сборки гетеродинов,    8543 20 000 0
                 определенные для работы со всем
                 нижеследующим:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) фазовым шумом одной боковой
                 полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале
                 C шумомера)/Гц лучше
                 -(126 + 20 log10 F - 20 log10  f)
                 в любом месте диапазона
                 10 Гц < F < 10 кГц; и
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 б) фазовым шумом одной боковой
                 полосы (ОБП) в единицах
                 (дБ по шкале C шумомера)/Гц лучше
                 -(114 + 20 log10  F - 20 log10  f)
                 в любом месте диапазона
                 10 кГц <= F < 500 кГц
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 В пункте 3.1.1.2.9 F - смещение от
                 рабочей частоты в Гц, а f - рабочая
                 частота в МГц;

 

 3.1.1.2.10.     Электронные сборки синтезаторов       8543 20 000 0
                 частот, имеющие время переключения
                 частоты, определенное любым из
                 следующего:
                 а) менее 156 пс;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 б) менее 100 мкс для любого
                 изменения частоты, превышающего 1,6
                 ГГц, в пределах диапазона
                 синтезированных частот выше 4,8 ГГц,
                 но не превышающего 10,6 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 в) менее 250 мкс для любого
                 изменения частоты, превышающего 550
                 МГц, в пределах диапазона
                 синтезированных частот выше 10,6
                 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;
                 г) менее 500 мкс для любого
                 изменения частоты, превышающего 550
                 МГц, в пределах диапазона
                 синтезированных частот выше 31,8
                 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц;
                 д) менее 1 мс для любого изменения
                 частоты, превышающего 550 МГц, в
                 пределах диапазона синтезированных
                 частот выше 43,5 ГГц, но не
                 превышающего 56 ГГц;
(пп. "д" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 е) менее 1 мс для любого изменения
                 частоты, превышающего 2,2 ГГц,
                 в пределах диапазона синтезированных
                 частот выше 56 ГГц, но не
                 превышающего 75 ГГц; или
(пп. "е" введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 ж) менее 1 мс в пределах диапазона
                 синтезированных частот, превышающего
                 75 ГГц
(пп. "ж" введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой
                 выходной мощностью в режиме
                 насыщения могут также называться
                 (в соответствии со спецификацией
                 производителя) выходная мощность,
                 выходная мощность в режиме
                 насыщения, максимальная выходная
                 мощность, пиковая выходная мощность
                 или пиковая огибающая выходная
                 мощность
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Особое примечание.
                 Для анализаторов сигналов,
                 генераторов сигналов, схемных
                 анализаторов и микроволновых
                 приемников-тестеров общего
                 назначения см. пункты 3.1.2.2,
                 3.1.2.3, 3.1.2.4 и 3.1.2.5
                 соответственно;

 

 3.1.1.3.        Приборы на акустических волнах и
                 специально разработанные для них
                 компоненты:

 

 3.1.1.3.1.      Приборы на поверхностных              8541 60 000 0
                 акустических волнах и на
                 акустических волнах в тонком
                 поверхностном слое, имеющие любую из
                 следующих характеристик:
                 а) несущую частоту выше 6 ГГц;
                 б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не
                 превышающую 6 ГГц, и имеющие любую
                 из следующих характеристик:
                 частотное подавление боковых
                 лепестков диаграммы направленности
                 более 65 дБ;
                 произведение максимального времени
                 задержки (в мкс) на ширину полосы
                 частот (в МГц) более 100;
                 ширину полосы частот выше 250 МГц;
                 или
                 дисперсионную задержку более 10 мкс;
                 или
                 в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и
                 имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 произведение максимального времени
                 задержки (в мкс) на ширину полосы
                 частот (в МГц) более 100;
                 дисперсионную задержку более 10 мкс;
                 или
                 частотное подавление боковых
                 лепестков диаграммы направленности
                 более 65 дБ и ширину полосы частот,
                 превышающую 100 МГц

 

                 Техническое примечание.
                 Частотное подавление боковых
                 лепестков диаграммы направленности -
                 максимальная величина подавления,
                 определенная в перечне технических
                 характеристик (проспекте изделия);

 

 3.1.1.3.2.      Приборы на объемных акустических      8541 60 000 0
                 волнах, обеспечивающие
                 непосредственную обработку сигналов
                 на частотах, превышающих 6 ГГц;

 

 3.1.1.3.3.      Акустооптические приборы обработки    8541 60 000 0
                 сигналов, использующие
                 взаимодействие между акустическими
                 волнами (объемными или
                 поверхностными) и световыми волнами,
                 что позволяет непосредственно
                 обрабатывать сигналы или
                 изображения, включая анализ спектра,
                 корреляцию или свертку

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.1.1.3 не применяется к
                 приборам на акустических волнах,
                 ограниченным пропусканием сигнала
                 через однополосный фильтр, фильтр
                 низких или верхних частот или
                 узкополосный режекторный фильтр или
                 функцией резонирования;

 

 3.1.1.4.        Электронные приборы и схемы,          8540;
                 содержащие компоненты,                8541;
                 изготовленные из сверхпроводящих      8542;
                 материалов, специально разработанные  8543
                 для работы при температурах ниже
                 критической температуры хотя бы
                 одной из сверхпроводящих
                 составляющих, и имеющие любое из
                 следующего:
                 а) переключение тока для цифровых
                 схем, использующих сверхпроводящие
                 вентили, у которых произведение
                 времени задержки на вентиль (в
                 секундах) на рассеиваемую мощность
                 на вентиль (в ваттах) менее 10-14    Дж;
                 или
                 б) селекцию частоты на всех частотах
                 с использованием резонансных
                 контуров с добротностью, превышающей
                 10 000;

 

 3.1.1.5.        Нижеперечисленные мощные
                 энергетические устройства:

 

 3.1.1.5.1.      Элементы:

 

 3.1.1.5.1.1.    Первичные элементы     с  плотностью  8506
                 энергии, превышающей 550 Вт•ч/кг при
                 температуре 20 °C;

 

 3.1.1.5.1.2.    Вторичные элементы    с   плотностью  8507
                 энергии, превышающей 300 Вт•ч/кг при
                 температуре 20 °C
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Технические примечания:
                 1. Для целей пункта 3.1.1.5.1
                 плотность энергии (Вт•ч/кг)
                 определяется произведением
                 номинального напряжения в вольтах на
                 номинальную емкость в ампер-часах,
                 поделенным на массу в килограммах.
                 Если номинальная емкость не
                 установлена, плотность энергии
                 определяется произведением
                 возведенного в квадрат номинального
                 напряжения в вольтах на длительность
                 разряда в часах, поделенным на
                 произведение сопротивления нагрузки
                 разряда в омах на массу в
                 килограммах.
                 2. Для целей пункта 3.1.1.5.1
                 "элемент" определяется как
                 электрохимическое устройство,
                 имеющее положительные и
                 отрицательные электроды и электролит
                 и являющееся источником
                 электроэнергии. Он является основным
                 компоновочным блоком батареи.
                 3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1
                 "первичный элемент" определяется как
                 "элемент", который не предназначен
                 для заряда каким-либо другим
                 источником энергии.
                 4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2
                 "вторичный элемент" определяется как
                 "элемент", который предназначен для
                 заряда каким-либо внешним источником
                 энергии

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.1.1.5.1 не применяется к
                 батареям, включая батареи,
                 содержащие один элемент;

 

 3.1.1.5.2.      Высокоэнергетические накопительные
                 конденсаторы:

 

 3.1.1.5.2.1.    Конденсаторы с частотой повторения    8506;
                 ниже 10 Гц (одноразрядные             8507;
                 конденсаторы), имеющие все следующие  8532
                 характеристики:
                 а) номинальное напряжение 5 кВ или
                 более;
                 б) плотность энергии 250 Дж/кг или
                 более; и
                 в) полную энергию 25 кДж или более;

 

 3.1.1.5.2.2.    Конденсаторы с частотой повторения    8506;
                 10 Гц и выше (многоразрядные          8507;
                 конденсаторы), имеющие все следующие  8532
                 характеристики:
                 а) номинальное напряжение 5 кВ или
                 более;
                 б) плотность энергии 50 Дж/кг или
                 более;
                 в) полную энергию 100 Дж или более;
                 и
                 г) количество циклов заряд-разряда
                 10 000 или более;

 

 3.1.1.5.3.      Сверхпроводящие электромагниты и      8504 50;
                 соленоиды, специально разработанные   8505 90 200 0
                 на  полный заряд или разряд менее
                 чем за 1 с, имеющие все следующие
                 характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) энергию, выделяемую при разряде,
                 превышающую 10 кДж за первую
                 секунду;
                 б) внутренний диаметр токонесущих
                 обмоток более 250 мм; и
                 в) номинальную магнитную индукцию
                 более 8 Т или суммарную плотность
                 тока в обмотке более 300 А/мм2

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к
                 сверхпроводящим электромагнитам или
                 соленоидам, специально разработанным
                 для медицинской аппаратуры
                 отображения магнитного резонанса
                 (аппаратуры магниторезонансной
                 томографии);

 

 3.1.1.5.4.      Солнечные элементы, сборки            8541 40 900
                 электрически соединенных элементов
                 под защитным стеклом, солнечные
                 панели и солнечные батареи,
                 пригодные для применения в космосе,
                 имеющие минимальное значение
                 среднего КПД элементов более 20% при
                 рабочей температуре 301 К (28 °C) под
                 освещением с поверхностной
                 плотностью потока излучения 1367
                 Вт/м2  при имитации условий нулевой
                 воздушной массы (АМО)

 

                 Техническое примечание.
                 АМО (нулевая воздушная масса)
                 определяется спектральной плотностью
                 потока солнечного света за пределами
                 атмосферы при расстоянии между
                 Землей и Солнцем, равном одной
                 астрономической единице (АЕ);

 

 3.1.1.6.        Преобразователи абсолютного углового  9031 80 320 0;
                 положения вала, имеющие точность на   9031 80 340 0
                 входе в код, равную +/- 1,0 угловая
                 секунда или меньше (лучше);

 

 3.1.1.7.        Твердотельные импульсные силовые      8536 50 030 0;
                 коммутационные тиристорные            8536 50 800 0;
                 устройства и тиристорные модули,      8541 30 000 9
                 использующие методы электрического,
                 оптического или электронно-
                 эмиссионного управления
                 переключением, имеющие любую из
                 следующих характеристик:
                 а) максимальную скорость нарастания
                 отпирающего тока (di/dt) более
                 30 000 А/мкс и напряжение в закрытом
                 состоянии более 1100 В; или
                 б) максимальную скорость нарастания
                 отпирающего тока (di/dt) более
                 2000 А/мкс и все нижеследующее:
                 импульсное напряжение в закрытом
                 состоянии, равное 3000 В или более;
                 и
                 максимальный ток в импульсе
                 (ударный ток) более 3000 А

 

                 Примечания:
                 1. Пункт 3.1.1.7 включает:
                 кремниевые триодные тиристоры;
                 электрические триггерные тиристоры;
                 световые триггерные тиристоры;
                 коммутационные тиристоры с
                 интегральными вентилями;
                 вентильные запираемые тиристоры;
                 управляемые тиристоры на
                 МОП-структуре (структуре металл -
                 оксид - полупроводник);
                 солидтроны.
                 2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к
                 тиристорным устройствам и
                 тиристорным модулям, включенным в
                 состав аппаратуры, разработанной для
                 применения на железнодорожном
                 транспорте или в гражданских
                 летательных аппаратах

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный
                 модуль содержит одно или несколько
                 тиристорных устройств;

 

 3.1.1.8.        Твердотельные силовые                 8504 40 820 8;
                 полупроводниковые переключатели,      8536 50 030 0;
                 диоды или модули, имеющие все         8536 50 050 0;
                 следующие характеристики:             8536 50 800 0;
                 а) рассчитанные для максимальной      8541 10 000 9;
                 рабочей температуры p-n-перехода      8541 21 000 0;
                 выше 488 К (215 °C);                  8541 29 000 0;
                 б) повторяющееся импульсное           8541 30 000 9;
                 напряжение в закрытом состоянии       8541 50 000 0
                 (блокирующее напряжение),
                 превышающее 300 В; и
                 в) постоянный ток более 1 А
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечания:
                 1. Повторяющееся импульсное
                 напряжение в закрытом состоянии в
                 пункте 3.1.1.8 включает напряжение
                 сток - исток, выходное остаточное
                 напряжение, повторяющееся импульсное
                 обратное напряжение и блокирующее
                 импульсное напряжение в закрытом
                 состоянии.
                 2. Пункт 3.1.1.8 включает:
                 канальные полевые транзисторы с
                 p-n-переходом (JFET);
                 канальные полевые транзисторы с
                 вертикальным p-n-переходом (VJFET);
                 канальные полевые униполярные
                 транзисторы на МОП-структуре
                 (структуре металл - оксид -
                 полупроводник) (MOSFET);
                 канальные полевые двойные диффузные
                 металл-оксид полупроводниковые
                 транзисторы (DMOSFET);
                 трехфазные тяговые преобразователи
                 на транзисторных ключах (IGBN);
                 транзисторы с высокой подвижностью
                 электронов (ВПЭ-транзисторы) (HMET);
                 биполярные плоскостные транзисторы
                 (BJT);
                 тиристоры и управляемые кремниевые
                 выпрямители (диоды) (SCR);
                 высоковольтные полупроводниковые
                 запираемые тиристоры (GTO);
                 тиристоры с эмиттерами включения
                 (ETO);
                 регулируемые резистивные диоды (PIN-
                 диоды);
                 диоды Шоттки.
                 3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к
                 переключателям, диодам или модулям,
                 включенным в состав аппаратуры,
                 разработанной для применения на
                 железнодорожном транспорте, в
                 гражданских автомобилях или в
                 гражданских летательных аппаратах

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей пункта 3.1.1.8 модуль
                 содержит один или несколько
                 твердотельных силовых
                 полупроводниковых переключателей или
                 диодов

 

 3.1.2.          Нижеперечисленная электронная
                 аппаратура общего назначения:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.2.1.        Записывающая аппаратура и осциллографы:
(п. 3.1.2.1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.2.1.1 -     Исключены. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
 3.1.2.1.4.

 

 3.1.2.1.5.      Приборы для преобразования сигналов   8471 90 000 0;
                 в цифровую форму и записи             8543 70 900 0
                 переходных процессов, имеющие все
                 следующие характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) скорость преобразования в
                 цифровую форму 200 млн. проб в
                 секунду или более и разрешение 10
                 бит или более; и
                 б) непрерывную пропускную
                 способность 2 Гбит/с или более

 

                 Технические примечания:
                 1. Для таких приборов с архитектурой
                 на параллельной шине непрерывная
                 пропускная способность -
                 произведение наибольшего объема слов
                 на количество бит в слове.
                 2. Непрерывная пропускная
                 способность - наивысшая скорость
                 передачи данных аппаратуры, с
                 которой информация поступает в
                 запоминающее устройство без потерь
                 при сохранении скорости выборки и
                 аналого-цифрового преобразования;

 

 3.1.2.1.6.      Системы записи данных цифровой        8471 50 000 0;
                 аппаратуры, использующие способ       8471 60;
                 хранения на магнитном диске, имеющие  8471 70 200 0;
                 все следующие характеристики, и       8471 70 300 0;
                 специально разработанные для них      8471 70 500 0;
                 устройства записи цифровых данных:    8519 89 900 9;
                 а) скорость передачи данных цифровой  8521 90 000 9;
                 аппаратуры 100 млн. проб в секунду    8522 90 490 0;
                 при разрешении 8 бит или более; и     8522 90 800 0
                 б) непрерывную пропускную способность
                 не менее 1 Гбит/с или более
(п. 3.1.2.1.6 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Системы записи данных цифровой
                 аппаратуры могут быть
                 сконфигурированы со встроенным либо
                 не встроенным в устройство записи
                 цифровых данных устройством
                 преобразования в цифровую форму;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.2.1.7.      Осциллографы, работающие в реальном   9030 20
                 масштабе времени, имеющие
                 вертикальное среднеквадратичное
                 напряжение шума менее 2% полной шкалы
                 при вертикальной настройке шкалы,
                 обеспечивающей наименьшее значение
                 шума 3 дБ для любого входного сигнала
                 при полосе пропускания 60 ГГц
                 на канал или более
(п. 3.1.2.1.7 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.1.2.1.7 не применяется
                 к стробоскопическим осциллографам
                 эквивалентного времени;
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.2.2.        Анализаторы сигналов радиочастот:

 

 3.1.2.2.1.      Анализаторы сигналов, имеющие         9030 84 000 9;
                 разрешающую способность 3 дБ для      9030 89 300 0
                 ширины полосы пропускания более 10
                 МГц в любой точке частотного
                 диапазона выше 31,8 ГГц, но не
                 превышающего 37,5 ГГц;

 

 3.1.2.2.2.      Анализаторы сигналов, имеющие         9030 84 000 9;
                 воспроизводимый на дисплее средний    9030 89 300 0
                 уровень шума (ВСУШ) меньше (лучше)
                 -150 дБм/Гц в любой точке частотного
                 диапазона выше 43,5 ГГц, но не
                 превышающего 75 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.2.2.3.      Анализаторы сигналов, способные       9030 84 000 9;
                 анализировать сигналы с частотой      9030 89 300 0
                 выше 75 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.2.2.4.      Анализаторы сигналов, имеющие все     9030 20 300 9;
                 следующие характеристики:             9030 32 000 9;
                 а) полосу частот в реальном масштабе  9030 39 000 9;
                 времени, превышающую 85 МГц; и        9030 84 000 9;
                 б) стопроцентную вероятность          9030 89 300 0
                 обнаружения сигналов длительностью
                 15 мкс или менее со снижением менее
                 3 дБ от полной амплитуды вследствие
                 промежутков или эффектов окон
(п. 3.1.2.2.4 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Технические примечания:
                 1. Вероятность обнаружения,
                 указанная в подпункте "б" пункта
                 3.1.2.2.4, также может называться
                 вероятностью перехвата или захвата
                 сигнала.
                 2. Для целей подпункта "б" пункта
                 3.1.2.2.4 длительность для
                 стопроцентной вероятности обнаружения
                 является эквивалентом минимальной
                 длительности сигнала, необходимой
                 для заданного уровня погрешности
                 измерения
(технические примечания введены Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.1.2.2.4 не применяется к
                 анализаторам сигналов, использующим
                 только фильтры с полосой пропускания
                 фиксированных долей (известны также
                 как октавные или дробно-октавные
                 фильтры);
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.2.2.5.      Анализаторы сигналов, имеющие         9030 20 300 9;
                 функцию механизма запуска маски       9030 32 000 9;
                 частоты (триггера маски частоты)      9030 39 000 9;
                 для захвата переходных                9030 84 000 9;
                 (случайных) сигналов, имеющие         9030 89 300 0
                 длительность сигнала 15 мкс или
                 менее при стопроцентной
                 вероятности запуска
(п. 3.1.2.2.5 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.2.3.        Генераторы сигналов синтезированных   8543 20 000 0
                 частот, формирующие выходные
                 частоты с управлением по параметрам
                 точности, кратковременной и
                 долговременной стабильности на
                 основе или с помощью внутреннего
                 задающего эталонного генератора и
                 имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) определенные для создания
                 импульсно-модулированных сигналов
                 в любом месте диапазона
                 синтезированных частот выше 31,8 ГГц,
                 но не превышающего 75 ГГц, имеющие
                 все следующее:
                 длительность импульса менее 100 нс;
                 и отношение уровня генерируемого
                 импульса к уровню просачивающегося
                 сигнала в паузе 65 дБ или более
(пп. "а" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей абзаца первого подпункта "а"
                 пункта 3.1.2.3 длительность импульса
                 определяется как временной интервал
                 от точки на переднем фронте импульса,
                 который составляет 50% амплитуды
                 импульса, до точки на заднем фронте
                 импульса, который составляет 50%
                 амплитуды импульса;
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 б) выходную мощность более 100 мВт
                 (20 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) в любом месте
                 диапазона синтезированных частот
                 выше 43,5 ГГц, но не превышающего 75
                 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 в) время переключения частоты,
                 определенное любым из следующего:
                 абзац исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
                 менее 100 мкс для любого изменения
                 частоты, превышающего 1,6 ГГц, в
                 пределах диапазона синтезированных
                 частот выше 4,8 ГГц, но не
                 превышающего 10,6 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 менее 250 мкс для любого изменения
                 частоты, превышающего 550 МГц,
                 в пределах диапазона синтезированных
                 частот выше 10,6 ГГц, но не
                 превышающего 31,8 ГГц;
                 менее 500 мкс  для любого изменения
                 частоты, превышающего 550 МГц, в пределах
                 диапазона синтезированных частот выше
                 31,8 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц;
                 менее 1 мс для любого изменения
                 частоты, превышающего 550 МГц, в
                 пределах диапазона синтезированных
                 частот выше 43,5 ГГц, но не
                 превышающего 56 ГГц;
                 или менее 1 мс для любого изменения
                 частоты, превышающего 2,2 ГГц, в
                 пределах диапазона синтезированных
                 частот выше 56 ГГц, но не превышающего
                 75 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 г) фазовый шум одной боковой полосы
                 (ОБП) в единицах (дБ по шкале C
                 шумомера)/Гц, как определено всем
                 следующим:
                 меньше (лучше)
               
                 -(126 + 20log10F - 20 log10f)
                 в любом месте диапазона
                 10Гц < F < 10 кГц в пределах
                 диапазона синтезированных частот
                 выше 3,2 ГГц, но не превышающего
                 75 ГГц; и
                 меньше (лучше)
                  -(114 + 20log10F - 20 log10f)                
                 в любом месте диапазона для
                 10 кГц ≤ F < 500 кГц в пределах
                 диапазона синтезированных частот
                 выше 3,2 ГГц, но не превышающего
                 75 ГГц; или
(пп. "г" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 В подпункте "г" пункта 3.1.2.3
                 F - смещение от рабочей частоты в Гц,
                 а f - рабочая частота в МГц
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 д) максимальную синтезированную
                 частоту, превышающую 75 ГГц
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечания:
                 1. Для целей пункта 3.1.2.3
                 генераторы сигналов синтезированных
                 частот включают в себя генераторы
                 импульсов произвольной формы и
                 генераторы функций

 

                 Техническое примечание.
                 Максимальная синтезированная частота
                 генератора импульсов произвольной
                 формы или генератора функций
                 определяется путем деления частоты
                 выборки (выборка/с) на коэффициент
                 2,5
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 2. Пункт 3.1.2.3 не применяется к
                 аппаратуре, в которой выходная
                 частота создается либо путем
                 сложения или вычитания частот с двух
                 или более кварцевых генераторов,
                 либо путем сложения или вычитания с
                 последующим умножением
                 результирующей частоты;

 

 3.1.2.4.        Схемные анализаторы, имеющие любое    9030 40 000 0
                 из следующего:
                 а) выходную мощность, превышающую
                 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых
                 относительно уровня 1 мВт) в пределах
                 диапазона рабочих частот выше
                 43,5 ГГц, но не превышающего 75 ГГц;
                 б) выходную мощность, превышающую
                 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно
                 уровня 1 мВт) в пределах диапазона
                 рабочих частот выше 75 ГГц,
                 но не превышающего 110 ГГц;
                 в) нелинейный вектор измерения
                 функциональности на частотах выше
                 50 ГГц, но не превышающих 110 ГГц; или

 

                 Техническое примечание.
                 Нелинейным вектором измерения
                 функциональности является способность
                 прибора анализировать результаты
                 испытаний устройств, приводящих
                 в область большого сигнала или
                 в диапазон нелинейного искажения

 

                 г) максимальную рабочую частоту,
                 превышающую 110 ГГц;
(п. 3.1.2.4 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.1.2.5.        Микроволновые приемники-тестеры,      8517 69 390 0
                 имеющие все следующие
                 характеристики:
                 а) максимальную рабочую частоту,
                 превышающую 110 ГГц; и
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 б) способные одновременно измерять
                 амплитуду и фазу;

 

 3.1.2.6.        Атомные эталоны частоты:

 

 3.1.2.6.1.      Пригодные для применения в космосе    8543 20 000 0

 

                 Особое примечание.
                 В отношении атомных эталонов
                 частоты, указанных в пункте
                 3.1.2.6.1, см. также пункт 3.1.1
                 раздела 2;

 

 3.1.2.6.2.      Не являющиеся рубидиевыми эталонами   8543 20 000 0
                 и имеющие долговременную
                 стабильность меньше (лучше)
                 1 x 10-11    в месяц;

 

 3.1.2.6.3.      Рубидиевые эталоны, непригодные для   8543 20 000 0
                 применения в космосе и имеющие все
                 нижеследующее:
                 а) долговременную стабильность
                 меньше (лучше) 1 x 10-11   в месяц; и
                 б) суммарную потребляемую мощность
                 менее 1 Вт

 

 3.1.3.          Терморегулирующие системы             8419 89 989 0;
                 охлаждения диспергированной           8424 89 000 9;
                 жидкостью, использующие               8479 89 970 8
                 оборудование с замкнутым контуром
                 для перемещения и регенерации
                 жидкости в герметичной камере, в
                 которой жидкий диэлектрик
                 распыляется на электронные
                 компоненты при помощи специально
                 разработанных распыляющих сопел,
                 применяемых для поддержания
                 температуры электронных компонентов
                 в пределах их рабочего диапазона, а
                 также специально разработанные для
                 них компоненты
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.2.            Испытательное, контрольное и
                 производственное оборудование

 

 3.2.1.          Нижеперечисленное оборудование для
                 производства полупроводниковых
                 приборов или материалов и специально
                 разработанные компоненты и оснастка
                 для них:

 

 3.2.1.1.        Оборудование, разработанное для
                 эпитаксиального выращивания:

 

 3.2.1.1.1.      Оборудование, обеспечивающее          8486 10 000 9
                 производство слоя из любого
                 материала, отличного от кремния, с
                 отклонением равномерности толщины
                 менее +/- 2,5% на расстоянии 75 мм
                 или более

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.2.1.1.1 включает
                 оборудование для эпитаксиального
                 выращивания атомного слоя;

 

 3.2.1.1.2.      Установки (реакторы) для химического  8486 20 900 9
                 осаждения из паровой фазы
                 металлоорганических соединений,
                 разработанные для эпитаксиального
                 выращивания полупроводниковых
                 соединений из материала, содержащего
                 два или более из следующих элементов:
                 алюминий, галлий, индий, мышьяк,
                 фосфор, сурьма или азот;
(п. 3.2.1.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Особое примечание. Исключено.   -   Указ   Президента   РФ
                 от 21.07.2014 N 519;

 

 3.2.1.1.3.      Оборудование для молекулярно-         8486 10 900 9
                 эпитаксиального выращивания с
                 использованием газообразных или
                 твердых источников;

 

 3.2.1.2.        Оборудование, разработанное или       8486 20 900 9
                 оптимизированное для ионной
                 имплантации, имеющее любую из
                 следующих характеристик:
                 а) энергию пучка 20 кэВ или более и
                 силу тока пучка 10 мА или более для
                 водородных, дейтериевых или
                 гелиевых имплантатов;
                 б) возможность непосредственного
                 формирования рисунка;
                 в) энергию пучка 65 кэВ или более
                 и силу тока пучка 45 мА или более
                 для высокоэнергетической имплантации
                 кислорода в нагретую подложку
                 полупроводникового материала; или
                 г) энергию пучка 20 кэВ или более
                 и силу тока пучка 10 мА или более
                 для имплантации кремния в подложку
                 полупроводникового материала,
                 нагретую до температуры 600 °C
                 или более;
(п. 3.2.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.2.1.3.        Оборудование для сухого               8456 90 800 0;
                 анизотропного плазменного травления,  8486 20 900 2
                 разработанное или оптимизированное
                 для создания всего следующего:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) критических размеров 65 нм или
                 менее; и
                 б) внутренней неоднородности
                 пластины (подложки), равной или
                 меньше 10% (3 сигма), измеренной, за
                 исключением контура (кромки),
                 равного 2 мм или менее;

 

 3.2.1.4 -        Исключены. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
 3.2.1.4.2.

 

 3.2.1.5.        Автоматически загружаемые             8456 10 00;
                 многокамерные системы с центральным   8456 90 800 0;
                 транспортно-загрузочным устройством   8479 50 000 0;
                 для пластин (подложек), имеющие все   8486 20 900 2;
                 следующее:                            8486 20 900 3
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) средства сопряжения для загрузки
                 и выгрузки пластин (подложек),
                 разработанные для возможности
                 присоединения более двух отличных по
                 функциональным возможностям
                 инструментов для обработки
                 полупроводников, определенных в
                 пунктах 3.2.1.1, 3.2.1.2 или 3.2.1.3;
                 и
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 б) разработанные для создания
                 интегрированной системы
                 последовательной многопозиционной
                 обработки пластин (подложек) в
                 вакууме

 

                 Технические примечания:
                 1. Для целей пункта 3.2.1.5
                 инструменты для обработки
                 полупроводников относятся к
                 инструментам модульной конструкции,
                 которые обеспечивают такие, отличные
                 по функциональности, физические
                 процессы производства
                 полупроводников, как осаждение,
                 травление, ионная имплантация или
                 термообработка.
                 2. Для целей пункта 3.2.1.5
                 многопозиционная обработка пластин
                 (подложек) означает возможность
                 обрабатывать каждую пластину
                 (подложку) с помощью различных
                 инструментов для обработки
                 полупроводников, например, путем
                 передачи каждой пластины (подложки)
                 от первого инструмента ко второму и
                 далее к третьему посредством
                 автоматически загружаемых
                 многокамерных систем с центральным
                 транспортно-загрузочным устройством

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.2.1.5 не применяется к
                 автоматическим роботизированным
                 системам для загрузки-разгрузки
                 пластин (подложек), специально
                 разработанным для параллельной
                 обработки пластин (подложек);

 

 3.2.1.6.        Оборудование для литографии:

 

 3.2.1.6.1.      Оборудование для обработки пластин с  8443 39 390 0
                 использованием методов оптической
                 или рентгеновской литографии с
                 пошаговым совмещением и экспозицией
                 (непосредственно на пластине) или
                 сканированием (сканер), имеющее
                 любое из следующего:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) источник света с длиной волны
                 короче 245 нм; или
                 б) возможность формирования рисунка
                 с минимальным разрешаемым размером
                 элемента 95 нм и менее

 

                 Техническое примечание.
                 Минимальный разрешаемый размер
                 элемента (МРР) рассчитывается по
                 следующей формуле:
                 МРР = (длина волны источника света в
                 нанометрах) x (К фактор) / (числовая
                 апертура), где К фактор = 0,35;

 

 3.2.1.6.2.      Литографическое оборудование для      8443 39;
                 печати, способное создавать элементы  8486 20 900
                 размером 95 нм или менее

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.2.1.6.2 включает:
                 а) инструментальные средства для
                 микроконтактной литографии;
                 б) инструментальные средства для
                 горячего тиснения;
                 в) литографические инструментальные
                 средства для нанопечати;
                 г) литографические инструментальные
                 средства для поэтапной и мгновенной
                 печати;

 

 3.2.1.6.3.      Оборудование, специально              8456 10 00;
                 разработанное для изготовления        8486 20 900 3;
                 шаблонов или производства             8486 40 000 1
                 полупроводниковых приборов с
                 использованием методов
                 непосредственного формирования
                 рисунка, имеющее все нижеследующее:
                 а) использующее отклоняемый
                 сфокусированный электронный, ионный
                 или лазерный пучок; и
                 б) имеющее любую из следующих
                 характеристик:
                 размер пятна менее 0,2 мкм;
                 возможность формирования рисунка с
                 размером элементов менее 1 мкм; или
                 точность совмещения слоев лучше +/-
                 0,20 мкм (3 сигма);

 

 3.2.1.7.        Маски и промежуточные шаблоны,        8486 90 900 3
                 разработанные для производства
                 интегральных схем, определенных в
                 пункте 3.1.1;

 

 3.2.1.8.        Многослойные шаблоны с                8486 90 900 3
                 фазосдвигающим слоем, не
                 определенные в пункте 3.2.1.6 и
                 имеющие любое из следующего:
                 а) выполненные на заготовке подложки
                 шаблона из стекла и определенные
                 производителем как имеющие двойное
                 лучепреломление менее 7 нм/см;
                 б) разработанные для применения в
                 литографическом оборудовании,
                 имеющем длину волны источника
                 оптического излучения менее 245 нм
(п. 3.2.1.8 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.2.1.8 не применяется к
                 многослойным шаблонам с
                 фазосдвигающим слоем, разработанным
                 для изготовления запоминающих
                 устройств, не определенных в пункте
                 3.1.1;

 

 3.2.1.9.        Литографические шаблоны для печати,   8486 90 900 3
                 разработанные для интегральных схем,
                 определенных в пункте 3.1.1

 

 3.2.2.          Оборудование, специально
                 разработанное для испытания готовых
                 или находящихся в разной степени
                 изготовления полупроводниковых
                 приборов, и специально разработанные
                 для этого компоненты и
                 приспособления:

 

 3.2.2.1.        Для измерения S-параметров            9031 80 380 0
                 транзисторных приборов на частотах
                 выше 31,8 ГГц;

 

 3.2.2.2.        Для испытания микроволновых           9030;
                 интегральных схем, определенных в     9031 20 000 0;
                 пункте 3.1.1.2.2                      9031 80 380 0

 

 3.3.            Материалы

 

 3.3.1.          Гетероэпитаксиальные структуры
                 (материалы), состоящие из подложки с
                 несколькими последовательно
                 наращенными эпитаксиальными слоями
                 любого из следующих материалов:

 

 3.3.1.1.        Кремний (Si);                         3818 00 100 0;
                                                       3818 00 900 0

 

 3.3.1.2.        Германий (Ge);                        3818 00 900 0

 

 3.3.1.3.        Карбид кремния (SiC); или             3818 00 900 0

 

 3.3.1.4.        Соединения III - V на основе галлия   3818 00 900 0
                 или индия

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.3.1.4 не применяется
                 к подложкам, имеющим один
                 эпитаксиальный слой P-типа или
                 более на основе соединений GaN,
                 InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP,
                 InGaP, AllnP или InGaAlP, независимо
                 от последовательности элементов,
                 за исключением случаев, когда
                 эпитаксиальный слой P-типа находится
                 между слоями N-типа
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.3.2.          Резисты, определенные ниже, а также
                 подложки, покрытые ими:

 

 3.3.2.1.        Резисты, разработанные для            3824 90 970 9
                 полупроводниковой литографии:
                 а) позитивные резисты,
                 приспособленные (оптимизированные)
                 для использования на длине волны
                 в диапазоне от 15 нм до 245 нм;
                 б) резисты, приспособленные
                 (оптимизированные) для
                 использования на длине волны
                 в диапазоне от более 1 нм до 15 нм;
(п. 3.3.2.1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.3.2.2.        Все резисты, разработанные для        3824 90 970 9
                 использования при экспонировании
                 электронными или ионными пучками, с
                 чувствительностью 0,01 мкКл/мм2 или
                 лучше;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.3.2.3.        Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;

 

 3.3.2.4.        Все резисты, оптимизированные под     3824 90 970 9
                 технологии формирования рисунка
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание. Исключено. -  Указ  Президента  РФ
                 от 21.07.2014 N 519

 

 3.3.2.5.        Все резисты, разработанные или        3824 90 970 9
                 приспособленные для применения с
                 оборудованием для литографической
                 печати, определенным в пункте
                 3.2.1.6.2 и использующим процесс
                 термообработки или светоотверждения
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.3.3.          Следующие органо-неорганические
                 соединения:

 

 3.3.3.1.        Металлоорганические соединения        2931 10 000 0;
                 алюминия, галлия или индия с          2931 20 000 0;
                 чистотой металлической основы более   2931 90 400 0;
                 99,999%;                              2931 90 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.3.3.2.        Органические соединения мышьяка,      2931 10 000 0;
                 сурьмы и фосфорорганические           2931 20 000 0;
                 соединения с чистотой основы          2931 90 400 0;
                 неорганического элемента более        2931 90 900 9
                 99,999%
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.3.3 применяется только к
                 соединениям, металлический, частично
                 металлический или неметаллический
                 элемент в которых непосредственно
                 связан с углеродом органической
                 части молекулы

 

 3.3.4.          Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы,  2848 00 000 0;
                 имеющие чистоту более 99,999%, даже   2850 00 200 0
                 будучи растворенными в инертных
                 газах или водороде

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.3.4 не применяется к
                 гидридам, содержащим 20% или более
                 молей инертных газов или водорода

 

 3.3.5.          Полупроводниковые подложки из карбида 3818 00 900 0
                 кремния (SiC), нитрида галлия (GaN),
                 нитрида алюминия (AlN) или нитрида
                 галлия-алюминия (AlGaN) или слитки,
                 були, а также другие преформы из
                 указанных материалов, имеющие
                 удельное сопротивление более
                 100 Ом•м при 20 °C
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 3.3.6.          Подложки, определенные в пункте       3818 00 900 0
                 3.3.5, содержащие по крайней мере
                 один эпитаксиальный слой из карбида
                 кремния (SiC), нитрида галлия (GaN),
                 нитрида алюминия (AlN) или нитрида
                 галлия-алюминия (AlGaN)

 

 3.4.            Программное обеспечение

 

 3.4.1.          Программное обеспечение, специально
                 разработанное для разработки или
                 производства оборудования,
                 определенного в пунктах 3.1.1.2 -
                 3.1.2.7 или 3.2

 

 3.4.2.          Программное обеспечение, специально
                 разработанное для применения
                 оборудования, определенного в
                 пунктах 3.2.1.1 - 3.2.1.6 или 3.2.2

 

 3.4.3.          Физически обоснованное программное
                 обеспечение моделирования,
                 специально разработанное для
                 разработки процессов литографии,
                 травления или осаждения в целях
                 воплощения маскирующих шаблонов в
                 конкретные топографические рисунки
                 на проводниках, диэлектриках или
                 полупроводниках

 

                 Техническое примечание.
                 Под термином "физически
                 обоснованное" в пункте 3.4.3
                 понимается использование вычислений
                 для определения последовательности
                 физических факторов и результатов
                 воздействия, основанных на
                 физических свойствах (например,
                 температура, давление, коэффициент
                 диффузии и полупроводниковые
                 свойства материалов)

 

                 Примечание.
                 Библиотеки, проектные атрибуты или
                 сопутствующие данные для разработки
                 полупроводниковых приборов или
                 интегральных схем рассматриваются
                 как технология

 

 3.4.4.          Программное обеспечение, специально
                 разработанное для разработки
                 оборудования (систем), определенного
                 в пункте 3.1.3

 

 3.5.            Технология

 

 3.5.1.          Технологии в соответствии с общим
                 технологическим примечанием к
                 настоящему Списку для разработки или
                 производства оборудования,
                 определенного в пункте 3.1 или 3.2,
                 или материалов, определенных в
                 пункте 3.3

 

                 Примечание.
                 Пункт 3.5.1 не применяется к
                 технологиям для:
                 а) производства оборудования
                 (систем) или компонентов,
                 определенных в пункте 3.1.3;
                 б) разработки или производства
                 интегральных схем, определенных в
                 пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и
                 имеющих все следующее:
                 использующих технологии при
                 разрешении 0,130 мкм или выше
                 (хуже); и
                 содержащих многослойные структуры с
                 тремя металлическими слоями или
                 менее

 

 3.5.2.          Технологии в соответствии с общим
                 технологическим примечанием к
                 настоящему Списку другие по
                 сравнению с теми, которые определены
                 в пункте 3.5.1, для разработки или
                 производства ядра микросхем
                 микропроцессора, микроЭВМ или
                 микроконтроллера, имеющих
                 арифметико-логическое устройство с
                 длиной выборки 32 бит или более и
                 любые из нижеприведенных
                 особенностей или характеристик:
                 а) блок векторного процессора,
                 предназначенный для выполнения более
                 двух вычислений с векторами для
                 операций с плавающей запятой
                 (одномерными 32-разрядными или более
                 массивами) одновременно

 

                 Техническое примечание.
                 Блок векторного процессора является
                 процессорным элементом со
                 встроенными операторами, которые
                 выполняют многочисленные вычисления
                 с векторами для операций с плавающей
                 запятой (одномерными 32-разрядными
                 или более массивами) одновременно,
                 имеющим, по крайней мере, одно
                 векторное арифметико-логическое
                 устройство;

 

                 б) разработанных для выполнения
                 более четырех 64-разрядных или более
                 операций с плавающей запятой,
                 проходящих за цикл; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 в) разработанных для выполнения
                 более четырех 16-разрядных операций
                 умножения с накоплением с
                 фиксированной запятой, проходящих за
                 цикл (например, цифровая обработка
                 аналоговой информации, которая была
                 предварительно преобразована в
                 цифровую форму, также известная как
                 цифровая обработка сигналов)

 

                 Примечание.
                 Подпункт "в" пункта 3.5.2 не
                 применяется к технологиям
                 мультимедийных расширений

 

                 Примечания:
                 1. Пункт 3.5.2 не применяется к
                 технологиям разработки или
                 производства ядер микропроцессоров,
                 имеющих все следующее:
                 использующих технологии с
                 разрешением 0,130 мкм или выше
                 (хуже); и
                 содержащих многослойные структуры с
                 пятью или менее металлическими
                 слоями.
                 2. Пункт 3.5.2 включает технологии
                 для процессоров цифровой обработки
                 сигналов и цифровых матричных
                 процессоров

 

 3.5.3.          Прочие технологии разработки или
                 производства:
                 а) вакуумных микроэлектронных
                 приборов;
                 б) полупроводниковых электронных
                 приборов на гетероструктурах, таких
                 как транзисторы с высокой подвижностью
                 электронов, биполярных транзисторов
                 на гетероструктуре, приборов с
                 квантовыми ямами или приборов на
                 сверхрешетках
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Подпункт "б" пункта 3.5.3 не
                 применяется к технологиям для
                 транзисторов с высокой подвижностью
                 электронов (ТВПЭ), работающих на
                 частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных
                 транзисторов на гетероструктуре
                 (ГБТ), работающих на частотах ниже
                 31,8 ГГц;

 

                 в) сверхпроводящих электронных
                 приборов;
                 г) подложек из алмазных пленок для
                 электронных компонентов;
                 д) подложек из структур кремния на
                 диэлектрике (КНД-структур) для
                 интегральных схем, в которых
                 диэлектриком является диоксид
                 кремния;
                 е) подложек из карбида кремния для
                 электронных компонентов;
                 ж) электронных вакуумных ламп,
                 работающих на частотах 31,8 ГГц или
                 выше

 

                   КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА

 

                 Примечания:
                 1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и
                 программное обеспечение,
                 задействованные в телекоммуникациях
                 или локальных вычислительных сетях,
                 должны быть также проанализированы
                 на соответствие характеристикам,
                 указанным в части 1 категории 5
                 (Телекоммуникации).
                 2. Устройства управления, которые
                 непосредственно связывают шины или
                 каналы центральных процессоров,
                 устройства оперативной памяти или
                 дисковые контроллеры, не
                 рассматриваются как
                 телекоммуникационное оборудование,
                 описанное в части 1 категории 5
                 (Телекоммуникации)

 

                 Особое примечание.
                 Для определения контрольного статуса
                 программного обеспечения, специально
                 разработанного для коммутации
                 пакетов, следует применять пункт
                 5.4.1.

 

                 3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и
                 программное обеспечение, выполняющие
                 функции криптографии, криптоанализа,
                 сертифицируемой многоуровневой
                 защиты информации или
                 сертифицируемые функции изоляции
                 пользователей либо ограничивающие
                 электромагнитную совместимость
                 (ЭМС), должны быть также
                 проанализированы на соответствие
                 характеристикам, указанным в части 2
                 категории 5 (Защита информации)

 

 4.1.            Системы, оборудование и компоненты

 

 4.1.1.          ЭВМ и сопутствующее оборудование,     8471
                 специально разработанные, чтобы
                 отвечать любому из нижеприведенных
                 условий, а также электронные сборки
                 и специально разработанные
                 компоненты для них:
                 а) быть определенными изготовителем
                 для работы при температуре внешней
                 среды ниже 228 К (-45 °C) или выше
                 358 К (85 °C); или

 

                 Примечание.
                 Подпункт "а" пункта 4.1.1 не
                 применяется к ЭВМ, специально
                 разработанным для гражданских
                 автомобилей, железнодорожных
                 поездов или гражданских летательных
                 аппаратов

 

                 б) быть радиационно стойкими при
                 превышении любого из определенных
                 ниже требований:
                 1) общей дозы 5 x 103  Гр
                 (по кремнию) [5 x 105  рад];
                 2) мощности дозы 5 x 106  Гр
                 (по кремнию)/с [5 x 108  рад/с]; или
                 3) сбоя от однократного события
                 10-8   ошибок/бит/день

 

                 Примечание.
                 Подпункт "б" пункта 4.1.1 не
                 применяется к ЭВМ, специально
                 разработанным для гражданских
                 летательных аппаратов

 

                 Особые примечания:
                 1. Для ЭВМ и относящегося к ним
                 электронного оборудования,
                 выполняющих или включающих функции
                 по защите информации, см. часть 2
                 категории 5.
                 2. В отношении ЭВМ и сопутствующего
                 оборудования, соответствующих
                 требованиям подпункта "б"
                 пункта 4.1.1, см. также пункт 4.1.1
                 раздела 2;

 

 4.1.2.          Цифровые ЭВМ, электронные сборки и
                 сопутствующее оборудование,
                 определенные ниже, а также
                 специально разработанные для них
                 компоненты:

 

                 Примечания:
                 1. Пункт 4.1.2 включает:
                 а) векторные процессоры;
                 б) матричные процессоры;
                 в) процессоры цифровой обработки
                 сигналов;
                 г) логические процессоры;
                 д) оборудование для улучшения
                 качества изображения;
                 е) оборудование для обработки
                 сигналов.
                 2. Контрольный статус цифровых ЭВМ
                 или сопутствующего оборудования,
                 описанных в пункте 4.1.2,
                 определяется контрольным статусом
                 другого оборудования или других
                 систем в том случае, если:
                 а) цифровые ЭВМ или сопутствующее
                 оборудование необходимы для работы
                 другого оборудования или других
                 систем;
                 б) цифровые ЭВМ или сопутствующее
                 оборудование не являются основным
                 элементом другого оборудования или
                 других систем; и

 

                 Особые примечания:
                 1. Контрольный статус оборудования
                 обработки сигналов или улучшения
                 качества изображения, специально
                 разработанного для другого
                 оборудования с функциями,
                 ограниченными функциональным
                 назначением другого оборудования,
                 определяется контрольным статусом
                 такого оборудования, даже если
                 первое превосходит критерий
                 основного элемента.
                 2. Для определения контрольного
                 статуса цифровых ЭВМ или
                 сопутствующего оборудования для
                 телекоммуникационной аппаратуры см.
                 часть 1 категории 5
                 (Телекоммуникации)

 

                 в) технология цифровых ЭВМ и
                 сопутствующего оборудования
                 подпадает под действие пункта 4.5

 

 4.1.2.1.        Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519

 

                 Примечание.
                 Для целей пункта 4.1.2.1 цифровые
                 ЭВМ и сопутствующее оборудование не
                 считаются разработанными или
                 модифицированными для обеспечения
                 отказоустойчивости, если в них
                 используется любое из следующего:
                 а) алгоритмы обнаружения или
                 исправления ошибок, хранимые в
                 оперативной памяти;
                 б) соединение двух цифровых
                 вычислительных машин такое, что если
                 происходит отказ активного
                 центрального процессора, то холостой
                 зеркальный центральный процессор
                 может продолжить функционирование
                 системы;
                 в) соединение двух центральных
                 процессоров посредством каналов
                 передачи данных или с применением
                 разделяемой памяти, для того чтобы
                 обеспечить одному центральному
                 процессору возможность выполнять
                 некоторую работу, пока не откажет
                 другой центральный процессор; тогда
                 первый центральный процессор
                 принимает его работу на себя, чтобы
                 продолжить функционирование системы;
                 или
                 г) синхронизация двух центральных
                 процессоров, объединенных
                 посредством программного обеспечения
                 так, что один центральный процессор
                 распознает, когда отказывает другой
                 центральный процессор, и
                 восстанавливает задачи,
                 выполнявшиеся отказавшим
                 процессором;

 

 4.1.2.2.        Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную     8471 60;
                 пиковую производительность (ППП),     8471 70;
                 превышающую 8,0 взвешенных ТераФЛОПС  8471 80 000 0;
                 (ВТ);                                 8471 90 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 4.1.2.3.        Электронные сборки, специально        8471 60;
                 разработанные или модифицированные    8471 70;
                 для повышения производительности      8471 80 000 0;
                 путем объединения процессоров таким   8471 90 000 0
                 образом, чтобы ППП объединенных
                 сборок превышала пороговое значение,
                 определенное в пункте 4.1.2.2

 

                 Примечания:
                 1. Пункт 4.1.2.3 применяется только
                 к электронным сборкам и
                 программируемым взаимосвязям, не
                 превышающим пределы, определенные в
                 пункте 4.1.2.2, при поставке в виде
                 необъединенных электронных сборок.
                 Он неприменим к электронным сборкам,
                 конструкция которых пригодна только
                 для использования
                 в качестве сопутствующего
                 оборудования, определенного в пункте
                 4.1.2.4.
                 2. Пункт 4.1.2.3 не применяется к
                 электронным сборкам, специально
                 разработанным для отдельных изделий
                 или целого семейства изделий,
                 максимальная конфигурация которых не
                 превышает пределы, определенные в
                 пункте 4.1.2.2;

 

 4.1.2.4.        Оборудование, выполняющее аналого-    8471 90 000 0;
                 цифровые преобразования,              8543 90 000 9
                 превосходящее пределы, определенные
                 в пункте 3.1.1.1.4;

 

 4.1.2.5.        Устройства, специально разработанные  8471 90 000 0;
                 для получения общей                   8517 61 000 1;
                 производительности цифровых ЭВМ,      8517 62 000
                 объединенных с помощью внешних
                 соединений, которые имеют
                 однонаправленную скорость передачи
                 данных, превышающую 2,0 Гбайт/с на
                 канал
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 4.1.2.5 не применяется к
                 внутренним (например, соединительные
                 платы, шины) или пассивным
                 устройствам связи, контроллерам
                 доступа к сети или контроллерам
                 каналов связи

 

 4.1.3.          ЭВМ, определенные ниже, и специально
                 разработанные сопутствующее
                 оборудование, электронные сборки и
                 компоненты для них:

 

 4.1.3.1.        ЭВМ с систолической матрицей;         8471

 

 4.1.3.2.        Нейронные ЭВМ;                        8471

 

 4.1.3.3.        Оптические ЭВМ                        8471

 

 4.1.4.          Системы, оборудование и компоненты,   8471
                 специально разработанные или          8543 70 900 0
                 модифицированные для создания,
                 функционирования или внедрения
                 с использованием средств связи
                 программного обеспечения
                 несанкционированного доступа
                 в компьютерные сети
(п. 4.1.4 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 4.2.            Испытательное, контрольное и
                 производственное оборудование - нет

 

 4.3.            Материалы - нет

 

 4.4.            Программное обеспечение

 

                 Примечание.
                 Контрольный статус программного
                 обеспечения для оборудования,
                 указанного в других категориях,
                 определяется по описанию
                 соответствующей категории
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 4.4.1.          Программное обеспечение следующих
                 видов:

 

 4.4.1.1.        Программное обеспечение, специально
                 разработанное или модифицированное
                 для разработки или производства
                 оборудования или программного
                 обеспечения, определенного в
                 пункте 4.1 или 4.4 соответственно;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 4.4.1.2.        Программное обеспечение иное, чем
                 определенное в пункте 4.4.1.1,
                 специально разработанное или
                 модифицированное для разработки или
                 производства:
                 а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную
                 пиковую производительность (ППП),
                 превышающую 0,60 взвешенных
                 ТераФЛОПС (ВТ); или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 б) электронных сборок, специально
                 разработанных или модифицированных
                 для повышения производительности
                 путем объединения процессоров таким
                 образом, чтобы ППП объединенных
                 сборок превышала пороговое значение,
                 указанное в подпункте "а" пункта
                 4.4.1.2

 

                 Особое примечание.
                 В отношении программного
                 обеспечения, указанного в пункте
                 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 раздела
                 2

 

 4.4.2.          Программное обеспечение,
                 специально
                 разработанное или модифицированное
                 для поддержки технологии,
                 определенной в пункте 4.5

 

 4.4.3.          Программное обеспечение, специально
                 разработанное или модифицированное
                 для создания, функционирования или
                 внедрения с использованием средств
                 связи программного обеспечения
                 несанкционированного доступа
                 в компьютерные сети
(п. 4.4.3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Особое примечание.
                 Для программного обеспечения,
                 выполняющего или включающего функции
                 по защите информации, см. часть 2
                 категории 5

 

 4.5.            Технология

 

 4.5.1.          Технологии в соответствии с общим
                 технологическим примечанием для
                 разработки, производства или
                 применения оборудования или
                 программного обеспечения,
                 определенного в пункте 4.1 или 4.4
                 соответственно

 

 4.5.2.          Технологии иные, чем определенные в
                 пункте 4.5.1, специально
                 разработанные или модифицированные
                 для разработки или производства:
                 а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную
                 пиковую производительность (ППП),
                 превышающую 0,60 взвешенных
                 ТераФЛОПС (ВТ); или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 б) электронных сборок, специально
                 разработанных или модифицированных
                 для повышения производительности
                 путем объединения процессоров таким
                 образом, чтобы ППП объединенных
                 сборок превышала пороговое значение,
                 указанное в подпункте "а" пункта
                 4.5.2

 

 4.5.3.          Технологии для разработки
                 программного обеспечения
                 несанкционированного доступа
                 в компьютерные сети
(п. 4.5.3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Особое примечание.
                 В отношении технологий, указанных в
                 пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также
                 пункт 4.5.1 раздела 2

 

───────────────────────────────────────────────────────────────────────────

 

Техническое примечание по определению приведенной пиковой производительности (ППП).

ППП - приведенная пиковая скорость, на которой цифровые ЭВМ выполняют 64-разрядные или более операции сложения и умножения с плавающей запятой.

Сокращения, используемые в настоящем техническом примечании:

n - количество процессоров в цифровой ЭВМ

i - номер процессора (i, ... n)

ti; - время цикла процессора (ti=1Fi)

Fi- частота процессора

Ri - пиковая скорость вычисления с плавающей запятой

Wi - коэффициент согласования с архитектурой.

ППП выражается во взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) - триллионах (1012) приведенных операций с плавающей запятой в секунду.

Схема способа вычисления ППП:

1. Для каждого процессора i определяется максимальное количество 64-разрядных или более операций с плавающей запятой (ОПЗi), выполняемых за цикл каждым процессором цифровой ЭВМ.

 

Примечание.

При определении ОПЗ учитываются только 64-разрядные или более операции сложения и (или) умножения с плавающей запятой за цикл процессора. Операции, требующие многочисленных циклов, могут быть выражены в дробных результатах за цикл процессора. Для процессоров, неспособных выполнять вычисления с 64-разрядными или более операциями с плавающей запятой, эффективная скорость вычисления R равна нулю.

2. Вычисляется скорость с плавающей запятой R для каждого процессора:

 

Ri=ОПЗi/ti.

 

3. Вычисляется ППП следующим образом:

 

 

ППП = W1 × R1 + W2 × R2 + ...WN × RN.

 

4. Для векторных процессоров - W1=0,9,

 

для невекторных процессоров - W1=0,3.

 

Примечания:

 

1. Для процессоров, которые выполняют составные операции в цикле, такие как сложение и умножение, считается каждая операция.

2. Для конвейерного процессора эффективная скорость вычисления R выше конвейерной скорости при загруженном конвейере или неконвейерной скорости.

3. Скорость вычисления R каждого содействующего процессора должна быть рассчитана по его максимальной теоретически возможной величине перед определением ППП всей комбинации процессоров. Одновременные операции считаются таковыми, когда производитель ЭВМ заявляет в руководстве пользователя или документации к ЭВМ о совпадающих, параллельных или одновременных операциях или процессах исполнения процессором команд программы.

4. При вычислении ППП не учитываются процессоры, ограниченные входными/выходными и периферийными функциями (например, дисководы, устройства связи и мониторы).

5. Значения ППП не следует вычислять для комбинаций процессоров, объединенных локальными сетями, глобальными сетями, совместно используемыми соединениями/устройствами ввода/вывода, контроллерами ввода/вывода и любыми коммуникационными соединениями, осуществляемыми при помощи программного обеспечения.

6. Значения ППП должны вычисляться для:

а) комбинаций процессоров, содержащих специально разработанные процессоры для повышения производительности путем объединения, одновременно работающей и совместно используемой памяти; или

б) многочисленных комбинаций память/процессор, работающих одновременно с использованием специально разработанных аппаратных средств.

 

Техническое примечание.

Объединение всех процессоров и ускорителей, работающих одновременно и расположенных на одной матрице.

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

7. Векторный процессор определяется как процессор со встроенными командами, который выполняет многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 64-разрядными и более массивами) одновременно, имеющий по крайней мере два векторных функциональных устройства и восемь регистров для хранения векторов емкостью по крайней мере 64 элемента каждый.

 

────────────────┬─────────────────────────────────────┬────────────────────
    N пункта    │            Наименование             │    Код ТН ВЭД
────────────────┴─────────────────────────────────────┴────────────────────
                                КАТЕГОРИЯ 5

 

                         Часть 1. Телекоммуникации

 

                 Примечания:
                 1. В части 1 категории 5 определяется
                 контрольный статус компонентов,
                 испытательного и производственного
                 оборудования, а также программного
                 обеспечения для них, специально
                 разработанных для
                 телекоммуникационного оборудования
                 или систем

 

                 Особые примечания:
                 1. Для лазеров, специально
                 разработанных для
                 телекоммуникационного оборудования
                 или систем, см. пункт 6.1.5.
                 2. Для оборудования, компонентов и
                 программного обеспечения, включающих
                 функции защиты информации, см. также
                 часть 2 категории 5

 

                 2. В тех случаях, когда для
                 функционирования или поддержки
                 телекоммуникационного оборудования,
                 описанного в этой категории, и его
                 обеспечения важное значение имеют
                 цифровые ЭВМ, сопутствующее
                 оборудование или программное
                 обеспечение, последние
                 рассматриваются в качестве
                 специально разработанных компонентов
                 при условии, что они являются
                 стандартными моделями, обычно
                 поставляемыми производителем. Это
                 относится к компьютерным системам,
                 реализующим функции управления,
                 сетевого администрирования,
                 технического обслуживания,
                 проектирования или прогнозирования
                 трафика

 

 5.1.1.          Системы, оборудование и компоненты
                 (телекоммуникационные системы,
                 оборудование (аппаратура), компоненты
                 и принадлежности, определенные ниже)

 

 5.1.1.1.        Телекоммуникационное оборудование
                 любого типа, имеющее любую из
                 следующих характеристик, функций или
                 возможностей:

 

 5.1.1.1.1.      Специально разработанное для          8517 12 000 0;
                 сохранения работоспособности при      8517 61 000 2;
                 кратковременных электронных           8517 61 000 8;
                 воздействиях или воздействиях         8517 69 390 0;
                 электромагнитных импульсов,           8525 60 000 9;
                 возникающих при ядерном взрыве;       8543 70 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.1.1.2.      Специально повышенную стойкость к     8517 12 000 0;
                 гамма-, нейтронному или ионному       8517 61 000 2;
                 излучению; или                        8517 61 000 8;
                                                       8517 69 390 0;
                                                       8525 60 000 9;
                                                       8543 70 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.1.1.3.      Специально разработанное для          8517 12 000 0;
                 функционирования за пределами         8517 61 000 2;
                 диапазона температур от 218 К         8517 61 000 8;
                 (-55 °C) до 397 К (124 °C)            8517 69 390 0;
                                                       8525 60 000 9;
                                                       8543 70 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.1.1.1.3 применяется только к
                 электронному оборудованию

 

                 Примечание.
                 Пункты 5.1.1.1.2 и 5.1.1.1.3 не
                 применяются к оборудованию,
                 разработанному или модифицированному
                 для использования на борту спутников

 

 5.1.1.2.        Телекоммуникационные системы и
                 оборудование, а также специально
                 разработанные для них компоненты и
                 принадлежности, имеющие любую из
                 следующих характеристик, функций или
                 возможностей:

 

 5.1.1.2.1.      Являющиеся системами подводной        9014 80 000 0;
                 беспроводной связи, имеющими любую    9015 80 910 0
                 из следующих характеристик:
                 а) акустическую несущую частоту за
                 пределами интервала от 20 кГц до
                 60 кГц;
                 б) использующими электромагнитную
                 несущую частоту ниже 30 кГц; или
                 в) использующими электронное
                 управление положением главного
                 лепестка (диаграммы направленности
                 антенны); или
                 г) использующими в локальной сети
                 лазеры или светоизлучающие диоды
                 (СИД) с выходной длиной волны более
                 400 нм, но менее 700 нм;

 

 5.1.1.2.2.      Являющиеся радиоаппаратурой,          8517 12 000 0;
                 работающей в диапазоне частот         8517 61 000 2;
                 1,5 МГц - 87,5 МГц и имеющей все      8517 61 000 8;
                 следующие характеристики:             8525 60 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) возможность автоматически
                 прогнозировать и выбирать частоты и
                 общие скорости цифровой передачи в
                 канале для оптимизации передачи
                 полезного сигнала; и
                 б) встроенный линейный усилитель
                 мощности, способный одновременно
                 пропускать множество сигналов с
                 выходной мощностью 1 кВт или более в
                 диапазоне частот от 1,5 МГц до 30 МГц
                 или 250 Вт или более в диапазоне
                 частот от 30 МГц до 87,5 МГц
                 включительно на мгновенной ширине
                 полосы частот в одну октаву или
                 более и с гармониками и искажениями
                 на выходе лучше -80 дБ;

 

 5.1.1.2.3.      Являющиеся радиоаппаратурой,          8517 12 000 0;
                 использующей методы расширения        8517 61 000 2;
                 спектра, включая метод скачкообразной 8517 61 000 8;
                 перестройки частоты, не определенной  8525 60 000 9
                 в пункте 5.1.1.2.4, имеющей любую из
                 следующих характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) коды расширения, программируемые
                 пользователем; или
                 б) общую ширину передаваемой полосы
                 частот выше 50 кГц, при этом она в
                 100 или более раз превышает ширину
                 полосы частот любого единичного
                 информационного канала

 

                 Примечание.
                 Подпункт "б" пункта 5.1.1.2.3
                 не применяется к радиоаппаратуре,
                 специально разработанной для
                 использования с любым из следующего:
                 а) гражданскими системами сотовой
                 радиосвязи; или
                 б) стационарными или мобильными
                 наземными спутниковыми станциями
                 для гражданских коммерческих
                 сетей связи
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.1.1.2.3 не применяется к
                 аппаратуре, разработанной для
                 эксплуатации с выходной мощностью
                 1,0 Вт или менее

 

                 Особое примечание.
                 В отношении радиоаппаратуры,
                 указанной в пункте 5.1.1.2.3, см.
                 также пункт 5.1.1.1.1 раздела 2;

 

 5.1.1.2.4.      Являющиеся радиоаппаратурой,          8517 12 000 0;
                 использующей технику                  8517 61 000 2;
                 сверхширокополосной модуляции,        8517 61 000 8;
                 имеющей программируемые пользователем 8525 60 000 9
                 коды формирования каналов, коды
                 шифрования или коды опознавания сети,
                 имеющей любую из следующих
                 характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) ширину полосы частот, превышающую
                 500 МГц; или
                 б) относительную ширину полосы
                 частот 20% или более;

 

 5.1.1.2.5.      Являющиеся радиоприемными
                 устройствами с цифровым управлением,  8257
                 имеющими все следующие
                 характеристики:
                 а) более 1000 каналов;
                 б) время переключения канала менее
                 1 мс;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 в) автоматический поиск или
                 сканирование в части спектра
                 электромагнитных волн; и
                 г) возможность идентификации
                 принятого сигнала или типа
                 передатчика; или

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.1.1.2.5 не применяется к
                 устройствам, специально разработанным
                 для использования с гражданскими
                 системами сотовой радиосвязи

 

                 Техническое примечание.
                 Время переключения канала - время
                 (задержка по времени), необходимое
                 для перехода с одной приемной
                 частоты на другую для достижения
                 диапазона частот в пределах 
                 ±0,05%
                 от значения конечной определенной
                 приемной частоты. Изделия, имеющие
                 заданный приемный частотный диапазон
                 в пределах менее 
                 ±0,05% около их
                 центральной частоты, определяются
                 как неспособные к переключению
                 частоты канала (часть 1
                 категории 5)
(техническое  примечание  введено  Указом  Президента РФ от 21.07.2014
N 519)

 

                 Особое примечание.
                 В отношении радиоприемных устройств,
                 указанных в пункте 5.1.1.2.5, см.
                 также пункт 5.1.1.1.2 раздела 2 и
                 пункт 5.1.1.1 раздела 3;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.1.2.6.      Использующие функции цифровой         8517 12 000 0;
                 обработки сигнала на выходном         8517 61 000 2;
                 устройстве для обеспечения            8517 61 000 8;
                 кодирования речи со скоростью менее   8525 60 000 9
                 2400 бит/с
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Технические примечания:
                 1. Пункт 5.1.1.2.6 применяется при
                 наличии выходного устройства для
                 кодирования речевых сигналов связной
                 речи с изменяющейся скоростью.
                 2. Для целей пункта 5.1.1.2.6
                 "кодирование речи" определяется как
                 техника взятия образцов человеческого
                 голоса с последующим преобразованием
                 этих образцов в цифровой сигнал с
                 учетом специфических параметров
                 человеческой речи

 

 5.1.1.3.        Оптические волокна длиной более       8544 70 000 0;
                 500 м и определенные производителем   9001 10 900
                 как способные выдерживать при
                 контрольном испытании растягивающее
                 напряжение 2 x 109  Н/м2 или более

 

                 Техническое примечание.
                 Контрольное испытание - отборочное
                 испытание в режиме онлайн
                 (встроенное в технологическую
                 цепочку получения волокна) или
                 проводимое отдельно, которое
                 заключается в приложении
                 заданного растягивающего напряжения
                 к движущемуся со скоростью от 2 м/с
                 до 5 м/с волокну на участке длиной
                 от 0,5 м до 3 м между натяжными
                 барабанами диаметром около 150 мм.
                 Испытания могут проводиться
                 по соответствующим национальным
                 стандартам при температуре
                 окружающей среды 293 К
                 (20 °C) и относительной влажности 40%

 

                 Особое примечание.
                 Для подводных составных кабелей
                 см. пункт 8.1.2.1.3;

 

 5.1.1.4.        Фазированные антенные решетки с       8529 10 950 0
                 электронным управлением диаграммой
                 направленности, функционирующие на
                 частотах, превышающих 31,8 ГГц
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.1.1.4 не применяется к
                 фазированным антенным решеткам с
                 электронным управлением диаграммой
                 направленности для систем посадки с
                 аппаратурой, удовлетворяющей
                 стандартам Международной
                 организации гражданской авиации
                 (ИКАО), перекрывающим системы
                 посадки СВЧ-диапазона (MLS)

 

 5.1.1.5.        Оборудование радиопеленгации,         8517 61 000 2;
                 работающее на частотах выше 30 МГц    8517 61 000 8;
                 и имеющее все следующие               8526 91 200 0
                 характеристики, и специально
                 разработанные для него компоненты:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) мгновенную ширину полосы частот,
                 равную 10 МГц или выше; и
                 б) способное находить азимутальное
                 направление (АН) к
                 невзаимодействующим
                 радиопередатчикам с длительностью
                 сигнала менее 1 мс

 

 5.1.1.6.        Оборудование для прослушивания
                 (перехвата) или глушения (подавления)
                 мобильной дистанционной связи и
                 оборудование для его мониторинга,
                 определенное ниже, а также специально
                 разработанные для такого оборудования
                 компоненты:

 

 5.1.1.6.1.      Оборудование для прослушивания        8517 62 000 9;
                 (перехвата), разработанное для        8517 69 390 0;
                 выделения сигналов голосовых или      8517 69 900 0;
                 информационных данных,                8518 10;
                 передающихся через радиоинтерфейс;    8525 60 000 9;
                                                       8543 70 900 0;
                                                       9013 20 000 0

 

 5.1.1.6.2.      Оборудование для прослушивания        8517 62 000 9;
                 (перехвата), не определенное в        8517 69 390 0;
                 пункте 5.1.1.6.1, разработанное для   8517 69 900 0;
                 выделения сигналов устройств          8518 10;
                 пользователей или идентификаторов     8525 60 000 9;
                 абонентов (например, международный    8543 70 900 0;
                 идентификационный номер подвижного    9013 20 000 0
                 абонента (IMSI), временный
                 международный идентификационный
                 номер подвижного абонента (TIMSI)
                 или международная идентификация
                 мобильного оборудования (IMEI-
                 номер), сигнальных или других
                 метаданных, передающихся через
                 радиоинтерфейс

 

                 Примечание.
                 Пункты 5.1.1.6.1 и 5.1.1.6.2 не
                 применяются к любому из следующего
                 оборудования:

 

                 а) специально разработанному для
                 прослушивания (перехвата) аналоговой
                 частной подвижной радиосвязи (PMR)
                 (стандарт Института инженеров по
                 электротехнике и радиоэлектронике для
                 беспроводных локальных сетей IEEE
                 802.11 WLAN);
                 б) разработанному для операторов
                 сетей мобильной дистанционной связи;
                 или
                 в) предназначенному для разработки
                 либо производства оборудования или
                 систем мобильной дистанционной
                 связи;
                 г) специальным техническим средствам,
                 проводным и беспроводным (системам,
                 радиоэлектронным и электронным
                 устройствам), предназначенным для
                 негласного прослушивания (перехвата)
                 телефонных переговоров, перехвата и
                 регистрации информации с технических
                 каналов связи;

 

 5.1.1.6.3.      Оборудование глушения (подавления)    8525 60 000 9;
                 сигналов, специально разработанное    8526 10 000 9
                 или модифицированное для
                 умышленного и избирательного
                 вмешательства в работу мобильной
                 дистанционной связи, препятствования
                 ее осуществлению, замедления,
                 ухудшения или сбоя связи и
                 выполняющее любую из следующих
                 функций:
                 а) имитирующее функции
                 оборудования сети радиосвязи с
                 абонентами;
                 б) обнаруживающее и использующее
                 специфические характеристики
                 применяемого протокола мобильной
                 сети (например, GSM); или
                 в) использующее специфические
                 характеристики применяемого протокола
                 мобильной сети (например, GSM);

 

 5.1.1.6.4.      Радиочастотное оборудование для       8517 62 000 9;
                 мониторинга, разработанное или        8517 69 390 0;
                 модифицированное для идентификации    8517 69 900 0;
                 работы продукции, определенной в      8526 10 000 9;
                 пункте 5.1.1.6.1, 5.1.1.6.2 или       8543 70 900 0
                 5.1.1.6.3
(п. 5.1.1.6 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Особое примечание.
                 Для радиоприемных устройств
                 см. пункт 5.1.1.2.5
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.1.7.        Системы или оборудование пассивной    8526 10 000 9
                 когерентной локации, специально
                 разработанные для обнаружения
                 движущихся объектов и слежения за
                 ними путем измерения отражений
                 фоновых радиочастотных излучений,
                 подаваемых нелокационными
                 передатчиками
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 К нелокационным передатчикам
                 могут относиться коммерческие радио-
                 и телевизионные станции или базовые
                 станции сотовой связи
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.1.1.7 не применяется к любому
                 из следующего:
                 а) радиоастрономическому
                 оборудованию; или
                 б) системам или оборудованию, которым
                 требуется какой-либо радиосигнал от
                 движущегося объекта

 

 5.1.1.8.        Оборудование, противодействующее
                 самодельным взрывным устройствам, и
                 сопутствующее оборудование:

 

5.1.1.8.1.       Радиочастотное (RF) передающее        8517 62 000 9;
                 оборудование, не определенное в       8517 69 900 0;
                 пункте 5.1.1.6, разработанное или     8526 10 000 9
                 модифицированное для
                 преждевременного приведения в
                 действие самодельных взрывных
                 устройств или предотвращения их
                 инициирования;

 

5.1.1.8.2.       Оборудование, использующее методы,    8517 62 000 9;
                 разработанные для поддержания линии   8517 69 900 0;
                 радиосвязи на тех же частотных        8526 10 000 9
                 каналах, на которых осуществляется
                 передача находящимся вблизи
                 оборудованием, определенным в пункте
                 5.1.1.8.1
(п. 5.1.1.8 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Особое примечание.
                 В отношении оборудования, указанного
                 в пункте 5.1.1.8, см. также пункт
                 5.1.1.2 разделов 2 и 3
(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.1.9.        Системы или оборудование контроля     8471;
                 сетевой связи, работающие с           8517 62 000;
                 протоколом IP, и специально           8517 69 900 0;
                 разработанные для них компоненты,     8526 10 000 9;
                 имеющие все следующее:                8543 70 900 0;
                 а) выполняющие все следующее в IP-    9030 40 000 0
                 сети (например, национальный уровень
                 передающей по протоколу IP-среды):
                 анализ на прикладном уровне
                 (например, седьмой уровень модели
                 взаимодействия открытых систем (BOC,
                 ISO/IEC 7498-1);
                 извлечение выбранных метаданных и
                 прикладных программ (голос, видео,
                 сообщения, приложения); и
                 индексацию извлеченных данных; и
                 б) являющиеся специально
                 разработанными для выполнения всего
                 следующего:
                 поиска на основе четко заданных
                 критериев; и
                 отображения реляционной сети
                 отдельных лиц или группы лиц
(п. 5.1.1.9 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.1.1.9 не применяется к
                 системам или оборудованию,
                 специально разработанным для любого
                 из следующего:
                 а) рекламных целей;
                 б) оценки качества и класса
                 предоставляемых услуг передачи
                 данных по сети; или
                 в) оценки квалификации
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Четко заданные критерии - данные или
                 набор данных, относящихся к
                 отдельному лицу (например, фамилия,
                 имя, электронная почта, название
                 улицы, номер телефона или
                 принадлежность к группе и т.д.)
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.2.1.          Испытательное, контрольное и
                 производственное оборудование
                 (телекоммуникационное испытательное,
                 контрольное и производственное
                 оборудование (аппаратура), компоненты
                 и принадлежности, определенные ниже)

 

 5.2.1.1.        Оборудование и специально
                 разработанные компоненты или
                 принадлежности для него, специально
                 разработанные для разработки или
                 производства оборудования, функций
                 или возможностей, определенных в
                 пункте 5.1.1
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.2.1.1 не применяется к
                 оборудованию определения параметров
                 оптического волокна

 

                 Особое примечание.
                 В отношении оборудования и
                 компонентов или принадлежностей для
                 него, указанных в пункте 5.2.1.1,
                 см. также пункт 5.2.1.1 раздела 2

 

 5.2.1.2.        Оборудование и специально
                 разработанные компоненты или
                 принадлежности для него, специально
                 разработанные для разработки любого
                 из следующего телекоммуникационного
                 передающего или коммутационного
                 оборудования:

 

 5.2.1.2.1.      Оборудования, использующего лазер и
                 имеющего любое из следующего:
                 а) длину волны передачи данных,
                 превышающую 1750 нм;
                 б) производящего оптическое усиление
                 с применением оптико-волоконных
                 усилителей на легированном
                 празеодимием фторидном стекле;
                 в) использующего технику когерентной
                 оптической передачи или когерентного
                 оптического детектирования; или
(пп. "в" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Подпункт "в" пункта 5.2.1.2.1
                 применяется к оборудованию,
                 специально разработанному для
                 разработки систем, использующих
                 оптический гетеродин в приемной
                 стороне системы с целью
                 синхронизации с несущей частотой
                 лазера
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей подпункта "в"
                 пункта 5.2.1.2.1 такая техника
                 включает технику оптического
                 гетеродинирования, оптического
                 синхронного детектирования или
                 интрадирования;
(техническое  примечание  введено  Указом  Президента  РФ от 21.07.2014
N 519)

 

                 г) использующего аналоговую технику
                 при ширине полосы пропускания,
                 превышающей 2,5 ГГц; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Подпункт "г" пункта 5.2.1.2.1 не
                 применяется к оборудованию,
                 специально разработанному для
                 разработки систем коммерческого
                 телевидения;

 

 5.2.1.2.2.      Радиоаппаратуры, использующей
                 технику квадратурной амплитудной
                 модуляции (КАМ) с уровнем выше 256
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.2.1.2.3.      Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519

 

 5.3.1.          Материалы - нет

 

 5.4.1.          Программное обеспечение

 

 5.4.1.1.        Программное обеспечение, специально
                 разработанное или модифицированное
                 для разработки, производства или
                 применения оборудования, функций или
                 возможностей, определенных в пункте
                 5.1.1

 

                 Особое примечание.
                 В отношении программного
                 обеспечения, указанного в пункте
                 5.4.1.1, см. также пункт 5.4.1.1
                 разделов 2 и 3

 

 5.4.1.2.        Программное обеспечение, специально
                 разработанное или модифицированное
                 для обслуживания технологий,
                 определенных в пункте 5.5.1

 

                 Особое примечание.
                 В отношении программного
                 обеспечения, указанного в пункте
                 5.4.1.2, см. также пункт 5.4.1.2
                 раздела 2

 

 5.4.1.3.        Специальное программное обеспечение,
                 специально разработанное или
                 модифицированное для обеспечения
                 характеристик, функций или
                 возможностей оборудования,
                 определенного в пункте 5.1.1 или
                 5.2.1

 

 5.4.1.4.        Программное обеспечение, специально
                 разработанное или модифицированное
                 для разработки любого из следующего
                 телекоммуникационного передающего
                 или коммутационного оборудования:

 

 5.4.1.4.1.      Оборудования, использующего лазер и
                 имеющего любое из следующего:
                 а) длину волны передачи данных,
                 превышающую 1750 нм; или
                 б) использующего аналоговую технику
                 при ширине полосы пропускания,
                 превышающей 2,5 ГГц; или

 

                 Примечание.
                 Подпункт "б" пункта 5.4.1.4.1 не
                 применяется к программному
                 обеспечению, специально
                 разработанному или модифицированному
                 для разработки систем коммерческого
                 телевидения

 

 5.4.1.4.2.      Радиоаппаратуры, использующей
                 технику квадратурной амплитудной
                 модуляции (КАМ) с уровнем выше 256

 

 5.5.1.          Технология

 

 5.5.1.1.        Технологии в соответствии с общим
                 технологическим примечанием для
                 разработки, производства или
                 применения (исключая эксплуатацию)
                 оборудования или его функциональных
                 возможностей, определенных в
                 пункте 5.1.1, или программного
                 обеспечения, определенного в
                 пункте 5.4.1.1

 

                 Особое примечание.
                 В отношении технологий, указанных в
                 пункте 5.5.1.1, см. также пункт
                 5.5.1.1
                 разделов 2 и 3

 

 5.5.1.2.        Специальные технологии следующих
                 видов:

 

 5.5.1.2.1.      Технология разработки или
                 производства телекоммуникационного
                 оборудования, специально
                 разработанного для использования на
                 борту спутников;

 

 5.5.1.2.2.      Технология разработки или применения
                 техники лазерной связи со
                 способностью автоматического захвата
                 и удержания сигнала и поддержания
                 связи через внеатмосферную или
                 подземную (подводную) передающую
                 среду;

 

 5.5.1.2.3.      Технология разработки приемной
                 аппаратуры цифровых базовых сотовых
                 радиостанций, приемные параметры
                 которых, допускающие
                 многодиапазонный, многоканальный,
                 многомодовый, многокодируемый
                 алгоритм или многопротокольную
                 работу, могут быть модифицированы
                 изменениями в программном
                 обеспечении;

 

 5.5.1.2.4.      Технология разработки аппаратуры,
                 использующей методы расширения
                 спектра, включая методы
                 скачкообразной перестройки частоты

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.5.1.2.4 не применяется
                 к технологиям разработки любого
                 из следующего:
                 а) гражданских сотовых
                 радиокоммуникационных систем; или
                 б) стационарных или мобильных
                 наземных спутниковых станций для
                 гражданских коммерческих сетей
                 связи
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.5.1.3.        Технологии в соответствии с общим
                 технологическим примечанием для
                 разработки или производства любого
                 из следующего телекоммуникационного
                 оборудования (аппаратуры), в том
                 числе коммутационного:

 

 5.5.1.3.1.      Оборудования, использующего
                 цифровую технику, разработанную для
                 выполнения операций с общей
                 скоростью цифровой передачи,
                 превышающей 120 Гбит/с
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Для телекоммуникационного
                 коммутационного оборудования общая
                 скорость цифровой передачи -
                 однонаправленная скорость одного
                 интерфейса, измеренная по самой
                 высокой скорости порта или линии;

 

5.5.1.3.2.       Оборудования, использующего лазер и
                 имеющего любое из следующего:
                 а) длину волны передачи данных,
                 превышающую 1750 нм;
                 б) производящего оптическое усиление
                 с применением оптико-волоконных
                 усилителей на легированном
                 празеодимием фторидном стекле;
                 в) использующего технику когерентной
                 оптической передачи или когерентного
                 оптического детектирования
(пп. "в" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Подпункт "в" пункта 5.5.1.3.2
                 применяется к технологии разработки
                 или производства систем, использующих
                 оптический гетеродин в приемной
                 стороне системы для синхронизации
                 с несущей частотой лазера
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей подпункта "в" пункта
                 5.5.1.3.2 такая техника включает
                 технику оптического
                 гетеродинирования, оптического
                 синхронного детектирования или
                 интрадирования;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 г) использующего при распределении
                 длин волн технику
                 мультиплексирования оптических
                 несущих частот с интервалом менее
                 100 ГГц; или
                 д) использующего аналоговую технику
                 при ширине полосы пропускания,
                 превышающей 2,5 ГГц

 

                 Примечание.
                 Подпункт "д" пункта 5.5.1.3.2 не
                 применяется к технологиям разработки
                 или производства систем
                 коммерческого телевидения

 

                 Особое примечание.
                 Для технологии разработки или
                 производства
                 нетелекоммуникационного
                 оборудования, использующего лазер,
                 см. пункт 6.5;

 

 5.5.1.3.3.      Оборудования, использующего
                 оптическую коммутацию и имеющего
                 время переключения менее 1 мс;

 

 5.5.1.3.4.      Радиоаппаратуры, имеющей любое из
                 следующего:
                 а) использующей технику квадратурной
                 амплитудной модуляции (КАМ) с
                 уровнем выше 256;
                 б) работающей на входных или
                 выходных частотах, превышающих 31,8
                 ГГц; или

 

                 Примечание.
                 Подпункт "б" пункта 5.5.1.3.4 не
                 применяется к технологиям разработки
                 или производства оборудования,
                 разработанного или
                 модифицированного для работы в
                 любом диапазоне частот,
                 распределенном Международным
                 союзом электросвязи для обслуживания
                 радиосвязи, но не для
                 радиоопределения

 

                 в) работающей в диапазоне частот
                 1,5 МГц - 87,5 МГц и включающей
                 адаптивные средства управления,
                 обеспечивающие более 15 дБ
                 подавления помехи; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.5.1.3.5.      Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519

 

 5.5.1.3.6.      Мобильного оборудования, имеющего
                 все следующее:
                 а) работающего на длине световой
                 волны в диапазоне от 200 нм до 400
                 нм включительно; и
                 б) работающего как локальная сеть

 

 5.5.1.4.        Технологии в соответствии с общим
                 технологическим примечанием для
                 разработки или производства
                 монолитных микроволновых
                 интегральных схем (ММИС) -
                 усилителей мощности, специально
                 разработанных для телекоммуникации
                 и имеющих любое из следующего:
                 а) определенные изготовителем для
                 работы на частотах от более 2,7 ГГц
                 до 6,8 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 15% и имеющие любое из
                 следующего:
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 75 Вт (48,75 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 2,7
                 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 55 Вт (47,4 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 2,9
                 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 40 Вт (46 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 3,2
                 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 20 Вт (43 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более
                 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
                 б) определенные изготовителем для
                 работы на частотах от более 6,8 ГГц
                 до 16 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 10% и имеющие любое из
                 следующего:
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 10 Вт (40 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более
                 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или
                 пиковую выходную мощность в режиме
                 насыщения более 5 Вт (37 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 8,5
                 ГГц до 16 ГГц включительно;
                 в) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью в
                 режиме насыщения более 3 Вт (34,77
                 дБ, отсчитываемых относительно уровня
                 1 мВт) на любой частоте от более 16
                 ГГц до 31,8 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 10%;
                 г) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью в
                 режиме насыщения более 0,1 нВт (-70
                 дБ, отсчитываемых относительно уровня
                 1 мВт) на любой частоте от более 31,8
                 ГГц до 37 ГГц включительно;
                 д) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью в
                 режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц
                 до 43,5 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 10%;
                 е) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью в
                 режиме насыщения более 31,62 мВт (15
                 дБ, отсчитываемых относительно уровня
                 1 мВт) на любой частоте от более 43,5
                 ГГц до 75 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 10%;
                 ж) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью в
                 режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц
                 до 90 ГГц включительно при
                 относительной ширине полосы частот
                 более 5%; или
                 з) определенные изготовителем для
                 работы с пиковой выходной мощностью в
                 режиме насыщения более 0,1 нВт (-70
                 дБ, отсчитываемых относительно уровня
                 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц
(п. 5.5.1.4 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей пункта 5.5.1.4 пиковой
                 выходной мощностью в режиме насыщения
                 могут также называться (в
                 соответствии со спецификацией
                 производителя) выходная мощность,
                 выходная мощность в режиме насыщения,
                 максимальная выходная мощность,
                 пиковая выходная мощность или пиковая
                 огибающая выходная мощность
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.5.1.5.        Технологии в соответствии с общим
                 технологическим примечанием для
                 разработки или производства
                 электронных приборов и схем,
                 специально разработанных для
                 телекоммуникации и содержащих
                 компоненты, изготовленные из
                 сверхпроводящих материалов,
                 специально разработанных для работы
                 при температурах ниже критической
                 температуры хотя бы одной из
                 сверхпроводящих составляющих и
                 имеющих любое из следующего:
                 а) переключение тока для цифровых
                 схем, использующих сверхпроводящие
                 вентили, у которых произведение
                 времени задержки на вентиль (в
                 секундах) на рассеиваемую мощность
                 на вентиль (в ваттах) менее 10-14    Дж;
                 или
                 б) частотную селекцию на всех
                 частотах с использованием
                 резонансных контуров со значением
                 добротности, превышающим 10 000

 

                        Часть 2. Защита информации

 

                 Примечания:
                 1. Контрольный статус оборудования
                 (аппаратуры), программного
                 обеспечения, систем, электронных
                 сборок специального применения,
                 модулей, интегральных схем,
                 компонентов или функций, применяемых
                 для защиты информации, определяется
                 по части 2 категории 5, даже если они
                 являются компонентами или
                 электронными сборками другого
                 оборудования.
                 2. Часть 2 категории 5 не применяется
                 к товарам, когда они вывозятся
                 пользователем для личного
                 использования.
                 3. Криптографическое примечание.
                 Пункты 5.1.2 и 5.4.2 не применяются к
                 следующей продукции:
                 а) продукции, соответствующей всему
                 следующему:
                 1) общедоступной для продажи
                 населению без ограничений из
                 имеющегося в наличии ассортимента в
                 местах розничной продажи посредством
                 любого из следующего:
                 продажи за наличные;
                 продажи путем заказа товаров по
                 почте;
                 электронных сделок; или
                 продажи по телефонным заказам;
                 2) криптографические функциональные
                 возможности которой не могут быть
                 легко изменены пользователем;
                 3) разработанной для установки
                 пользователем без дальнейшей
                 существенной поддержки поставщиком; и
                 4) доступные части которой в случае
                 необходимости будут представлены
                 экспортерами национальному
                 уполномоченному органу страны-
                 экспортера по требованию последнего,
                 чтобы убедиться в их соответствии
                 условиям, изложенным в пунктах 1 - 3
                 подпункта "а" настоящего
                 криптографического примечания;
                 б) компонентам аппаратных средств или
                 исполняемому программному обеспечению
                 в составе продукции, описанной в
                 подпункте "а" настоящего
                 криптографического примечания,
                 которые были разработаны для этой
                 продукции и соответствуют всем
                 следующим требованиям:
                 1) защита информации не является
                 основной функцией или набором
                 основных функций компонента или
                 исполняемого программного
                 обеспечения;
                 2) компонент или исполняемое
                 программное обеспечение не меняет
                 каких-либо криптографических
                 возможностей указанной продукции или
                 не добавляет ей новых
                 криптографических возможностей;
                 3) набор функциональных возможностей
                 компонента или исполняемого
                 программного обеспечения является
                 неизменным и не может быть
                 перепроектирован или модифицирован по
                 требованию покупателя; и
                 4) части компонента или исполняемого
                 программного обеспечения и важных
                 готовых элементов, определяемых
                 национальным уполномоченным органом
                 страны-экспортера, являются
                 доступными и в случае необходимости
                 будут представлены этому
                 уполномоченному органу по его
                 требованию, чтобы убедиться в их
                 соответствии техническим условиям,
                 изложенным выше
(п. 3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей криптографического
                 примечания исполняемое программное
                 обеспечение означает программное
                 обеспечение в исполняемой форме для
                 компонентов аппаратных средств,
                 выведенных из-под контроля
                 криптографическим примечанием
(техническое  примечание  введено  Указом  Президента  РФ от 21.07.2014
N 519)

 

                 Примечание.
                 Исполняемое программное обеспечение
                 не включает завершенные бинарные
                 изображения программного обеспечения,
                 запущенного на готовом изделии
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечания к криптографическому
                 примечанию:
                 1. Чтобы соответствовать требованиям
                 подпункта "а" криптографического
                 примечания, должно быть соблюдено все
                 нижеследующее:
                 а) продукция должна быть товаром
                 массового производства и доступна
                 широкому кругу физических и
                 юридических лиц; и
                 б) информация об основных функциях
                 продукции должна быть общедоступной и
                 цена ее должна быть известна до
                 закупки, без необходимости
                 консультации с продавцом или
                 поставщиком.
                 2. Для определения приемлемости
                 применения подпункта "а"
                 криптографического примечания
                 национальные уполномоченные органы
                 страны-экспортера могут принимать во
                 внимание такие существенные факторы,
                 как количество, цена, необходимые
                 технические навыки потребителя,
                 каналы продаж, наиболее вероятные
                 покупатели, возможные области
                 применения или какие-либо юридические
                 ограничения, вытекающие из практики
                 поставок
(примечания к криптографическому примечанию введены Указом Президента РФ от
21.07.2014 N 519)

 

                 4. Часть 2 категории 5 не применяется
                 к товарам, включающим или
                 использующим криптографию и
                 удовлетворяющим всем следующим
                 требованиям:
                 а) основная функция или набор
                 функций которых не является любым из
                 следующего:
                 защитой информации;
                 ЭВМ, включая операционную систему,
                 деталями и компонентами для них;
                 отсылкой, приемом или хранением
                 информации (за исключением поддержки
                 развлекательных программ, массового
                 коммерческого радио- или телевещания,
                 управления цифровыми авторскими
                 правами или организации ведения
                 медицинской документации);
                 или
                 созданием сетей (включая работу,
                 администрирование, управление и
                 подготовку к работе);
                 б) криптографические функциональные
                 возможности которых ограничены
                 поддержкой их основной функции или
                 набора функций; и
                 в) в случае необходимости отдельные
                 элементы товаров являются доступными
                 и будут предоставляться экспортерами
                 контролирующим органам Российской
                 Федерации по их требованию для
                 подтверждения условий, описанных в
                 вышеуказанных подпунктах "а" и "б"

 

                 Техническое примечание.
                 В части 2 категории 5 биты четности
                 не включаются в длину ключа

 

 5.1.2.          Системы, оборудование и компоненты
                 (системы, оборудование (аппаратура) и
                 компоненты для них, применяемые для
                 защиты информации и определенные
                 ниже)

 

 5.1.2.1.        Системы, аппаратура, специальные
                 электронные сборки, модули и
                 интегральные схемы для защиты
                 информации, определенные ниже, а
                 также компоненты для них, специально
                 разработанные для защиты информации:

 

                 Особое примечание.
                 Для приемного оборудования
                 глобальных навигационных
                 спутниковых систем (ГНСС),
                 содержащего или использующего
                 расшифрование, см. пункт 7.1.5, а
                 для связанных с ним дешифрующего
                 программного обеспечения и
                 технологий см. пункты 7.4.5 и 7.5.1
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.2.1.1.      Разработанные или модифицированные    8471;
                 для использования криптографии с      8543 70 900 0
                 применением цифровых методов,
                 выполняющие любые криптографические
                 функции, иные, чем аутентификация,
                 цифровая подпись или реализация
                 алгоритмов программного обеспечения,
                 защищенного от копирования, имеющие
                 любую из следующих составляющих:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) симметричный алгоритм,
                 использующий ключ с длиной,
                 превышающей 56 бит; или
                 б) асимметричный алгоритм, защита
                 которого базируется на любом из
                 следующих методов:
                 1) разложении на множители целых
                 чисел, размер которых превышает
                 512 бит (например, алгоритм RSA);
                 2) вычислении дискретных логарифмов
                 в мультипликативной группе конечного
                 поля размера, превышающего 512 бит
                 (например, алгоритм Диффи-Хеллмана
                 над Z/pZ); или
                 3) дискретном логарифме в группе
                 отличного от поименованного в
                 вышеприведенном подпункте 2 размера,
                 превышающего 112 бит (например,
                 алгоритм Диффи-Хеллмана над
                 эллиптической кривой)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Технические примечания:
                 1. Функции аутентификации, цифровой
                 подписи и реализации алгоритмов
                 программного обеспечения, защищенного
                 от копирования, включают в себя
                 связанную с ними функцию
                 распределения ключей.
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 2. Аутентификация включает в себя все
                 аспекты контроля доступа, где нет
                 шифрования файлов или текстов, за
                 исключением шифрования, которое
                 непосредственно связано с защитой
                 паролей, персональных
                 идентификационных номеров или
                 подобных данных для защиты от
                 несанкционированного доступа;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 3. Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519

 

                 Примечание. Исключено. -  Указ Президента РФ от 21.07.2014
                 N 519;

 

 5.1.2.1.2.      Разработанные или модифицированные    8471;
                 для выполнения криптоаналитических    8543 70 900 0
                 функций
(п. 5.1.2.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.1.2.1.2 включает системы или
                 оборудование, разработанные или
                 модифицированные для выполнения
                 криптоаналитических функций,
                 определяемых путем анализа содержания
                 программного продукта;
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.2.1.3.      Специально разработанные или          8471;
                 модифицированные для снижения         8543 70 900 0
                 нежелательной утечки несущих
                 информацию сигналов, кроме того что
                 необходимо для защиты здоровья или
                 соответствия установленным стандартам
                 электромагнитных помех;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.2.1.4.      Разработанные или модифицированные    8471;
                 для применения криптографических      8543 70 900 0
                 методов генерации кода распределения
                 частот для систем с расширенным
                 спектром частот, не определенных в
                 пункте 5.1.2.1.5, включающих код
                 скачкообразной перестройки частоты
                 для систем со скачкообразной
                 перестройкой частоты;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.2.1.5.      Разработанные или модифицированные    8471;
                 для применения криптографических      8543 70 900 0
                 методов генерации кодов формирования
                 каналов, кодов шифрования или кодов
                 идентификации сети для систем,
                 использующих технику
                 сверхширокополосной модуляции, и
                 имеющие любую из следующих
                 характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) ширину полосы частот, превышающую
                 500 МГц; или
                 б) относительную ширину полосы частот
                 20% или более;

 

 5.1.2.1.6.      Некриптографические системы и         8471;
                 устройства безопасности               8543 70 900 0
                 информационно-коммуникационных
                 технологий (ИКТ), определенные и
                 сертифицированные национальными
                 уполномоченными органами как
                 превышающие класс EAL─6
                 (гарантированный уровень оценки)
                 общих критериев или его эквивалент;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.2.1.7.      Кабельные системы связи,              8471;
                 разработанные или модифицированные    8517 61 000 1;
                 для использования механических,       8517 62 000;
                 электрических или электронных средств 8543 70 900 0
                 обнаружения несанкционированного
                 доступа
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.1.2.1.7 применяется только к
                 защите физического уровня;
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.2.1.8.      Разработанные или модифицированные    8471;
                 для использования или выполнения      8543 70 900 0
                 квантовой криптографии
(п. 5.1.2.1.8 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Квантовая криптография также известна
                 как квантовое распределение ключей
                 (КРК)
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.1.2.2.        Системы, оборудование, электронные    8471;
                 сборки особого применения, модули и   8542;
                 интегральные схемы, разработанные или 8543 70 900 0
                 модифицированные для достижения или
                 превышения контролируемых уровней
                 производительности для функциональных
                 возможностей, определенных в пункте
                 5.1.2.1, которые не могут быть
                 получены иным способом
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.1.2 не применяется к любому
                 из следующего:
                 а) смарт-картам и
                 считывающим/записывающим устройствам:
                 1) смарт-картам или электронно-
                 считываемым персональным документам
                 (например, жетонам для автомата,
                 электронным паспортам),
                 удовлетворяющим любому из следующего:
                 - криптографические возможности
                 которых ограничены использованием в
                 оборудовании или системах,
                 исключенных из пункта 5.1.2
                 примечанием 4 к части 2 категории 5
                 или последующими пунктами настоящего
                 примечания, и не могут быть
                 перепрограммированы для любого
                 другого использования; или
                 - отвечающим всему следующему:
                 специально разработанным и
                 ограниченным защитой персональной
                 информации, хранящейся на них;
                 которые были или только могут быть
                 персонализированы для общедоступных
                 или коммерческих сделок или личной
                 идентификации; и
                 криптографические возможности
                 которых недоступны пользователю

 

                 Техническое примечание.
                 Персональная информация включает
                 любую информацию, характерную для
                 определенного человека или
                 организации, такую как сумма
                 хранящихся денежных средств и другие
                 данные, необходимые для
                 идентификации;

 

                 2) считывающим/записывающим
                 устройствам, специально разработанным
                 или модифицированным для товаров,
                 определенных в подпункте 1 пункта "а"
                 настоящего примечания, и ограниченным
                 применением этих товаров

 

                 Техническое примечание.
                 Считывающие/записывающие устройства
                 включают оборудование, связывающееся
                 со смарт-картами или электронно-
                 считываемыми документами через сеть;

 

                 б) криптографическому оборудованию,
                 специально разработанному и
                 ограниченному применением для
                 банковских или финансовых операций

 

                 Техническое примечание.
                 Финансовые операции, указанные в
                 пункте "б" примечания к пункту 5.1.2,
                 включают сборы и оплату за
                 транспортные услуги или кредитование;

 

                 в) портативным или мобильным
                 радиотелефонам гражданского
                 применения(например, для
                 использования в коммерческих
                 гражданских системах сотовой
                 радиосвязи), которые неспособны к
                 передаче зашифрованных данных
                 непосредственно на другой
                 радиотелефон или оборудование,
                 отличное от оборудования сетевой
                 радиосвязи с абонентами (СРА), а
                 также к пересылке зашифрованных
                 данных посредством оборудования СРА
                 (например, контроллера радиосети или
                 контроллера базовой станции);
                 г) беспроводному телефонному
                 оборудованию, неспособному к
                 сквозному шифрованию, максимальная
                 дальность беспроводного действия
                 которого без усиления (одиночное, без
                 ретрансляции, соединение между
                 терминалом и базовой станцией)
                 составляет менее 400 м в соответствии
                 с техническими условиями
                 производителя;
                 д) портативным или мобильным
                 радиотелефонам и схожим
                 пользовательским беспроводным
                 устройствам для гражданского
                 применения, которые реализуют только
                 общедоступные или коммерческие
                 криптографические стандарты (за
                 исключением антипиратских функций,
                 которые не являются общедоступными),
                 а также соответствуют условиям
                 пунктов 2 - 4 подпункта "а"
                 криптографического примечания (пункт 3
                 примечаний) к части 2 категории 5,
                 изготовлены в соответствии с
                 техническими условиями заказчика для
                 специального гражданского
                 промышленного применения с
                 возможностями, которые не влияют на
                 криптографические функциональные
                 возможности этих исходно незаказных
                 устройств;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 е) оборудованию беспроводной
                 персональной сети, которое реализует
                 только опубликованные или
                 коммерческие криптографические
                 стандарты и криптографическая
                 возможность которого ограничена
                 номинальной зоной действия, не
                 превышающей 100 м в соответствии
                 со спецификациями производителя для
                 оборудования, которое не может
                 осуществлять взаимосвязь с более чем
                 семью устройствами; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 ж) оборудованию, не имеющему
                 функциональных возможностей,
                 определенных в пункте 5.1.2.1.2,
                 5.1.2.1.3, 5.1.2.1.6 или 5.1.2.1.7, и
                 в котором все криптографические
                 возможности, определенные в пункте
                 5.1.2.1, удовлетворяют любому
                 из следующего:
                 1) криптографические возможности не
                 могут быть использованы; или
                 2) криптографические возможности
                 можно сделать доступными для
                 использования только посредством
                 криптографической активации; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 з) оборудованию мобильных сетей
                 связи с радиодоступом, разработанному
                 для гражданского применения, которое
                 также соответствует условиям пунктов
                 2 - 4 подпункта "а"
                 криптографического примечания (пункт
                 3 примечаний), имеющему
                 радиочастотную выходную мощность,
                 ограниченную 0,1 Вт (20 дБ,
                 отсчитываемых относительно уровня 1
                 мВт) или менее, и поддерживающему 16
                 сопользователей или менее
(пп. "з" введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Особое примечание.
                 Для оборудования, подвергшегося
                 криптографической активации, см.
                 пункт 5.1.2.1

 

 5.2.2.          Испытательное, контрольное и
                 производственное оборудование
                 (испытательное, контрольное и
                 производственное оборудование
                 (аппаратура), применяемое для защиты
                 информации и определенное ниже)

 

 5.2.2.1.        Оборудование, специально              8543 70 900 0
                 разработанное для разработки или
                 производства оборудования
                 (аппаратуры), определенного в пункте
                 5.1.2 или 5.2.2.2
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.2.2.2.        Измерительное оборудование,           8543 70 900 0
                 специально разработанное для оценки и
                 подтверждения функций защиты
                 информации оборудования (аппаратуры),
                 определенного в пункте 5.1.2, или
                 программного обеспечения,
                 определенного в пункте 5.4.2.1 или
                 5.4.2.3
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 5.3.2.          Материалы - нет

 

 5.4.2.          Программное обеспечение

 

 5.4.2.1.        Программное обеспечение, специально
                 разработанное или модифицированное
                 для разработки, производства или
                 применения оборудования (аппаратуры),
                 определенного в пункте 5.1.2, или
                 программного обеспечения,
                 определенного в пункте 5.4.2.3

 

 5.4.2.2.        Программное обеспечение, специально
                 разработанное или модифицированное
                 для поддержки технологии,
                 определенной в пункте 5.5.2

 

 5.4.2.3.        Специальное программное обеспечение
                 следующих видов:

 

 5.4.2.3.1.      Программное обеспечение, имеющее
                 характеристики, моделирующее или
                 выполняющее функции оборудования
                 (аппаратуры), определенного в пункте
                 5.1.2;

 

 5.4.2.3.2.      Программное обеспечение для
                 сертификации программного
                 обеспечения, определенного в пункте
                 5.4.2.3.1

 

 5.4.2.4.        Программное обеспечение,
                 разработанное или модифицированное
                 для достижения или превышения товаром
                 контролируемых уровней
                 производительности для функциональных
                 возможностей, определенных в пункте
                 5.1.2.1, которые не могут быть
                 получены иным способом

 

                 Примечание. Исключено. -  Указ Президента РФ от 21.07.2014
                 N 519

 

 5.5.2.          Технология

 

 5.5.2.1.        Технологии в соответствии с общим
                 технологическим примечанием для
                 разработки, производства или
                 применения оборудования (аппаратуры),
                 определенного в пункте 5.1.2 или
                 5.2.2, или программного обеспечения,
                 определенного в пункте 5.4.2.1 или
                 5.4.2.3

 

 5.5.2.2.        Технологии для достижения или
                 превышения товаром контролируемых
                 уровней производительности для
                 функциональных возможностей,
                 определенных в пункте 5.1.2.1,
                 которые не могут быть получены иным
                 способом

 

                 Примечание.
                 Пункт 5.5.2 включает информацию о
                 технических данных, функциях и
                 свойствах продукции, определенной в
                 части 2 категории 5
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                       КАТЕГОРИЯ 6. ДАТЧИКИ И ЛАЗЕРЫ

 

 6.1.            Системы, оборудование и компоненты

 

 6.1.1.          Акустика
                 (акустические системы, оборудование
                 (аппаратура) и компоненты,
                 определенные ниже)

 

 6.1.1.1.        Морские акустические системы,
                 оборудование и специально
                 разработанные для них компоненты:

 

 6.1.1.1.1.      Активные (передающие или
                 приемо-передающие) системы,
                 оборудование и специально
                 разработанные для них компоненты:

 

 6.1.1.1.1.1.    Оборудование для акустической съемки
                 морского дна:

 

 6.1.1.1.1.1.1.  Оборудование, разработанное для       9015 80 910 0
                 топографической (батиметрической)
                 съемки морского дна с надводных
                 судов и отвечающее всему следующему:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) разработанное для измерений под
                 углом более 20 градусов к вертикали;
                 б) разработанное для измерения
                 рельефа поверхности дна на морских
                 глубинах, превышающих 600 м;
                 в) имеющее разрешение промера
                 менее 2; и

 

                 Техническое примечание.
                 Разрешение промера - отношение
                 ширины полосы обзора [градусы] к
                 максимальному числу промеров в
                 полосе обзора

 

                 г) имеющее повышение точности
                 определения глубины путем
                 комплексной компенсации всего
                 следующего:
                 колебаний акустического датчика;
                 распространения сигнала в воде от
                 датчика к морскому дну и обратно; и
                 скорости звука в месте расположения
                 датчика

 

                 Техническое примечание.
                 Повышение точности включает
                 возможность компенсации внешними
                 средствами;

 

 6.1.1.1.1.1.2.  Оборудование, разработанное для       9014 80 000 0;
                 подводной топографической             9015 80 910 0
                 (батиметрической) съемки морского
                 дна и имеющее любое из следующего:

 

                 Техническое примечание.
                 Уровень давления, показываемый
                 акустическим датчиком, определяет
                 глубину погружения оборудования,
                 определенного в пункте 6.1.1.1.1.1.2

 

                 а) имеющее все следующее:
                 разработанное или модифицированное
                 для эксплуатации на глубинах,
                 превышающих 300 м; и
                 скорость промеров выше 3800; или

 

                 Техническое примечание.
                 Скорость промеров - произведение
                 максимальной скорости [м/с], на
                 которой датчик может работать, на
                 максимальное число промеров в рабочей
                 полосе при условии стопроцентного
                 покрытия

 

                 б) не определенное в пункте
                 6.1.1.1.1.1.2 и имеющее все
                 следующее:
                 разработанное или модифицированное
                 для эксплуатации на глубинах,
                 превышающих 100 м;
                 разработанное для измерения под углом
                 более 20 град. к вертикали;
                 имеющее любое из следующего:
                 рабочую частоту ниже 350 кГц; или
                 разработанное для топографической
                 (батиметрической) съемки морского дна
                 в диапазоне, превышающем 200 м от
                 акустического датчика; и
                 повышение точности определения
                 глубины путем компенсации всего
                 следующего:
                 колебаний акустического датчика;
                 распространения сигнала в воде от
                 датчика к морскому дну и обратно; и
                 скорости звука в месте расположения
                 датчика
(п. 6.1.1.1.1.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.1.1.1.1.3.  Гидролокаторы бокового обзора (ГБО) и 9014 80 000 0;
                 гидролокаторы с синтезированной       9015 80 910 0
                 апертурой (ГСА), разработанные для
                 визуального отображения рельефа
                 морского дна и отвечающие всему
                 следующему:
                 а) разработанные или
                 модифицированные для эксплуатации
                 на глубинах, превышающих 500 м;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 б) имеющие скорость охвата площади
                 выше 570 м2/с при эксплуатации на
                 максимальной рабочей дальности с
                 разрешением вдоль траектории движения
                 менее 15 см; и
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 в) имеющие разрешение поперек
                 траектории движения менее 15 см
(пп. "в" введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Технические примечания:
                 1. Скорость охвата площади [м2/с] -
                 удвоенное произведение дальности
                 гидролокации [м] на максимальную
                 рабочую скорость гидролокатора [м/с]
                 при такой дальности.
(п. 1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 2. Разрешение вдоль траектории
                 движения [см], применяемое только к
                 ГБО, - произведение ширины
                 азимутального (горизонтального)
                 диапазона [градусы] на дальность
                 гидролокации [м] и на 0,873.
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 3. Разрешение поперек траектории
                 движения [см] - отношение 75 к ширине
                 частотного диапазона сигнала [кГц];

 

 6.1.1.1.1.2.    Системы или передающие и приемные     9014 80 000 0;
                 антенные решетки, разработанные       9015 80 910 0
                 для обнаружения или определения
                 местоположения, имеющие любую из
                 следующих характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) частоту передачи ниже 10 кГц;
                 б) уровень звукового давления выше
                 224 дБ (опорного давления 1 мкПа на
                 1 м) для оборудования с рабочей
                 частотой в диапазоне от 10 кГц до
                 24 кГц включительно;
                 в) уровень звукового давления выше
                 235 дБ (опорного давления 1 мкПа на
                 1 м) для оборудования с рабочей
                 частотой в диапазоне между 24 кГц и
                 30 кГц;
                 г) формирование лучей уже 1 градуса
                 по любой оси и рабочую частоту ниже
                 100 кГц;
                 д) разработанные для абсолютно
                 надежного обнаружения целей с
                 дальностью более 5120 м с
                 отображением их на дисплее; или
                 е) разработанные для выдерживания
                 давления при нормальной эксплуатации
                 на глубинах, превышающих 1000 м, и
                 имеющие преобразователи с любым из
                 следующего:
                 динамической компенсацией давления;
                 или
                 содержащие преобразующие элементы,
                 изготовленные не из титаната-
                 цирконата свинца

 

                 Особое примечание.
                 В отношении активных систем
                 обнаружения или определения
                 местоположения, указанных в пункте
                 6.1.1.1.1.2, см. также пункт
                 6.1.1.1.1.1 раздела 2 и пункт
                 6.1.1.1.1 раздела 3;

 

 6.1.1.1.1.3.    Акустические излучатели, включающие   9014 80 000 0;
                 преобразователи, объединяющие         9015 80 910 0
                 пьезоэлектрические,
                 магнитострикционные,
                 электрострикционные,
                 электродинамические или
                 гидравлические элементы, действующие
                 индивидуально или в определенной
                 комбинации, и имеющие любую из
                 следующих характеристик:
                 а) плотность мгновенной излучаемой
                 акустической мощности, превышающую
                 0,01 мВт/мм2/Гц для приборов,
                 работающих на частотах ниже 10 кГц;
                 б) плотность непрерывно излучаемой
                 акустической мощности, превышающую
                 0,001 мВт/мм2 /Гц для приборов,
                 работающих на частотах ниже 10 кГц;
                 или

 

                 Техническое примечание.
                 Плотность акустической мощности
                 получается делением выходной
                 акустической мощности на площадь
                 излучающей поверхности и рабочую
                 частоту

 

                 в) подавление боковых лепестков более
                 22 дБ

 

                 Примечания:
                 1. Контрольный статус акустических
                 излучателей, включающих
                 преобразователи, специально
                 разработанных для другого
                 оборудования, определяется
                 контрольным статусом этого другого
                 оборудования.
                 2. Пункт 6.1.1.1.1.3 не применяется к
                 электронным источникам только
                 вертикальной направленности звука,
                 механическим (например, пневмопушкам
                 или пароударным пушкам) или
                 химическим (например, взрывным)
                 источникам.
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 3. Пьезоэлектрические элементы,
                 определенные в пункте 6.1.1.1.1.3,
                 включают элементы, сделанные из
                 монокристаллов ниобата
                 свинца-магния/титаната свинца
                 (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 или PMN-PT)
                 или ниобата свинца-индия/ниобата
                 свинца-магния/титаната свинца
                 (например, Pb(In1/2Nb1/2)O3-
                 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 или
                 PIN-PMN-PT), выращенных из твердого
                 раствора;
(п. 3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.1.1.1.4.    Акустические системы и оборудование,  9014 80 000 0;
                 разработанные для определения         9015 80 110 0
                 положения надводных судов или
                 подводных аппаратов и имеющие все
                 нижеперечисленные характеристики, а
                 также специально разработанные для
                 них компоненты:
                 а) дальность обнаружения, превышающую
                 1000 м; и
                 б) среднеквадратичное значение
                 точности определения положения меньше
                 (лучше) 10 м, измеренной на дальности
                 (расстоянии) 1000 м

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.1.1.1.4 включает:
                 а) оборудование, использующее
                 согласованную обработку сигналов
                 между двумя или более буями и
                 гидрофонным устройством на
                 надводном судне или подводном
                 аппарате;
                 б) оборудование, обладающее
                 способностью автокоррекции
                 накапливающейся погрешности
                 скорости звука для вычислений
                 местоположения;

 

 6.1.1.1.1.5.    Активные индивидуальные               8907 90 000 0;
                 гидролокационные системы, а также     9014 80 000 0;
                 передающие и принимающие акустические 9015 80 110 0;
                 решетки для них, специально           9015 80 910 0;
                 разработанные или модифицированные    9015 80 930 0
                 для невоенного применения в целях
                 обнаружения, определения
                 местоположения и автоматической
                 классификации пловцов или водолазов
                 (аквалангистов) и имеющие все
                 следующие характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) дальность обнаружения более 530 м;
                 б) среднеквадратичное значение
                 точности определения положения меньше
                 (лучше) 15 м, измеренной на
                 расстоянии 530 м; и
                 в) полосу пропускания передаваемого
                 импульсного сигнала более 3 кГц

 

                 Примечание.
                 Для целей пункта 6.1.1.1.1.5 при
                 разнообразных дальностях обнаружения,
                 определенных для различных внешних
                 условий, используется наибольшая
                 дальность обнаружения

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.1.1.1 не применяется к
                 следующему оборудованию:
                 а) эхолотам, работающим вертикально,
                 не включающим функцию сканирования в
                 диапазоне более +/- 20 градусов и
                 ограниченным измерением глубины воды,
                 расстояния до погруженных в нее или
                 затопленных объектов или промысловой
                 разведкой;
                 б) следующим акустическим буям:
                 аварийным акустическим маякам;
                 акустическим буям с дистанционным
                 управлением, специально
                 разработанным для перемещения или
                 возвращения в подводное положение;

 

 6.1.1.1.2.      Пассивные системы, оборудование и
                 специально разработанные для них
                 компоненты:

 

 6.1.1.1.2.1.    Гидрофоны с любой из следующих
                 характеристик:
                 а) включающие непрерывные гибкие      9014 80 000 0;
                 чувствительные элементы;              9015 80 110 0;
                                                       9015 80 930 0
                 б) включающие гибкие сборки           9014 80 000 0;
                 дискретных чувствительных элементов   9015 80 110 0;
                 с диаметром или длиной менее 20 мм и  9015 80 930 0
                 с расстоянием между элементами менее
                 20 мм;
                 в) имеющие любые из следующих         9014 80 000 0;
                 чувствительных элементов:             9015 80 930 0
                 волоконно-оптические;
                 пьезоэлектрические из полимерных
                 пленок, отличные от
                 поливинилиденфторида (PVDF) и его
                 сополимеров {P(VDF─TrFE) и
                 Р(VDF─TFE)} ({поли(винилиденфторид-
                 трифторэтилен) и
                 поли(винилиденфторид-
                 тетрафторэтилен)});
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 гибкие пьезоэлектрические
                 из композиционных материалов;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 пьезоэлектрические монокристаллы из
                 ниобата свинца-магния/титаната свинца
                 (например, Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3
                 или PMN-PT), выращенные из твердого
                 раствора; или
(абзац введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 пьезоэлектрические монокристаллы из
                 ниобата свинца-индия/ниобата свинца-
                 магния/титаната свинца (например,
                 Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-
                 PbTiO3 или PIN-PMN-PT), выращенные из
                 твердого раствора
(абзац введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Технические примечания:
                 1. Пьезоэлектрические чувствительные
                 элементы из полимерной пленки
                 состоят из поляризованной полимерной
                 пленки, которая натянута на несущую
                 конструкцию или катушку и
                 прикреплена к ним.
                 2. Гибкие пьезоэлектрические
                 чувствительные элементы из
                 композиционных материалов содержат
                 пьезоэлектрические керамические
                 частицы или волокна, объединенные
                 между собой электроизоляционной
                 акустически прозрачной резиной,
                 полимерным или эпоксидным
                 связующим, которые являются
                 неотъемлемой частью чувствительных
                 элементов;

 

                 г) имеющие гидрофонную                9014 80 000 0;
                 чувствительность лучше -180 дБ на     9015 80 930 0
                 любой глубине без компенсации
                 ускорения

 

                 Техническое примечание.
                 Гидрофонная чувствительность
                 определяется как 20-кратный
                 десятичный логарифм отношения
                 эффективного выходного напряжения к
                 эффективной величине нормирующего
                 напряжения 1 В, когда гидрофонный
                 датчик без предусилителя помещен в
                 акустическое поле плоской волны с
                 эффективным давлением 1 мкПа.
                 Например: гидрофон с -160 дБ
                 (нормирующее напряжение
                 1 В на мкПа) даст выходное напряжение
                 10-8   В в таком поле, в то время как
                 гидрофон с чувствительностью -180 дБ
                  даст только 10-9   В на выходе. Таким
                 образом, -160 дБ лучше, чем -180 дБ;

 

                 д) разработанные для эксплуатации на  9014 80 000 0;
                 глубинах, превышающих 35 м, с         9015 80 930 0
                 компенсацией ускорения; или
                 е) разработанные для эксплуатации на  9014 80 000 0;
                 глубинах, превышающих 1000 м          9015 80 930 0

 

                 Примечание.
                 Контрольный статус гидрофонов,
                 специально разработанных для другого
                 оборудования, определяется
                 контрольным статусом этого
                 оборудования
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Гидрофоны состоят из одного или более
                 чувствительных элементов, формирующих
                 один акустический выходной канал.
                 Гидрофоны, которые включают множество
                 элементов, могут называться
                 гидрофонной группой;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.1.1.2.2.    Буксируемые акустические гидрофонные  9014 80 000 0;
                 решетки, имеющие любое из следующего: 9015 80 930 0;
                 а) гидрофонные группы, расположенные  9015 80 990 0
                 с шагом менее 12,5 м или имеющие
                 возможность модификации для
                 расположения гидрофонных групп с
                 шагом менее 12,5 м;
                 б) разработанные или имеющие
                 возможность модификации для работы
                 на глубинах, превышающих 35 м

 

                 Техническое примечание.
                 Возможность модификации, указанная в
                 подпунктах "а" и "б" пункта
                 6.1.1.1.2.2, означает наличие
                 резерва, позволяющего изменять схему
                 соединений или внутренних связей для
                 усовершенствования гидрофонной группы
                 по ее размещению или изменению
                 пределов рабочей глубины.
                 Таким резервом является возможность
                 монтажа: запасных проводников в
                 количестве, превышающем 10% от
                 числа рабочих проводников связи;
                 блоков настройки конфигурации
                 гидрофонной группы или внутренних
                 устройств, ограничивающих глубину
                 погружения, что обеспечивает
                 регулировку или контроль более чем
                 одной гидрофонной группы;

 

                 в) датчики направленного действия,
                 определенные в пункте 6.1.1.1.2.4;
                 г) продольно армированные рукава
                 решетки;
                 д) собранные решетки диаметром менее
                 40 мм; или
                 е) гидрофоны с характеристиками,
                 определенными в пункте 6.1.1.1.2.1;
                 или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 ж) гидроакустические датчики на
                 основе акселерометров, определенные в
                 пункте 6.1.1.1.2.7
(пп. "ж" введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Гидрофонные решетки состоят из
                 нескольких гидрофонов, формирующих
                 многочисленные акустические выходные
                 каналы;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.1.1.2.3.    Аппаратура обработки данных,          9014 80 000 0;
                 специально разработанная для          9015 80 930 0;
                 применения в буксируемых              9015 80 990 0
                 акустических гидрофонных решетках,
                 обладающая программируемостью
                 пользователем, обработкой во
                 временной или частотной области и
                 корреляцией, включая спектральный
                 анализ, цифровую фильтрацию и
                 формирование луча, с использованием
                 быстрого преобразования Фурье или
                 других преобразований или процессов;

 

 6.1.1.1.2.4.    Датчики направленного действия,       9014 80 000 0;
                 имеющие все следующие характеристики: 9014 90 000 0;
                 а) точность лучше +/- 0,5 градуса; и  9015 80 110 0;
                 б) разработанные для работы на        9015 80 930 0
                 глубинах, превышающих 35 м, либо
                 имеющие регулируемое или сменное
                 чувствительное устройство измерения
                 глубины, разработанное для работы на
                 глубинах, превышающих 35 м;

 

 6.1.1.1.2.5.    Донные или погруженные кабельные      8907 90 000 0;
                 гидрофонные решетки, имеющие любую    9014 80 000 0;
                 из следующих составляющих:            9014 90 000 0;
                 а) объединяющие гидрофоны,            9015 80 930 0;
                 определенные в пункте 6.1.1.1.2.1;    9015 80 990 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 б) объединяющие сигнальные модули
                 многоэлементной гидрофонной группы,
                 имеющие все следующие характеристики:
                 разработанные для работы на глубинах,
                 превышающих 35 м, либо обладающие
                 регулируемым или сменным
                 чувствительным устройством измерения
                 глубины для работы на глубинах,
                 превышающих 35 м; и обладающие
                 возможностью оперативного
                 взаимодействия с модулями буксируемых
                 акустических гидрофонных решеток; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 в) объединяющие гидроакустические
                 датчики на основе акселерометров,
                 определенные в пункте 6.1.1.1.2.7;
(пп. "в" введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.1.1.2.6.    Аппаратура обработки данных,          8907 90 000 0;
                 специально разработанная для донных   9014 80 000 0;
                 или погруженных кабельных систем,     9014 90 000 0;
                 обладающая программируемостью         9015 80 930 0;
                 пользователем, обработкой во          9015 80 990 0
                 временной или частотной области и
                 корреляцией, включая спектральный
                 анализ, цифровую фильтрацию и
                 формирование луча, с использованием
                 быстрого преобразования Фурье или
                 других преобразований либо процессов

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.1.1.2 также применяется к
                 приемному оборудованию и специально
                 разработанным для него компонентам,
                 независимо от того, относится ли оно
                 при штатном применении к
                 самостоятельному активному
                 оборудованию или нет

 

                 Особое примечание.
                 В отношении пассивных систем,
                 оборудования и специальных
                 компонентов, указанных в
                 пунктах 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6, см.
                 также пункты 6.1.1.1.2 -
                 6.1.1.1.2.6 раздела 2 и
                 пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.5
                 раздела 3

 

 6.1.1.1.2.7.    Гидроакустические датчики на основе   9014 20;
                 акселерометров, имеющие все           9014 80 000 0
                 следующее:
                 а) состоящие из трех акселерометров,
                 расположенных вдоль отдельных осей;
                 б) имеющие предельную
                 чувствительность к ускорению лучше 48
                 дБ (эффективная величина нормирующего
                 напряжения 1000 мВ на 1 g);
                 в) разработанные для работы на
                 глубинах более 35 метров; и
                 г) рабочую частоту ниже 20 кГц
(п. 6.1.1.1.2.7 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.1.1.2.7 не применяется к
                 датчикам скорости частиц или геофонам
                 (сейсмографам)
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Технические примечания:
                 1. Гидроакустическими датчиками на
                 основе акселерометров также
                 называются векторные датчики.
                 2. Чувствительность к ускорению
                 определяется как 20-кратный
                 десятичный логарифм отношения
                 среднеквадратического выходного
                 напряжения датчика к
                 среднеквадратическому единичному (1
                 вольт) эталонному напряжению при
                 условии, когда гидроакустический
                 датчик без предварительного усилителя
                 помещен в плоскость волны
                 акустического поля со
                 среднеквадратическим ускорением,
                 равным 1 g (то есть 9,81 м/с2)
(технические примечания введены Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.1.2.        Аппаратура гидролокационного
                 корреляционного и доплеровского
                 лагов, разработанная для измерения
                 горизонтальной составляющей скорости
                 носителя аппаратуры относительно
                 морского дна:

 

 6.1.1.2.1.      Аппаратура гидролокационного          9014 80 000 0;
                 корреляционного лага, имеющая любую   9015 80 930 0;
                 из следующих характеристик:           9015 80 990 0
                 а) разработанная для эксплуатации на
                 расстоянии между ее носителем и дном
                 моря более 500 м; или
                 б) имеющая точность определения
                 скорости лучше (меньше) 1%;

 

 6.1.1.2.2.      Аппаратура гидролокационного          9014 80 000 0;
                 доплеровского лага, имеющая точность  9015 80 930 0;
                 определения скорости лучше (меньше)   9015 80 990 0
                 1%

 

                 Примечания:
                 1. Пункт 6.1.1.2 не применяется к
                 эхолотам, ограниченным любым из
                 следующего:
                 а) измерением глубины;
                 б) измерением расстояния от
                 погруженных под воду или затопленных
                 объектов; или
                 в) промысловой разведкой.
                 2. Пункт 6.1.1.2 не применяется к
                 аппаратуре, специально разработанной
                 для установки на надводные суда

 

                 Особое примечание.
                 Для акустических систем отпугивания
                 водолазов (аквалангистов) см. пункт
                 8.1.2.17

 

 6.1.2.          Оптические датчики, приборы и
                 компоненты для них

 

 6.1.2.1.        Приемники оптического излучения:

 

 6.1.2.1.1.      Следующие твердотельные приемники
                 оптического излучения, пригодные для
                 применения в космосе:
                 Примечание.
                 Для целей пункта 6.1.2.1.1
                 твердотельные приемники оптического
                 излучения включают фокальные
                 матричные приемники

 

 6.1.2.1.1.1.    Твердотельные приемники оптического   8541 40 900 9
                 излучения, имеющие все следующие
                 характеристики:
                 а) максимум спектральной
                 чувствительности в диапазоне длин
                 волн от 10 нм до 300 нм; и
                 б) чувствительность менее 0,1%
                 относительно максимального значения
                 для длин волн, превышающих 400 нм;

 

 6.1.2.1.1.2.    Твердотельные приемники оптического   8541 40 900 9
                 излучения, имеющие все следующие
                 характеристики:
                 а) максимум спектральной
                 чувствительности в диапазоне длин
                 волн от 900 нм до 1200 нм; и
                 б) постоянную времени отклика
                 приемника 95 нс или менее

 

                 Особое примечание.
                 В отношении твердотельных
                 приемников оптического излучения,
                 указанных в пунктах 6.1.2.1.1.1 и
                 6.1.2.1.1.2, см. также пункты
                 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2 раздела 2;

 

 6.1.2.1.1.3.    Твердотельные приемники оптического   8541 40 900 9
                 излучения, имеющие максимум
                 спектральной чувствительности в
                 диапазоне длин волн от 1200 нм до
                 30 000 нм

 

                 Особое примечание.
                 В отношении твердотельных
                 приемников оптического излучения,
                 указанных в пункте 6.1.2.1.1.3,
                 см. также пункт 6.1.2.1.1.3 раздела 2
                 и пункт 6.1.2.1 раздела 3;

 

 6.1.2.1.1.4.    Фокальные матричные приемники,        8541 40 900 9
                 пригодные для применения в космосе,
                 имеющие в матрице более 2048
                 элементов и максимум спектральной
                 чувствительности в диапазоне длин
                 волн от 300 нм до 900 нм

 

                 Особое примечание.
                 В отношении фокальных матричных
                 приемников, указанных в
                 пункте 6.1.2.1.1.4, см. также
                 пункт 6.1.2.1.1.4 раздела 2;

 

 6.1.2.1.2.      Следующие электронно-оптические
                 преобразователи (ЭОП) и специально
                 разработанные для них компоненты:

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.2.1.2 не применяется к
                 фотоэлектронным умножителям (ФЭУ)
                 без формирования изображений,
                 имеющим электронно-чувствительное
                 устройство в вакууме, ограниченным
                 исключительно любым из следующего:
                 а) единственным металлическим
                 анодом; или
                 б) металлическими анодами с
                 межцентровым расстоянием более
                 500 мкм

 

                 Техническое примечание.
                 "Зарядовое умножение" является формой
                 электронного усиления изображения и
                 характеризуется созданием носителей
                 зарядов в результате процесса ударной
                 ионизации. Приемниками оптического
                 излучения с зарядовым умножением
                 могут быть электронно-оптические
                 преобразователи, твердотельные
                 приемники оптического излучения или
                 фокальные матричные приемники

 

 6.1.2.1.2.1.    Электронно-оптические                 8540 20 800 0
                 преобразователи, имеющие все
                 нижеперечисленное:
                 а) максимум спектральной
                 чувствительности в диапазоне длин
                 волн от 400 нм до 1050 нм;
                 б) электронное усиление изображения,
                 использующее любое из следующего:
                 микроканальную пластину с
                 расстоянием между центрами каналов
                 (межцентровым расстоянием) 12 мкм
                 или менее; или
                 электронный чувствительный элемент с
                 шагом небинированных пикселей
                 500 мкм или менее, специально
                 разработанный или модифицированный
                 для достижения зарядового умножения
                 иначе, чем в микроканальной пластине;
                 и
                 в) любые из следующих фотокатодов:
                 многощелочные фотокатоды (например,
                 S-20, S-25) с интегральной
                 чувствительностью более 350 мкА/лм;
                 GaAs или GaInAs фотокатоды; или
                 другие полупроводниковые фотокатоды
                 на основе соединений III - V с
                 максимальной спектральной
                 чувствительностью более 10 мА/Вт;

 

 6.1.2.1.2.2.    Электронно-оптические                 8540 20 800 0
                 преобразователи, имеющие все
                 нижеперечисленное:
                 а) максимум спектральной
                 чувствительности в диапазоне длин
                 волн от 1050 нм до 1800 нм;
                 б) электронное усиление изображения,
                 использующее любое из следующего:
                 микроканальную пластину с
                 расстоянием между центрами каналов
                 (межцентровым расстоянием) 12 мкм
                 или менее; или
                 электронный чувствительный элемент с
                 шагом небинированных пикселей
                 500 мкм или менее, специально
                 разработанный или модифицированный
                 для достижения зарядового умножения
                 иначе, чем в микроканальной пластине;
                 и
                 в) полупроводниковые фотокатоды на
                 основе соединений III - V (например,
                 GaAs или GaInAs) и фотокатоды на
                 эффекте переноса электронов с
                 максимальной спектральной
                 чувствительностью более 15 мА/Вт
                 Особое примечание.
                 В отношении электронно-оптических
                 преобразователей, указанных в пунктах
                 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2, см. также
                 пункты 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2
                 раздела 2;

 

 6.1.2.1.2.3.    Нижеперечисленные специально
                 разработанные компоненты:

 

 6.1.2.1.2.3.1.  Микроканальные пластины с расстоянием 8541 40 900 9
                 между центрами каналов (межцентровым
                 расстоянием) 12 мкм или менее;

 

 6.1.2.1.2.3.2.  Электронный чувствительный элемент с  8541 40 900 9
                 шагом небинированных пикселей 500 мкм
                 или менее, специально разработанный
                 или модифицированный для достижения
                 зарядового умножения иначе, чем в
                 микроканальной пластине;

 

 6.1.2.1.2.3.3.  Полупроводниковые фотокатоды на       8541 40 900 9
                 соединениях III - V (например, GaAs
                 или GaInAs) и фотокатоды на эффекте
                 переноса электронов

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.2.1.2.3.3 не применяется к
                 полупроводниковым фотокатодам,
                 разработанным для достижения любого
                 из нижеприведенных значений
                 максимальной спектральной
                 чувствительности:
                 а) 10 мА/Вт или менее при максимуме
                 спектральной чувствительности в
                 диапазоне длин волн от 400 нм до
                 1050 нм; или
                 б) 15 мА/Вт или менее при максимуме
                 спектральной чувствительности в
                 диапазоне длин волн от 1050 нм до
                 1800 нм;

 

 6.1.2.1.3.      Следующие фокальные матричные
                 приемники, непригодные для применения
                 в космосе:

 

                 Техническое примечание.
                 Линейные или двухмерные
                 многоэлементные матричные приемники
                 оптического излучения называются
                 фокальными матричными приемниками

 

 6.1.2.1.3.1.    Фокальные матричные приемники,        8541 40 900 9
                 имеющие все нижеперечисленное:
                 а) отдельные элементы с максимумом
                 спектральной чувствительности в
                 диапазоне длин волн от 900 нм до
                 1050 нм; и
                 б) любую из следующих характеристик:
                 постоянную времени отклика приемника
                 менее 0,5 нс; или
                 являющиеся специально разработанными
                 или модифицированными для достижения
                 зарядового умножения и имеющие
                 максимальную спектральную
                 чувствительность, превышающую
                 10 мА/Вт;

 

 6.1.2.1.3.2.    Фокальные матричные приемники,        8541 40 900 9
                 имеющие все нижеперечисленное:
                 а) отдельные элементы с максимумом
                 спектральной чувствительности в
                 диапазоне длин волн от 1050 нм до
                 1200 нм; и
                 б) любую из следующих характеристик:
                 постоянную времени отклика
                 приемника 95 нс или менее; или
                 являющиеся специально разработанными
                 или модифицированными для достижения
                 зарядового умножения и имеющие
                 максимальную спектральную
                 чувствительность, превышающую
                 10 мА/Вт;

 

 6.1.2.1.3.3.    Нелинейные (двухмерные) фокальные     8541 40 900 9
                 матричные приемники, имеющие
                 отдельные элементы с максимумом
                 спектральной чувствительности в
                 диапазоне длин волн от 1200 нм до
                 30 000 нм

 

                 Особое примечание.
                 Микроболометрические фокальные
                 матричные приемники, непригодные
                 для применения в космосе, на основе
                 кремния и другого материала
                 определяются только по пункту
                 6.1.2.1.3.6;

 

 6.1.2.1.3.4.    Линейные (одномерные) фокальные       8541 40 900 9
                 матричные приемники, имеющие все
                 нижеперечисленное:
                 а) отдельные элементы с максимумом
                 спектральной чувствительности в
                 диапазоне длин волн от 1200 нм до
                 3000 нм; и
                 б) любую из следующих характеристик:
                 отношение размера элемента приемника
                 в направлении сканирования к размеру
                 элемента приемника в направлении
                 поперек сканирования менее 3,8; или
                 обработку сигналов в элементе
                 приемника
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей подпункта "б"
                 пункта 6.1.2.1.3.4 "направление
                 поперек сканирования" определяется
                 как направление вдоль оси,
                 параллельной линейке элементов
                 приемника, а "направление
                 сканирования" определяется как
                 направление вдоль оси,
                 перпендикулярной линейке
                 элементов приемника

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.2.1.3.4 не применяется к
                 фокальным матричным приемникам на
                 основе германия, содержащим не более
                 32 детекторных элементов;

 

 6.1.2.1.3.5.    Линейные (одномерные) фокальные       8541 40 900 9
                 матричные приемники, имеющие
                 отдельные элементы с максимумом
                 спектральной чувствительности в
                 диапазоне длин волн от 3000 нм до
                 30 000 нм;

 

 6.1.2.1.3.6.    Нелинейные (двухмерные) инфракрасные  8541 40 900 9
                 фокальные матричные приемники на
                 основе микроболометрического
                 материала, для отдельных элементов
                 которых не применяется спектральная
                 фильтрация чувствительности в
                 диапазоне длин волн от 8000 нм до
                 14 000 нм

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей пункта 6.1.2.1.3.6
                 микроболометр определяется как
                 тепловой приемник инфракрасного
                 излучения, у которого формирование
                 соответствующего выходного сигнала
                 происходит за счет изменения
                 температуры приемника при поглощении
                 инфракрасного излучения;

 

 6.1.2.1.3.7.    Фокальные матричные приемники,        8541 40 900 9
                 имеющие все нижеперечисленное:
                 а) отдельные элементы приемника с
                 максимумом спектральной
                 чувствительности в диапазоне длин
                 волн от 400 нм до 900 нм;
                 б) являющиеся специально
                 разработанными или модифицированными
                 для достижения зарядового умножения и
                 имеющие в спектральном диапазоне,
                 превышающем 760 нм, максимальную
                 спектральную чувствительность выше
                 10 мА/Вт; и
                 в) более 32 элементов

 

                 Примечания:
                 1. Пункт 6.1.2.1.3 включает
                 фоторезистивные и фотовольтаические
                 матрицы.
                 2. Пункт 6.1.2.1.3 не применяется:
                 а) к многоэлементным приемникам
                 (с числом элементов не более 16) с
                 фоточувствительными элементами из
                 сульфида или селенида свинца
                 (PbS или PbSe соответственно);
                 б) к пироэлектрическим приемникам на
                 основе любого из следующих
                 материалов:
                 триглицинсульфата и его производных;
                 титаната свинца-лантана-циркония
                 (PLZT керамики) и его производных;
                 танталата лития (LiTaO3 );
                 поливинилиденфторида и его
                 производных; или
                 ниобата бария-стронция (BaStNbO3 ) и
                 его производных;
                 в) к фокальным матричным приемникам,
                 специально разработанным или
                 модифицированным для реализации
                 зарядового умножения, имеющим
                 ограниченное конструкцией значение
                 максимальной спектральной
                 чувствительности 10 мА/Вт или менее
                 для длин волн, превышающих 760 нм, и
                 имеющим все нижеперечисленное:
                 1) включенный в их конструкцию
                 механизм ограничения чувствительности
                 без возможности его удаления или
                 модификации; и
                 2) любое из следующего:
                 механизм ограничения чувствительности,
                 являющийся неотъемлемой частью
                 конструкции приемника; или
                 фокальный матричный приемник,
                 действующий только вместе
                 с установленным механизмом
                 ограничения чувствительности

 

                 Техническое примечание.
                 Механизм ограничения
                 чувствительности приемника является
                 неотъемлемой частью конструкции
                 приемника и разработан с отсутствием
                 возможности его удаления или
                 модификации без приведения
                 приемника в нерабочее состояние

 

                 Особые примечания:
                 1. Микроболометрические фокальные
                 матричные приемники, непригодные
                 для применения в космосе,
                 определяются только по пункту
                 6.1.2.1.3.6.
                 2. В отношении фокальных матричных
                 приемников, указанных в пункте
                 6.1.2.1.3, см. также пункт 6.1.2.1.3
                 раздела 2

 

 6.1.2.2.        Моноспектральные датчики              8540 89 000 0
                 изображения и многоспектральные
                 датчики изображения, разработанные
                 для применения при дистанционном
                 зондировании и имеющие любое из
                 следующего:
                 а) мгновенное угловое поле (МУП)
                 менее 200 мкрад; или

 

                 Примечание.
                 Подпункт "а" пункта 6.1.2.2 не
                 применяется к моноспектральным
                 датчикам изображения с максимумом
                 спектральной чувствительности в
                 диапазоне длин волн от 300 нм до
                 900 нм и включающим только любые из
                 следующих приемников оптического
                 излучения, непригодных для применения
                 в космосе, или фокальных матричных
                 приемников, непригодных для
                 применения в космосе:
                 приборы с зарядовой связью (ПЗС), не
                 разработанные или не модифицированные
                 для достижения зарядового умножения;
                 или
                 приборы на основе комплементарной
                 структуры металл-оксид-проводник
                 (МОП-структуры), не разработанные
                 или не модифицированные для
                 достижения зарядового умножения

 

                 б) разработанные для
                 функционирования в диапазоне длин
                 волн от 400 нм до 30 000 нм и имеющие
                 все нижеперечисленное:
                 1) обеспечивающие выходные данные
                 изображения в цифровом формате; и
                 2) имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 пригодные для применения в космосе;
                 или
                 разработанные для функционирования
                 на борту летательного аппарата,
                 использующие приемники, изготовленные
                 не из кремния, и имеющие МУП менее
                 2,5 мрад

 

                 Особое примечание.
                 В отношении многоспектральных
                 датчиков изображения, указанных в
                 пункте 6.1.2.2, см. также пункт
                 6.1.2.2 раздела 2

 

 6.1.2.3.        Приборы прямого наблюдения
                 изображения, содержащие любое
                 из следующего:

 

 6.1.2.3.1.      Электронно-оптические                 8540 20 800 0;
                 преобразователи, имеющие              8540 99 000 0;
                 характеристики, указанные в           9005
                 пункте 6.1.2.1.2.1 или 6.1.2.1.2.2;

 

 6.1.2.3.2.      Фокальные матричные приемники,        8540 99 000 0;
                 имеющие характеристики, указанные в   9005
                 пункте 6.1.2.1.3; или

 

 6.1.2.3.3.      Твердотельные приемники оптического   8540 99 000 0;
                 излучения, определенные в             9005
                 пункте 6.1.2.1.1

 

                 Техническое примечание.
                 Под приборами прямого наблюдения
                 изображения понимаются приборы для
                 получения человеком-наблюдателем
                 визуального изображения без
                 преобразования его в электронный
                 сигнал для телевизионного дисплея и
                 без возможности записи или сохранения
                 этого изображения фотографическим,
                 электронным или другим способом

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.2.3 не применяется к
                 следующим приборам, содержащим
                 фотокатоды на основе материалов,
                 отличных от GaAs или GaInAs:
                 а) промышленным или гражданским
                 системам охранной сигнализации,
                 управления движением транспорта,
                 промышленного управления
                 перемещением или счета;
                 б) медицинским приборам;
                 в) промышленным приборам,
                 используемым для проверки, сортировки
                 или анализа состояния материалов;
                 г) датчикам контроля пламени для
                 промышленных печей;
                 д) приборам, специально разработанным
                 для лабораторного использования

 

                 Особое примечание.
                 В отношении приборов прямого
                 наблюдения, указанных в пункте
                 6.1.2.3, см. также пункт 6.1.2.3
                 раздела 2

 

 6.1.2.4.        Специальные вспомогательные
                 компоненты для оптических датчиков:

 

 6.1.2.4.1.      Криогенные охладители, пригодные для  8418 69 000 8
                 применения в космосе;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.2.4.2.      Нижеперечисленные криогенные
                 охладители, непригодные для
                 применения в космосе, с температурой
                 источника охлаждения ниже 218 K
                 (-55 °C):

 

 6.1.2.4.2.1.    Криогенные охладители с замкнутым     8418 69 000 8
                 циклом и с определенным техническими
                 условиями средним временем наработки
                 на отказ или средним временем
                 наработки между отказами более
                 2500 ч;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.2.4.2.2.    Саморегулирующиеся мини-охладители,   8418 69 000 8
                 работающие по циклу Джоуля - Томсона,
                 с наружными диаметрами канала менее
                 8 мм;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.2.4.3.      Волокна оптического считывания,       9001 10 900
                 специально изготовленные с заданным
                 составом или структурой либо
                 модифицированные с помощью покрытия
                 для обеспечения их акустической,
                 температурной, инерциальной,
                 электромагнитной или радиационной
                 чувствительности

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.2.4.3 не применяется к
                 защищенным от внешних воздействий
                 волокнам оптического считывания,
                 специально разработанным для
                 мероприятий по зондированию буровых
                 скважин

 

 6.1.3.          Камеры, системы или приборы и
                 компоненты для них

 

                 Особое примечание.
                 Для телевизионных и пленочных
                 фотокамер стоп-кадров, специально
                 разработанных или модифицированных
                 для подводного использования, см.
                 пункты 8.1.2.4.1 и 8.1.2.5

 

 6.1.3.1.        Камеры для контрольно-измерительных
                 приборов (регистрационные
                 киносъемочные аппараты) и специально
                 разработанные для них компоненты:

 

 6.1.3.1.1.      Высокоскоростные записывающие         9007 10 000 0
                 кинокамеры, использующие любой формат
                 пленки от 8 мм до 16 мм, в которых
                 пленка непрерывно движется вперед в
                 течение всего периода записи и
                 которые способны записывать при
                 скорости кадрирования более 13 150
                 кадров/с
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.3.1.1 не применяется к
                 записывающим кинокамерам,
                 разработанным для гражданских целей;

 

 6.1.3.1.2.      Механические высокоскоростные камеры  9007 10 000 0
                 с неподвижной пленкой и скоростью
                 записи более 1 000 000 кадров/с для
                 полной высоты кадрирования 35-мм
                 пленки, или с пропорционально более
                 высокой скоростью для меньшей высоты
                 кадров, или с пропорционально меньшей
                 скоростью для большей высоты кадров;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.3.1.3.      Механические или электронные          9007 10 000 0
                 фотохронографы (стрик-камеры),
                 имеющие скорость записи более 10
                 мм/мкс;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.3.1.4.      Электронные камеры с кадрированием    9007 10 000 0
                 изображения, имеющие скорость более
                 1 000 000 кадров/с;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.3.1.5.      Электронные камеры, имеющие все       9007 10 000 0
                 нижеперечисленное:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) скорость электронного затвора
                 (способность стробирования) менее 1
                 мкс на полный кадр; и
                 б) время считывания, обеспечивающее
                 скорость кадрирования более 125
                 полных кадров в секунду

 

                 Примечание.
                 Камеры для контрольно-измерительных
                 приборов, определенные в
                 пунктах 6.1.3.1.3 - 6.1.3.1.5 и
                 имеющие модульную структуру, должны
                 оцениваться их максимальной
                 способностью использования
                 подходящих сменных модулей в
                 соответствии со спецификацией
                 изготовителя;

 

 6.1.3.1.6.      Сменные модули, имеющие все следующие 9007 10 000 0;
                 характеристики:                       9007 91 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 а) специально разработанные для камер
                 контрольно-измерительных приборов,
                 имеющих модульную структуру и
                 определенных в пункте 6.1.3.1; и
                 б) дающие возможность камерам
                 удовлетворять характеристикам,
                 определенным в пункте 6.1.3.1.3,
                 6.1.3.1.4 или 6.1.3.1.5, в
                 соответствии с техническими
                 требованиями производителей

 

 6.1.3.2.        Камеры формирования изображения:

 

 6.1.3.2.1.      Видеокамеры, включающие твердотельные 8525 80
                 датчики, имеющие
                 максимум спектральной
                 чувствительности в диапазоне длин
                 волн от 10 нм до 30 000 нм и все
                 следующее:
                 а) имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 более 4 x 106  активных пикселей в
                 твердотельной матрице для монохромных
                 (черно-белых) камер;
                  более 4 x 106  активных пикселей в
                 твердотельной матрице для цветных
                 камер, включающих три твердотельные
                 матрицы; или
                 более 12 x 106  активных пикселей в
                 твердотельной матрице для цветных
                 камер на основе одной твердотельной
                 матрицы; и
                 б) имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 оптические зеркала, определенные в
                 пункте 6.1.4.1;
                 оборудование (приборы) для
                 оптического контроля, определенное в
                 пункте 6.1.4.4; или
                 способность комментирования
                 накопленных внутри камеры данных
                 сопровождения

 

                 Технические примечания:
                 1. Для целей настоящего пункта
                 цифровые видеокамеры должны
                 оцениваться максимальным числом
                 активных пикселей, используемых для
                 фиксации (сохранения) движущихся
                 изображений.
                 2. Для целей настоящего пункта термин
                 "данные сопровождения камеры"
                 означает информацию, необходимую
                 для определения ориентации линии
                 визирования камеры относительно
                 Земли.
                 Это включает:
                 а) азимутальный угол линии
                 визирования камеры, образованный
                 относительно направления магнитного
                 поля Земли; и
                 б) вертикальный угол между линией
                 визирования камеры и горизонтом
                 Земли;

 

 6.1.3.2.2.      Сканирующие камеры и системы на       8525 80 300 0;
                 основе сканирующих камер, имеющие     8525 80 910;
                 все следующее:                        8525 80 990 9
                 а) максимум спектральной
                 чувствительности в диапазоне длин
                 волн от 10 нм до 30 000 нм;
                 б) линейные матричные приемники с
                 более чем 8192 элементами в матрице;
                 и
                 в) механическое сканирование в одном
                 направлении

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.3.2.2 не применяется к
                 сканирующим камерам и системам на
                 основе сканирующих камер, специально
                 разработанным для любого из
                 следующего:
                 а) промышленных или гражданских
                 фотокопировальных устройств;
                 б) устройств сканирования
                 изображений, специально разработанных
                 для гражданского, стационарного
                 применения, близкого сканирования
                 (например, копирование изображений
                 или печатание документов, иллюстраций
                 или фотографий); или
                 в) медицинского оборудования;

 

 6.1.3.2.3.      Камеры формирования изображения,      8525 80 300 0;
                 включающие в себя электронно-         8525 80 910;
                 оптические преобразователи, имеющие   8525 80 990 9
                 характеристики, указанные в
                 пункте 6.1.2.1.2.1 или 6.1.2.1.2.2;

 

 6.1.3.2.4.      Камеры формирования изображения,      8525 80 110 0;
                 включающие любые из нижеперечисленных 8525 80 190 0;
                 фокальных матричных приемников:       8525 80 300 0;
                 а) определенных в пунктах             8525 80 910 9;
                 6.1.2.1.3.1 - 6.1.2.1.3.5;            8525 80 990 9
                 б) определенных в пункте 6.1.2.1.3.6;
                 или
                 в) определенных в пункте 6.1.2.1.3.7

 

                 Примечания:
                 1. Камеры формирования изображения,
                 определенные в пункте 6.1.3.2.4,
                 включают фокальные матричные
                 приемники, объединенные с электронным
                 устройством для обработки поступивших
                 от них сигналов, позволяющие
                 получить, по крайней мере, выходной
                 аналоговый или цифровой сигнал в
                 момент подачи питания.
                 2. Подпункт "а" пункта 6.1.3.2.4 не
                 применяется к камерам формирования
                 изображения, включающим в себя
                 линейные фокальные матричные
                 приемники с 12 элементами или меньшим
                 числом элементов без временной
                 задержки и интегрирования сигнала в
                 элементе, разработанным для любого из
                 следующего:
                 а) промышленных или гражданских
                 систем охранной сигнализации,
                 управления движением транспорта,
                 промышленного управления перемещением
                 или счета;
                 б) производственного оборудования,
                 используемого для контроля или
                 мониторинга тепловых потоков в
                 зданиях, оборудовании или
                 производственных процессах;
                 в) производственного оборудования,
                 используемого для контроля,
                 сортировки или анализа состояния
                 материалов;
                 г) оборудования, специально
                 разработанного для лабораторного
                 использования; или
                 д) медицинского оборудования.
                 3. Подпункт "б" пункта 6.1.3.2.4 не
                 применяется к камерам формирования
                 изображения, имеющим любую из
                 следующих характеристик:
                 а) максимальную частоту смены кадров,
                 равную или меньше 9 Гц;
                 б) имеющим все нижеследующее:
                 1) минимальное горизонтальное или
                 вертикальное мгновенное угловое поле
                 (МУП) по крайней мере 10 мрад/пиксель
                 (миллирадиан/пиксель);
                 2) включающим в себя объективы с
                 фиксированным фокусным расстоянием
                 без возможности их удаления;
                 3) не включающим в свой состав
                 дисплей с отображением прямого
                 наблюдения; и

 

                 Техническое примечание.
                 Отображение прямого наблюдения
                 относится к камере формирования
                 изображения, работающей в
                 инфракрасной области спектра, которая
                 передает визуальное изображение
                 наблюдателю с помощью миниатюрного
                 дисплея, включающего в себя любой
                 светозащитный механизм

 

                 4) имеющим любое из нижеследующего:
                 отсутствие устройств для получения
                 фактически наблюдаемого изображения,
                 обнаруженного в угловом поле; или
                 разработанным только для одного вида
                 применения и без возможности
                 изменения их пользователем; или

 

                 Техническое примечание.
                 Мгновенное угловое поле (МУП),
                 определенное в пункте "б" примечания
                 3, является наименьшей величиной,
                 вычисляемой по мгновенному
                 горизонтальному угловому полю (МГУП)
                 или мгновенному вертикальному
                 угловому полю (МВУП).
                 МГУП равно значению ГУП,
                 отнесенного к количеству
                 горизонтальных чувствительных
                 элементов приемника.
                 МВУП равно значению ВУП,
                 отнесенного к количеству вертикальных
                 чувствительных элементов приемника
                 в) специально разработанным для
                 установки на гражданское пассажирское
                 наземное транспортное средство массой
                 менее трех тонн (вес брутто
                 транспортного средства) и отвечающим
                 всем следующим требованиям:
                 1) работающим только тогда, когда они
                 установлены на любое из следующего:
                 гражданское пассажирское наземное
                 транспортное средство, для которого
                 они предназначались; или специально
                 разработанное и сертифицированное
                 испытательное или тестирующее
                 оборудование для этих камер; и
                 2) включающим в себя устройство,
                 которое приводит камеру в нерабочее
                 состояние при извлечении ее из
                 транспортного средства, для которого
                 камера предназначалась

 

                 Примечание.
                 В случае необходимости детали изделия
                 предоставляются соответствующему
                 уполномоченному органу Российской
                 Федерации по его требованию, чтобы
                 убедиться в их соответствии условиям,
                 изложенным в подпункте 4 пункта "б" и
                 в пункте "в" вышеупомянутого
                 примечания 3.

 

                 4. Подпункт "в" пункта 6.1.3.2.4 не
                 применяется к камерам формирования
                 изображения, имеющим любую из
                 следующих характеристик:
                 а) отвечающим всем следующим
                 требованиям:
                 1) специально разработанным для
                 установки в качестве встроенного
                 компонента в системы или
                 оборудование(приборы),
                 предназначенные для работы внутри
                 помещения от штепсельной вилки для
                 стенной розетки, и конструктивно
                 ограниченным только для одного из
                 следующих видов применения:
                 для мониторинга промышленного
                 процесса, контроля качества или
                 анализа состояния материалов;
                 в лабораторном оборудовании
                 (приборах), специально разработанном
                 для научных исследований;
                 в медицинском оборудовании
                 (приборах); или в аппаратуре
                 (приборах) системы обнаружения
                 финансового мошенничества (финансовых
                 подделок);
                 и
                 2) работающим только тогда, когда они
                 установлены на/в любое из следующего:
                 системы или оборудование (приборы),
                 для которых они предназначались; или
                 специально разработанное и
                 сертифицированное оборудование
                 для технического обслуживания и
                 ремонта этих камер; и
                 3) включающим в себя устройство,
                 которое приводит камеру в нерабочее
                 состояние при извлечении ее из систем
                 или оборудования (приборов), для
                 которых камера предназначалась;
                 б) специально разработанным для
                 установки на гражданское пассажирское
                 наземное транспортное средство массой
                 менее трех тонн (вес брутто
                 транспортного средства) или на паром
                 для перевозки пассажиров и
                 транспортных средств, имеющий общую
                 длину 65 м или более, и отвечающим
                 всем следующим требованиям:
                 1) работающим только тогда, когда они
                 установлены на любое из следующего:
                 гражданское пассажирское наземное
                 транспортное средство или паром для
                 перевозки пассажиров и транспортных
                 средств, для которого они
                 предназначались; или специально
                 разработанное и сертифицированное
                 испытательное или тестирующее
                 оборудование для этих камер; и
                 2) включающим в себя активное
                 устройство, которое приводит камеру в
                 нерабочее состояние при извлечении ее
                 из транспортного средства, для
                 которого камера предназначалась;
                 в) имеющим ограниченное
                 конструкцией значение максимальной
                 спектральной чувствительности
                 10 мА/Вт или менее для длин волн,
                 превышающих 760 нм, и отвечающим
                 всем следующим требованиям:
                 1) включающим в себя механизм
                 ограничения чувствительности,
                 разработанный с отсутствием
                 возможности его извлечения или
                 изменения;
                 2) включающим в себя устройство,
                 которое приводит камеру в нерабочее
                 состояние при извлечении из нее
                 механизма ограничения
                 чувствительности; и
                 3) специально не разработанным или не
                 модифицированным для подводного
                 использования; или
                 г) отвечающим всем следующим
                 требованиям:
                 1) не включающим в свой состав
                 дисплей с отображением прямого
                 наблюдения или дисплей электронного
                 изображения;
                 2) не имеющим устройств для
                 получения фактически наблюдаемого
                 изображения, обнаруженного в угловом
                 поле;
                 3) имеющим фокальный матричный
                 приемник, работающий только когда он
                 установлен в камеру, для которой был
                 предназначен; и
                 4) имеющим фокальный матричный
                 приемник, включающий в себя активное
                 устройство, которое делает его
                 неработоспособным при извлечении из
                 камеры, для которой этот фокальный
                 матричный приемник предназначался

 

                 Примечание.
                 В случае необходимости элементы камер
                 предоставляются соответствующему
                 уполномоченному органу Российской
                 Федерации по его требованию, чтобы
                 убедиться в их соответствии условиям,
                 изложенным в вышеупомянутом
                 примечании 4;

 

 6.1.3.2.5.      Камеры формирования изображения,       8525 80 110 0;
                 включающие твердотельные приемники     8525 80 190 0;
                 оптического излучения, определенные в  8525 80 300 0;
                 пункте 6.1.2.1.1.                      8525 80 910 9;
                                                        8525 80 990 9
                 Особое примечание.
                 В отношении камер формирования
                 изображения, указанных в
                 пунктах 6.1.3.2.3 - 6.1.3.2.5, см.
                 также пункты 6.1.3.1.1 - 6.1.3.1.3
                 раздела 2

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.3.2 не применяется к
                 телевизионным или видеокамерам,
                 специально разработанным для
                 телевизионного вещания

 

 6.1.4.          Оптика (оптические оборудование
                 (приборы) и компоненты)

 

 6.1.4.1.        Оптические зеркала (рефлекторы):

 

 6.1.4.1.1.      Деформируемые зеркала, имеющие         9001 90 000 0;
                 сплошные или многоэлементные           9002 90 000 9
                 поверхности, и специально
                 разработанные для них компоненты,
                 которые способны динамически
                 осуществлять перерегулировку
                 положения частей поверхности зеркала
                 с частотой выше 100 Гц;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.4.1.2.      Легкие монолитные зеркала, имеющие     9001 90 000 0;
                 среднюю эквивалентную плотность менее  9002 90 000 0
                 30 кг/м2 и общую массу более 10 кг;

 

 6.1.4.1.3.      Зеркала из легких композиционных или   9001 90 000 0;
                 пенообразных материалов, имеющие       9002 90 000 0
                 среднюю эквивалентную плотность менее
                 30 кг/м2 и общую массу более 2 кг;

 

 6.1.4.1.4.      Зеркала для управления лучом с         9001 90 000 0;
                 диаметром или длиной по главной оси    9002 90 000 0
                 более 100 мм, имеющие плоскостность
                 1/2 длины волны или лучше (длина
                 волны равна 633 нм) и ширину полосы
                 частот управления более 100 Гц

 

                 Особое примечание.
                 Для оптических зеркал, специально
                 разработанных для литографического
                 оборудования, см. пункт 3.2.1

 

 6.1.4.2.        Оптические компоненты,                 9001 90 000 0;
                 изготовленные из селенида цинка        9002 90 000 0
                 (ZnSe) или сульфида цинка (ZnS),
                 обеспечивающие пропускание в
                 диапазоне длин волн от 3000 нм до 25
                 000 нм, имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) объем более 100 см3; или
                 б) диаметр или длину по главной оси
                 более 80 мм и толщину (глубину) более
                 20 мм

 

 6.1.4.3.        Компоненты для оптических систем,
                 пригодные для применения в космосе:

 

 6.1.4.3.1.      Компоненты облегченного типа с         9001 90 000 0;
                 эквивалентной плотностью менее 20% по  9002 90 000 0
                 сравнению со сплошной заготовкой с
                 теми же апертурой и толщиной;

 

 6.1.4.3.2.      Необработанные подложки,               7014 00 000 0;
                 обработанные подложки с поверхностным  9001 90 000 0
                 покрытием (однослойным или
                 многослойным, металлическим или
                 диэлектрическим, проводящим,
                 полупроводящим или изолирующим) или
                 имеющие защитные пленки;

 

 6.1.4.3.3.      Сегменты или системы зеркал,           9001 90 000 0;
                 предназначенные для сборки в космосе   9002 90 000 0
                 в оптическую систему с входной
                 (сборной) апертурой, равной или
                 больше одного оптического метра в
                 диаметре;

 

 6.1.4.3.4.      Компоненты, изготовленные из           9003 90 000
                 композиционных материалов, имеющих
                 коэффициент линейного температурного
                 расширения, равный или меньше
                 5 x 10-6   в любом направлении

 

                 Особое примечание.
                 В отношении компонентов оптических
                 систем, указанных в пунктах 6.1.4.3 -
                 6.1.4.3.4, см. также пункты
                 6.1.4.1 - 6.1.4.1.4 раздела 2

 

 6.1.4.4.        Оборудование для оптического
                 контроля:

 

 6.1.4.4.1.      Оборудование, специально               9031 49 900 0;
                 разработанное для поддержания профиля  9032 89 000 9
                 поверхности или ориентации оптических
                 компонентов, пригодных для применения
                 в космосе и определенных в пункте
                 6.1.4.3.1 или 6.1.4.3.3;

 

 6.1.4.4.2.      Оборудование, имеющее управление,      9031 49 900 0;
                 слежение, стабилизацию или юстировку   9032 89 000 9
                 резонатора в полосе частот, равной
                 или выше 100 Гц, и погрешность 10
                 мкрад или менее;

 

 6.1.4.4.3.      Кардановы подвесы, имеющие все         8412 21 200 9;
                 следующие характеристики:              8412 31 000;
                 а) максимальный угол поворота более 5  8479 89 970 8;
                 градусов;                              9032 81 000 9;
                 б) ширину полосы, равную или выше      9032 89 000 9
                 100 Гц;
                 в) ошибки угловой ориентации, равные
                 или меньше 200 мкрад; и
                 г) имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 диаметр или длину по главной оси
                 более 0,15 м, но не более 1 м, и
                 допускающие угловое ускорение более
                 2 рад/с2; или
                 диаметр или длину по главной оси
                 более 1 м и допускающие угловое
                 ускорение более 0,5 рад/с2;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.4.4.4.      Оборудование, специально               9032 89 000 9
                 разработанное для сохранения
                 настройки фазированной антенной
                 решетки (ФАР) или фазированных
                 сегментов систем зеркал, содержащих
                 зеркала с диаметром сегмента или
                 длиной по главной оси 1 м или более

 

                 Особое примечание.
                 В отношении оборудования для
                 оптического контроля, указанного в
                 пунктах 6.1.4.4 - 6.1.4.4.4, см.
                 также пункты 6.1.4.2 - 6.1.4.2.4
                 раздела 2

 

 6.1.4.5.        Асферические оптические элементы,      9001 90 000 0;
                 имеющие все следующие характеристики:  9002 90 000 0
                 а) наибольший размер оптической
                 апертуры более 400 мм;
                 б) шероховатость поверхности менее
                 1 нм (среднеквадратичную) на
                 выборочном участке длиной, равной
                 или превышающей 1 мм; и
                 в) абсолютную величину коэффициента
                 линейного температурного расширения
                 менее 3 x 10-6  /К при температуре
                 25 °C

 

                 Технические примечания:
                 1. Асферический оптический
                 элемент - любой элемент, используемый
                 в оптической системе, оптическая
                 поверхность или поверхности которого
                 разработаны отличающимися от формы
                 идеальной сферы.
                 2. Изготовители не нуждаются в
                 измерении шероховатости поверхности,
                 указанной в подпункте "б" пункта
                 6.1.4.5, за исключением тех случаев,
                 когда оптический элемент разработан
                 или изготовлен в целях соответствия
                 или превышения определенного
                 параметра

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.4.5 не применяется к
                 асферическим оптическим элементам,
                 имеющим любые из следующих
                 характеристик:
                 а) наибольший размер оптической
                 апертуры менее 1 м и отношение
                 фокусного расстояния к апертуре,
                 равное или больше 4,5 : 1;
                 б) наибольший размер оптической
                 апертуры, равный или больше 1 м, и
                 отношение фокусного расстояния к
                 апертуре, равное или больше 7 : 1;
                 в) разработанным как линзы Френеля,
                 "рыбий глаз", пластины, призмы или
                 дифракционные оптические элементы;
                 г) изготовленным из боросиликатного
                 стекла, имеющего коэффициент
                 линейного температурного расширения
                 более 2,5 x 10-6   / K при температуре
                 25 °C; или
                 д) являющимся отражательными
                 элементами для рентгеновских лучей,
                 обладающим свойствами внутреннего
                 отражения (например, зеркала для
                 рентгеновских трубок)

 

                 Особое примечание.
                 Для асферических оптических
                 элементов, специально разработанных
                 для литографического оборудования,
                 см. пункт 3.2.1

 

                 Лазеры

 

 6.1.5.          Лазеры, компоненты и оптическое
                 оборудование:

 

                 Примечания:
                 1. Импульсные лазеры включают
                 лазеры, генерирующие импульсы на
                 фоне непрерывной накачки.
                 2. Эксимерные, полупроводниковые,
                 химические лазеры, лазеры на оксиде
                 углерода (CO) и диоксиде углерода
                 (CO2 ) и одноимпульсные лазеры на
                 неодимовом стекле определяются
                 только по пункту 6.1.5.4.
                 3. Пункт 6.1.5 включает волоконные
                 лазеры.
                 4. Контрольный статус лазеров,
                 использующих преобразование частоты
                 (изменение длины волны) иным
                 способом, чем накачка лазера другим
                 лазером, определяется как параметрами
                 выходного излучения лазера, так и
                 параметрами частотно-преобразованного
                 оптикой излучения.
                 5. По пункту 6.1.5 не контролируются
                 следующие лазеры:
                 а) рубиновые с выходной энергией
                 менее 20 Дж;
                 б) азотные;
                 в) криптоновые

 

                 Техническое примечание.
                 КПД "от розетки" определяется как
                 отношение выходной мощности (или
                 средней выходной мощности) лазерного
                 излучения к общей электрической
                 входной мощности, необходимой для
                 работы лазера, включая
                 электроснабжение/регулирование
                 мощности и
                 терморегулирование/теплообмен

 

 6.1.5.1.        Неперестраиваемые непрерывные          9013 20 000 0
                 (работающие в непрерывном режиме)
                 лазеры, имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) длину волны излучения менее 150 нм
                 и выходную мощность более 1 Вт;
                 б) длину волны излучения 150 нм или
                 более, но не превышающую 510 нм, и
                 выходную мощность более 30 Вт
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 По подпункту "б" пункта 6.1.5.1 не
                 контролируются аргоновые лазеры,
                 имеющие выходную мощность, равную
                 или меньше 50 Вт;

 

                 в) длину волны излучения более 510
                 нм, но не превышающую 540 нм, и
                 имеющие любое из следующего:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 выходную мощность в режиме генерации
                 одной поперечной моды более 50 Вт;
                 или
                 выходную мощность в многомодовом
                 режиме генерации поперечных мод
                 более 150 Вт;
                 г) длину волны излучения более 540
                 нм, но не превышающую 800 нм, и
                 выходную мощность более 30 Вт;
                 д) длину волны излучения более 800
                 нм, но не превышающую 975 нм, и
                 имеющие любое из следующего:
                 выходную мощность в режиме генерации
                 одной поперечной моды более 50 Вт;
                 или
                 выходную мощность в многомодовом
                 режиме генерации поперечных мод
                 более 80 Вт;
                 е) длину волны излучения более 975
                 нм, но не превышающую 1150 нм, и
                 имеющие любое из следующего:
                 1) выходную мощность в режиме
                 генерации одной поперечной моды более
                 200 Вт; или
(п. 1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 2) в многомодовом режиме генерации
                 поперечных мод имеющие любое из
                 следующего:
                 КПД "от розетки" более 18% и
                 выходную мощность более 500 Вт; или
                 выходную мощность более 2 кВт

 

                 Примечания:
                 1. Пункт 2 вышеупомянутого подпункта
                 "е" не применяется к многомодовым (по
                 поперечной моде) промышленным лазерам
                 с выходной мощностью более 2 кВт, но
                 не превышающей 6 кВт, общей массой
                 более 1200 кг. Для целей настоящего
                 примечания под общей массой
                 понимается масса всех компонентов,
                 необходимых для работы лазера
                 (например, лазер, источник питания,
                 теплообменник), за
                 исключением внешних оптических
                 устройств для преобразования и (или)
                 транспортировки лазерного пучка.
                 2. Пункт 2 вышеупомянутого подпункта
                 "е" не применяется к многомодовым (по
                 поперечной моде) промышленным
                 лазерам, имеющим любую из следующих
                 характеристик:
                 а) выходную мощность более 500 Вт, но
                 не превышающую 1 кВт, и имеющим все
                 следующие характеристики: параметры
                 качества пучка (ВРР) более 0,7
                 мм•мрад; и
                 яркость, не превышающую 1024
                              
                 Вт/(мм·мрад)2;
                 б) выходную мощность более 1 кВт, но
                 не превышающую 1,6 кВт, и параметры
                 качества пучка (ВРР) более
                 1,25 мм•мрад;
                 в) выходную мощность более 1,6 кВт,
                 но не превышающую 2,5 кВт, и
                 параметры качества пучка (ВРР) более
                 1,7 мм•мрад;
                 г) выходную мощность более 2,5 кВт,
                 но не превышающую 3,3 кВт, и
                 параметры качества пучка (ВРР) более
                 2,5 мм•мрад;
                 д) выходную мощность более 3,3 кВт,
                 но не превышающую 4 кВт, и параметры
                 качества пучка (ВРР) более 3,5
                 мм•мрад;
                 е) выходную мощность более 4 кВт, но
                 не превышающую 5 кВт, и параметры
                 качества пучка (ВРР) более 5 мм•мрад;
                 ж) выходную мощность более 5 кВт, но
                 не превышающую 6 кВт, и параметры
                 качества пучка (ВРР) более
                 7,2 мм•мрад;
                 з) выходную мощность более 6 кВт, но
                 не превышающую 8 кВт, и параметры
                 качества пучка (ВРР) более 12
                 мм•мрад;
                 и) выходную мощность более 8 кВт, но
                 не превышающую 10 кВт, и параметры
                 качества пучка (ВРР) более 24 мм•мрад
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей подпункта "а" пункта 2
                 примечаний к подпункту "е" яркость
                 определяется как выходная мощность
                 лазера, деленная на параметр качества
                 пучка (ВРР) в квадрате, то есть
                 (выходная мощность)/ВРР2;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 ж) длину волны излучения более
                 1150 нм, но не превышающую 1555 нм,
                 и имеющие любое из следующего:
                 выходную мощность в режиме генерации
                 одной поперечной моды более 50 Вт;
                 или
                 выходную мощность в многомодовом
                 режиме генерации поперечных мод
                 более 80 Вт; или
                 з) длину волны излучения более
                 1555 нм и выходную мощность более
                 1 Вт;

 

 6.1.5.2.        Неперестраиваемые импульсные лазеры,   9013 20 000 0
                 имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) длину волны излучения менее 150 нм
                 и имеющие любое из следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 50 мДж и пиковую мощность более
                 1 Вт; или
                 среднюю выходную мощность более
                 1 Вт;
                 б) длину волны излучения 150 нм или
                 более, но не превышающую 510 нм, и
                 имеющие любое из следующего:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 1) выходную энергию в импульсе более
                 1,5 Дж и пиковую мощность более
                 30 Вт; или
                 2) среднюю выходную мощность более
                 30 Вт

 

                 Примечание.
                 Подпункт 2 вышеупомянутого
                 пункта "б" не применяется к аргоновым
                 лазерам со средней выходной
                 мощностью, равной или меньше 50 Вт;

 

                 в) длину волны излучения более 510
                 нм, но не превышающую 540 нм, и
                 имеющие любое из следующего:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 1) в режиме генерации одной
                 поперечной моды имеющие любое из
                 следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 1,5 Дж и пиковую мощность более
                 50 Вт; или
                 среднюю выходную мощность более
                 50 Вт; или
                 2) в многомодовом режиме генерации
                 поперечных мод имеющие любое из
                 следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 1,5 Дж и пиковую мощность более
                 150 Вт; или
                 среднюю выходную мощность более
                 150 Вт;
                 г) длину волны излучения более 540
                 нм, но не превышающую 800 нм, и
                 имеющие любое из следующего:
                 1) длительность импульса менее 1 пс и
                 имеющие любое из следующего: выходную
                 энергию в импульсе более 0,005 Дж и
                 пиковую мощность более 5 ГВт; или
                 среднюю выходную мощность более 20
                 Вт; или
                 2) длительность импульса, равную 1 пс
                 или более, и имеющие любое из
                 следующего:
                 выходную энергию в импульсе более 1,5
                 Дж и пиковую мощность более 30 Вт;
                 или
                 среднюю выходную мощность более 30
                 Вт;
(пп. "г" в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 д) длину волны излучения более 800
                 нм, но не превышающую 975 нм, и
                 имеющие любое из следующего:
                 1) длительность импульса менее 1 пс
                 и имеющие любое из следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 0,005 Дж и пиковую мощность более 5
                 ГВт; или
                 среднюю выходную мощность в режиме
                 генерации одной поперечной моды более
                 20 Вт;
(п. 1 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 2) длительность импульса, равную 1
                 пс или более, но не превышающую 1
                 мкс, и имеющие любое из следующего:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 выходную энергию в импульсе более
                 0,5 Дж и пиковую мощность более
                 50 Вт;
                 среднюю выходную мощность в режиме
                 генерации одной поперечной моды
                 более 20 Вт; или
                 среднюю выходную мощность в
                 многомодовом режиме генерации
                 поперечных мод более 50 Вт; или
                 3) длительность импульса более 1 мкс
                 и имеющие любое из следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 2 Дж и пиковую мощность более 50 Вт;
                 среднюю выходную мощность в режиме
                 генерации одной поперечной моды
                 более 50 Вт; или
                 среднюю выходную мощность в
                 многомодовом режиме генерации
                 поперечных мод более 80 Вт;
                 е) длину волны излучения более 975
                 нм, но не превышающую 1150 нм, и
                 имеющие любое из следующего:
                 1) длительность импульса менее 1 пс
                 и имеющие любое из следующего:
                 выходную пиковую мощность в импульсе
                 более 2 ГВт;
                 среднюю выходную мощность более 10
                 Вт; или
                 выходную энергию в импульсе более
                 0,002 Дж;
(п. 1 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 2) длительность импульса, равную 1
                 пс или более, но не превышающую 1
                 мкс, и имеющие любое из следующего:
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 выходную пиковую мощность в
                 импульсе более 5 ГВт;
                 среднюю выходную мощность более
                 10 Вт; или
                 выходную энергию в импульсе более
                 0,1 Дж;
                 3) длительность импульса, равную или
                 больше 1 нс, но не превышающую 1 мкс,
                 и имеющие любое из следующего:
                 в режиме генерации одной поперечной
                 моды имеющие любое из следующего:
                 - пиковую мощность более 100 МВт;
                 - среднюю выходную мощность более
                 20 Вт, конструктивно ограниченную
                 максимальной частотой повторения
                 импульсов, равной или меньше 1 кГц;
                 - КПД "от розетки" более 12%,
                 среднюю выходную мощность более
                 100 Вт и способные работать с
                 частотой повторения импульса
                 более 1 кГц;
                 - среднюю выходную мощность более
                 150 Вт и способные работать при
                 частоте повторения импульсов более
                 1 кГц; или
                 - выходную энергию в импульсе более
                 2 Дж; или
                 в многомодовом режиме генерации
                 поперечных мод имеющие любое из
                 следующего:
                 - пиковую мощность более 400 МВт;
                 - КПД "от розетки" более 18% и
                 среднюю выходную мощность более
                 500 Вт;
                 - среднюю выходную мощность более
                 2 кВт; или
                 - выходную энергию в импульсе более
                 4 Дж; или
                 4) длительность импульса более 1 мкс
                 и имеющие любое из следующего:
                 в режиме генерации одной поперечной
                 моды имеющие любое из следующего:
                 - пиковую мощность более 500 кВт;
                 - КПД "от розетки" более 12% и
                 среднюю выходную мощность более
                 100 Вт; или
                 - среднюю выходную мощность более 150
                 Вт; или
                 в многомодовом режиме генерации
                 поперечных мод имеющие любое из
                 следующего:
                 - пиковую мощность более 1 МВт;
                 - КПД "от розетки" более 18% и
                 среднюю выходную мощность более
                 500 Вт; или
                 - среднюю выходную мощность более
                 2 кВт;
                 ж) длину волны излучения более
                 1150 нм, но не превышающую 1555 нм,
                 и имеющие любое из следующего:
                 1) длительность импульса, не
                 превышающую 1 мкс, и имеющие
                 любое из следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 0,5 Дж и пиковую мощность более
                 50 Вт;
                 среднюю выходную мощность в режиме
                 генерации одной поперечной моды
                 более 20 Вт; или
                 среднюю выходную мощность в
                 многомодовом режиме генерации
                 поперечных мод более 50 Вт; или
                 2) длительность импульса более 1 мкс
                 и имеющие любое из следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 2 Дж и пиковую мощность более 50 Вт;
                 среднюю выходную мощность в режиме
                 генерации одной поперечной моды
                 более 50 Вт; или
                 среднюю выходную мощность в
                 многомодовом режиме генерации
                 поперечных мод более 80 Вт; или
                 з) длину волны излучения более
                 1555 нм и имеющие любое из
                 следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 100 мДж и пиковую мощность более
                 1 Вт; или
                 среднюю выходную мощность более
                 1 Вт;

 

 6.1.5.3.        Перестраиваемые лазеры, имеющие        9013 20 000 0
                 любую из следующих характеристик:

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.5.3 включает титано-
                 сапфировые (Ti:Al2O3 ), тулий-YAG
                  (Tm:YAG), тулий-YSGG (Tm:YSGG)
                 лазеры, лазеры на александрите
                 (Cr:BeAl2O4 ), лазеры на центрах
                 окраски, лазеры на красителях и
                 жидкостные лазеры

 

                 а) длину волны излучения менее 600 нм
                 и имеющие любое из следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 50 мДж и пиковую мощность более
                 1 Вт; или
                 среднюю выходную мощность или
                 мощность непрерывного излучения
                 более 1 Вт

 

                 Техническое примечание.
                 Подпункт "а" пункта 6.1.5.3 не
                 применяется к лазерам на красителях
                 или другим жидкостным лазерам,
                 имеющим многомодовое излучение и
                 длину волны 150 нм или более, но не
                 превышающую 600 нм, и все
                 следующее:
                 выходную энергию в импульсе менее
                 1,5 Дж или пиковую мощность менее
                 20 Вт; и
                 среднюю выходную мощность или
                 мощность непрерывного излучения
                 менее 20 Вт;

 

                 б) длину волны излучения 600 нм или
                 более, но не превышающую 1400 нм, и
                 имеющие любое из следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 1 Дж и пиковую мощность более 20 Вт;
                 или
                 среднюю выходную мощность или
                 мощность непрерывного излучения
                 более 20 Вт; или
                 в) длину волны излучения более
                 1400 нм и имеющие любое из
                 следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 50 мДж и пиковую мощность более
                 1 Вт; или
                 среднюю выходную мощность или
                 мощность непрерывного излучения
                 более 1 Вт;

 

 6.1.5.4.        Другие лазеры, не определенные в
                 пункте 6.1.5.1, 6.1.5.2 или 6.1.5.3:

 

 6.1.5.4.1.      Полупроводниковые лазеры:

 

                 Примечания:
                 1. Пункт 6.1.5.4.1 включает
                 полупроводниковые лазеры, имеющие
                 оптические волоконные выходы.
                 2. Контрольный статус
                 полупроводниковых лазеров,
                 специально разработанных для другого
                 оборудования, определяется по
                 контрольному статусу этого другого
                 оборудования

 

 6.1.5.4.1.1.    Одиночные полупроводниковые лазеры,   8541 40 100 0
                 работающие в режиме генерации одной
                 поперечной моды, имеющие любую из
                 следующих характеристик:
                 а) длину волны, равную или меньше
                 1510 нм, и среднюю выходную мощность
                 или мощность непрерывного излучения
                 более 1,5 Вт; или
                 б) длину волны более 1510 нм и
                 среднюю выходную мощность или
                 мощность непрерывного излучения
                 более 500 мВт;

 

 6.1.5.4.1.2.    Одиночные многомодовые (по            8541 40 100 0
                 поперечной моде) полупроводниковые
                 лазеры, имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) длину волны менее 1400 нм и
                 среднюю выходную мощность или
                 мощность непрерывного излучения
                 более 15 Вт;
                 б) длину волны, равную или больше
                 1400 нм, но менее 1900 нм, и среднюю
                 выходную мощность или мощность
                 непрерывного излучения более 2,5 Вт;
                 или
                 в) длину волны, равную или больше
                 1900 нм, и среднюю выходную мощность
                 или мощность непрерывного излучения
                 более 1 Вт;

 

 6.1.5.4.1.3.    Отдельные линейки полупроводниковых   8541 40 100 0
                 лазеров, имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) длину волны менее 1400 нм и
                 среднюю выходную мощность или
                 мощность непрерывного излучения
                 более 100 Вт;
                 б) длину волны, равную или больше
                 1400 нм, но менее 1900 нм, и среднюю
                 выходную мощность или мощность
                 непрерывного излучения более 25 Вт;
                 или
                 в) длину волны, равную или больше
                 1900 нм, и среднюю выходную мощность
                 или мощность непрерывного излучения
                 более 10 Вт;

 

 6.1.5.4.1.4.    Многоярусные решетки                  8541 40 100 0
                 полупроводниковых лазеров
                 (двухмерные решетки), имеющие любое
                 из следующего:
                 а) длину волны менее 1400 нм и
                 имеющие любое из следующего:
                 1) среднюю общую выходную мощность
                 или общую выходную мощность
                 непрерывного излучения менее 3 кВт и
                 имеющие среднюю удельную выходную
                 мощность или удельную выходную
                 мощность непрерывного излучения
                 более 500 Вт/см2;
                 2) среднюю общую выходную мощность
                 или общую выходную мощность
                 непрерывного излучения от 3 кВт до 5
                 кВт включительно и имеющие среднюю
                 удельную выходную мощность или
                 удельную выходную мощность
                 непрерывного излучения более 350
                 Вт/см2;
                 3) среднюю общую выходную мощность
                 или общую выходную мощность
                 непрерывного излучения, превышающую
                 5 кВт;
                 4) пиковую импульсную удельную
                 мощность более 2500 Вт/см2; или
                 5) пространственно когерентную
                 среднюю общую выходную мощность или
                 общую выходную мощность непрерывного
                 излучения более 150 Вт;
                 б) длину волны 1400 нм или более, но
                 не превышающую 1900 нм, и имеющие
                 любое из следующего:
                 1) среднюю общую выходную мощность
                 или общую выходную мощность
                 непрерывного излучения менее 250 Вт
                 и имеющие среднюю удельную выходную
                 мощность или удельную выходную
                 мощность непрерывного излучения
                 более 150 Вт/см2;
                 2) среднюю общую выходную мощность
                 или общую выходную мощность
                 непрерывного излучения от 250 Вт до
                 500 Вт включительно и имеющие
                 среднюю удельную выходную мощность
                 или удельную выходную мощность
                 непрерывного излучения более 50
                 Вт/см2;
                 3) среднюю общую выходную мощность
                 или общую выходную мощность
                 непрерывного излучения, превышающую
                 500 Вт;
                 4) пиковую импульсную удельную
                 мощность более 500 Вт/см2; или
                 5) пространственно когерентную
                 среднюю общую выходную мощность или
                 общую выходную мощность непрерывного
                 излучения более 15 Вт;
                 в) длину волны 1900 нм или более
                 и имеющие любое из следующего:
                 1) среднюю удельную выходную
                 мощность или удельную выходную
                 мощность непрерывного излучения
                 более 50 Вт/см2; или
                 2) среднюю выходную мощность или
                 выходную мощность непрерывного
                 излучения более 10 Вт; или
                 3) пространственно когерентную
                 среднюю общую выходную мощность или
                 общую выходную мощность непрерывного
                 излучения более 1,5 Вт; или
                 г) по крайней мере одну линейку
                 лазеров, определенную в пункте
                 6.1.5.4.1.3

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей пункта 6.1.5.4.1.4
                 под удельной мощностью понимается
                 общая выходная мощность лазера,
                 отнесенная к площади поверхности
                 излучения многоярусной решетки;

 

 6.1.5.4.1.5.    Многоярусные решетки                  8541 40 100 0
                 полупроводниковых лазеров, отличные
                 от определенных в пункте 6.1.5.4.1.4
                 и имеющие все следующее:
                 а) специально разработанные или
                 модифицированные для объединения с
                 другими многоярусными решетками для
                 формирования большей многоярусной
                 решетки; и
                 б) интегрированные соединения,
                 обычно используемые как для
                 электронной части системы, так и для
                 охлаждения

 

                 Примечания:
                 1. Многоярусные решетки,
                 сформированные путем объединения
                 многоярусных решеток
                 полупроводниковых лазеров,
                 определенных в пункте 6.1.5.4.1.5,
                 которые не разработаны для
                 дальнейшего объединения или
                 модифицирования, определяются по
                 пункту 6.1.5.4.1.4.
                 2. Многоярусные решетки,
                 сформированные путем объединения
                 многоярусных решеток
                 полупроводниковых лазеров,
                 определенных в пункте 6.1.5.4.1.5,
                 которые разработаны для дальнейшего
                 объединения или модифицирования,
                 определяются по пункту 6.1.5.4.1.5.
                 3. Пункт 6.1.5.4.1.5 не применяется
                 к модульным конструкциям из
                 отдельных линеек, разработанным для
                 сборки в непрерывную цепь
                 многоярусных линейных решеток

 

                 Технические примечания:
                 1. Полупроводниковые лазеры обычно
                 называются лазерными диодами.
                 2. Линейка (также называется линейкой
                 полупроводникового лазера, линейкой
                 диодного лазера или диодной
                 линейкой) состоит из множества
                 полупроводниковых лазеров в
                 одномерной решетке.
                 3. Многоярусная решетка состоит из
                 множества линеек, формирующих
                 двухмерные решетки полупроводниковых
                 лазеров;

 

 6.1.5.4.2.      Лазеры на оксиде углерода (CO),       9013 20 000 0
                 имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) выходную энергию в импульсе более
                 2 Дж и пиковую мощность более 5 кВт;
                 или
                 б) среднюю выходную мощность или
                 мощность непрерывного излучения
                 более 5 кВт;

 

 6.1.5.4.3.      Лазеры на диоксиде углерода (CO2 ),    9013 20 000 0
                 имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) мощность непрерывного излучения
                 более 15 кВт;
                 б) длительность импульсов в
                 импульсном режиме более 10 мкс и
                 имеющие любое из следующего: среднюю
                 выходную мощность более 10 кВт; или
                 пиковую мощность более 100 кВт; или
                 в) длительность импульсов в
                 импульсном режиме, равную или меньше
                 10 мкс, и имеющие любое из
                 следующего:
                 энергию в импульсе более 5 Дж; или
                 среднюю выходную мощность более 2,5
                 кВт;

 

 6.1.5.4.4.      Эксимерные лазеры, имеющие любую  из  9013 20 000 0
                 следующих характеристик:
                 а) длину волны излучения, не
                 превышающую 150 нм, и имеющие любое
                 из следующего:
                 выходную энергию в импульсе
                 более 50 мДж; или
                 среднюю выходную мощность более 1 Вт;
                 б) длину волны излучения более 150
                 нм, но не превышающую 190 нм, и
                 имеющие любое из следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 1,5 Дж; или
                 среднюю выходную мощность более
                 120 Вт;
                 в) длину волны излучения более 190
                 нм, но не превышающую 360 нм, и
                 имеющие любое из следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 10 Дж; или
                 среднюю выходную мощность более
                 500 Вт; или
                 г) длину волны излучения более 360
                 нм и имеющие любое из следующего:
                 выходную энергию в импульсе более
                 1,5 Дж; или
                 среднюю выходную мощность более
                 30 Вт

 

                 Особое примечание.
                 Для эксимерных лазеров, специально
                 разработанных для литографического
                 оборудования, см. пункт 3.2.1;

 

 6.1.5.4.5.      Химические лазеры:

 

 6.1.5.4.5.1.    Лазеры на фториде водорода (HF);      9013 20 000 0

 

 6.1.5.4.5.2.    Лазеры на фториде дейтерия (DF);      9013 20 000 0

 

 6.1.5.4.5.3.    Переходные лазеры:

 

 6.1.5.4.5.3.1.  Кислородно-йодные (O2-I) лазеры;      9013 20 000 0
 6.1.5.4.5.3.2   Фторид дейтерия-диоксид-углеродные    9013 20 000 0
                 (DF-CO2 ) лазеры;
 6.1.5.4.6.      Одноимпульсные лазеры на неодимовом   9013 20 000 0
                 стекле, имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) длительность импульса, не
                 превышающую 1 мкс, и выходную
                 энергию в импульсе более 50 Дж; или
                 б) длительность импульса более 1 мкс
                 и выходную энергию в импульсе более
                 100 Дж

 

                 Примечание.
                 Термин "одноимпульсные" относится к
                 лазерам, которые или испускают
                 одиночный импульс, или имеют
                 временной интервал между импульсами
                 более одной минуты;

 

 6.1.5.5.        Следующие компоненты:

 

 6.1.5.5.1.      Зеркала, охлаждаемые либо активным    9001 90 000 0;
                 методом, либо методом тепловой трубы  9002 90 000 0

 

                 Техническое примечание.
                 Активным охлаждением является метод
                 охлаждения оптических компонентов, в
                 котором используется течение
                 жидкости по субповерхности
                 (расположенной обычно менее чем в 1
                 мм под оптической поверхностью)
                 оптического компонента для отвода
                 тепла от оптики;

 

 6.1.5.5.2.      Оптические зеркала либо прозрачные    9001 90 000 0;
                 или частично прозрачные оптические    9002 90 000 0
                 или электрооптические компоненты,
                 специально разработанные для
                 использования с определенными в
                 настоящем разделе лазерами;

 

 6.1.5.6.        Оптическое оборудование следующих
                 видов:

 

 6.1.5.6.1.      Оборудование, измеряющее              9031 49 900 0
                 динамический волновой фронт (фазу),
                 использующее по крайней мере 50
                 позиций на волновом фронте луча и
                 имеющее любую из следующих
                 характеристик:
                 а) частоту кадров, равную или выше
                 100 Гц, и фазовую дискриминацию,
                 составляющую по крайней мере 5% от
                 длины волны луча; или
                 б) частоту кадров, равную или выше
                 1000 Гц, и фазовую дискриминацию,
                 составляющую по крайней мере 20% от
                 длины волны луча;

 

 6.1.5.6.2.      Оборудование лазерной диагностики,    9031 49 900 0
                 способное измерять погрешности
                 углового управления положением луча
                 лазера сверхвысокой мощности, равные
                 или меньше 10 мкрад;

 

 6.1.5.6.3.      Оптическое оборудование и             9013 90 900 0
                 компоненты, специально разработанные
                 для использования в системе лазера
                 сверхвысокой мощности с
                 фазированными решетками для
                 суммирования когерентных лучей с
                 точностью лямбда/10 длины волны или
                 0,1 мкм, в зависимости от того,
                 какая из величин меньше;

 

 6.1.5.6.4.      Проекционные телескопические          9002 19 000 0
                 оптические системы, специально
                 разработанные для использования с
                 системами лазеров сверхвысокой
                 мощности;

 

 6.1.5.7.        Лазерная акустическая аппаратура      9013 20 000 0;
                 обнаружения, имеющая все следующие    9014 80 000 0;
                 характеристики:                       9015 80 110 0
                 а) выходную мощность непрерывного
                 лазерного излучения, равную или
                 больше 20 мВт;
                 б) стабильность частоты лазерного
                 излучения 10 МГц или лучше (меньше);
                 в) длину волны лазера 1000 нм или
                 более, но не превышающую 2000 нм;
                 г) разрешение оптической системы
                 лучше (меньше) 1 нм;
                 д) отношение оптического сигнала к
                 шуму 103  или более

 

                 Техническое примечание.
                 Лазерная акустическая аппаратура
                 обнаружения называется иногда
                 лазерными микрофонами или
                 микрофонами обнаружения потока
                 частиц

 

                 Датчики магнитного и электрического
                 полей

 

 6.1.6.          Магнитометры, магнитные
                 градиентометры, внутренние магнитные
                 градиентометры, подводные датчики
                 электрического поля и
                 компенсационные системы, указанные
                 ниже, и специально разработанные для
                 них компоненты:

 

 6.1.6.1.        Следующие магнитометры и их
                 подсистемы:

 

 6.1.6.1.1.      Магнитометры, использующие            9015 80 110 0;
                 технологию сверхпроводящих            9015 80 930 0
                 материалов (сверхпроводящих
                 квантовых интерференционных датчиков
                 или СКВИДов) и имеющие любую из
                 следующих характеристик:

 

                 а) системы СКВИДов, разработанные
                 для стационарной эксплуатации, без
                 специально разработанных подсистем,
                 предназначенных для уменьшения шума
                 в движении, и имеющие
                 среднеквадратичное значение
                 чувствительности, равное или меньше
                 (лучше) 50 фТ, деленных на корень
                 квадратный из частоты в герцах, на
                 частоте 1 Гц; или
                 б) системы СКВИДов, специально
                 разработанные для устранения шума в
                 движении и имеющие
                 среднеквадратичное значение
                 чувствительности магнитометра в
                 движении меньше (лучше) 20 пТ,
                 деленных на корень квадратный из
                 частоты в герцах, на частоте 1 Гц;

 

 6.1.6.1.2.      Магнитометры, использующие            9015 80 110 0;
                 технологии оптической накачки или     9015 80 930 0
                 ядерной прецессии
                 (протонной/Оверхаузера), имеющие
                 среднеквадратичное значение
                 чувствительности меньше (лучше) 20
                 пТ, деленных на корень квадратный из
                 частоты в герцах, на частоте 1 Гц

 

                 Особое примечание.
                 В отношении магнитометров и их
                 подсистем, указанных в пунктах
                 6.1.6.1.1 и 6.1.6.1.2, см.
                 также пункты 6.1.5.1.1 и 6.1.5.1.2
                 раздела 2;

 

 6.1.6.1.3.      Магнитометры, использующие            9015 80 110 0;
                 технологию феррозондов                9015 80 930 0
                 (магнитомодуляционных датчиков),
                 имеющие среднеквадратичное значение
                 чувствительности, равное или меньше
                 (лучше) 10 пТ, деленных на корень
                 квадратный из частоты в герцах, на
                 частоте 1 Гц;

 

 6.1.6.1.4.      Магнитометры с катушкой               9015 80 110 0;
                 индуктивности, имеющие                9015 80 930 0
                 среднеквадратичное значение
                 чувствительности меньше (лучше), чем
                 любой из следующих показателей:
                 а) 0,05 нТ, деленные на корень
                 квадратный из частоты в герцах, на
                 частоте ниже 1 Гц;
                 б) 1 x 10-3  нТ, деленные на корень
                 квадратный из частоты в герцах, на
                 частоте 1 Гц или выше, но не выше 10
                 Гц; или
                 в) 1 x 10-4   нТ, деленные на корень
                 квадратный из частоты в герцах, на
                 частотах выше 10 Гц;

 

 6.1.6.1.5.      Волоконно-оптические магнитометры,    9015 80 110 0;
                 имеющие среднеквадратичное значение   9015 80 930 0
                 чувствительности меньше (лучше) 1
                 нТ, деленной на корень квадратный из
                 частоты в герцах;

 

 6.1.6.2.        Подводные датчики электрического      9015 80 110 0;
                 поля, имеющие чувствительность,       9015 80 930 0
                 измеренную на частоте 1 Гц, меньше    9030
                 (лучше) 8 нВ/м, деленных на корень
                 квадратный из частоты в герцах;

 

 6.1.6.3.        Следующие магнитные градиентометры:

 

 6.1.6.3.1.      Магнитные градиентометры,             9015 80 110 0;
                 использующие наборы магнитометров,    9015 80 930 0
                 определенных в пункте 6.1.6.1

 

                 Особое примечание.
                 В отношении магнитных
                 градиентометров, указанных в
                 пункте 6.1.6.3.1, см. также пункт
                 6.1.5.2 раздела 2;

 

 6.1.6.3.2.      Волоконно-оптические внутренние       9015 80 110 0;
                 магнитные градиентометры, имеющие     9015 80 930 0
                 среднеквадратичное значение
                 чувствительности градиента
                 магнитного поля меньше (лучше) 0,3
                 нТ/м, деленных на корень квадратный
                 из частоты в герцах;

 

 6.1.6.3.3.      Внутренние магнитные градиентометры,  9015 80 110 0;
                 использующие технологию, отличную от  9015 80 930 0
                 волоконно-оптической, имеющие
                 среднеквадратичное значение
                 чувствительности градиента
                 магнитного поля меньше (лучше) 0,015
                 нТ/м, деленных на корень квадратный
                 из частоты в герцах;

 

 6.1.6.4.        Компенсационные системы для           9015 80 110 0;
                 магнитных датчиков или подводных      9015 80 930 0;
                 датчиков электрического поля,         9030
                 которые позволяют этим датчикам
                 получать рабочие характеристики,
                 равные или лучше, чем контрольные
                 параметры, указанные в пункте
                 6.1.6.1, 6.1.6.2 или 6.1.6.3

 

                 Особое примечание.
                 В отношении компенсационных систем,
                 указанных в пункте 6.1.6.4,
                 см. также пункт 6.1.5.3 раздела 2

 

 6.1.6.5.        Подводные электромагнитные            9015 80 110 0;
                 приемники, включающие датчики         9015 80 930 0;
                 магнитного поля, определенные в       9030
                 пункте 6.1.6.1, или подводные
                 датчики электрического поля,
                 определенные в пункте 6.1.6.2

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей пункта 6.1.6
                 чувствительность -
                 среднеквадратичное значение
                 минимального уровня шума,
                 ограниченного устройством, который,
                 являясь наименьшим сигналом, может
                 быть измерен

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.6 не применяется к
                 приборам, специально разработанным
                 для рыбопромыслового применения или
                 биомагнитных измерений в медицинской
                 диагностике

 

                 Гравиметры

 

 6.1.7.          Гравиметры и гравитационные
                 градиентометры:

 

 6.1.7.1.        Гравиметры, разработанные или         9015 80 930 0
                 модифицированные для наземного
                 использования, со статической
                 точностью меньше (лучше) 10
                 микрогалов

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.7.1 не применяется к
                 наземным гравиметрам типа кварцевых
                 элементов (Уордена);

 

 6.1.7.2.        Гравиметры, разработанные для         9015 80 930 0
                 передвижных платформ и
                 имеющие все следующие
                 характеристики:
                 а) статическую точность меньше
                 (лучше) 0,7 миллигала; и
                 б) рабочую точность меньше (лучше)
                 0,7 миллигала со временем выхода на
                 устойчивый режим регистрации менее 2
                 минут при любой комбинации
                 присутствующих корректирующих
                 компенсаций и влияния движения
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей пункта 6.1.7.2 временем
                 выхода на устойчивый режим
                 регистрации (также называется
                 временем отклика гравиметра) является
                 время, в течение которого уменьшаются
                 нежелательные эффекты вынужденного
                 ускорения платформы (высокочастотный
                 шум);
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.1.7.3.        Гравитационные градиентометры         9015 80 930 0

 

                 Радиолокаторы

 

 6.1.8.          Локационные системы, оборудование и
                 узлы, имеющие любую из следующих
                 характеристик, и специально
                 разработанные для них компоненты:

 

 6.1.8.1.        Работают на частотах от 40 ГГц до     8526 10 000
                 230 ГГц и имеют любую из следующих
                 характеристик:
                 а) среднюю выходную мощность более
                 100 мВт; или
                 б) точность определения 1 м или
                 меньше (лучше) по дальности и 0,2
                 градуса или меньше (лучше) по
                 азимуту;

 

 6.1.8.2.        Имеют перестраиваемую рабочую         8526 10 000
                 полосу частот, ширина которой
                 превышает +/- 6,25% от центральной
                 рабочей частоты

 

                 Техническое примечание.
                 Центральная рабочая частота равна
                 половине суммы наибольшей и
                 наименьшей номинальных рабочих
                 частот;

 

 6.1.8.3.        Имеют возможность работать            8526 10 000
                 одновременно более чем на двух
                 несущих частотах;

 

 6.1.8.4.        Имеют возможность работать в режиме   8526 10 000
                 синтезированной апертуры, обратной
                 синтезированной апертуры или в
                 режиме локатора бокового обзора
                 воздушного базирования

 

                 Особое примечание.
                 В отношении локационных систем,
                 оборудования и узлов, указанных
                 в пункте 6.1.8.4, см. также пункт
                 6.1.6.1 раздела 2;

 

 6.1.8.5.        Включают антенные решетки с           8526 10 000
                 электронным управлением диаграммой
                 направленности;

 

 6.1.8.6.        Имеют возможность одновременно        8526 10 000
                 определять высоты нескольких целей;

 

 6.1.8.7.        Специально разработаны для            8526 10 000
                 воздушного базирования
                 (устанавливаются на воздушном шаре
                 или летательном аппарате) и имеют
                 доплеровскую обработку сигнала для
                 обнаружения движущихся целей;

 

 6.1.8.8.        Используют обработку сигналов         8526 10 000
                 локатора с применением:
                 а) методов расширения спектра РЛС;
                 или
                 б) методов быстрой перестройки
                 частоты РЛС

 

                 Особое примечание.
                 В отношении РЛС, указанных в пункте
                 6.1.8.8, см. также пункт 6.1.6.2
                 раздела 2;

 

 6.1.8.9.        Обеспечивают наземное                 8526 10 000
                 функционирование с максимальной
                 инструментальной дальностью действия
                 более 185 км

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.8.9 не применяется:
                 а) к оборудованию наземных РЛС для
                 контроля районов промысла рыбы;
                 б) к оборудованию наземных РЛС,
                 специально разработанных для
                 управления воздушным движением, в
                 случае когда они удовлетворяют всем
                 следующим условиям:
                 имеют максимальную инструментальную
                 дальность действия 500 км или менее;
                 сконфигурированы так, что данные с
                 РЛС о цели могут быть переданы
                 только в одну сторону от
                 местонахождения локатора к одному
                 или нескольким гражданским центрам
                 управления воздушным движением
                 (УВД);
                 не содержат средств
                 дистанционного управления скоростью
                 сканирования трассового локатора из
                 центра УВД; и должны устанавливаться
                 для постоянной работы;
                 в) к локаторам для слежения за
                 метеорологическими воздушными
                 шарами;

 

 6.1.8.10.       Являются оборудованием для лазерных   9015 10 100 0
                 радаров или лазерных локаторов        9015 10 900 0
                 (ЛИДАРов) и имеют любую из следующих  9031 80 340 0
                 характеристик:                        9031 80 910 0
                 а) пригодны для применения в
                 космосе;
                 б) используют методы когерентного
                 гетеродинного или гомодинного
                 детектирования и имеют угловое
                 разрешение меньше (лучше) 20 мкрад;
                 или
                 в) разработаны для использования в
                 воздушной батиметрической прибрежной
                 съемке в соответствии с порядком 1а
                 стандарта (издание 5 - февраль 2008
                 г) для гидрографической разведки
                 Международной гидрографической
                 организации (МГО) или лучше и
                 используют один лазер или более с
                 длиной волны от 400 нм до 600 нм

 

                 Примечания:
                 1. Оборудование для ЛИДАРов,
                 специально разработанное для
                 использования в съемке, определено
                 только в подпункте "в" пункта
                 6.1.8.10.
                 2. Пункт 6.1.8.10 не применяется к
                 оборудованию для ЛИДАРов, специально
                 разработанному для метеорологических
                 наблюдений.
                 3. Параметры, определенные в порядке
                 1а стандарта МГО пятого издания от
                 февраля 2008 г., следующие:
                 точность в горизонтальной плоскости
                 (95% уровня достоверности) = 5 м + 5%
                 глубины;
                 точность определения глубины для
                 приведенных глубин (95% уровня
                 достоверности)
                 = +/- V(a2  + (b x d2)), где:
                 a = 0,5 м - постоянная глубинная
                 ошибка, то есть сумма всех
                 постоянных глубинных ошибок;
                 b = 0,013 - фактор зависимости от
                 глубины;
                 b x d - глубинная зависимая ошибка,
                 то есть сумма всех глубинных
                 зависимых ошибок;
                 d - глубина;
                 возможности обнаружения
                 = объемные возможности > 2 м в
                 глубину до 40 м включительно;
                 10% глубины, превышающей 40 м;

 

 6.1.8.11.       Имеют подсистемы обработки сигнала    8526 10 000
                 со сжатием импульса с любой из
                 следующих характеристик:
                 а) коэффициентом сжатия импульса
                 более 150; или
                 б) длительностью сжатого импульса
                 менее 200 нс
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.8.11 не применяется к
                 двухмерным морским РЛС или РЛС служб
                 организации движения судов, имеющим
                 все следующее:
                 а) коэффициент сжатия импульса, не
                 превышающий 150;
                 б) длительность сжатого импульса
                 более 30 нс;
                 в) одну поворотную антенну с
                 механическим сканированием;
                 г) пиковую выходную мощность, не
                 превышающую 250 Вт; и
                 д) не имеющим возможности
                 скачкообразной перестройки частоты
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Особое примечание.
                 В отношении локационных систем,
                 оборудования и узлов, указанных в
                 пункте 6.1.8.11, см. также пункт
                 6.1.6.3 раздела 2;

 

 6.1.8.12.       Имеют подсистемы обработки данных,    8526 10 000
                 обеспечивающие любое из
                 нижеследующего:
                 а) автоматическое сопровождение
                 цели, обеспечивающее при любом
                 повороте антенны определение
                 прогнозируемого положения цели на
                 время, превышающее время до
                 следующего прохождения луча антенны;
                 или

 

                 Примечание.
                 Подпункт "а" пункта 6.1.8.12 не
                 применяется к РЛС для управления
                 воздушным движением, имеющим
                 возможность предупреждения об
                 опасности столкновения, либо к
                 морским РЛС
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 б) при конфигурировании - наложение
                 и корреляцию или объединение данных
                 о цели в пределах 6 секунд от двух
                 или более пространственно
                 распределенных радиолокационных
                 датчиков для улучшения совокупных
                 эксплуатационных характеристик
                 подсистем в сравнении с любым из
                 отдельных датчиков, определенных в
                 пункте 6.1.8.6 или 6.1.8.9

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.8.12 не применяется к
                 радиолокационным системам,
                 оборудованию и узлам, используемым
                 для служб организации движения
                 судов
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.1.8 не применяется:
                 а) к обзорным РЛС с активным
                 ответом;
                 б) к гражданским автомобильным
                 радиолокаторам;
                 в) к дисплеям или мониторам,
                 используемым для управления
                 воздушным движением (УВД);
                 г) к метеорологическим РЛС;
                 д) к оборудованию посадочных РЛС
                 (PAR), соответствующему стандартам
                 Международной организации
                 гражданской авиации (ИКАО) и
                 включающему линейные (одномерные)
                 антенные решетки с электронным
                 управлением диаграммой
                 направленности или пассивные антенны
                 с механическим позиционированием

 

                 Технические примечания:
                 1. Для целей пункта 6.1.8 к морским
                 РЛС относятся РЛС, используемые для
                 безопасной навигации на море,
                 внутренних водных путях или в
                 прибрежной зоне.
                 2. Для целей пункта 6.1.8 службой
                 организации движения судов является
                 служба по мониторингу и управлению
                 движением судов, идентичная службе по
                 управлению воздушным движением
                 самолетов
(технические примечания введены Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.2.            Испытательное, контрольное и
                 производственное оборудование

 

 6.2.1           Акустика - нет

 

 6.2.2.          Оптические датчики - нет

 

 6.2.3.          Камеры - нет

 

                 Оптика

 

 6.2.4.          Следующее оптическое оборудование
                 (приборы):

 

 6.2.4.1.        Оборудование для измерения            9031 49 900 0
                 абсолютного значения коэффициента
                 отражения с погрешностью +/- 0,1%;

 

 6.2.4.2.        Оборудование, отличное от             9031 49 900 0
                 оборудования для измерения
                 оптического поверхностного
                 рассеяния, имеющее незатемненную
                 апертуру с диаметром более 10 см,
                 специально разработанное для
                 бесконтактного оптического измерения
                 неплоскостности оптической
                 поверхности (профиля) с точностью 2
                 нм или меньше (лучше) от требуемого
                 профиля

 

                 Примечание.
                 Пункт 6.2.4 не применяется к
                 микроскопам

 

 6.2.5.          Лазеры - нет

 

 6.2.6.          Датчики магнитного и электрического
                 полей - нет

 

                 Гравиметры

 

 6.2.7.          Оборудование для производства,        9031 80 380 0
                 юстировки и калибровки гравиметров
                 наземного базирования со статической
                 точностью лучше 0,1 миллигала

 

                 Радиолокаторы

 

 6.2.8.          Импульсные локационные системы для    8526 10 000 9
                 измерения эффективной площади
                 отражения, имеющие длительность
                 передаваемых импульсов 100 не или
                 менее, и специально разработанные
                 для них компоненты

 

                 Особое примечание.
                 В отношении импульсных локационных
                 систем, указанных в пункте 6.2.8,
                 см. также пункт 6.2.1 разделов 2 и 3

 

 6.3.            Материалы

 

 6.3.1.          Акустика - нет

 

                 Оптические датчики

 

 6.3.2.          Материалы оптических датчиков:

 

 6.3.2.1.        Теллур (Te) с чистотой 99,9995% или   2804 50 900 0
                 более;

 

 6.3.2.2.        Монокристаллы  (включая  пластины   с 3818 00 900 0;
                 эпитаксиальными  слоями)  любого   из 8107 90 000 0
                 следующего:
                 а) теллурида цинка-кадмия (CdZnTe) с
                 содержанием цинка менее 6% по
                 мольным долям;
                 б) теллурида кадмия (CdTe) любой
                 чистоты; или
                 в) теллурида ртути-кадмия (HgCdTe)
                 любой чистоты

 

                 Техническое примечание.
                 Мольная доля определяется отношением
                 молей ZnTe к сумме молей CdTe и
                 ZnTe, присутствующих в кристалле

 

 6.3.3.          Камеры - нет

 

                 Оптика

 

 6.3.4.          Следующие оптические материалы:

 

 6.3.4.1.        Заготовки из селенида цинка (ZnSe) и  2830 90 850 0;
                 сульфида цинка (ZnS), полученные      2842 90 100 0
                 химическим осаждением из парогазовой
                 фазы и имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) объем более 100 см3; или
                 б) диаметр более 80 мм и толщину 20
                 мм или более;

 

 6.3.4.2.        Электрооптические и нелинейно-
                 оптические материалы:
(п. 6.3.4.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.3.4.2.1.      Арсенат титанила-калия (КТА) (CAS     2842 90 800 0
                 59400-80-5);

 

 6.3.4.2.2.      Селенид серебра-галлия (AgGaSe2,      2842 90 100 0
                 известный также как AGSE)
                 (CAS 12002-67-4);
(п. 6.3.4.2.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.3.4.2.3.      Селенид таллия-мышьяка (Tl3 AsSe3 ,     2842 90 100 0
                 известный также как TAS)
                 (CAS 16142-89-5);

 

 6.3.4.2.4.      Фосфид цинка-германия (ZnGeP2,        2848 00 000 0
                 известный также как ZGP, бифосфид
                 цинка-германия или дифосфид цинка-
                 германия); или
(п. 6.3.4.2.4 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.3.4.2.5.      Селенид галлия (GaSe)                 2842 90 100 0
                 (CAS 12024-11-2);
(п. 6.3.4.2.5 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.3.4.3.        Нелинейные оптические материалы, не   7020 00 800 0
                 определенные в пункте 6.3.4.2,
                 имеющие любую из следующих
                 характеристик:
                 а) имеющие динамическую (известную
                 также как нестационарная) нелинейную
                 восприимчивость третьего порядка
                 (א(3), хи 3) 10-6 м2/B2 или более и
                 время отклика менее 1 мс; или
                 б) имеющие нелинейную восприимчивость
                 второго порядка (א(2) хи 2)
                 3,3 x 10-11 или м/В или более;
(п. 6.3.4.3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.3.4.4.        Заготовки карбида кремния или         2849 20 000 0;
                 осажденных материалов бериллия-       8112 19 000 0
                 бериллия (Be/Be) с диаметром или
                 длиной главной оси более 300 мм;

 

 6.3.4.5.        Стекло, в том числе кварцевое         7001 00 910 0;
                 стекло, фосфатное стекло,             7001 00 990 0;
                 фторофосфатное стекло, фторид         7020 00 800 0
                 циркония (ZrF4 )
                 (CAS 7783-64-4) и фторид гафния
                 (HfF4 ) (CAS 13709-52-9), имеющее
                 все следующие характеристики:
                 а) концентрацию гидроксильных ионов
                 (OH-) менее 5 частей на миллион;
                 б) интегральные уровни чистоты по
                 металлам лучше 1 части на миллион; и
                 в) высокую однородность (флуктуацию
                 коэффициента преломления) менее 5 x
                 10-6  ;

 

 6.3.4.6.        Искусственный алмаз с поглощением     7104 20 000 0
                 менее 10-5 см-1  в диапазоне длин волн
                 от 200 нм до 14 000 нм

 

                 Лазеры

 

 6.3.5.          Синтетические кристаллические
                 материалы (основа) лазера в виде
                 заготовок:

 

 6.3.5.1.        Сапфир, легированный титаном          7104 20 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 6.3.5.2.        Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519

 

 6.3.6.          Датчики магнитного и электрического
                 полей - нет

 

 6.3.7.          Гравиметры - нет

 

 6.3.8.          Радиолокаторы - нет

 

 6.4.            Программное обеспечение

 

 6.4.1.          Программное обеспечение, специально
                 разработанное для разработки или
                 производства систем, лазеров,
                 оборудования, узлов и компонентов,
                 определенных в пункте 6.1.4, 6.1.5,
                 6.1.8 или 6.2.8

 

                 Особое примечание.
                 В отношении программного
                 обеспечения, указанного в пункте
                 6.4.1, см. также пункт 6.4.1
                 разделов 2 и 3

 

 6.4.2.          Программное обеспечение, специально
                 разработанное для применения
                 датчиков, систем, оборудования и
                 узлов, определенных в пункте
                 6.1.2.2, 6.1.8 или 6.2.8

 

 6.4.3.          Иное программное обеспечение, кроме
                 определенного в пункте 6.4.1 или
                 6.4.2

 

                 Акустика

 

 6.4.3.1.        Программное обеспечение следующих
                 видов:

 

 6.4.3.1.1.      Программное обеспечение, специально
                 разработанное для формирования
                 акустического луча при обработке в
                 реальном масштабе времени
                 акустических данных для пассивного
                 приема с использованием буксируемых
                 гидрофонных решеток;

 

 6.4.3.1.2.      Исходная программа для обработки в
                 реальном масштабе времени
                 акустических данных для пассивного
                 приема с использованием буксируемых
                 гидрофонных решеток;

 

 6.4.3.1.3.      Программное обеспечение, специально
                 разработанное для формирования
                 акустического луча при обработке
                 акустических данных в реальном
                 масштабе времени при пассивном
                 приеме донными или погруженными
                 кабельными системами;

 

 6.4.3.1.4.      Исходная программа для обработки в
                 реальном масштабе времени
                 акустических данных для пассивного
                 приема донными или погруженными
                 кабельными системами;

 

 6.4.3.1.5.      Программное обеспечение или исходная
                 программа, специально разработанные
                 для невоенного применения, по
                 обнаружению водолазов и для всего
                 следующего:
                 а) обработки в реальном масштабе
                 времени акустических данных от
                 гидролокационных систем,
                 определенных в пункте 6.1.1.1.1.5; и
                 б) автоматического обнаружения,
                 классификации и определения
                 местоположения пловцов или водолазов
                 (аквалангистов)

 

                 Особое примечание.
                 В отношении программного
                 обеспечения, указанного в пункте
                 6.4.3.1, см. также пункт 6.4.2
                 разделов 2 и 3;

 

 6.4.3.2.        Оптические датчики - нет;

 

                 Камеры

 

 6.4.3.3.        Программное обеспечение,
                 разработанное или модифицированное
                 для камер, содержащих фокальные
                 матричные приемники, определенные в
                 пункте 6.1.2.1.3.6, в целях снятия
                 ограничения по частоте смены кадров,
                 позволяющее камере превосходить
                 частоту, определенную в пункте "а"
                 примечания 3 к пункту 6.1.3.2.4;

 

 6.4.3.4.        Оптика - нет:

 

 6.4.3.5.        Лазеры - нет;

 

                 Датчики магнитного и электрического
                 полей

 

 6.4.3.6.        Программное обеспечение следующих
                 видов:

 

 6.4.3.6.1.      Программное обеспечение, специально
                 разработанное для компенсационных
                 систем магнитного и электрического
                 полей для магнитных датчиков,
                 разработанных в целях работы на
                 подвижных платформах;

 

 6.4.3.6.2.      Программное обеспечение, специально
                 разработанное для обнаружения
                 аномалий магнитного и электрического
                 полей на подвижных платформах;

 

 6.4.3.6.3.      Программное обеспечение, специально
                 разработанное для обработки в
                 реальном масштабе времени
                 электромагнитных данных с
                 использованием подводных
                 электромагнитных приемников,
                 определенных в пункте 6.1.6.5;

 

 6.4.3.6.4.      Исходная программа для обработки в
                 реальном масштабе времени
                 электромагнитных данных с
                 использованием подводных
                 электромагнитных приемников,
                 определенных в пункте 6.1.6.5;

 

                 Гравиметры

 

 6.4.3.7.        Программное обеспечение, специально
                 разработанное для коррекции влияния
                 движения гравиметров или
                 гравитационных градиентометров;

 

                 Радиолокаторы

 

 6.4.3.8.        Программное обеспечение следующих
                 видов:

 

 6.4.3.8.1.      Программы для применения
                 программного обеспечения для
                 управления воздушным движением,
                 разработанные для их установки на
                 компьютерах общего назначения,
                 находящихся в центрах управления
                 воздушным движением и способных к
                 приему координат цели от более чем
                 четырех активных РЛС;

 

 6.4.3.8.2.      Программное обеспечение для
                 разработки или производства
                 обтекателей антенн радиолокаторов,
                 которое отвечает всему следующему:
                 а) специально разработано для защиты
                 фазированных антенных решеток с
                 электронным управлением диаграммой
                 направленности, определенных в
                 пункте 6.1.8.5; и
                 б) обеспечивает средний уровень
                 боковых лепестков в диаграмме
                 направленности антенны более чем на
                 40 дБ ниже максимального уровня
                 главного луча

 

                 Техническое примечание.
                 Средний уровень боковых лепестков,
                 указанный в подпункте "б"
                 пункта 6.4.3.8.2, измеряется целиком
                 для всей решетки, за исключением
                 диапазона углов, в который входят
                 главный луч и первые два боковых
                 лепестка по обе стороны главного луча

 

 6.5.            Технология

 

 6.5.1.          Технологии в соответствии с общим
                 технологическим примечанием для
                 разработки систем, оборудования и
                 компонентов, определенных в
                 пункте 6.1 или 6.2, материалов,
                 определенных в пункте 6.3, или
                 программного обеспечения,
                 определенного в пункте 6.4

 

                 Особое примечание.
                 В отношении технологий, указанных в
                 пункте 6.5.1, см. также пункт 6.5.1
                 разделов 2 и 3

 

 6.5.2.          Технологии в соответствии с общим
                 технологическим примечанием для
                 производства систем, оборудования и
                 компонентов, определенных в пункте
                 6.1 или 6.2, или материалов,
                 определенных в пункте 6.3

 

                 Особое примечание.
                 В отношении технологий, указанных в
                 пункте 6.5.2, см. также пункт 6.5.2
                 разделов 2 и 3

 

 6.5.3.          Другие технологии:

 

 6.5.3.1.        Акустика - нет;

 

 6.5.3.2.        Оптические датчики - нет;

 

 6.5.3.3.        Камеры - нет;

 

 6.5.3.4.        Оптика

 

 6.5.3.4.1.      Технология покрытия и обработки
                 оптических поверхностей, требуемая
                 для достижения однородности
                 оптической толщины 99,5% или лучше,
                 для оптических покрытий заготовок
                 диаметром или длиной по главной оси
                 более 500 мм и с общими потерями
                 (поглощение и рассеяние) менее
                 5 x 10-3

 

                 Техническое примечание.
                 Оптическая толщина - результат
                 математического умножения
                 коэффициента преломления на
                 физическую толщину покрытия

 

                 Особое примечание.
                 См. также пункт 2.5.3.6;

 

 6.5.3.4.2.      Технология изготовления оптических
                 деталей, использующая технику
                 алмазной обработки, дающей точность
                 финишной обработки неплоских
                 поверхностей площадью более 0,5 м2
                 с наибольшим среднеквадратичным
                 отклонением от заданной поверхности
                 менее 10 нм;

 

 6.5.3.5.        Лазеры

 

 6.5.3.5.1.      Технологии, требуемые для разработки,
                 производства или применения
                 специализированных диагностических
                 инструментов или мишеней в
                 испытательных установках для
                 испытаний лазеров сверхвысокой
                 мощности либо испытаний или оценки
                 стойкости материалов, облучаемых
                 лучами лазеров сверхвысокой
                 мощности;

 

 6.5.3.6.        Датчики магнитного и электрического
                 полей - нет;

 

 6.5.3.7.        Гравиметры - нет;

 

 6.5.3.8.        Радиолокаторы - нет

 

            КАТЕГОРИЯ 7. НАВИГАЦИЯ И АВИАЦИОННАЯ  ЭЛЕКТРОНИКА

 

 7.1.            Системы, оборудование и компоненты

 

                 Особое примечание.
                 Для автоматических систем управления
                 подводными аппаратами см. категорию
                 8, для РЛС - категорию 6

 

 7.1.1.          Акселерометры, перечисленные ниже,
                 и специально разработанные для них
                 компоненты:

 

                 Особое примечание.
                 Для угловых или вращающихся
                 акселерометров см. пункт 7.1.1.2

 

 7.1.1.1.        Линейные акселерометры, имеющие       9014 20;
                 любую из следующих характеристик:     9032 89 000 9
                 а) определенные (по паспорту) для
                 работы при значениях линейных
                 ускорений, равных 15 g или меньше,
                 и имеющие любое из следующего:
                 стабильность смещения менее
                 (лучше) 130 микро g относительно
                 фиксированной калиброванной
                 величины на протяжении одного
                 года; или
                 стабильность масштабного
                 коэффициента менее (лучше) 0,013%
                 относительно фиксированной
                 калиброванной величины на
                 протяжении одного года;

 

                 б) определенные (по паспорту) для
                 работы при значениях линейных
                 ускорений больше 15 g, но не
                 превышающих 100 g, и имеющие все
                 следующее:
                 повторяемость смещения менее (лучше)
                 1250 микро g на протяжении одного
                 года; и
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 повторяемость масштабного
                 коэффициента менее (лучше) 0,125% на
                 протяжении одного года; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Подпункты "а" и "б" пункта 7.1.1.1
                 не применяются к акселерометрам,
                 ограниченным измерением только
                 вибрации или ударной нагрузки

 

                 в) предназначенные для использования
                 в инерциальных навигационных
                 системах или системах наведения и
                 определенные (по паспорту) для
                 работы при значениях линейных
                 ускорений, превышающих 100 g;

 

 7.1.1.2.        Угловые или вращающиеся               9014 20;
                 акселерометры, определенные (по       9032 89 000 9
                 паспорту) для работы при значениях
                 линейных ускорений, превышающих
                 100 g

 

 7.1.2.          Гироскопы или датчики угловой         9014 20 200;
                 скорости, имеющие любую из            9032 89 000 9
                 следующих характеристик, и
                 специально разработанные для них
                 компоненты:

 

                 Особое примечание.
                 Для угловых или вращающихся
                 акселерометров см. пункт 7.1.1.2

 

                 а) определенные (по паспорту) для
                 работы при значениях линейных
                 ускорений, равных 100 g или меньше,
                 и имеющие любое из следующего:
                 1) диапазон измеряемой угловой
                 скорости менее 500 градусов в секунд
                 и имеющие любое из следующего:
                 стабильность смещения менее (лучше)
                 0,5 градуса в час, измеренную в
                 условиях приложения нормальной силы
                 тяжести (1 g) на протяжении одного
                 месяца и относительно фиксированной
                 калиброванной величины; или
                 угловой случайный дрейф, равный или
                 меньше (лучше) 0,0035 градуса,
                 деленного на корень квадратный из
                 времени в часах; или

 

                 Примечание.
                 Последний абзац подпункта 1 не
                 применяется к механическим
                 гироскопам с вращающимся ротором

 

                 Техническое примечание. Исключено. -  Указ  Президента  РФ
                 от 21.07.2014 N 519

 

                 2) диапазон измеряемой угловой
                 скорости, равный или больше 500
                 градусов в секунду, и имеющие любое
                 из следующего:
                 стабильность смещения менее (лучше)
                 4 градусов в час, измеренную в
                 условиях приложения нормальной силы
                 тяжести (1 g) на протяжении трех
                 минут и относительно фиксированной
                 калиброванной величины; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
                 угловой случайный дрейф, равный или
                 меньше (лучше) 0,1 градуса, деленных
                 на корень квадратный из времени в
                 часах; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Последний абзац подпункта 2 не
                 применяется к механическим
                 гироскопам с вращающимся ротором

 

                 б) определенные (по паспорту) для
                 работы при значениях линейных
                 ускорений, превышающих 100 g

 

 7.1.3.          Инерциальное измерительное
                 оборудование или системы, имеющие
                 любое из следующего:
(п. 7.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Инерциальное измерительное
                 оборудование или системы включают
                 акселерометры или гироскопы,
                 измеряющие изменения скорости и
                 ориентации для определения или
                 сохранения курса или положения без
                 привлечения уже установленных
                 внешних эталонов.
                 К инерциальному измерительному
                 оборудованию или системам
                 относятся:
                 опорные системы ориентации и курса;
                 гирокомпасы;
                 инерциальные измерительные
                 устройства;
                 инерциальные навигационные
                 системы;
                 инерциальные системы отсчета;
                 инерциальные устройства отсчета
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 7.1.3.1.        Разработанные для летательных         9014 10 000 0;
                 аппаратов, наземных транспортных      9014 20
                 средств или судов, обеспечивающие
                 определение положения без
                 использования вспомогательных
                 указателей положения, имеющие
                 любую из следующих точностных
                 характеристик:
                 а) круговое вероятное отклонение
                 (КВО) по скорости 0,8 морской мили
                 в час или менее (лучше);
                 б) КВО 0,5% от пройденного
                 расстояния или менее (лучше); или
                 в) КВО суммарного дрейфа 1 морская
                 миля или менее (лучше) за 24 часа
(п. 7.1.3.1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Технические примечания:
                 1. Круговое вероятное отклонение -
                 радиус круга в круговом нормальном
                 распределении, включающего 50%
                 результатов отдельных измерений,
                 или радиус круга, в котором
                 распределяется 50% вероятности
                 нахождения в нем.
                 2. Вспомогательные указатели
                 положения определяют
                 местоположение и включают:
                 а) глобальные навигационные
                 спутниковые системы (ГНСС);
                 б) навигационные системы на основе
                 эталонных баз данных (DBRN).
                 3. Точностные характеристики,
                 указанные в подпунктах "а" - "в"
                 пункта 7.1.3.1, обычно
                 распространяются на инерциальное
                 измерительное оборудование или
                 системы, разработанные для
                 летательных аппаратов, наземных
                 транспортных средств или судов
                 соответственно. Эти характеристики
                 получаются по результатам работы
                 специализированных непозиционных
                 вспомогательных указателей (например,
                 высотомеров, одометров, скоростных
                 лагов) и их значения не могут быть
                 быстро изменены. Контрольные
                 параметры оборудования,
                 разработанного для сложных платформ,
                 определяются на основании оценки
                 характеристик, определенных в
                 подпунктах "а" - "в" пункта 7.1.3.1;
(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 7.1.3.2.        Разработанные для летательных         9014 10 000 0;
                 аппаратов, наземных транспортных      9014 20
                 средств или судов со встроенными
                 вспомогательными указателями
                 положения, обеспечивающие
                 определение их положения за период
                 до 4 минут после потери сигнала от
                 всех указателей положения с точностью
                 менее (лучше) 10 метров КВО
(п. 7.1.3.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Пункт 7.1.3.2 относится к системам, в
                 которых инерциальное навигационное
                 оборудование или системы и другие
                 независимые вспомогательные указатели
                 положения установлены в едином
                 корпусе (т.е. встроены) для улучшения
                 их характеристик;
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 7.1.3.3.        Разработанные для летательных         9014 10 000 0;
                 аппаратов, наземных транспортных      9014 20;
                 средств или судов, обеспечивающие     9014 80 000 0
                 определение курса или истинного
                 (географического) севера и имеющие
                 любую из следующих характеристик:
                 а) максимальную рабочую угловую
                 скорость менее (ниже) 500 град/с и
                 точность определения курса без
                 использования вспомогательных
                 указателей положения 0,07 градуса
                 или менее (лучше), умноженных на
                 секанс широты, что соответствует
                 среднеквадратичной погрешности,
                 равной 6 угловым минутам или менее
                 (лучше) от действующего значения на
                 широте 45 градусов; или
                 б) максимальную рабочую угловую
                 скорость 500 град/с или более (выше)
                 и точность определения курса без
                 использования вспомогательных
                 указателей положения 0,2 градуса или
                 менее (лучше), умноженных на секанс
                 широты, что соответствует
                 среднеквадратичной погрешности,
                 равной 17 угловым минутам или менее
                 (лучше) от действующего значения на
                 широте 45 градусов;
(п. 7.1.3.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 7.1.3.4.        Обеспечивающие измерение ускорения    9014 10 000 0;
                 или угловой скорости более чем в      9014 20
                 одном направлении и имеющие любое
                 из следующего:
                 а) рабочие характеристики,
                 определенные в пункте 7.1.1 или
                 7.1.2, вдоль любой оси без
                 использования вспомогательных
                 указателей; или
                 б) пригодные для применения в космосе
                 и обеспечивающие измерение угловой
                 скорости, имеющие угловой случайный
                 дрейф вдоль любой оси, равный 0,1
                 градуса или меньше (лучше), деленного
                 на корень квадратный из времени в
                 часах
(п. 7.1.3.4 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечания:
                 1. Подпункт "б" пункта 7.1.3.4 не
                 применяется к инерциальному
                 измерительному оборудованию и
                 системам, содержащим только
                 механические гироскопы с вращающимся
                 ротором.
                 2. Пункт 7.1.3 не применяется к
                 инерциальному измерительному
                 оборудованию или системам,
                 сертифицированным уполномоченным
                 органом государства, являющегося
                 участником Вассенаарских
                 договоренностей по экспортному
                 контролю за обычными вооружениями,
                 товарами и технологиями двойного
                 применения (ВД), для использования на
                 гражданских летательных аппаратах
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 7.1.4.          Датчики системы астроориентации и
                 компоненты для них:

 

 7.1.4.1.        Датчики системы астроориентации с     9014 20;
                 определенной точностью измерения по   9014 80 000 0
                 азимуту 20 угловых секунд или меньше
                 (лучше) на протяжении определенного
                 срока службы оборудования;

 

 7.1.4.2.        Компоненты, указанные ниже,           9014 20;
                 специально разработанные для          9014 80 000 0;
                 датчиков, определенных в              9014 90 000 0
                 пункте 7.1.4.1:
                 а) оптические головки или
                 астрокуполы;
                 б) блоки обработки данных
(п. 7.1.4 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Датчики системы астроориентации также
                 называются датчиками ориентации в
                 пространстве по звездам или
                 гироастрокомпасами
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

 7.1.5.          Приемная аппаратура глобальных        8526 91 200 0
                 навигационных спутниковых систем
                 (ГНСС), специально изготовленная
                 для невоенного применения, имеющая
                 любую из следующих характеристик, а
                 также специально разработанные для
                 нее компоненты:
                 а) использующая алгоритм
                 расшифровки, специально
                 разработанный или модифицированный
                 для использования в государственных
                 целях для получения доступа к
                 дальномерному коду в целях
                 определения местоположения и
                 времени; или
                 б) использующая системы адаптивных
                 антенн

 

                 Примечание.
                 Подпункт "б" пункта 7.1.5 не
                 применяется к приемной аппаратуре
                 ГНСС, которая использует только
                 компоненты, разработанные для
                 фильтрования, переключения или
                 объединения сигналов от
                 многоэлементной всенаправленной
                 антенны, которая не выполняет
                 функцию адаптивной антенны

 

                 Техническое примечание.
                 Для целей подпункта "б" пункта
                 7.1.5 системы адаптивных антенн
                 динамически генерируют один
                 пространственный нуль или более в
                 диаграмме направленности антенной
                 решетки путем обработки сигнала
                 во временной или частотной
                 области

 

 7.1.6.          Бортовые альтиметры, работающие на    8526 10 000 9;
                 частотах вне полосы от 4,2 ГГц до     8526 91 200 0
                 4,4 ГГц включительно и имеющие любую
                 из следующих характеристик:
                 а) имеют управление мощностью; или
                 б) используют амплитудную модуляцию
                 с фазовым сдвигом

 

 7.1.7.          Подводные гидролокационные            9014 80 000 0;
                 навигационные системы, использующие   9015 80 930 0;
                 доплеровские или корреляционные       9015 80 990 0
                 гидродинамические лаги, объединенные
                 с курсовым излучателем, имеющие
                 точность определения местоположения,
                 равную или меньше (лучше) 3%
                 кругового вероятного отклонения
                 (КВО) пройденного расстояния, и
                 специально разработанные для них
                 компоненты

 

                 Примечание.
                 Пункт 7.1.7 не применяется к
                 системам, специально разработанным
                 для установки на надводные суда,
                 либо к системам, требующим
                 акустических радиомаяков или буев
                 для предоставления данных о
                 местоположении

 

                 Особое примечание.
                 Для акустических систем см. пункт
                 6.1.1.1, для аппаратуры
                 гидролокационных корреляционных и
                 доплеровских лагов см. пункт
                 6.1.1.2. Для других морских систем
                 см. пункт 8.1.2

 

 7.2.            Испытательное, контрольное и
                 производственное оборудование

 

 7.2.1.          Оборудование для испытаний,           9031 10 000 0;
                 калибровки или юстировки, специально  9031 20 000 0;
                 разработанное для оборудования,       9031 80
                 определенного в пункте 7.1

 

                 Примечание.
                 Пункт 7.2.1 не применяется к
                 оборудованию для испытаний,
                 калибровки или юстировки для
                 технического обслуживания по первому
                 или второму уровню

 

                 Технические примечания:
                 1. Техническое обслуживание по
                 первому уровню.
                 Повреждение инерциального
                 навигационного устройства
                 на летательном аппарате
                 обнаруживается по показаниям
                 устройства контроля и отображения
                 информации или по сообщению
                 сигнализации от соответствующей
                 подсистемы. В соответствии с
                 инструкциями руководства по
                 эксплуатации определяется заменяемый
                 блок, являющийся причиной нарушения.
                 Затем оператор заменяет этот блок
                 запасным.

 

                 2. Техническое обслуживание по
                 второму уровню.
                 Неисправный заменяемый блок
                 отправляется в ремонтную организацию
                 (непосредственно производителю или
                 организации, ответственной за
                 техническое обслуживание по второму
                 уровню). В ремонтной организации
                 неисправный блок испытывается
                 соответствующими средствами в целях
                 проверки и поиска неисправного
                 модуля сборки. Эта сборка заменяется
                 запасной в заводских условиях.
                 Поврежденная сборка (или, возможно,
                 блок целиком) возвращается
                 изготовителю.
                 Техническое обслуживание по второму
                 уровню не включает разборку
                 определенных в Списке акселерометров
                 или гироскопических датчиков либо
                 устранение дефектов в них

 

 7.2.2.          Оборудование, специально
                 разработанное для снятия
                 характеристик зеркал кольцевых
                 лазерных гироскопов:

 

 7.2.2.1.        Рефлектометры, имеющие точность       9031 80
                 измерения в 10 миллионных долей или
                 меньше (лучше);

 

 7.2.2.2.        Профилометры, имеющие точность        9031 80
                 измерения в 0,5 нм (5 ангстрем) или
                 меньше (лучше)

 

 7.2.3.          Оборудование, специально              8413;
                 разработанное для производства        8421 19 200;
                 оборудования, определенного в         8421 19 700;
                 пункте 7.1                            9031 10 000 0;
                                                       9031 20 000 0;
                                                       9031 80
                 Примечание.
                 Пункт 7.2.3 включает:
                 а) испытательные установки для
                 регулирования гироскопов;
                 б) установки для динамической
                 балансировки гироскопов;
                 в) установки для обкатки/приработки
                 двигателей гироскопов;
                 г) установки для наполнения и
                 откачки рабочего вещества гироскопа;
                 д) центрифужные приспособления для
                 гироподшипников;
                 е) установки для выравнивания осей
                 акселерометра;
                 ж) намоточные станки для волоконно-
                 оптических гироскопов

 

 7.3.            Материалы - нет

 

 7.4.            Программное обеспечение

 

 7.4.1.          Программное обеспечение, специально
                 разработанное или модифицированное
                 для разработки или производства
                 оборудования, определенного в пункте
                 7.1 или 7.2

 

 7.4.2.          Исходная программа для эксплуатации
                 или технического обслуживания
                 любого инерциального навигационного
                 оборудования, включая инерциальное
                 оборудование, не определенное в
                 пункте 7.1.3 или 7.1.4, или
                 опорных систем ориентации и курса
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Примечание.
                 Пункт 7.4.2 не применяется к
                 исходным программам для эксплуатации
                 или технического обслуживания
                 опорных систем ориентации и курса
                 в кардановом подвесе
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

 

                 Техническое примечание.
                 Опорная система ориентации и курса
                 в целом отличается от инерциальной
                 навигационной системы (ИНС) тем,
                 что она предоставляет информацию
                 об ориентации и курсе и обычно не
                 предоставляет информацию об
                 ускорении, скорости и
                 местоположении, относящуюся к ИНС

 

                 Особое примечание.
                 В отношении программного
                 обеспечения, указанного в пункте
                 7.4.2, см. также пункт 7.4.1
                 раздела 2

 

 7.4.3.          Иное программное обеспечение, кроме
                 указанного в пунктах 7.4.1 и 7.4.2:

 

 7.4.3.1.        Программное обеспечение, специально
                 разработанное или модифицированное
                 для улучшения эксплуатационных
                 характеристик или уменьшения
                 навигационной ошибки систем до
                 уровней, определенных в пункте
                 7.1.3, 7.1.4 или 7.1.7

 

                 Особое примечание.
                 В отношении программного
                 обеспечения, указанного в
                 пункте 7.4.3.1, см. также пункт
                 7.4.2.1 раздела 2 и пункт 7.4.1
                 раздела 3;

 

 7.4.3.2.        Исходная программа для гибридных
                 интегрированных систем, которые
                 улучшают эксплуатационные
                 характеристики или уменьшают
                 навигационную ошибку систем до
                 уровней, определенных в пункте 7.1.3
                 или 7.1.7, при непрерывном
                 совмещении курсовых данных с
                 любыми из следующих данных:
                 а) данными по скорости от
                 доплеровской РЛС или гидролокатора;
                 б) справочными данными от глобальной
                 навигационной спутниковой системы
                 (ГНСС); или
                 в) данными от навигационных систем
                 на основе эталонных баз данных
                 (DBRN)

 

                 Особое примечание.
                 В отношении программного
                 обеспечения, указанного в
                 пункте 7.4.3.2, см. также пункт
                 7.4.2.2 раздела 2 и пункт 7.4.2
                 раздела 3;

 

 7.4.3.3 -       Исключены. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
 7.4.3.4.7.

 

                 Особое примечание. Исключено.   -   Указ   Президента   РФ
                 от 21.07.2014 N 519;

 

                 Особое примечание.
                 Для   исходной  программы  управления
                 полетом см. пункт 7.4.4
(особое примечание введено Указом Президента РФ от