25 лет успешной работы!
Горячая линия:
Москва
Центральный офис:
Контакты Дилеры
онлайн-справочник

Указ Президента Российской Федерации от 17.12.2011 № 1661 «Список товаров двойного назначения, используемых при создании вооружений и военной техники»

Указ Президента Российской Федерации от 17 декабря 2011 года N 1661
"Об утверждении списка
товаров и технологий двойного назначения, которые могут
быть использованы при создании вооружений и военной техники
и в отношении которых осуществляется экспортный контроль"
 
 
 
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519,
от 07.04.2017 N 159)
 

В целях защиты национальных интересов, выполнения международных обязательств Российской Федерации и в соответствии со статьей 6 Федерального закона от 18 июля 1999 г. N 183-ФЗ "Об экспортном контроле" постановляю:

1. Утвердить прилагаемый Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль.

2. Установить, что коды единой Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Евразийского экономического союза, приведенные в Списке товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, при необходимости могут уточняться Федеральной таможенной службой по согласованию с Федеральной службой по техническому и экспортному контролю.

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

3. Признать утратившими силу:

Указ Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2004, N 19, ст. 1881);

Указ Президента Российской Федерации от 1 декабря 2005 г. N 1384 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2005, N 49, ст. 5201);

Указ Президента Российской Федерации от 6 марта 2008 г. N 326 "О внесении изменений в Указ Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" и в Список, утвержденный этим Указом" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N 10, ст. 912);

Указ Президента Российской Федерации от 4 декабря 2008 г. N 1726 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N 50, ст. 5893).

4. Настоящий Указ вступает в силу через три месяца со дня его официального опубликования.

 

Президент
Российской Федерации
Д.Медведев

 

 

Утвержден
Указом Президента
Российской Федерации
от 17 декабря 2011 г. N 1661
 
СПИСОК
ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ
БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ
И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ
 
Список изменяющих документов
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519,
от 07.04.2017 N 159)
 
РАЗДЕЛ 1

 

N пункта
Наименование <*>
Код ТН ВЭД <**>
КАТЕГОРИЯ 1. СПЕЦИАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И СВЯЗАННЫЕ С НИМИ ОБОРУДОВАНИЕ И СНАРЯЖЕНИЕ
1.1.
Системы, оборудование и компоненты
 
1.1.1.
Компоненты, изготовленные из фторированных соединений:
 
--------------------------------
<*> См. общее примечание к настоящему Списку.
<**> Здесь и далее код ТН ВЭД - код единой Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Евразийского экономического союза.
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
1.1.1.1.
Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или топливные диафрагмы, специально разработанные для использования в летательных или аэрокосмических аппаратах и изготовленные из материалов, содержащих более 50% (по весу) любого материала, определенного в пункте 1.3.9.2 или 1.3.9.3;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.1.1.2 - 1.1.1.3.
Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.1.2.
Конструкции из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, имеющие любую из следующих составляющих:
 
1.1.2.1.
Состоящие из органической матрицы и материалов, определенных в пункте 1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.1.2.2.
Состоящие из металлической или углеродной матрицы и любого из следующего:
 
1.1.2.2.1.
Углеродных волокнистых или углеродных нитевидных материалов, имеющих все следующие характеристики:
а) удельный модуль упругости, превышающий 10,15 x 106 м; и
б) удельную прочность при растяжении, превышающую 17,7 x 104 м; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 1.1.2.2.1 не применяется к частично изготовленным конструкциям, включающим максимум двухмерное сплетение нитей и специально разработанным для следующего использования:
 
а) в печах для отпуска металлов термообработкой;
б) в оборудовании для производства кремниевых булей
1.1.2.2.2.
Материалов, определенных в пункте 1.3.10.3
 
 
Примечания:
 
1. Пункт 1.1.2 не применяется к элементам конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, изготовленным из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:
а) площадь, не превышающую 1 м2;
б) длину, не превышающую 2,5 м; и
в) ширину более 15 мм.
2. Пункт 1.1.2 не применяется к частично изготовленным конструкциям, специально разработанным для следующего только гражданского использования:
а) в спортивных товарах;
б) в автомобильной промышленности;
в) в станкостроительной промышленности;
г) в медицинских целях.
3. Пункт 1.1.2 не применяется к полностью изготовленным товарам (конструкциям), специально разработанным для конкретного использования
 
Особое примечание.
В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункты 1.1.1 - 1.1.1.2.2 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3
 
1.1.3.
Изделия из неплавких ароматических полиимидов в виде пленки, листа, ленты или полосы, имеющие любую из следующих характеристик:
а) толщину более 0,254 мм; или
б) покрытие или ламинирование углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 1.1.3 не применяется к изделиям, покрытым или ламинированным медью и разработанным для производства электронных печатных плат
 
 
Особое примечание.
Для плавких ароматических полиимидов в любом виде см. пункт 1.3.8.1.3
 
1.1.4.
Защитное снаряжение, аппаратура систем обнаружения и комплектующие изделия, не специально разработанные для военного применения:
 
1.1.4.1.
Противогазы, фильтрующие коробки противогазов и оборудование для их обеззараживания, разработанные либо модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:
а) бактериологических (биологических) агентов;
б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях;
в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии; или
г) химических средств для борьбы с массовыми беспорядками, включающих:

noname.png-бромбензацетонитрил (бромбензил цианид) (CA) (CAS 5798-79-8);
[(2-хлорфенил) метилен] пропандинитрил (о-хлорбензальмалононитрил) (CS) (CAS 2698-41-1);
2-хлор-1-фенил-этанон, хлористый фенацил (

noname.png-хлорацетофенон) (CN) (CAS 532-27-4);
дибенз-(b, f)-1,4-оксазепин (CR) (CAS 257-07-8);
10-хлор-5,10-дигидрофенарсазин, (хлористый фенарсазин), (адамсит) (DM) (CAS 578-94-9);
N-нонилморфолин (MPA) (CAS 5299-64-9)
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 1.1.4.1 включает противогазы с принудительной подачей воздуха, разработанные или модифицированные для защиты от поражающих факторов, перечисленных в пункте 1.1.4.1
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.1.4.1:
 
а) противогазами также называются полнолицевые маски;
б) фильтрующие коробки противогазов также включают фильтрующие картриджи;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.1.4.2.
Защитные костюмы, перчатки и обувь, специально разработанные или модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов:
а) бактериологических (биологических) агентов;
б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или
в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
1.1.4.3.
Системы, специально разработанные или модифицированные для обнаружения или распознавания любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:
а) бактериологических (биологических) агентов;
б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или
в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
1.1.4.4.
Электронное оборудование и его компоненты, разработанные для автоматического обнаружения или распознавания наличия следов взрывчатых веществ (ВВ) с использованием методов их обнаружения (например, поверхностной акустической волны, спектрометрии подвижных ионов, в том числе с дифференциальной подвижностью, масс-спектрометрии)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Под обнаружением следов понимается обнаружение менее миллионной части испарения или 1 мг твердого вещества или жидкости
 
 
Примечание.
Пункт 1.1.4.4 не применяется:
 
а) к оборудованию, специально разработанному для лабораторного использования;
б) к пропускным порталам безопасности для бесконтактного контроля
 
Примечание.
Пункт 1.1.4 не применяется:
 
а) к персональным радиационным дозиметрам;
б) к снаряжению или системам, применяемым в системе стандартов безопасности труда, конструктивно или функционально ограниченным защитой от факторов риска в целях обеспечения безопасности в гражданской области, например:
в горном деле;
при работе в карьерах;
в сельском хозяйстве;
в фармацевтической промышленности;
в медицинской промышленности;
в ветеринарии;
при работах по охране окружающей среды;
при сборе и утилизации отходов;
в пищевой промышленности
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Технические примечания:
 
1. Пункт 1.1.4 включает снаряжение, системы и их компоненты, которые были сертифицированы, либо их работоспособность в отношении обнаружения или защиты от радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях, бактериологических (биологических) агентов, токсичных химикатов, используемых в химическом оружии, имитирующих продуктов (заменителей) или химических средств для борьбы с массовыми беспорядками была подтверждена испытаниями, проведенными в соответствии с национальными стандартами, или иным способом, даже если такие системы, снаряжение или их компоненты используются в гражданских областях, таких как горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность.
2. Имитирующие продукты (заменители) - вещества или материалы, которые используются вместо токсичных веществ (химических или биологических) для обучения, исследования, опробования или оценки.
3. Для целей пункта 1.1.4 бактериологическими (биологическими) агентами являются патогены или токсины, выделенные или модифицированные (например, с повышением чистоты, вирулентности, сохраняемости, устойчивости к воздействию ультрафиолетового излучения) для нанесения вреда человеку или животным, выведения из строя оборудования, нанесения ущерба урожаю или окружающей среде
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
1.1.5.
Бронежилеты и компоненты для них:
 
1.1.5.1.
Бронежилеты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям или неравноценные им по характеристикам, и специально разработанные для них компоненты, в том числе (включая) гибкие защитные элементы;
1.1.5.2.
Жесткие пластины для бронежилетов, обеспечивающие класс баллистической защиты, равный IIIA или менее в соответствии со стандартом Национального института юстиции США NIJ 0101.06 (июль 2008 г.) или его национальным эквивалентом
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечания:
 
1. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, которые вывозятся пользователем для собственной индивидуальной защиты.
2. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для обеспечения только фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывных устройств.
3. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для защиты только от колюще-режущих или тупых предметов
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
Для нитевидных и волокнистых материалов, используемых в производстве бронежилетов, см. пункт 1.3.10
 
1.1.6.
Оборудование, специально разработанное или модифицированное для обезвреживания самодельных взрывных устройств, приведенное ниже, а также специально разработанные компоненты и принадлежности для него:
 
1.1.6.1.
Дистанционно управляемые транспортные средства;
 
1.1.6.2
Подрыватели (разрушители)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Подрыватели (разрушители) - устройства, специально разработанные для предотвращения срабатывания взрывного устройства путем воздействия жидкостью, твердым или хрупким снарядом
 
 
Примечание.
Пункт 1.1.6 не применяется к оборудованию, которое не является предметом передачи или обмена и сопровождается его оператором
 
1.1.7.
Оборудование и устройства, специально разработанные для инициации зарядов и устройств, содержащих энергетические материалы, воздействием электричества:
 
1.1.7.1.
Запускающие устройства (запальные системы), разработанные для приведения в действие детонаторов взрывчатого вещества, определенных в пункте 1.1.7.2;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.1.7.2.
Электродетонаторы взрывчатого вещества, такие как:
1.1.7.2.1.
Детонаторы со взрывающимся мостиком (ВМ) (искровые детонаторы);
 
1.1.7.2.2.
Детонаторы со взрывающейся перемычкой из провода (токовые детонаторы);
 
1.1.7.2.3.
Детонаторы с ударником (пробойником) (детонаторы ударного действия);
 
1.1.7.2.4.
Инициаторы со взрывающейся фольгой
 
 
Технические примечания:
 
1. Понятие "детонатор" также включает понятие "инициатор" или "зажигатель".
2. Для целей пункта 1.1.7.2 во всех описанных в нем детонаторах используется небольшой электрический проводник (мостик, перемычка из провода или фольга), который испаряется со взрывом, вызванным прохождением через него короткого сильноточного электрического импульса. В детонаторах безударного действия взрывающийся проводник инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним бризантном взрывчатом веществе, таком как ТЭН (PETN) - тетранитропентаэритрит. В детонаторах ударного действия (типа "Слэппер") вызванное взрывом испарение электрического проводника приводит в действие боек или пробойник, который воздействует на взрывчатое вещество и инициирует химическую детонацию. В некоторых конструкциях ударник приводится в движение силой магнитного поля. Термин "инициатор со взрывающейся фольгой" может относиться как к ВМ, так и к детонатору ударного действия (типа "Слэппер")
1.1.8.
Заряды, устройства и компоненты:
1.1.8.1.
Кумулятивные заряды, имеющие все нижеперечисленные характеристики:
 
а) количество нетто ВВ (КНВ) более 90 г; и
б) внешний диаметр оболочки, равный или больше 75 мм;
1.1.8.2.
Кумулятивные линейные заряды для резки, имеющие все нижеперечисленные характеристики, и специально разработанные для них компоненты:
 
а) заряд ВВ более 40 г/м; и
б) ширину, равную или больше 10 мм;
1.1.8.3.
Шнур детонирующий с внутренним зарядом ВВ более 64 г/м;
 
1.1.8.4.
Резаки, отличные от определенных в пункте 1.1.8.2, и другие отрезные средства, имеющие КНВ более 3,5 кг
 
 
Техническое примечание.
Кумулятивные заряды - устройства, концентрирующие действие ВВ в процессе его взрыва
 
 
Примечание.
К зарядам и устройствам, определенным в пункте 1.1.8, относятся только те заряды, которые содержат ВВ, перечисленные в таблице к этому пункту, и их смеси
 

 

Таблица к пункту 1.1.8

 
Перечень взрывчатых веществ

 

N пункта
Наименование взрывчатых веществ
1.
Аминодинитробензофуроксан (ADNBF; 7-амино-4,6-динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 97096-78-1)
2.
Цис-бис(5-тетранитразолато) тетраамин-кобальт (III) перхлорат (BNCP) (CAS 117412-28-9)
3.
Диаминодинитробензофуроксан (CL-14; 5,7-диамино-4,6-динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 117907-74-1)
4.
Гексанитрогексаазаизовюрцитан (CL-20; HNIW) (CAS 135285-90-4); клатраты (соединения/включения) вещества CL-20
5.
2-(5-цианотетразолато)пентаамин-кобальт (III) перхлорат (CP) (CAS 70247-32-4)
6.
1,1-диамино-2,2-динитроэтилен (DADE; FOX7) (CAS 145250-81-3)
7.
Диаминотринитробензол (DATB) (CAS 1630-08-6)
8.
1,4-динитродифуразанопиперазин (DDFP)
9.
2,6-диамино-3,5-динитропиразин-1-оксид (DDPO; PZO) (CAS 194486-77-6)
10.
3,3'-диамино-2,2',4,4',6,6'-гексанитробифенил (DIPAM; дипикрамид) (CAS 17215-44-0)
11.
Динитрогликольурил (DNGU; DINGU) (CAS 55510-04-8)
12.
Фуразаны:
а) диаминоазоксифуразан (DAAOF);
б) диаминоазофуразан (DAAzF) (CAS 78644-90-3)
13.
Октоген (HMX) и его производные:
а) циклотетраметилентетранитрамин (HMX; октоген; октагидро-1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразин; 1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразациклооктан) (CAS 2691-41-0);
б) дифтораминированные аналоги октогена;
в) 2,4,6,8-тетранитро-2,4,6,8-тетраазабицикло [3,3,0]-октанон-3 (тетранитросемигликольурил; кето-бициклический октоген; K-55) (CAS 130256-72-3)
14.
Гексанитроадамантан (HNAD) (CAS 143850-71-9)
15.
Гексанитростильбен (HNS) (CAS 20062-22-0)
16.
Имидазолы:
а) октагидро-2,5-бис(нитроимино)имидазо [4,5-d]имидазол (BNNII);
б) 2,4-динитроимидазол (DNI) (CAS 5213-49-0);
в) 1-фтор-2,4-динитроимидазол (FDIA);
г) N-(2-нитротриазоло)-2,4-динитроимидазол (NTDNIA);
д) 1-пикрил-2,4,5-тринитроимидазол (PTIA)
17.
1-(2-нитротриазоло)-2-динитрометиленгидразин (NTNMH)
18.
3-нитро-1,2,4-триазол-5-он (NTO; ONTA) (CAS 932-64-9)
19.
Полинитрокубаны с числом нитрогрупп более четырех
20.
2,6-бис(пикриламино)-3,5-динитропиридин (PYX) (CAS 38082-89-2)
21.
Гексоген (RDH) и его производные:
а) циклотриметилентринитрамин (гексоген; RDX; циклонит; T4; гексагидро-1,3,5-тринитро-1,3,5-триазин; 1,3,5-тринитро-1,3,5-триазациклогексан) (CAS 121-82-4);
б) кето-гексоген (Keto-RDX; K-6; 2,4,6-тринитро-2,4,6-триазациклогексанон) (CAS 115029-35-1)
22.
Триаминогуанидиннитрат (TAGN) (CAS 4000-16-2)
23.
Триаминотринитробензол (TATB) (CAS 3058-38-6)
24.
3,3,7,7-тетрабис(дифторамин) октагидро-1,5-динитро-1,5-диазоцин (TEDDZ)
25.
Тетразолы:
а) нитротриазоламинотетразол (NTAT);
б) 1-N-(2-нитротриазоло)-4-нитротетразол (NTNT)
26.
Тринитрофенилметилнитрамин (тетрил) (CAS 479-45-8)
27.
1,4,5,8-тетранитро-1,4,5,8-тетраазадекалин (TNAD) (CAS 135877-16-6)
28.
1,3,3-тринитроазетидин (TNAZ) (CAS 97645-24-4)
29.
Тетранитрогликольурил (TNGU; SORGUYL) (CAS 55510-03-7)
30.
1,4,5,8-тетранитропиридазино[4,5-d]пиридазин (TNP) (CAS 229176-04-9)
31.
Триазины:
а) 2-окси-4,6-динитроамино-S-триазин (DNAM) (CAS 19899-80-0);
б) 2-нитроимино-5-нитро-гексагидро-1,3,5-триазин (NNHT) (CAS 130400-13-4)
32.
Триазолы:
а) 5-азидо-2-нитротриазол;
б) 4-амино-3,5-дигидразино-1,2,4-триазол динитрамид (ADHTDN) (CAS 1614-08-0);
в) 1-амино-3,5-динитро-1,2,4-триазол (ADNT);
г) бис(динитротриазол)амин) (BDNTA);
д) 3,3'-динитро-5,5-би-1,2,4-триазол (DBT) (CAS 30003-46-4);
е) динитробистриазол (DNBT) (CAS 70890-46-9);
ж) исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
з) 1-N-(2-нитротриазоло) 3,5-динитротриазол (NTDNT);
и) 1-пикрил-3,5-динитротриазол (PDNT);
к) тетранитробензотриазолобензотриазол (TACOT) (CAS 25243-36-1)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
33.
ВВ, не поименованные в настоящем перечне, имеющие при максимальной плотности скорость детонации более 8700 м/с или давление детонации более 34 ГПа (340 кбар)
34.
Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
35.
Нитроцеллюлоза с содержанием азота более 12,5% (CAS 9004-70-0)
36.
Нитрогликоль (CAS 628-96-6)
37.
Тетранитропентаэритрит (пентаэритриттетранитрат; пентаэритритолтетранитрат; ТЭН; PETN) (CAS 78-11-5)
38.
Пикрилхлорид (CAS 88-88-0)
39.
2,4,6-тринитротолуол (TNT) (CAS 118-96-7)
40.
Нитроглицерин (NG) (CAS 55-63-0)
41.
Триацетонтрипероксид (TATP) (CAS 17088-37-8)
42.
Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4)
43.
Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)
44.
2,4-динитроанизол (DNAN) (CAS 119-27-7)
(п. 44 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
45.
4,10-динитро-2,6,8,12-тетраокса-4,10-диазаизовюрцитан (TEX)
(п. 45 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
46.
динитрамид гуанил-мочевины (GUDN) FOX-12 (CAS 217464-38-5)
(п. 46 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
47.
Тетразины:
а) бис(2,2,2-тринитроэфир)-3,6-диаминотетразин (BTAT)
б) 3,6-диамино-1,2,4,5-тетразина-1,4-диоксид (LAX-112)
(п. 47 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
48.
Энергетические ионические материалы, плавящиеся при температурах от 343 K (70 °C) до 373 K (100 °C) и имеющие скорость детонации более 6800 м/с или давление взрывной волны более 18 ГПа (180 кбар)
(п. 48 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
49.
Бис (2,2,2-тринитроэтил) нитрамин (BTNEN) (CAS 19836-28-3)
(п. 49 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

 

N пункта
Наименование
Код ТН ВЭД
1.2.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование
 
1.2.1.
Оборудование, приведенное ниже, для производства или контроля конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, а также специально разработанные для него компоненты и вспомогательные устройства:
 
1.2.1.1.
Машины для намотки волокон, специально разработанные для производства конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры из волокнистых или нитевидных материалов, в которых движения, связанные с позиционированием, пропиткой и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более осям основного сервопозиционирования;
1.2.1.2.
Машины для выкладки ленты, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой ленты, координируются и программируются по пяти или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.2.1.2 машины для выкладки ленты имеют способность выкладки одной нитевидной ленты или более шириной от более 25 мм до 305 мм включительно, а также резки ленты и возобновления отдельных операций в течение процесса выкладки;
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.2.1.3.
Многокоординатные ткацкие машины или машины для плетения, включая приспособления и устройства, специально разработанные или модифицированные для плетения, ткачества или переплетения волокон для конструкций из композиционных материалов объемной структуры
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.2.1.3 плетение включает вязание;
 
1.2.1.4.
Оборудование, специально разработанное или приспособленное для производства армирующих волокон:
 
1.2.1.4.1.
Оборудование для превращения полимерных волокон (таких как полиакрилонитриловые, вискозные, пековые или поликарбосилановые) в углеродные или карбидкремниевые волокна, включая специальное оборудование для натяжения волокон при нагреве;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
1.2.1.4.2.
Оборудование для химического осаждения элементов или соединений из паровой фазы на нагретую нитевидную подложку в целях производства карбидкремниевых волокон;
1.2.1.4.3.
Оборудование для получения тугоплавких керамических волокон (например, из оксида алюминия) по мокрому способу;
1.2.1.4.4
Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна оксида алюминия;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.2.1.5.
Оборудование для производства препрегов, определенных в пункте 1.3.10.5, методом горячего плавления;
1.2.1.6.
Оборудование для неразрушающего контроля, специально разработанное для композиционных материалов, такое как:
 
1.2.1.6.1.
Системы рентгеновской томографии для трехмерного обнаружения дефектов;
1.2.1.6.2.
Установки ультразвуковой дефектоскопии с числовым программным управлением, в которых перемещения для позиционирования трансмиттеров или приемников одновременно координируются и программируются по четырем или более осям, чтобы отслеживать трехмерные контуры обследуемого объекта;
1.2.1.7.
Машины для выкладки жгута, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой жгута, координируются и программируются по двум или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.2.1.7 машины для выкладки жгута имеют способность выкладки одной нитевидной ленты или более шириной 25 мм или менее, а также резки ленты и возобновления отдельных операций в процессе выкладки
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Технические примечания:
 
1. Для целей пункта 1.2.1 основное сервопозиционирование (позиционирование от основного сервопривода) означает управление положением рабочего органа (например, головки) в пространстве с помощью задающей направление компьютерной программы для его точной ориентации относительно осей координат обрабатываемой детали и достижения заданных требований обработки.
2. Для целей пункта 1.2.1 нитевидной лентой является непрерывная полоса в виде ленты, выполненной из жгута или нити, полностью или частично пропитанных смолой
(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.2.2.
Оборудование, специально разработанное для исключения загрязнения при производстве металлических сплавов, порошков металлических сплавов или легированных материалов и использования в одном из процессов, определенных в пункте 1.3.2.3.2
 
1.2.3.
Инструменты, пресс-формы, матрицы или арматура для формообразования в условиях сверхпластичности или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально разработанные для производства любого из следующего:
а) корпусных конструкций летательных аппаратов или авиационно-космических средств;
б) двигателей для летательных аппаратов или авиационно-космических средств; или
в) компонентов, специально разработанных для конструкций, определенных в подпункте "а" пункта 1.2.3, или двигателей, определенных в подпункте "б" пункта 1.2.3
1.3.
Материалы
 
 
Техническое примечание.
Термины "металлы" и "сплавы", если специально не оговорено иное, относятся к следующим необработанным формам и полуфабрикатам:
 
а) необработанные формы - аноды, блюмы, болванки, брикеты, бруски, гранулы, губка, дробь, катоды, кольца, кристаллы, спеки, заготовки металла неправильной формы, листы, окатыши, плитки, поковки, порошки, прутки (включая надрубленные прутки и заготовки для проволоки), слитки, слябы, стаканы, сутунки, чушки, шары;
б) полуфабрикаты (независимо от того, имеют они плакирование, покрытие, сверления, пробитые отверстия или нет):
1) материалы, подвергнутые обработке давлением или иным способом, полученные путем прокатки, волочения, штамповки выдавливанием, ковки, штамповки ударным выдавливанием, прессования, гранулирования, распыления и размалывания, а именно: диски, изделия прессованные и штампованные, кольца, ленты, листы, плиты, поковки, полосы, порошки, профили, прутки (включая непокрытые сварочные прутки, присадочную проволоку и катанку), пудры, трубы круглого и квадратного сечения, уголки, фасонные профили, фольга и тонкие листы, чешуйки, швеллеры;
2) отливки, полученные литьем в любые формы (песчаные, металлические, гипсовые и другие), включая полученные литьем под давлением, а также спеченные заготовки и заготовки, полученные методами порошковой металлургии.
Цель контроля не должна нарушаться при экспорте не указанных выше заготовок или полуфабрикатов, выдаваемых за готовые изделия, но, по существу, представляющих собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты
1.3.1.
Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитных волн, или полимеры, обладающие собственной проводимостью:
 
1.3.1.1.
Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от 2 x 108 Гц до 3 x 1012 Гц
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечания:
 
1. Пункт 1.3.1.1 не применяется:
а) к поглотителям войлочного типа, изготовленным из натуральных и синтетических волокон, содержащим немагнитный наполнитель;
б) к поглотителям, не имеющим магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности;
в) к плоским поглотителям, имеющим все нижеперечисленные характеристики:
1) изготовленным из любых следующих материалов:
вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на ±15%, и неспособных выдерживать температуры, превышающие 450 K (177 °C); или
керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на ±15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 K (527 °C)
Техническое примечание.
Для целей подпункта 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1 образцы для проведения испытаний на поглощение должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента;
2) прочность при растяжении менее 7 x 106 Н/м2; и
3) прочность при сжатии менее 14 x 106 Н/м2;
г) к плоским поглотителям, выполненным из спеченного феррита и имеющим все нижеперечисленные характеристики:
удельный вес более 4,4 г/см3; и
максимальную рабочую температуру 548 K (275 °C).
2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках
1.3.1.2.
Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 1,5 x 1014 Гц, но ниже, чем 3,7 x 1014 Гц, и непрозрачные для видимого света
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 1.3.1.2 не применяется к материалам, специально разработанным или определенным для применения в лазерной маркировке или сварке полимеров;
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.1.3.
Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/м2, полученные на основе любого из следующих полимеров:
 
1.3.1.3.1.
Полианилина;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
1.3.1.3.2.
Полипиррола;
1.3.1.3.3.
Политиофена;
1.3.1.3.4.
Полифенилен-винилена; или
1.3.1.3.5.
Политиенилен-винилена
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом
 
 
Примечание.
Пункт 1.3.1.3 не применяется к материалам в жидком виде
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5, см. также пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5 разделов 2 и 3
 
1.3.2.
Металлические сплавы, порошки металлических сплавов и легированные материалы следующих типов:
 
1.3.2.1.
Алюминиды:
 
1.3.2.1.1.
Алюминиды никеля, содержащие от 15 до 38% (по весу) алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;
1.3.2.1.2.
Алюминиды титана, содержащие 10% (по весу) или более алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;
1.3.2.2.
Металлические сплавы, приведенные ниже, изготовленные из порошков или частиц материалов, определенных в пункте 1.3.2.3:
 
1.3.2.2.1.
Никелевые сплавы с:
а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 676 МПа и температуре 923 K (650 °C); или
б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 823 K (550 °C) и максимальном напряжении цикла 1095 МПа;
1.3.2.2.2.
Ниобиевые сплавы с:
а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 400 МПа и температуре 1073 K (800 °C); или
б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 973 K (700 °C) и максимальном напряжении цикла 700 МПа;
1.3.2.2.3.
Титановые сплавы с:
а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 200 МПа и температуре 723 K (450 °C); или
б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 723 K (450 °C) и максимальном напряжении цикла 400 МПа;
1.3.2.2.4.
Алюминиевые сплавы с пределом прочности при растяжении:
а) 240 МПа или выше при температуре 473 K (200 °C); или
б) 415 МПа или выше при температуре 298 K (25 °C);
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.2.2.5.
Магниевые сплавы:
а) с пределом прочности при растяжении 345 МПа или выше; и
б) со скоростью коррозии в 3-процентном водном растворе хлорида натрия менее 1 мм в год, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом;
1.3.2.3.
Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики:
 
1.3.2.3.1.
Изготовленные из любых следующих по составу систем:
 
 
Техническое примечание.
X в дальнейшем соответствует одному или более легирующим элементам
 
1.3.2.3.1.1.
Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), для деталей или компонентов газотурбинных двигателей, содержащие менее трех неметаллических частиц размером более 100 мкм (введенных в процессе производства) на 109 частиц сплава;
1.3.2.3.1.2.
Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);
1.3.2.3.1.3.
Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al);
1.3.2.3.1.4.
Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или
1.3.2.3.1.5.
Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и
1.3.2.3.2.
Изготовленные в контролируемой среде с использованием одного из нижеследующих процессов:
 
а) вакуумное распыление;
б) газовое распыление;
в) центробежное распыление;
г) скоростная закалка капли;
д) спиннингование расплава и последующее измельчение;
е) экстракция расплава и последующее измельчение;
ж) механическое легирование; или
з) плазменное распыление; и
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
1.3.2.3.3.
Могущие быть исходными материалами для получения сплавов, определенных в пункте 1.3.2.1 или 1.3.2.2;
 
1.3.2.4.
Легированные материалы, характеризующиеся всем нижеследующим:
а) изготовлены из любых систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1;
б) имеют форму неизмельченных чешуек, ленты или тонких стержней; и
в) изготовлены в контролируемой среде любым из следующих методов:
скоростная закалка капли;
спиннингование расплава; или
экстракция расплава
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 1.3.2 не применяется к металлическим сплавам, порошкам металлических сплавов и легированным материалам, рецептура которых специально разработана для нанесения покрытий
 
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Технические примечания:
 
1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся сплавы, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем любых других элементов.
2. Ресурс длительной прочности следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-139 или ее национальным эквивалентом. 3. Малоцикловую усталость следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Технические рекомендации по испытаниям на малоцикловую усталость при постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Образцы должны нагружаться в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации напряжения (Kt), равном единице. Средний показатель нагрузки определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку
1.3.3.
Магнитные металлические материалы всех типов и в любой форме, имеющие любую из следующих характеристик:
 
1.3.3.1.
Начальную относительную магнитную проницаемость 120 000 или более и толщину 0,05 мм или менее
 
Техническое примечание.
Измерение начальной относительной магнитной проницаемости следует проводить на полностью отожженных материалах;
 
1.3.3.2.
Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик:
а) магнитострикцию насыщения более 5 x 10-4; или
б) коэффициент магнитомеханического взаимодействия (к) более 0,8; или
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
1.3.3.3.
Ленты из аморфных или нанокристаллических сплавов, имеющие все следующие характеристики:
а) содержание железа, кобальта или никеля не менее 75% (по весу);
б) магнитную индукцию насыщения (Bs) 1,6 Т или более; и
в) любое из нижеследующего:
толщину ленты 0,02 мм или менее; или
удельное электрическое сопротивление 2 x 10-4 Ом·см или более
 
Техническое примечание.
К нанокристаллическим материалам, указанным в пункте 1.3.3.3, относятся материалы, имеющие размер кристаллических зерен 50 нм или менее, определенный методом рентгеновской дифракции
 
1.3.4.
Урано-титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики:
а) плотность выше 17,5 г/см3;
б) предел упругости выше 880 МПа;
в) предел прочности при растяжении выше 1270 МПа; и
г) относительное удлинение более 8%
1.3.5.
Следующие сверхпроводящие проводники из композиционных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г:
 
1.3.5.1.
Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько ниобийтитановых нитей, имеющих все нижеперечисленное:
а) уложенных в матрицу не из меди или не на основе меди; и
б) имеющих площадь поперечного сечения менее 0,28 x 10-4 мм2 (6 мкм в диаметре для нитей круглого сечения);
1.3.5.2.
Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобийтитана, имеющих все нижеперечисленное:
а) критическую температуру при нулевом магнитном поле, превышающую 9,85 K (-263,31 °C); и
б) остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре 4,2 K (-268,96 °C) в магнитном поле, ориентированном в любых направлениях, перпендикулярных продольной оси проводника, и соответствующем магнитной индукции 12 Т, при пропускании электрического тока критической плотностью более 1750 А/мм2 по всему сечению проводника;
1.3.5.3.
Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре выше 115 K (-158,16 °C)
 
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.3.5 нити могут быть в виде проволоки, цилиндра, пленки, ленты или полосы
 
1.3.6.
Жидкости и смазочные материалы:
 
1.3.6.1 - 1.3.6.1.2.
Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.3.6.2.
Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие соединения или материалы:
 
1.3.6.2.1.
Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функциональных групп или их смесей; или
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
1.3.6.2.2.
Фторированные кремнийорганические жидкости, имеющие кинематическую вязкость менее 5000 мм2/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 K (25 °C);
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.6.3.
Амортизаторные или флотационные жидкости, отвечающие всему следующему:
а) имеющие чистоту более 99,8%;
б) содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл; и
в) полученные по меньшей мере на 85% из любого из следующего:
дибромтетрафторэтана (CAS 25497-30-7, CAS 124-73-2, CAS 27336-23-8);
полихлортрифторэтилена (только маслообразные и воскообразные модификации); или
полибромтрифторэтилена;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.6.4.
Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, имеющие все следующие характеристики:
а) содержащие 85% (по весу) или более любого из следующих веществ или любой из их смесей:
мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров;
перфторалкиламинов;
перфторциклоалканов; или
перфторалканов;
б) плотность 1,5 г/мл или более при температуре 298 K (25 °C);
в) жидкое состояние при температуре 273 K (0 °C); и
г) содержащие 60% (по весу) или более фтора
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 1.3.6.4 не применяется к материалам, определенным и упакованным как медицинская продукция
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.7.
Керамические порошки, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры:
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
1.3.7.1.
Керамические порошки из простых или сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, менее 5000 частей на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньше 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
1.3.7.2.
Некомпозиционные керамические материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98% или более от теоретической плотности
 
Примечание.
Пункт 1.3.7.2 не применяется к абразивам;
 
1.3.7.3.
Композиционные материалы типа керамика-керамика со стеклянной или оксидной матрицей, армированной волокнами, имеющими все следующие характеристики:
а) изготовлены из любых нижеследующих материалов:
Si-N;
Si-C;
Si-Al-O-N; или
Si-O-N; и
б) имеют удельную прочность при растяжении, превышающую 12,7 x 103 м;
1.3.7.4.
Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора
 
Особое примечание.
В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.7.3 и 1.3.7.4, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2;
 
1.3.7.5.
Следующие материалы-предшественники (то есть полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, определенных в пункте 1.3.7.3:
а) полидиорганосиланы (для производства карбида кремния);
б) полисилазаны (для производства нитрида кремния);
в) поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами);
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.7.6.
Композиционные материалы типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными матрицами, армированными непрерывными волокнами любой из следующих систем:
а) AL2O3 (CAS 1344-28-1); или
б) Si-C-N
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 1.3.7.6 не применяется к композиционным материалам, армированным указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 K (1000 °C) или деформацию ползучести более 1% при напряжении 100 МПа и температуре 1273 K (1000 °C) за 100 ч
 
1.3.8.
Нефторированные полимерные вещества:
 
1.3.8.1.
Нижеперечисленные плавкие имиды в жидкой или твердой форме, в том числе в виде смол, порошков, гранул, пленок, листов, лент или полос:
 
1.3.8.1.1.
Бисмалеимиды;
1.3.8.1.2.
Ароматические полиамид-имиды (PAI), имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290 °C);
1.3.8.1.3.
Ароматические полиимиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 505 K (232 °C);
(п. 1.3.8.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.8.1.4.
Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290 °C)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
Для неплавких ароматических полиимидов в форме пленки, листа, ленты или полосы см. пункт 1.1.3;
 
1.3.8.2.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.3.8.3.
Полиариленовые кетоны;
1.3.8.4.
Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации;
1.3.8.5.
Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290 °C)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Технические примечания:
 
1. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для термопластичных материалов и материалов, определенных в пунктах 1.3.8.1.2, 1.3.8.1.4 и 1.3.8.5 соответственно, определяется с использованием метода, описанного в международном стандарте ISO 11357-2(1999) или его национальном эквиваленте.
2. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для термореактивных материалов и материалов, определенных в пунктах 1.3.8.1.2 и 1.3.8.1.3 соответственно, определяется с использованием метода трехточечного изгиба, описанного в международном стандарте ASTM D 7028-07 или его национальном эквиваленте. Испытание должно проводиться на сухом образце, который достиг минимум 90% степени отверждения при стандартных термореактивных процессах с максимальной температурой перехода в стеклообразное состояние, как это определено в стандарте ASTM E 2160-04 или его национальном эквиваленте
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
1.3.9.
Необработанные фторированные соединения:
 
1.3.9.1.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.3.9.2.
Фторированные полиимиды, содержащие 10% (по весу) или более связанного фтора;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.9.3.
Фторированные фосфазеновые эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.10.
Волокнистые или нитевидные материалы:
 
  Технические примечания:  
 
1. Для целей расчета удельной прочности при растяжении, удельного модуля упругости либо удельного веса волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пунктах 1.3.10.1, 1.3.10.2, 1.3.10.3 или пункте 2 подпункта "а" пункта 1.3.10.5, их значения должны определяться с использованием Метода А, описанного в международном стандарте ISO 10618 (2004) или его национальном эквиваленте.
2. Оценка удельной прочности при растяжении, удельного модуля упругости либо удельного веса волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, должна основываться на механических свойствах содержащихся в них однонаправленных моноволокон до их переработки в неоднонаправленные волокнистые или нитевидные материалы
 
(технические примечания введены Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
1.3.10.1.
Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:
а) удельный модуль упругости более 12,7 x 106 м; и
б) удельную прочность при растяжении более 23,5 x 104 м
 
Примечание.
Пункт 1.3.10.1 не применяется к полиэтилену;
 
1.3.10.2.
Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:
а) удельный модуль упругости более 14,65 x 106 м; и
б) удельную прочность при растяжении более 26,82 x 104 м
 
Техническое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
 
Примечание.
Пункт 1.3.10.2 не применяется:
 
а) к элементам конструкций из волокнистых или нитевидных материалов объемной или слоистой структуры для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:
площадь, не превышающую 1 м2;
длину, не превышающую 2,5 м; и
ширину более 15 мм;
б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее;
1.3.10.3.
Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:
а) удельный модуль упругости, превышающий 2,54 x 106 м; и
б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 K (1649 °C)
 
Примечание.
Пункт 1.3.10.3 не применяется:
 
а) к дискретным, многофазным, поликристаллическим волокнам оксида алюминия в виде рубленых волокон или волокон, беспорядочно уложенных в матах, содержащим 3% или более (по весу) диоксида кремния и имеющим удельный модуль упругости менее 10 x 106 м;
б) к молибденовым волокнам и волокнам из молибденовых сплавов;
в) к волокнам бора;
г) к дискретным керамическим волокнам с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде ниже 2043 K (1770 °C)
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Технические примечания. Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.3.10.4.
Волокнистые или нитевидные материалы, имеющие любой из следующих составов:
 
1.3.10.4.1.
Состоящие из любого из нижеследующих материалов:
 
1.3.10.4.1.1.
Полиэфиримидов, определенных в пункте 1.3.8.1; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.10.4.1.2.
Материалов, определенных в пунктах 1.3.8.3 - 1.3.8.5; или
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
1.3.10.4.2.
Состоящие из материалов, определенных в пункте 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, определенных в пункте 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3
 
 
Особое примечание.
В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2, см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2 раздела 2;
 
1.3.10.5.
Волокнистые или нитевидные материалы, полностью или частично пропитанные смолой или пеком (препреги), волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, имеющие все следующее:
а) имеющие любое из следующего:
1) неорганические волокнистые или нитевидные материалы, определенные в пункте 1.3.10.3; или
2) органические или углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующее:
удельный модуль упругости, превышающий 10,15 x 106 м; и
удельную прочность при растяжении, превышающую 17,7 x 104 м; и
б) имеющие любое из следующего:
1) смолу или пек, определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2; или
2) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA Tg), равную 453 K (180 °C) или выше, а также феноло альдегидный полимер; или
3) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA Tg), равную 505 K (232 °C) или выше, а также смолу или пек, не определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2, и не являющиеся феноло-альдегидным полимером
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Температура перехода в стеклообразное состояние по динамическому (во времени) - термомеханическому (гранулометрическому) анализу (DMA Tg) для материалов, определенных в пункте 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 7028-07, или его национальном эквиваленте, на сухом образце для испытаний. Для термореактивных материалов степень отверждения сухого образца для испытаний должна быть минимум 90%, как это определяется стандартом ASTM E 2160-04 или его национальным эквивалентом
 
 
Примечания:
 
1. Волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, не пропитанные смолой или пеком, определяются как волокнистые или нитевидные материалы по пункту 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3.
2. Пункт 1.3.10.5 не применяется:
а) к элементам конструкций объемной или слоистой структуры из углеродных волокнистых или нитевидных материалов, пропитанных матрицей из эпоксидной смолы (препрегов), для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:
площадь, не превышающую 1 м2;
длину, не превышающую 2,5 м; и
ширину более 15 мм;
б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее, полностью или частично пропитанным смолами или пеками, отличными от определенных в пунктах 1.3.8 или 1.3.9.2
1.3.11.
Следующие металлы и соединения:
 
1.3.11.1.
Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм сферической, пылевидной, сфероидальной форм, чешуйчатые или измельченные, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов
 
Техническое примечание.
При определении содержания циркония в него включается природная примесь гафния (обычно 2 - 7%)
 
 
Примечание.
Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;
 
1.3.11.2.
Бор или его сплавы, приведенные ниже, с размерами частиц 60 мкм или менее:
а) бор чистотой 85% по весу или выше;
б) сплавы бора с содержанием бора 85% по весу или выше
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;
 
1.3.11.3.
Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4);
1.3.11.4.
Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)
1.3.12.
Следующие материалы:
 
1.3.12.1.
Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу)
 
Примечание.
Пункт 1.3.12.1 не применяется:
 
а) к поставкам, содержащим плутоний в количестве 1 г или менее;
б) к поставкам, содержащим три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах;
1.3.12.2.
Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме
 
Примечание.
Пункт 1.3.12.2 не применяется к поставкам, содержащим нептуний-237 в количестве 1 г или менее
 
 
Техническое примечание.
Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла
 
 
Особое примечание.
В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см. также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2 и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3
 
1.4.
Программное обеспечение
 
1.4.1.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, определенного в пункте 1.2
 
1.4.2.
Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц
 
 
Особое примечание.
В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 1.4.2, см. также пункт 1.4.1 раздела 2
 
1.4.3.
Программное обеспечение,
специально разработанное или модифицированное, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4;
 
1.5.
Технология
 
1.5.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства конструкций из композиционных материалов, определенных в пункте 1.1.2, изделий из ароматических полиимидов, определенных в пункте 1.1.3, снаряжения, систем и комплектующих, определенных в пункте 1.1.4, бронежилетов и компонентов, определенных в пункте 1.1.5, оборудования, определенного в пункте 1.1.6.2, 1.1.7 или 1.2, или материалов, определенных в пункте 1.3
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пункте 1.5.1, см. также пункт 1.5.1 разделов 2 и 3
 
1.5.2.
Иные нижеследующие технологии:
 
1.5.2.1.
Технологии разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолов;
 
1.5.2.2.
Технологии разработки или производства фторэластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер;
 
1.5.2.3.
Технологии разработки или производства следующих керамических порошков или некомпозиционных керамических материалов:
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
1.5.2.3.1.
Керамических порошков, обладающих всем нижеперечисленным:
 
а) любой из следующих композиций:
простые или сложные оксиды циркония и сложные оксиды кремния или алюминия;
простые нитриды бора (с кубической кристаллической решеткой);
простые или сложные карбиды кремния или бора; или
простые или сложные нитриды кремния;
б) суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем:
1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или
5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и
в) являющихся любым из следующего:
1) диоксидом циркония (CAS 1314-23-4), имеющим средний размер частиц, равный или меньше 1 мкм, и не более 10% частиц размером, превышающим 5 мкм; или
2) другими керамическими порошками, имеющими средний размер частиц, равный или меньше 5 мкм, и не более 10% частиц размером более 10 мкм;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
1.5.2.3.2.
Некомпозиционных керамических материалов, состоящих из материалов, определенных в пункте 1.5.2.3.1
 
 
Примечание.
Пункт 1.5.2.3.2 не применяется к технологиям разработки или производства абразивных материалов;
 
1.5.2.4.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.5.2.5.
Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, определенных в пункте 1.3.1;
 
1.5.2.6.
Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или композиционных материалов, определенных в пункте 1.3.7.3 или 1.3.7.4
 
 
Примечание.
Пункт 1.5.2.6 не применяется к технологиям ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащимся в руководствах производителя летательных аппаратов
 
 
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пунктах 1.5.2.5 и 1.5.2.6, см. также пункты 1.5.2.1 и 1.5.2.2 раздела 2;
 
1.5.2.7.
Библиотеки (параметрические технические базы данных), специально разработанные или модифицированные, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4
 
 
Техническое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
КАТЕГОРИЯ 2. ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ
2.1.
Системы, оборудование и компоненты
 
2.1.1.
Подшипники качения или подшипниковые системы и их составные части:
 
2.1.1.1.
Шариковые и неразъемные роликовые радиальные и радиально-упорные подшипники качения, имеющие все допуски, определенные производителем, в соответствии с классом точности 4 или лучше по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения (ISO 5593) изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия
 
Примечание.
Пункт 2.1.1.1 не применяется к коническим роликовым подшипникам;
 
2.1.1.2.
Активные магнитные подшипниковые системы, характеризующиеся хотя бы одним из нижеперечисленных качеств:
а) выполнены из материала с магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 МПа;
б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или
в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 K (177 °C) и выше, позиционные датчики
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 2.1.1 не применяется к шарикам с допусками, определенными производителем, в соответствии с международным стандартом ISO 3290, по степени точности 5 или ниже (хуже)
 
2.2.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование
 
 
Технические примечания:
 
1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360 градусов. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой).
2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке. Такие оси включают:
а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках;
б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей;
в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов.
3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841:2001 "Системы промышленной автоматизации и интеграция. Числовое программное управление станками. Системы координат и обозначение перемещений".
4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения.
5. Заявленная однонаправленная повторяемость позиционирования для каждой модели станка может использоваться для всех станков одной модели как альтернатива испытаниям отдельных станков и определяется следующим:
а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке;
б) измеряется повторяемость (R , R ) линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230-2:2014 и оценивается однонаправленная повторяемость позиционирования для каждой оси каждого из пяти станков выбранной модели;
в) определяется среднее арифметическое значение однонаправленной повторяемости позиционирования на основе значений показателей однонаправленной точности позиционирования для каждой аналогичной оси всех пяти станков выбранной модели. Эти средние арифметические величины однонаправленной повторяемости позиционирования (

noname.png) становятся заявленной величиной для каждой оси конкретной модели (
noname.png,
noname.png, ...) станка;
г) поскольку каждый из станков, указанных в категории 2 настоящего раздела, имеет несколько линейных осей, количество заявленных величин однонаправленной повторяемости позиционирования их показателя точности должно быть равно количеству этих линейных осей;
д) если любая из осей какой-либо модели станка, не определенного в пунктах 2.2.1.1 - 2.2.1.3, имеет заявленную однонаправленную повторяемость позиционирования, равную или менее (лучше) определенной однонаправленной повторяемости позиционирования каждой модели станка плюс 0,7 мкм, то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности позиционирования.
6. Для целей пункта 2.2 не следует учитывать погрешность измерения однонаправленной повторяемости позиционирования станков, определенную в соответствии с международным стандартом ISO 230-2:2014 или его национальным эквивалентом.
7. Для целей пункта 2.2 измерения осей должны проводиться в соответствии с методиками испытаний, описанными в пункте 5.3.2 международного стандарта ISO 230-2:2014. Для осей длиной более 2 м испытания должны проводиться на отрезках более 2 м. Для осей длиной более 4 м требуется несколько испытаний (например, два испытания для осей длиной от более 4 м до 8 м и три испытания для осей длиной от более 8 м до 12 м). Каждое испытание должно проводиться с отрезками длиной более 2 м, равномерно распределенными по длине оси. Испытываемые отрезки равномерно распределяются вдоль полной длины оси с любыми излишками длины, равномерно разделенными в начале, посередине и в конце испытываемого отрезка. Указанное в отчете значение всех испытываемых отрезков является наименьшей однонаправленной повторяемостью позиционирования.
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
2.2.1.
Станки, определенные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими условиями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления:
 
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечания:
 
1. Пункт 2.2.1 не применяется к станкам, ограниченным изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3.
2. Пункт 2.2.1 не применяется к специальным станкам, ограниченным изготовлением любых из следующих изделий:
а) коленчатых или распределительных валов;
б) режущих инструментов;
в) червяков экструдеров;
г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий; или
д) зубных протезов.
3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
Для станков чистовой обработки (финишных станков) оптики см. пункт 2.2.2
 
2.2.1.1.
Токарные станки с двумя или более осями, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любую из следующих характеристик:
а) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м; или
б) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более
(п. 2.2.1.1 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечания:
1. Пункт 2.2.1.1 не применяется к токарным станкам, специально разработанным для производства контактных линз и имеющим все следующее:
а) контроллер станка ограничен программным обеспечением с частично программируемым вводом данных, используемых в офтальмологических целях;
б) отсутствие вакуумного патрона.
2. Пункт 2.2.1.1 не применяется к прутковым токарным станкам (токарным многоцелевым станкам продольного точения), которые предназначены для обработки деталей, поступающих только через прутковый питатель, имеют максимальный диаметр прутка 42 мм или менее и на которые невозможно установить держатели. Станки могут иметь возможность сверления и (или) фрезерования для обрабатываемых деталей диаметром менее 42 мм;
 
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
2.2.1.2.
Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик:
а) три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любую из следующих характеристик:
1) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м; или
2) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более;
б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления и имеют любую из следующих характеристик:
Примечание.
Станки с механизмом параллельной кинематики определены в пункте 4 подпункта "б" пункта 2.2.1.2
1) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м;
2) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,4 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более и менее 4 м;
3) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 6 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 4 м или более; или
4) являющиеся станками с механизмом параллельной кинематики
Техническое примечание.
Станок с механизмом параллельной кинематики - станок, имеющий множество штанг, связанных со станиной и исполнительными механизмами, каждый из которых управляет соответствующей штангой одновременно и автономно;
в) для координатно-расточных станков однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше); или
г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики:
биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и
повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
2.2.1.3.
Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик:
а) имеющие все следующие характеристики:
однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше); и
три или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или
б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любое из следующего:
однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м;
однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,4 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более и менее 4 м; или
однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 6 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 4 м или более
(п. 2.2.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 2.2.1.3 не применяется к следующим шлифовальным станкам:
 
а) круглошлифовальным, внутришлифовальным и универсальным шлифовальным станкам, обладающим семи следующими характеристиками:
предназначенным лишь для круглого шлифования; и
максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм;
б) станкам, специально разработанным как координатно-шлифовальные станки, не имеющие Z-оси или W-оси, с однонаправленной повторяемостью позиционирования, равной 1,1 мкм или меньше (лучше);
в) плоскошлифовальным станкам;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
2.2.1.4.
Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;
2.2.1.5.
Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики:
а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов:
струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками;
электронным лучом; или
лазерным лучом; и
б) по крайней мере две оси вращения, имеющие все следующее:
возможность быть совместно скоординированными для контурного управления; и
точность позиционирования менее (лучше) 0,003 градуса;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
2.2.1.6.
Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.2.2.
Станки с числовым программным управлением для чистовой обработки (финишные станки) асферических оптических поверхностей с выборочным снятием материала, имеющие все следующие характеристики:
а) осуществляющие доводку контура до менее (лучше) 1,0 мкм;
б) осуществляющие чистовую обработку до среднеквадратичного значения шероховатости менее (лучше) 100 нм;
в) имеющие четыре или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и
г) использующие любой из следующих процессов:
магнитореологической чистовой обработки (МРЧО);
электрореологической чистовой обработки (ЭРЧО);
чистовой обработки пучками высокоэнергетических частиц;
чистовой обработки с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны; или
жидкоструйной чистовой обработки
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Для целей пункта 2.2.2:
 
а) под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем;
б) под ЭРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную жидкость, вязкость которой регулируется электрическим полем;
в) под чистовой обработкой пучками высокоэнергетических частиц понимается процесс, использующий плазму атомов химически активных элементов или пучки ионов для избирательного съема материала;
г) под чистовой обработкой с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны понимается процесс, в котором используется мембрана под давлением, деформирующая изделие при контакте с ней на небольшом участке;
д) под жидкоструйной чистовой обработкой понимается процесс, использующий поток жидкости для съема материала
2.2.3.
Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально предназначенные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (Rc = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328
2.2.4.
Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления:
а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и
б) любую из следующих характеристик:
максимальное рабочее давление выше 207 МПа;
регулируемые температуры выше 1773 K (1500 °C); или
оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения
 
Техническое примечание.
Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой
 
2.2.5.
Оборудование, специально разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования:
 
2.2.5.1.
Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее:
а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов:
CVD с пульсирующим режимом;
термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или
CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и
б) включающее любое из следующего:
высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше) вращающиеся уплотнения; или
средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения;
2.2.5.2.
Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более;
2.2.5.3.
Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих:
а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или
б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.2.5.4.
Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик:
а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или
б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления;
2.2.5.5.
Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/мм2 или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более;
2.2.5.6.
Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.2.5.7.
Производственное оборудование, способное к измерению в процессе ионного осаждения любого из следующего:
а) толщины покрытия на подложке с управлением скоростью осаждения; или
б) оптических характеристик
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункты 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не применяются соответственно к оборудованию химического осаждения из паровой фазы (CVD), ионной имплантации, осаждения распылением, катодно-дугового напыления и ионного осаждения, специально разработанному для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента
 
2.2.6.
Системы, оборудование и электронные сборки для измерения или контроля размеров:
 
2.2.6.1.
Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2009) пространственную (объемную) максимально допустимую погрешность измерения длины (E0,MPE) в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах)
 
Техническое примечание.
(E0,MPE) лучшей компоновки КИМ, определенная производителем например, лучшее из следующего: измерительная головка, длина измерительного наконечника, параметры хода, режим работы) и со всеми доступными компенсациями, должна сравниваться с пороговой величиной (1,7 + L/1000) мкм;
 
2.2.6.2.
Приборы для измерения линейных или угловых перемещений:
 
2.2.6.2.1.
Приборы для измерения линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих:
Примечание.
Интерферометры и оптические кодирующие устройства систем измерения перемещений, содержащие лазер, определены только в подпункте "в" пункта 2.2.6.2.1
Техническое примечание.
Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом
а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм;
б) системы дифференциальных преобразователей для измерения линейных перемещений (LVDT), имеющие все следующие характеристики:
1) имеющие любое из следующего:
линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, измеренную от 0 до предела рабочего диапазона для LVDT с пределом рабочего диапазона ±5 мм или менее; или
линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, измеренную от 0 до 5 мм для LVDT с пределом рабочего диапазона более ±5 мм; и
2) дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1% в день, при стандартной комнатной температуре ±1 K
Техническое примечание.
Для целей подпункта "б" пункта 2.2.6.2.1 пределом рабочего диапазона является половина полного возможного линейного перемещения LVDT. Например, LVDT с пределом рабочего диапазона ±5 мм или менее могут измерять полное возможное линейное перемещение в 10 мм;
в) измерительные системы, имеющие все следующие характеристики:
1) содержащие лазер;
2) разрешение на полной шкале 0,2 нм или меньше (лучше); и
3) способные достигать погрешности измерения при компенсации показателя преломления воздуха в любой точке в пределах измеряемого диапазона, равной или меньше (лучше) (1,6 + L/2000) нм (L - измеряемая длина в миллиметрах) и измеренной в течение 30 секунд при температуре 20 °C ± 1 °C;
или
г) электронные сборки, специально разработанные для обеспечения возможности обратной связи в системах, определенных в подпункте "в" пункта 2.2.6.2.1
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 2.2.6.2.1 не применяется к измерительным интерферометрическим системам с автоматическим управлением, разработанным для применения техники без обратной связи, содержащим лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования;
 
2.2.6.2.2.
Приборы для измерения угловых перемещений с точностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,00025 градуса
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 2.2.6.2.2 не применяется к оптическим приборам, таким как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;
 
2.2.6.3.
Оборудование. использующее принцип оптического рассеяния для измерения неровности (шероховатости) поверхности (включая дефекты поверхности) с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше);
(п. 2.2.6.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 2.2.6 включает станки, отличные от определенных в пункте 2.2.1, которые могут быть использованы в качестве измерительных машин, если их параметры соответствуют критериям, определенным для параметров измерительных машин, или превосходят их
 
2.2.7.
Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы:
а) способность в реальном масштабе времени осуществлять полную трехмерную обработку изображений или полный трехмерный анализ сцены с генерированием или модификацией программ либо с генерированием или модификацией данных для числового программного управления
Техническое примечание.
Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D);
б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами, которые могут быть использованы в военных целях
Примечание.
Подпункт "б" пункта 2.2.7 не применяется к роботам, специально разработанным для применения в камерах для окраски распылением;
в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более 5 x 103 Гр (по кремнию) [5 x 105 рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или
г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
2.2.8.
Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или системы для контроля или измерения размеров:
 
2.2.8.1.
Линейные измерительные элементы обратной связи, имеющие полную точность менее (лучше) [800 + (600 x L x 10-3)] нм (L - эффективная длина в миллиметрах)
9031
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
Для лазерных систем см. также подпункты "в" и "г" пункта 2.2.6.2.1;
 
2.2.8.2.
Угловые измерительные элементы обратной связи, имеющие точность менее (лучше) 0,00025 градуса
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
Для лазерных систем см. также пункт 2.2.6.2.2;
 
 
Примечание.
Пункты 2.2.8.1 и 2.2.8.2 применяются к измерительным элементам, таким как устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы, предназначенным для получения информации о позиционировании при управлении с обратной связью;
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.2.8.3.
Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, применение которых в соответствии с техническими характеристиками изготовителя может модифицировать станки до уровня, определенного в пункте 2.2, или выше
2.2.9.
Станки для ротационной вытяжки и обкатные вальцовочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики:
а) три или более оси, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и
б) усилие на валке/ролике более 60 кН
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Станки, объединяющие функции ротационной вытяжки и вальцовки методом обкатки, считаются для целей пункта 2.2.9 относящимися к обкатным вальцовочным станкам
 
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
2.3.
Материалы - нет
 
2.4.
Программное обеспечение
 
2.4.1.
Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 2.4.2:
 
2.4.1.1.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2;
 
2.4.1.2.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для применения подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1.2, или оборудования, определенного в пунктах 2.2.1, 2.2.3 - 2.2.9
 
(п. 2.4.1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 2.4.1 не применяется к программному обеспечению, которое генерирует коды числового программного управления для обработки различных деталей
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2
 
(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.4.2.
Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления
 
 
Примечания:
 
1. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для работы изделий, не определенных в категории 2.
2. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению для изделий, определенных в пункте 2.2.2. Для такого программного обеспечения см. пункты 2.4.1 и 2.4.3.
3. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, минимально необходимому для эксплуатации изделий, не определенных в категории 2, и экспортируемому совместно с этими изделиями
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.4.3.
Программное обеспечение, разработанное или модифицированное для эксплуатации станков, определенных в пункте 2.2.2, преобразующее функции оптического приспособления, измерения обрабатываемой детали и снятия материала в команды числового программного управления для получения заданной формы детали
 
(п. 2.4.3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.5.
Технология
 
2.5.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, оборудования, определенного в пункте 2.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 2.4
 
 
Примечание.
Пункт 2.5.1 включает технологию встраивания систем щупов в КИМ, определенные в пункте 2.2.6.1
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.5.2.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2
 
 
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2
 
2.5.3.
Иные нижеследующие технологии:
 
2.5.3.1.
Технологии разработки интерактивной графики как встроенной части блока числового программного управления для подготовки или модификации программ обработки деталей;
 
2.5.3.2.
Технологии производственных процессов металлообработки:
 
2.5.3.2.1.
Технологии проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов:
 
а) формообразования в условиях сверхпластичности;
б) диффузионной сварки; или
в) гидравлического прессования прямого действия;
2.5.3.2.2.
Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры:
 
а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов:
подготовка поверхности;
скорость деформации;
температура;
давление;
б) для диффузионной сварки титановых сплавов
или суперсплавов:
подготовка поверхности;
температура;
давление;
в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов:
давление;
время цикла;
г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов:
температура;
давление;
время цикла;
2.5.3.3.
Технологии разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;
 
2.5.3.4.
Технологии разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления;
 
2.5.3.5.
Технологии разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;
 
2.5.3.6.
Технологии нанесения наружных слоев неорганических покрытий, в том числе для модификации поверхностей, определенных в колонке "Получаемое покрытие" таблицы к настоящему пункту, на подложки для неэлектронных приборов/компонентов, определенные в колонке "Подложки" указанной таблицы, с использованием процессов, определенных в колонке "Процесс нанесения покрытия" этой же таблицы и описанных в технических примечаниях к ней
 
 
Особое примечание.
Нижеприведенная таблица к пункту 2.5.3.6. должна рассматриваться для определения технологии конкретного процесса нанесения покрытия, только когда относящееся к этому процессу получаемое покрытие находится в абзаце таблицы, расположенном напротив выбранной подложки.
Например, технические характеристики процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD) (колонка таблицы "Процесс нанесения покрытия") включают нанесение силицидов (колонка таблицы "Получаемое покрытие") на подложки из углерод-углерода, композиционных материалов с керамической или металлической матрицей (колонка таблицы "Подложки"), но не включают их нанесение на подложки из металлокерамического карбида вольфрама (16), карбида кремния (18), так как во втором случае покрытие из силицидов не перечислено в абзаце колонки "Получаемое покрытие", расположенном непосредственно напротив абзаца соответствующего перечня колонки "Подложки" (металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)
 
 

Таблица к пункту 2.5.3.6

 

Технические приемы нанесения покрытий
 
Процесс нанесения покрытия (1) <*>
Подложки
Получаемое покрытие
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) суперсплавы алюминиды на поверхности внутренних каналов
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, карбиды, диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)
молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом    
2.1. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) диэлектрические слои (15)
коррозионно-стойкие стали (7) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)
молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), бориды, бериллий
материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15)
титановые сплавы (13) бориды, нитриды
2.2. Ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение) керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей диэлектрические слои (15)
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) диэлектрические слои (15)
молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15)
материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей диэлектрические слои (15)
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) диэлектрические слои (15)
молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15)
материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-дуговым разрядом суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5)
полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод (17)
3. Твердофазное диффузионное насыщение (10) углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
титановые сплавы (13) силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2)
тугоплавкие металлы и сплавы (8) силициды, оксиды
4. Плазменное напыление суперсплавы MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2)
алюминиевые сплавы (6) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4)
тугоплавкие металлы и сплавы (8) алюминиды, силициды, карбиды
коррозионно-стойкие стали (7) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
титановые сплавы (13) карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир
5. Нанесение шликера тугоплавкие металлы и сплавы (8) оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов)
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
6. Осаждение распылением суперсплавы сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4)
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
титановые сплавы (13) бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
молибден и его сплавы диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы бориды, диэлектрические слои (15), бериллий
материалы окон датчиков (9) диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
тугоплавкие металлы и сплавы (8) алюминиды, силициды, оксиды, карбиды
7. Ионная имплантация высокотемпературные подшипниковые стали присадки хрома, тантала или ниобия
титановые сплавы (13) бориды, нитриды
бериллий и его сплавы бориды
металлокерамический карбид вольфрама (16) карбиды, нитриды

 

--------------------------------

<*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.

 

Примечания к таблице:

1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий.

2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов.

3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия.

4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.

5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где M обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, X - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;

б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;

в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.

6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 °C).

7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта.

8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.

9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.

10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.

11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны.

12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются.

13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 °C).

14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20 °C) коэффициент линейного расширения 10-7 K-1 или менее.

15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. "Диэлектрический слой" - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев в структуре диэлектрик - металл.

16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель.

17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы.

18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.

19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, так и в сочетании с другими компонентами.

 

Технические примечания к таблице:

Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера.

 

Особые примечания:

а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;

б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;

в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении.

2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.

Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.

Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:

а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;

б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;

в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и который имеет дуговой разряд, инициирующийся на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку.

 

Особое примечание.

Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку;

д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.

3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:

а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.

Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 °C) до 1375 К (1102 °C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия.

4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую плазму и управляющую ею, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости.

 

Особые примечания:

а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 °C) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.

5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия.

6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку.

 

Особые примечания:

а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;

б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).

7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.

Некоторые пояснения к таблице.

Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:

1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:

1.1.1. Состав раствора:

1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;

1.1.2. Время обработки;

1.1.3. Температура ванны;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;

1.3. Параметры цикла термообработки:

1.3.1. Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав атмосферы;

1.3.1.2. Давление;

1.3.2. Температура термообработки;

1.3.3. Время термообработки;

1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:

1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:

1.4.1.1. Состав крошки, дроби;

1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;

1.4.1.3. Скорость крошки;

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;

1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;

1.5. Параметры маски:

1.5.1. Материал маски;

1.5.2. Расположение маски.

2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:

2.1. Параметры атмосферы:

2.1.1. Состав;

2.1.2. Давление;

2.2. Время;

2.3. Температура;

2.4. Толщина;

2.5. Коэффициент преломления;

2.6. Контроль состава покрытия.

3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:

3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость дроби;

3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;

3.3. Параметры цикла термообработки:

3.3.1. Параметры атмосферы:

3.3.1.1. Состав;

3.3.1.2. Давление;

3.3.2. Температура и время цикла;

3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки.

4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:

4.1. Критерии для статистической выборки;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1. Увеличения;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности;

4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):

4.3.1. Коэффициент отражения;

4.3.2. Коэффициент пропускания;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние.

5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:

5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):

5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;

5.1.2. Состав газа-носителя;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температура - время - давление циклов;

5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;

5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:

5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав газа-реагента;

5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;

5.2.5. Температура - время - давление циклов;

5.2.6. Управление пучком и подложкой;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1. Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:

5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;

5.3.2. Состав газа-носителя;

5.3.3. Температура - время - давление циклов;

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.4.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;

5.5. Для осаждения распылением:

5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;

5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;

5.5.3. Состав газа-реагента;

5.5.4. Напряжение смещения;

5.5.5. Температура - время - давление циклов;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Управление деталью (подложкой);

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1. Управление пучком и подложкой;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температура - время - давление циклов;

5.7. Для ионного осаждения:

5.7.1. Управление пучком и подложкой;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температура - время - давление циклов;

5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.

 

N пункта
Наименование
Код ТН ВЭД
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1.
Системы, оборудование и компоненты
 
 
Примечания:
 
1. Контрольный статус оборудования и компонентов, описанных в пункте 3.1, других, нежели описаны в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8, 3.1.1.1.10 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны для другого оборудования или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования.
2. Контрольный статус интегральных схем, описанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7, 3.1.1.1.10 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения определенных функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования.
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус для интегральных схем определяется в соответствии с отдельными пунктами 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7, 3.1.1.1.10 или пунктом 3.1.1.1.11
 
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.1.1. Электронные изделия:  
(п. 3.1.1 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.1.
Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:
 
3.1.1.1.1.
Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий:
а) суммарную дозу 5 x 103 Гр (по кремнию) [5 х 105 рад] или выше;
б) мощность дозы 5 x 106 Гр (по кремнию)/с [5 x 108 рад/с] или выше; или
в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 1013 н/см2 или более по кремнию или его эквивалент для других материалов
Примечание.
Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре);
3.1.1.1.2.
Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны, или неизвестно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик:
а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (125 °C);
б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 °C); или
в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 °C) до 398 К (125 °C)
 
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным схемам, используемым для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;
 
3.1.1.1.3.
Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;
 
3.1.1.1.4.
Следующие интегральные схемы аналого-цифровых преобразователей (АЦП) и цифроаналоговых преобразователей (ЦАП):
а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:
разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 1 млрд. слов в секунду;
разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду;
разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду;
разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит, со скоростью на выходе более 250 млн. слов в секунду; или
разрешающую способность 16 бит или более со скоростью на выходе более 65 млн. слов в секунду
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.
2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности АЦП.
3. Скоростью на выходе является максимальная скорость на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации.
4. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и скоростью на выходе является максимальная скорость на выходе любого канала.
5. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, выходные сигналы объединяются и скоростью на выходе является максимальная объединенная общая скорость на выходе всех выходных сигналов.
6. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с).
7. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду.
8. Многоканальные АЦП определяются как устройства, которые объединяют более одного АЦП, разработанные так, чтобы каждый АЦП имел отдельный аналоговый вход.
9. АЦП с временным разделением каналов определяются как устройства, имеющие блоки с многоканальными АЦП, которые производят выборку одного и того же аналогового входного сигнала в различное время таким образом, чтобы при объединении выходных сигналов осуществлялись эффективный выбор аналогового входного сигнала и его преобразование на более высокую скорость выборки;
б) цифроаналоговые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:
1) разрешающую способность 10 бит или более с приведенной скоростью обновления более 3,5 млрд. выборок в секунду; или
2) разрешающую способность 12 бит или более с приведенной скоростью обновления более 1,25 млрд. выборок в секунду и имеющие любое из следующего:
время установления сигнала менее 9 нс с точностью 0,024% полной шкалы от шага полной шкалы; или
динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) более 68 дБнч (несущая частота) при синтезировании аналогового сигнала полной шкалы в 100 МГц или наивысшей частоты аналогового сигнала полной шкалы, определенной ниже 100 МГц
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Технические примечания:
 
1. Динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) определяется как отношение среднеквадратичного значения несущей частоты (максимального компонента сигнала) на входе ЦАП к среднеквадратичному значению следующего наибольшего компонента шума или гармонического искажения сигнала на его выходе.
2. SFDR определяется непосредственно из справочных таблиц или графиков зависимости характеристик SFDR от частоты.
3. Сигнал определяется как сигнал полной шкалы, когда его амплитуда более - 3 дБпш (полная шкала).
4. Приведенная скорость обновления для ЦАП:
а) для обычных (неинтерполирующих) ЦАП приведенная скорость обновления - скорость, на которой цифровой сигнал преобразуется в аналоговый сигнал при помощи ЦАП. ЦАП, в которых интерполяционный режим может быть обойден (коэффициент интерполяции 1), следует рассматривать как обычные (неинтерполирующие) ЦАП;
б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с избыточной дискретизацией) приведенная скорость обновления определяется как скорость обновления ЦАП, деленная на наименьший коэффициент интерполяции. Для интерполирующих ЦАП приведенная скорость обновления может выражаться по-разному, в том числе как:
скорость ввода данных;
скорость ввода слов;
скорость ввода выборок;
максимальная общая скорость пропускания шины;
максимальная тактовая частота ЦАП для входного тактового сигнала ЦАП;
3.1.1.1.5.
Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие:
а) один внутренний лазерный диод или более;
б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и
в) световоды;
3.1.1.1.6.
Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик:
а) максимальное количество цифровых несимметричных входов/выходов - более 700; или
б) совокупную одностороннюю пиковую скорость передачи данных последовательного приемопередатчика (трансивера) 500 Гбит/с или более
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.6 включает:
простые программируемые логические устройства (ППЛУ);
сложные программируемые логические устройства (СПЛУ);
программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ);
программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ);
программируемые пользователем межсоединения (ППМС)
 
 
Технические примечания:
 
1. Исключен. - Указ Перзидента РФ от 07.04.2017 N 159
2. Максимальное количество цифровых входов/выходов, определенное в подпункте "а" пункта 3.1.1.1.6, называется также максимальным количеством пользовательских входов/выходов или максимальным количеством доступных входов/выходов, независимо от того, является ли интегральная схема заключенной в корпус или бескорпусным кристаллом.
3. Совокупная односторонняя пиковая скорость передачи данных последовательного приемопередатчика является результатом произведения пиковой скорости передачи данных последовательного одностороннего приемопередатчика на количество приемопередатчиков на программируемой пользователем вентильной матрице (ППВМ);
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.1.7.
Интегральные схемы для нейронных сетей;
3.1.1.1.8.
Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю неизвестен статус контроля аппаратуры, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик:
а) более 1500 выводов;
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,02 нс; или
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.1.9.
Цифровые интегральные схемы, иные, нежели описанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и пункте 3.1.1.1.10, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего:
а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или
б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;
3.1.1.1.10.
Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log2 N)/20 480 мс, где N - количество точек
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.10 дает результат времени выполнения 500 мкс
 
3.1.1.1.11.
Интегральные схемы цифровых синтезаторов с прямым синтезом частот, имеющие любую из следующих характеристик:
а) тактовую частоту цифроаналогового преобразователя (ЦАП) 3,5 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП от 10 бит до 12 бит; или
б) тактовую частоту ЦАП 1,25 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП 12 бит или более
(п. 3.1.1.1.11 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519; в ред. Указа
Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Тактовая частота ЦАП может быть определена как задающая тактовая частота или тактовая частота входного сигнала
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечания:
 
1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1.
2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:
монолитные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";
оптические интегральные схемы;
трехмерные интегральные схемы;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.1.1.2.
Изделия микроволнового или миллиметрового диапазона:
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.2.1.
Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:
 
3.1.1.2.1.1.
Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия:
а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:
мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;
мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или
пригодные для применения в космосе;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.1.1.2.1.2.
Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ;
3.1.1.2.1.3.
Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/см2
 
Примечания:
 
1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
а) частота не превышает 31,8 ГГц; и
б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.
2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, непригодным для применения в космосе и имеющим все следующие характеристики:
а) среднюю выходную мощность, равную или меньше 50 Вт; и
б) разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и
диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
3.1.1.2.2.
Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:
а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,6 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;
в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;
д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) для работы на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или
з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечания:
 
1. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "з" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.
2. Пункты 1 и 2 примечаний к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС, если они специально разработаны для применения, например, в телекоммуникациях, радиолокационных станциях, автомобилях;
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.1.1.2.3.
Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:
а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 400 Вт (56 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 205 Вт (53,12 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 115 Вт (50,61 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,78 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 15 Вт (41,76 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 7 Вт (38,45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;
в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;
г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно; или
д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 43,5 ГГц
(п. 3.1.1.2.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечания:
 
1. Контрольный статус транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.
2. Пункт 3.1.1.2.3 включает бескорпусные транзисторы, транзисторные сборки и модули или корпусные транзисторы. Некоторые дискретные транзисторы могут также называться усилителями мощности, но контрольный статус таких дискретных транзисторов определяется пунктом 3.1.1.2.3;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.2.4.
Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик:
а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие все следующее:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 500 Вт (57 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 270 Вт (54,3 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 200 Вт (53 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 90 Вт (49,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие все следующее:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 70 Вт (48,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 30 Вт (44,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;
в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;
г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 2 Вт (33 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,2 Вт (23 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (13 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц; или
е) определенные изготовителем для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующее:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения Psat (Вт) большую, чем результат от деления величины 400 (Вт·Ггц2) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: Psat > 400/f2 или в единицах размерности [(Вт) > (Вт·Ггц2)/ (ГГц)2];
относительную ширину полосы частот 5% или более; и
любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см·ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть:

noname.png или в единицах размерности [(см)
noname.png (см·ГГц) / (ГГц)]
(п. 3.1.1.2.4 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Для усилителей, имеющих номинальный рабочий диапазон частот, простирающийся в сторону уменьшения до 2,7 ГГц и ниже, в формуле последнего абзаца подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты f (ГГц) следует применять равным 2,7 ГГц, то есть: d

noname.png 15/2,7 или в единицах размерности [(см)
noname.png (см·ГГц)/ГГц]
 
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2
 
(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечания:
 
1. Контрольный статус изделий, работающих более чем в одном частотном диапазоне, относящихся к более чем одной полосе частот и указанных в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим пороговым значением пиковой выходной мощности в режиме насыщения.
2. Пункт 3.1.1.2.4 включает приемопередающие и передающие модули;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.2.5.
Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5 : 1 (fmax/fmin) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик:
а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или
б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.1.1.2.6.
Преобразователи и смесители на гармониках, удовлетворяющие любому из следующих условий:
а) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона анализаторов сигнала до уровня выше 90 ГГц;
б) разработанные для расширения следующих рабочих характеристик генераторов сигнала:
верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 90 ГГц;
выходной мощности до уровня более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;
в) разработанные для расширения рабочих характеристик схемных анализаторов (анализаторов цепей):
верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 110 ГГц;
выходной мощности до уровня более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;
выходной мощности до уровня более 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 90 ГГц до менее 110 ГГц; или
г) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона микроволновых приемников-тестеров до уровня выше 110 ГГц;
(п. 3.1.1.2.6 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.2.7.
Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики:
а) рабочие частоты выше 3 ГГц;
б) среднюю выходную мощность по отношению к массе, превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 см3
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или определенной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
 
3.1.1.2.8.
Мощные СВЧ-модули, содержащие, по крайней мере, лампу бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики:
а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с;
б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 см3/Вт; и
в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (fmax>2fmin) и любое из следующего:
для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или
частоту выше 18 ГГц
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Технические примечания:
 
1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности мощного СВЧ-модуля.
2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема мощного СВЧ-модуля.
Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как 20 [Вт] x 10 [см3/Вт] = 200 [см3]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом мощного СВЧ-модуля;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.2.9.
Генераторы или генераторные сборки, определенные для работы с фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц меньше (лучше) -(126 + 20 log10F - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 Гц

noname.png F
noname.png 10 кГц
(п. 3.1.1.2.9 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
В пункте 3.1.1.2.9: F - отстройка от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц;
 
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.2.10.
Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты, определенное любым из следующего:
а) менее 156 пс;
б) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц;
в) менее 250 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;
г) менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц;
д) менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 56 ГГц;
е) менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 56 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или
ж) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот, превышающего 90 ГГц
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения могут также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
Для анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров общего назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно;
 
3.1.1.3.
Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:
 
3.1.1.3.1.
Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое, имеющие любую из следующих характеристик:
а) центральную частоту выше 6 ГГц;
б) центральную частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из следующих характеристик:
частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ;
произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
ширину полосы частот выше 250 МГц; или
дисперсионную задержку более 10 мкс; или
в) центральную частоту 1 ГГц и ниже и имеющие любую из следующих характеристик:
произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
дисперсионную задержку более 10 мкс; или
частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Частотное подавление боковых лепестков - максимальная величина подавления, определенная в перечне технических характеристик (проспекте изделия);
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.3.2.
Приборы на объемных акустических волнах, обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц;
3.1.1.3.3.
Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку
 
Примечание.
Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на акустических волнах, ограниченным пропусканием сигнала через однополосный фильтр, фильтр низких или верхних частот или узкополосный режекторный фильтр или функцией резонирования;
 
3.1.1.4.
Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, и имеющие любое из следующего:
а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10-14 Дж; или
б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;
3.1.1.5.
Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:
 
3.1.1.5.1.
Элементы:
 
3.1.1.5.1.1.
Первичные элементы с плотностью энергии, превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C;
3.1.1.5.1.2.
Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 350 Вт

noname.pngч/кг при температуре 20 °C
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Технические примечания:
 
1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в ампер-часах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах.
2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи.
3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии.
4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии
 
Примечание.
Пункт 3.1.1.5.1 не применяется к батареям, включая батареи, содержащие один элемент;
 
3.1.1.5.2.
Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:
 
3.1.1.5.2.1.
Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:
а) номинальное напряжение 5 кВ или более;
б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и
в) полную энергию 25 кДж или более;
3.1.1.5.2.2.
Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:
а) номинальное напряжение 5 кВ или более;
б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;
в) полную энергию 100 Дж или более; и
г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более;
3.1.1.5.3.
Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все следующие характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию более 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/мм2
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к сверхпроводящим электромагнитам или соленоидам, специально разработанным для медицинской аппаратуры отображения магнитного резонанса (аппаратуры магниторезонансной томографии);
 
3.1.1.5.4.
Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20% при рабочей температуре 301 К (28 °C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/м2 при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО)
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равном одной астрономической единице (АЕ);
 
3.1.1.6.
Преобразователи абсолютного углового положения вала, имеющие точность на входе в код, равную 1,0 угловая секунда или меньше (лучше);
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.7.
Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик:
а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или
б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее:
пиковое напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; и
пиковый ток (ударный ток), равный или более 3000 А
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечания:
 
1. Пункт 3.1.1.7 включает:
кремниевые триодные тиристоры;
электрические триггерные тиристоры;
световые триггерные тиристоры;
коммутационные тиристоры с интегральными вентилями;
вентильные запираемые тиристоры;
управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник);
солидтроны.
2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к тиристорным устройствам и тиристорным модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах
 
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств;
 
3.1.1.8.
Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или модули, имеющие все следующие характеристики:
а) рассчитанные для максимальной рабочей температуры p-n-перехода выше 488 К (215 °C);
б) повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (блокирующее напряжение), превышающее 300 В; и
в) постоянный ток более 1 А
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечания:
 
1. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает напряжение сток - исток, выходное остаточное напряжение, повторяющееся импульсное обратное напряжение и блокирующее импульсное напряжение в закрытом состоянии.
2. Пункт 3.1.1.8 включает:
канальные полевые транзисторы с p-n-переходом (JFET);
канальные полевые транзисторы с вертикальным p-n-переходом (VJFET);
канальные полевые униполярные транзисторы на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник) (MOSFET);
канальные полевые двойные диффузные металл-оксид полупроводниковые транзисторы (DMOSFET);
трехфазные тяговые преобразователи на транзисторных ключах (IGBN);
транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ-транзисторы) (HMET);
биполярные плоскостные транзисторы (BJT);
тиристоры и управляемые кремниевые выпрямители (диоды) (SCR);
высоковольтные полупроводниковые запираемые тиристоры (GTO);
тиристоры с эмиттерами включения (ETO);
регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды);
диоды Шоттки.
3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к переключателям, диодам или модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте, в гражданских автомобилях или в гражданских летательных аппаратах
 
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержит один или несколько твердотельных силовых полупроводниковых переключателей или диодов
 
3.1.2.
Нижеперечисленные электронные сборки, модули и аппаратура общего назначения и принадлежности для них:
 
(п. 3.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.1.
Записывающая аппаратура и осциллографы:
 
(п. 3.1.2.1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
  Особое примечание.
Для приборов преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов см. пункт 3.1.2.7;
 
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.1.1 - 3.1.2.1.4.
Исключены. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
3.1.2.1.5.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
 
Технические примечания. Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
3.1.2.1.6.
Устройства записи цифровых данных, удовлетворяющие всем следующим условиям:
а) обладающие устойчивой пропускной способностью диска или твердотельной памяти более 6,4 Гбит/с; и
б) использующие процессор, выполняющий анализ параметров радиочастотного сигнала одновременно с его записью
(п. 3.1.2.1.6 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Технические примечания:
1. Для устройств записи с архитектурой на параллельной шине пропускная способность - произведение наивысшей скорости записи слов на количество бит (разрядов) в слове.
2. Пропускная способность - наивысшая скорость, с которой устройство может производить запись на диск или в твердотельную память без потери информации при сохранении скорости ввода данных или дискретизации;
 
(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.1.7.
Осциллографы, работающие в реальном масштабе времени, имеющие среднеквадратичное напряжение собственных шумов по вертикальной оси менее 2% полной шкалы при вертикальной настройке, обеспечивающей минимальный уровень шума в полосе пропускания 60 ГГц на канал или более по уровню 3 дБ на любом из выходов
(п. 3.1.2.1.7 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 3.1.2.1.7 не применяется к стробоскопическим осциллографам эквивалентного времени;
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.1.2.2.
Анализаторы сигналов:
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.2.1.
Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц в любой точке частотного диапазона выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.2.2.
Анализаторы сигналов, имеющие отображаемый на дисплее средний уровень шума (ОСУШ) меньше (лучше) -150 дБм/Гц в любой точке частотного диапазона выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;
(п. 3.1.2.2.2 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.2.3.
Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 90 ГГц;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.2.4.
Анализаторы сигналов, имеющие все следующие характеристики:
а) полосу частот в реальном масштабе времени, превышающую 170 МГц; и
б) стопроцентную вероятность обнаружения сигналов длительностью 15 мкс или менее со снижением менее 3 дБ от полной амплитуды вследствие промежутков или эффектов окон
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Технические примечания:
 
1. Вероятность обнаружения, указанная в подпункте "б" пункта 3.1.2.2.4, также может называться вероятностью перехвата или захвата сигнала.
2. Для целей подпункта "б" пункта 3.1.2.2.4 длительность для стопроцентной вероятности обнаружения является эквивалентом минимальной длительности сигнала, необходимой для заданного уровня погрешности измерения
(технические примечания введены Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 3.1.2.2.4 не применяется к анализаторам сигналов, использующим только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);
 
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.1.2.2.5.
Анализаторы сигналов, имеющие функцию запуска по частотной маске со стопроцентной вероятностью запуска (захвата) сигналов с длительностью 15 мкс или менее;
(п. 3.1.2.2.5 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.3.
Генераторы сигналов, имеющие любую из следующих характеристик:
а) определенные для создания импульсно-модулированных сигналов в любом месте диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц, имеющие все следующее:
длительность импульса менее 25 нс;
и отношение уровня генерируемого импульса к уровню просачивающегося сигнала в паузе 65 дБ или более
Техническое примечание.
Для целей абзаца первого подпункта "а" пункта 3.1.2.3 длительность импульса определяется как временной интервал от точки на переднем фронте импульса, который составляет 50% амплитуды импульса, до точки на заднем фронте импульса, который составляет 50% амплитуды импульса;
б) выходную мощность более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в любом месте диапазона частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;
в) время переключения частоты, определенное любым из следующего:
менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;
менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц; или
менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 37 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;
г) фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц, как определено любым из следующего:
меньше (лучше)
-(126 + 20 log10F - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 Гц

noname.png F
noname.png 10 кГц в пределах диапазона частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или
меньше (лучше) -(206 - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 кГц < F

noname.png 100 кГц в пределах диапазона частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или
Техническое примечание.
В подпункте "г" пункта 3.1.2.3 F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц
д) максимальную частоту, превышающую 90 ГГц
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечания:
 
1. Для целей пункта 3.1.2.3 генераторы сигналов включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций
Техническое примечание.
Максимальная частота генератора импульсов произвольной формы или генератора функций определяется путем деления частоты выборки (выборка/с) на коэффициент 2,5
2. Пункт 3.1.2.3 не применяется к аппаратуре, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.4.
Схемные анализаторы, имеющие любое из следующего:
а) выходную мощность, превышающую 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;
б) выходную мощность, превышающую 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 90 ГГц, но не превышающего 110 ГГц;
в) функцию нелинейного векторного анализа на частотах выше 50 ГГц, но не превышающих 110 ГГц; или
Техническое примечание.
Нелинейным вектором измерения функциональности является способность прибора анализировать результаты испытаний устройств, приводящих в область большого сигнала или в диапазон нелинейного искажения
г) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.5.
Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики:
а) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц; и
б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.1.2.6.
Атомные эталоны частоты:
 
3.1.2.6.1.
Пригодные для применения в космосе
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Особое примечание.
В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.6.1, см. также пункт 3.1.1 раздела 2;
 
3.1.2.6.2.
Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10-11 в месяц;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.6.3.
Рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее:
а) долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10-11 в месяц; и
б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.7.
Электронные сборки, модули или оборудование, предназначенные для выполнения всего следующего:
а) аналого-цифровых преобразований, имеющих любую из следующих характеристик:
разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит при входной частоте дискретизации более 1,3 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит при входной частоте дискретизации более 1 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит при входной частоте дискретизации более 1 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит при входной частоте дискретизации более 400 млн. выборок в секунду; или
разрешающую способность 16 бит или более при входной частоте дискретизации более 180 млн. выборок в секунду; и
б) любых следующих действий:
вывода оцифрованных данных;
хранения оцифрованных данных; или
обработки оцифрованных данных
(п. 3.1.2.7 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Особое примечание.
Устройства записи цифровых данных, осциллографы, анализаторы сигналов, генераторы сигналов, сетевые анализаторы и микроволновые приемники-тестеры определены в пунктах 3.1.2.1.6, 3.1.2.1.7, 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 и 3.1.2.6 соответственно
 
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Контрольный статус многоканальных электронных сборок или модулей определяется наивысшими заявленными характеристиками по одному из каналов
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 3.1.2.7 включает платы АЦП, дискретизаторы аналоговых сигналов, платы сбора данных, платы обработки сигналов и устройства регистрации переходных процессов
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.3.
Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.2.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование
 
3.2.1.
Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:
 
3.2.1.1.
Оборудование, разработанное для эпитаксиального выращивания:
 
3.2.1.1.1.
Оборудование, обеспечивающее производство слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее ±2,5% на расстоянии 75 мм или более
 
Примечание.
Пункт 3.2.1.1.1 включает оборудование для эпитаксиального выращивания атомного слоя;
 
3.2.1.1.2.
Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, разработанные для эпитаксиального выращивания полупроводниковых соединений из материала, содержащего два или более из следующих элементов: алюминий, галлий, индий, мышьяк, фосфор, сурьма или азот;
(п. 3.2.1.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
3.2.1.1.3.
Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников;
3.2.1.2.
Оборудование, разработанное или оптимизированное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик:
а) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для водородных, дейтериевых или гелиевых имплантатов;
б) возможность непосредственного формирования рисунка;
в) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; или
г) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для имплантации кремния в подложку полупроводникового материала, нагретую до температуры 600 °C или более;
(п. 3.2.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.2.1.3.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
3.2.1.4 - 3.2.1.4.2.
Исключены. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
3.2.1.5.
Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральным транспортно-загрузочным устройством для пластин (подложек), имеющие все следующее:
а) средства сопряжения для загрузки и выгрузки пластин (подложек), разработанные для возможности присоединения более двух отличных по функциональным возможностям инструментов для обработки полупроводников, определенных в пункте 3.2.1.1.1, 3.2.1.1.2, 3.2.1.1.3 или 3.2.1.2; и
б) разработанные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Технические примечания:
 
1. Для целей пункта 3.2.1.5 инструменты для обработки полупроводников относятся к инструментам модульной конструкции, которые обеспечивают такие, отличные по функциональности, физические процессы производства полупроводников, как осаждение, имплантация или термообработка.
2. Для целей пункта 3.2.1.5 многопозиционная обработка пластин (подложек) означает возможность обрабатывать каждую пластину (подложку) с помощью различных инструментов для обработки полупроводников, например, путем передачи каждой пластины (подложки) от первого инструмента ко второму и далее к третьему посредством автоматически загружаемых многокамерных систем с центральным транспортно-загрузочным устройством
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 3.2.1.5 не применяется к автоматическим роботизированным системам для загрузки-разгрузки пластин (подложек), специально разработанным для параллельной обработки пластин (подложек);
 
3.2.1.6.
Оборудование для литографии:
 
3.2.1.6.1.
Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего:
а) источник света с длиной волны короче 193 нм; или
б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 45 нм и менее
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле:
МРР = (длина волны источника света в нанометрах) x (К фактор) / (числовая апертура), где К фактор = 0,35;
 
3.2.1.6.2.
Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 45 нм или менее
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 3.2.1.6.2 включает:
 
а) инструментальные средства для микроконтактной литографии;
б) инструментальные средства для горячего тиснения;
в) литографические инструментальные средства для нанопечати;
г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати;
3.2.1.6.3.
Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов, удовлетворяющее всем следующим условиям:
а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и
б) имеющее любую из следующих характеристик:
полную ширину пятна на полувысоте пучка менее 65 нм и на поверхности размещения изображения менее 17 нм (с вероятностью +3 сигма); или
погрешность совмещения второго слоя менее 23 нм (с вероятностью +3 сигма) на шаблоне;
(п. 3.2.1.6.3 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.2.1.6.4.
Производственное оборудование, разработанное для прямого формирования рисунка на подложке, удовлетворяющее всем следующим условиям:
а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный пучок; и
б) имеющее любую из следующих характеристик:
минимальный диаметр пучка 15 нм или менее; или
погрешность совмещения второго слоя менее 27 нм (с вероятностью +3 сигма);
(п. 3.2.1.6.4 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.2.1.7.
Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1;
3.2.1.8.
Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, не определенные в пункте 3.2.1.6 и имеющие любое из следующего:
а) выполненные на заготовке подложки шаблона из стекла и определенные производителем как имеющие двойное лучепреломление менее 7 нм/см;
б) разработанные для применения в литографическом оборудовании, имеющем длину волны источника оптического излучения менее 245 нм
(п. 3.2.1.8 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 3.2.1.8 не применяется к многослойным шаблонам с фазосдвигающим слоем, разработанным для изготовления запоминающих устройств, не определенных в пункте 3.1.1;
 
3.2.1.9.
Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1
3.2.2.
Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:
 
3.2.2.1.
Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах выше 31,8 ГГц;
3.2.2.2.
Для испытания микроволновых интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1.2.2
3.3.
Материалы
 
3.3.1.
Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:
 
3.3.1.1.
Кремний (Si);
3.3.1.2.
Германий (Ge);
3.3.1.3.
Карбид кремния (SiC); или
3.3.1.4.
Соединения III - V на основе галлия или индия
 
Примечание.
Пункт 3.3.1.4 не применяется к подложкам, имеющим один эпитаксиальный слой P-типа или более на основе соединений GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AllnP или InGaAlP, независимо от последовательности элементов, за исключением случаев, когда эпитаксиальный слой P-типа находится между слоями N-типа
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.3.2.
Резисты, определенные ниже, а также подложки, покрытые ими:
 
3.3.2.1.
Резисты, разработанные для полупроводниковой литографии:
а) позитивные резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от 15 нм до 245 нм;
б) резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от более 1 нм до 15 нм;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
3.3.2.2.
Все резисты, разработанные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/мм2 или лучше;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
3.3.2.3.
Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
3.3.2.4.
Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
3.3.2.5.
Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, определенным в пункте 3.2.1.6.2 и использующим процесс термообработки или светоотверждения
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
3.3.3.
Следующие органо-неорганические соединения:
 
3.3.3.1.
Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
3.3.3.2.
Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999%
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 3.3.3 применяется только к соединениям, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы
 
3.3.4.
Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 3.3.4 не применяется к гидридам, содержащим 20% или более молей инертных газов или водорода
 
3.3.5.
Полупроводниковые подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 100 Ом·м при 20 °C
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.3.6.
Подложки, определенные в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN)
3.4.
Программное обеспечение
 
3.4.1.
Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, определенного в пунктах 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или 3.2
 
3.4.2.
Программное обеспечение, специально разработанное для применения оборудования, определенного в пунктах 3.2.1.1 - 3.2.1.6 или 3.2.2
 
3.4.3.
Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения в целях воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках
 
 
Техническое примечание.
Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов)
 
 
Примечание.
Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для разработки полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология
 
3.4.4.
Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования (систем), определенного в пункте 3.1.3
 
3.5.
Технология
 
3.5.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования, определенного в пункте 3.1 или 3.2, или материалов, определенных в пункте 3.3
 
 
Примечание.
Пункт 3.5.1 не применяется к технологиям для:
 
а) производства оборудования (систем) или компонентов, определенных в пункте 3.1.3;
б) разработки или производства интегральных схем, определенных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и имеющих все следующее:
использующих технологии при разрешении 0,130 мкм или выше (хуже); и
содержащих многослойные структуры с тремя металлическими слоями или менее
3.5.2.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие по сравнению с теми, которые определены в пункте 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик:
 
а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно
Техническое примечание.
Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико-логическое устройство и векторные регистры с числом элементов не менее 32 в каждом;
б) разработанных для выполнения более четырех 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или
в) разработанных для выполнения более восьми 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов)
Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечания:
 
1. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям мультимедийных расширений.
2. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям разработки или производства ядер микропроцессоров, имеющих все следующее:
использующих технологии с разрешением 0,130 мкм или выше (хуже); и
содержащих многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями.
3. Пункт 3.5.2 включает технологии для процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.5.3.
Прочие технологии разработки или производства:
 
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых электронных приборов на гетероструктурах, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках
Примечание.
Подпункт "б" пункта 3.5.3 не применяется к технологиям для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;
в) сверхпроводящих электронных приборов;
г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния;
е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов;
ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА
 
Примечания:
 
1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации).
2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации)
Особое примечание.
Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1
3. Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
4.1.
Системы, оборудование и компоненты
 
4.1.1.
ЭВМ и сопутствующее оборудование, специально разработанные, чтобы отвечать любому из нижеприведенных условий, а также электронные сборки и специально разработанные компоненты для них:
а) быть определенными изготовителем для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45 °C) или выше 358 К (85 °C); или
Примечание.
Подпункт "а" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских автомобилей, железнодорожных поездов или гражданских летательных аппаратов
б) быть радиационно стойкими при превышении любого из определенных ниже требований:
1) общей дозы 5 x 103 Гр (по кремнию) [5 x 105 рад];
2) мощности дозы 5 x 106 Гр (по кремнию)/с [5 x 108 рад/с]; или 3) сбоя от однократного события 10-8 ошибок/бит/день
Примечание.
Подпункт "б" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских летательных аппаратов
 
Особое примечание.
В отношении ЭВМ и сопутствующего оборудования, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2
 
(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
4.1.2.
Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, определенные ниже, а также специально разработанные для них компоненты:
 
 
Примечания:
 
1. Пункт 4.1.2 включает:
а) векторные процессоры;
б) матричные процессоры;
в) процессоры цифровой обработки сигналов;
г) логические процессоры;
д) оборудование для улучшения качества изображения.
е) исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159.
2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:
а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем;
б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и
Особые примечания:
1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента.
2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации)
в) технология цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
4.1.2.1.
Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
 
Примечание.
Для целей пункта 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются разработанными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из следующего:
 
а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти;
б) соединение двух цифровых вычислительных машин такое, что если происходит отказ активного центрального процессора, то холостой зеркальный центральный процессор может продолжить функционирование системы;
в) соединение двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением разделяемой памяти, для того чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять некоторую работу, пока не откажет другой центральный процессор; тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или
г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством программного обеспечения так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи, выполнявшиеся отказавшим процессором;
4.1.2.2.
Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 12,5 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ);
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
4.1.2.3.
Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, определенное в пункте 4.1.2.2
 
Примечания:
 
1. Пункт 4.1.2.3 применяется только к электронным сборкам и программируемым взаимосвязям, не превышающим пределы, определенные в пункте 4.1.2.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок.
2. Пункт 4.1.2.3 не применяется к электронным сборкам, специально разработанным для отдельных изделий или целого семейства изделий, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, определенные в пункте 4.1.2.2;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Особое примечание.
Для электронных сборок, модулей или аппаратуры, выполняющих аналого-цифровые преобразования, см. пункт 3.1.2.7;
 
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
4.1.2.4.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
4.1.2.5.
Устройства, специально разработанные для получения общей производительности цифровых ЭВМ, объединенных с помощью внешних соединений, которые имеют однонаправленную скорость передачи данных, превышающую 2,0 Гбайт/с на канал
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 4.1.2.5 не применяется к внутренним (например, соединительные платы, шины) или пассивным устройствам связи, контроллерам доступа к сети или контроллерам каналов связи
 
4.1.3.
ЭВМ, определенные ниже, и специально разработанные сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них:
 
4.1.3.1.
ЭВМ с систолической матрицей;
4.1.3.2.
Нейронные ЭВМ;
4.1.3.3.
Оптические ЭВМ
4.1.4.
Системы, оборудование и компоненты, специально разработанные или модифицированные для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети
(п. 4.1.4 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519; в ред. Указа Президента РФ
от 07.04.2017 N 159)
4.2.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет
 
4.3.
Материалы - нет
 
4.4.
Программное обеспечение
 
 
Примечание.
Контрольный статус программного обеспечения для оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории
 
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
4.4.1.
Программное обеспечение следующих видов:
 
4.4.1.1.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно;
 
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
4.4.1.2.
Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 4.4.1.1, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства:
 
а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 6,0 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или
б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.4.1.2
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Особое примечание.
В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 раздела 2
 
4.4.2.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
4.4.3.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети
 
(п. 4.4.3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
4.5.
Технология
 
4.5.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно
 
4.5.2.
Технологии иные, чем определенные в пункте 4.5.1, специально разработанные или модифицированные для разработки или производства:
 
а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 6,0 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или
б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.5.2
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
4.5.3.
Технологии для разработки программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети
 
(п. 4.5.3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 раздела 2
 

 

Техническое примечание по определению приведенной пиковой производительности (ППП).

ППП - приведенная пиковая скорость, на которой цифровые ЭВМ выполняют 64-разрядные или более операции сложения и умножения с плавающей запятой.

Сокращения, используемые в настоящем техническом примечании:

n - количество процессоров в цифровой ЭВМ

i - номер процессора (i, ... n)

ti - время цикла процессора (ti = 1/Fi)

Fi - частота процессора

Ri - пиковая скорость вычисления с плавающей запятой

Wi - коэффициент согласования с архитектурой.

ППП выражается во взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) - триллионах (1012) приведенных операций с плавающей запятой в секунду.

Схема способа вычисления ППП:

1. Для каждого процессора i определяется максимальное количество 64-разрядных или более операций с плавающей запятой (ОПЗi), выполняемых за цикл каждым процессором цифровой ЭВМ.

 

Примечание.

При определении ОПЗ учитываются только 64-разрядные или более операции сложения и (или) умножения с плавающей запятой за цикл процессора. Операции, требующие многочисленных циклов, могут быть выражены в дробных результатах за цикл процессора. Для процессоров, неспособных выполнять вычисления с 64-разрядными или более операциями с плавающей запятой, эффективная скорость вычисления R равна нулю.

2. Вычисляется скорость с плавающей запятой R для каждого процессора:

 

Ri = ОПЗi/ti.

 

3. Вычисляется ППП следующим образом:

 

noname.png.

 

4. Для векторных процессоров - Wi = 0,9, для невекторных процессоров - Wi = 0,3.

 

Примечания:

1. Для процессоров, которые выполняют составные операции в цикле, такие как сложение и умножение, считается каждая операция.

2. Для конвейерного процессора эффективная скорость вычисления R выше конвейерной скорости при загруженном конвейере или неконвейерной скорости.

3. Скорость вычисления R каждого содействующего процессора должна быть рассчитана по его максимальной теоретически возможной величине перед определением ППП всей комбинации процессоров. Одновременные операции считаются таковыми, когда производитель ЭВМ заявляет в руководстве пользователя или документации к ЭВМ о совпадающих, параллельных или одновременных операциях или процессах исполнения процессором команд программы.

4. При вычислении ППП не учитываются процессоры, ограниченные входными/выходными и периферийными функциями (например, дисководы, устройства связи и мониторы).

5. Значения ППП не следует вычислять для комбинаций процессоров, объединенных локальными сетями, глобальными сетями, совместно используемыми соединениями/устройствами ввода/вывода, контроллерами ввода/вывода и любыми коммуникационными соединениями, осуществляемыми при помощи программного обеспечения.

6. Значения ППП должны вычисляться для комбинаций процессоров, содержащих специально разработанные процессоры для повышения производительности путем объединения одновременно работающей и совместно используемой памяти.

(п. 6 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

 

Технические примечания:

1. Объединение всех процессоров и ускорителей, работающих одновременно и расположенных на одной матрице.

2. Комбинации процессоров могут достигаться путем использования электронных сборок, определенных в пункте 4.1.2.3, и используют память, когда любой из процессоров способен получить доступ к любой ячейке памяти в системе посредством передачи аппаратным средством строк кэша или слов памяти без привлечения какого-либо программного механизма.

(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

 

7. Векторный процессор определяется как процессор со встроенными командами, который выполняет многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 64-разрядными и более массивами) одновременно, имеющий по крайней мере два векторных функциональных устройства и восемь регистров для хранения векторов емкостью по крайней мере 64 элемента каждый.

 

N пункта
Наименование
Код ТН ВЭД
КАТЕГОРИЯ 5
Часть 1. Телекоммуникации
 
Примечания:
 
1. В части 1 категории 5 определяется контрольный статус компонентов, испытательного и производственного оборудования, а также программного обеспечения для них, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем
Особые примечания:
В отношении лазеров, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем, см. пункт 6.1.5
2. В тех случаях, когда для функционирования или поддержки телекоммуникационного оборудования, описанного в этой категории, и его обеспечения важное значение имеют цифровые ЭВМ, сопутствующее оборудование или программное обеспечение, последние рассматриваются в качестве специально разработанных компонентов при условии, что они являются стандартными моделями, обычно поставляемыми производителем. Это относится к компьютерным системам, реализующим функции управления, сетевого администрирования, технического обслуживания, проектирования или прогнозирования трафика
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.1.
Системы, оборудование и компоненты (телекоммуникационные системы, оборудование (аппаратура), компоненты и принадлежности, определенные ниже)
 
5.1.1.1.
Телекоммуникационное оборудование любого типа, имеющее любую из следующих характеристик, функций или возможностей:
 
5.1.1.1.1.
Специально разработанное для сохранения работоспособности при кратковременных электронных воздействиях или воздействиях электромагнитных импульсов, возникающих при ядерном взрыве;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
5.1.1.1.2.
Специально повышенную стойкость к гамма-, нейтронному или ионному излучению; или
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
5.1.1.1.3.
Специально разработанное для функционирования за пределами диапазона температур от 218 К (-55 °C) до 397 К (124 °C)
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 5.1.1.1.3 применяется только к электронному оборудованию
 
 
Примечание.
Пункты 5.1.1.1.2 и 5.1.1.1.3 не применяются к оборудованию, разработанному или модифицированному для использования на борту спутников
 
5.1.1.2.
Телекоммуникационные системы и оборудование, а также специально разработанные для них компоненты и принадлежности, имеющие любую из следующих характеристик, функций или возможностей:
 
5.1.1.2.1.
Являющиеся системами подводной беспроводной связи, имеющими любую из следующих характеристик:
а) акустическую несущую частоту за пределами интервала от 20 кГц до 60 кГц;
б) использующими электромагнитную несущую частоту ниже 30 кГц; или
в) использующими электронное управление положением главного лепестка (диаграммы направленности антенны); или
г) использующими в локальной сети лазеры или светоизлучающие диоды (СИД) с выходной длиной волны более 400 нм, но менее 700 нм;
5.1.1.2.2.
Являющиеся радиоаппаратурой, работающей в диапазоне частот 1,5 МГц - 87,5 МГц и имеющей все следующие характеристики:
а) возможность автоматически прогнозировать и выбирать частоты и общие скорости цифровой передачи в канале для оптимизации передачи полезного сигнала; и
б) встроенный линейный усилитель мощности, способный одновременно пропускать множество сигналов с выходной мощностью 1 кВт или более в диапазоне частот от 1,5 МГц до 30 МГц или 250 Вт или более в диапазоне частот от 30 МГц до 87,5 МГц включительно на мгновенной ширине полосы частот в одну октаву или более и с гармониками и искажениями на выходе лучше -80 дБ;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
5.1.1.2.3.
Являющиеся радиоаппаратурой, использующей методы расширения спектра, включая метод скачкообразной перестройки частоты, не определенной в пункте 5.1.1.2.4, имеющей любую из следующих характеристик:
а) коды расширения, программируемые пользователем; или
б) общую ширину передаваемой полосы частот выше 50 кГц, при этом она в 100 или более раз превышает ширину полосы частот любого единичного информационного канала
Примечание.
Подпункт "б" пункта 5.1.1.2.3 не применяется к радиоаппаратуре, специально разработанной для использования с любым из следующего:
а) гражданскими системами сотовой радиосвязи; или
б) стационарными или мобильными наземными спутниковыми станциями для гражданских коммерческих сетей связи
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 5.1.1.2.3 не применяется к аппаратуре, разработанной для эксплуатации с выходной мощностью 1,0 Вт или менее
 
 
Особое примечание.
В отношении радиоаппаратуры, указанной в пункте 5.1.1.2.3, см. также пункт 5.1.1.1.1 раздела 2;
 
5.1.1.2.4.
Являющиеся радиоаппаратурой, использующей технику сверхширокополосной модуляции, имеющей программируемые пользователем коды формирования каналов, коды шифрования или коды опознавания сети, имеющей любую из следующих характеристик:
а) ширину полосы частот, превышающую 500 МГц; или
б) относительную ширину полосы частот 20% или более;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
5.1.1.2.5.
Являющиеся радиоприемными устройствами с цифровым управлением, имеющими все следующие характеристики:
а) более 1000 каналов;
б) время переключения канала менее 1 мс;
в) автоматический поиск или сканирование в части спектра электромагнитных волн; и
г) возможность идентификации принятого сигнала или типа передатчика; или
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 5.1.1.2.5 не применяется к устройствам, специально разработанным для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи
 
 
Техническое примечание.
Время переключения канала - время (задержка по времени), необходимое для перехода с одной приемной частоты на другую для достижения диапазона частот в пределах ±0,05% от значения конечной определенной приемной частоты. Изделия, имеющие заданный приемный частотный диапазон в пределах менее ±0,05% около их центральной частоты, определяются как неспособные к переключению частоты канала (часть 1 категории 5)
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
В отношении радиоприемных устройств, указанных в пункте 5.1.1.2.5, см. также пункт 5.1.1.1.2 раздела 2 и пункт 5.1.1.1 раздела 3;
 
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
5.1.1.2.6.
Использующие функции цифровой обработки сигнала на выходном устройстве для обеспечения кодирования речи со скоростью менее 2400 бит/с
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Технические примечания:
 
1. Пункт 5.1.1.2.6 применяется при наличии выходного устройства для кодирования речевых сигналов связной речи с изменяющейся скоростью.
2. Для целей пункта 5.1.1.2.6 "кодирование речи" определяется как техника взятия образцов человеческого голоса с последующим преобразованием этих образцов в цифровой сигнал с учетом специфических параметров человеческой речи
5.1.1.3.
Оптические волокна длиной более 500 м и определенные производителем как способные выдерживать при контрольном испытании растягивающее напряжение 2 x 109 Н/м2 или более
 
Техническое примечание.
Контрольное испытание - отборочное испытание в режиме онлайн (встроенное в технологическую цепочку получения волокна) или проводимое отдельно, которое заключается в приложении заданного растягивающего напряжения к движущемуся со скоростью от 2 м/с до 5 м/с волокну на участке длиной от 0,5 м до 3 м между натяжными барабанами диаметром около 150 мм. Испытания могут проводиться по соответствующим национальным стандартам при температуре окружающей среды 293 К (20 °C) и относительной влажности 40%
 
 
Особое примечание.
Для подводных составных кабелей см. пункт 8.1.2.1.3;
 
5.1.1.4.
Фазированные антенные решетки с электронным управлением диаграммой направленности, определенные для работы:
а) на частотах выше 31,8 ГГц, но не более 57 ГГц при эффективной мощности излучения (ЭМИ), равной или более +20 дБм (22,15 дБм эффективной изотропно излучаемой мощности (ЭИИМ);
б) на частотах выше 57 ГГц, но не более 66 ГГц и имеющие ЭМИ, равную или более +24 дБм (26,15 дБм ЭИИМ);
в) на частотах выше 57 ГГц, но не более 66 ГГц и имеющие ЭМИ, равную или более +20 дБм (22,15 дБм ЭИИМ);
г) на частотах выше 90 ГГц
(п. 5.1.1.4 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 5.1.1.4 не применяется к фазированным антенным решеткам с электронным управлением диаграммой направленности для систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам Международной организации гражданской авиации (ИКАО), перекрывающим системы посадки СВЧ-диапазона (MLS)
 
5.1.1.5.
Оборудование радиопеленгации, работающее на частотах выше 30 МГц и имеющее все следующие характеристики, и специально разработанные для него компоненты:
а) мгновенную ширину полосы частот, равную 10 МГц или выше; и
б) способное находить азимутальное направление (АН) к невзаимодействующим радиопередатчикам с длительностью сигнала менее 1 мс
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
5.1.1.6.
Оборудование для прослушивания (перехвата) или глушения (подавления) мобильной дистанционной связи и оборудование для его мониторинга, определенное ниже, а также специально разработанные для такого оборудования компоненты:
 
5.1.1.6.1.
Оборудование для прослушивания (перехвата), разработанное для выделения сигналов голосовых или информационных данных, передающихся через радиоинтерфейс;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.1.6.2.
Оборудование для прослушивания (перехвата), не определенное в пункте 5.1.1.6.1, разработанное для выделения сигналов устройств пользователей или идентификаторов абонентов (например, международный идентификационный номер подвижного абонента (IMSI), временный международный идентификационный номер подвижного абонента (TIMSI) или международная идентификация мобильного оборудования (IMEI-номер), сигнальных или других метаданных, передающихся через радиоинтерфейс
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункты 5.1.1.6.1 и 5.1.1.6.2 не применяются к любому из следующего оборудования:
 
а) специально разработанному для прослушивания (перехвата) аналоговой частной подвижной радиосвязи (PMR) (стандарт Института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике для беспроводных локальных сетей IEEE 802.11 WLAN);
б) разработанному для операторов сетей мобильной дистанционной связи; или
в) предназначенному для разработки либо производства оборудования или систем мобильной дистанционной связи;
г) специальным техническим средствам, проводным и беспроводным (системам, радиоэлектронным и электронным устройствам), предназначенным для негласного прослушивания (перехвата) телефонных переговоров, перехвата и регистрации информации с технических каналов связи;
5.1.1.6.3.
Оборудование глушения (подавления) сигналов, специально разработанное или модифицированное для умышленного и избирательного вмешательства в работу мобильной дистанционной связи, препятствования ее осуществлению, замедления, ухудшения или сбоя связи и выполняющее любую из следующих функций:
а) имитирующее функции оборудования сети радиосвязи с абонентами;
б) обнаруживающее и использующее специфические характеристики применяемого протокола мобильной сети (например, GSM); или
в) использующее специфические характеристики применяемого протокола мобильной сети (например, GSM);
5.1.1.6.4.
Радиочастотное оборудование для мониторинга, разработанное или модифицированное для идентификации работы продукции, определенной в пункте 5.1.1.6.1, 5.1.1.6.2 или 5.1.1.6.3
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Особое примечание.
Для радиоприемных устройств см. пункт 5.1.1.2.5
 
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
5.1.1.7.
Системы или оборудование пассивной когерентной локации, специально разработанные для обнаружения движущихся объектов и слежения за ними путем измерения отраженных от объектов радиочастотных излучений, создаваемых нелокационными передатчиками
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
К нелокационным передатчикам могут относиться коммерческие радио- и телевизионные станции или базовые станции сотовой связи
 
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 5.1.1.7 не применяется к любому из следующего:
 
а) радиоастрономическому оборудованию; или
б) системам или оборудованию, которым требуется какой-либо радиосигнал от движущегося объекта
5.1.1.8.
Оборудование, противодействующее самодельным взрывным устройствам, и сопутствующее оборудование:
 
5.1.1.8.1.
Радиочастотное (RF) передающее оборудование, не определенное в пункте 5.1.1.6, разработанное или модифицированное для преждевременного приведения в действие самодельных взрывных устройств или предотвращения их инициирования;
5.1.1.8.2.
Оборудование, использующее методы, разработанные для поддержания линии радиосвязи на тех же частотных каналах, на которых осуществляется передача находящимся вблизи оборудованием, определенным в пункте 5.1.1.8.1
(п. 5.1.1.8 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
В отношении оборудования, указанного в пункте 5.1.1.8, см. также пункт 5.1.1.2 разделов 2 и 3
 
(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
5.1.1.9.
Системы или оборудование контроля сетевой связи, работающие с протоколом IP, и специально разработанные для них компоненты, имеющие все следующее:
а) выполняющие все следующее в IP-сети (например, национальный уровень передающей по протоколу IP-среды):
анализ на прикладном уровне (например, седьмой уровень модели взаимодействия открытых систем (BOC, ISO/IEC 7498-1);
извлечение выбранных метаданных и прикладных программ (голос, видео, сообщения, приложения); и
индексацию извлеченных данных; и
б) являющиеся специально разработанными для выполнения всего следующего:
поиска на основе четко заданных критериев; и
отображения реляционной сети отдельных лиц или группы лиц
(п. 5.1.1.9 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519; в ред. Указа Президента
РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 5.1.1.9 не применяется к системам или оборудованию, специально разработанным для любого из следующего:
 
а) рекламных целей;
б) оценки качества и класса предоставляемых услуг передачи данных по сети; или
в) оценки квалификации
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Четко заданные критерии - данные или набор данных, относящихся к отдельному лицу (например, фамилия, имя, электронная почта, название улицы, номер телефона или принадлежность к группе и т.д.)
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
5.2.1.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование (телекоммуникационное испытательное, контрольное и производственное оборудование (аппаратура), компоненты и принадлежности, определенные ниже)
 
5.2.1.1.
Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально разработанные для разработки или производства оборудования, функций или возможностей, определенных в пункте 5.1.1
 
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 5.2.1.1 не применяется к оборудованию определения параметров оптического волокна
 
 
Особое примечание.
В отношении оборудования и компонентов или принадлежностей для него, указанных в пункте 5.2.1.1, см. также пункт 5.2.1.1 раздела 2
 
5.2.1.2.
Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально разработанные для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего или коммутационного оборудования:
 
5.2.1.2.1.
Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:
 
а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;
б) исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
в) использующего технику когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования; или
Примечание.
Подпункт "в" пункта 5.2.1.2.1 применяется к оборудованию, специально разработанному для разработки систем, использующих оптический гетеродин в приемной стороне системы с целью
синхронизации с несущей частотой лазера
Техническое примечание.
Для целей подпункта "в" пункта 5.2.1.2.1 такая техника включает технику оптического гетеродинирования, оптического синхронного детектирования или интрадирования;
г) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц; или
Примечание.
Подпункт "г" пункта 5.2.1.2.1 не применяется к оборудованию, специально разработанному для разработки систем коммерческого телевидения;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
5.2.1.2.2.
Радиоаппаратуры, использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 1024
 
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
5.2.1.2.3.
Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
5.3.1.
Материалы - нет
 
5.4.1.
Программное обеспечение
 
5.4.1.1.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, функций или возможностей, определенных в пункте 5.1.1
 
 
Особое примечание.
В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.1, см. также пункт 5.4.1.1 разделов 2 и 3
 
5.4.1.2.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
 
Особое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
5.4.1.3.
Специальное программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или возможностей оборудования, определенного в пункте 5.1.1 или 5.2.1
 
5.4.1.4.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего или коммутационного оборудования:
 
5.4.1.4.1.
Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:
 
а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; или
б) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц; или
Примечание.
Подпункт "б" пункта 5.4.1.4.1 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для разработки систем коммерческого телевидения
5.4.1.4.2.
Радиоаппаратуры, использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 1024
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.5.1.
Технология
 
5.5.1.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения (исключая эксплуатацию) оборудования или его функциональных возможностей, определенных в пункте 5.1.1, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.1.1
 
 
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пункте 5.5.1.1, см. также пункт 5.5.1.1 разделов 2 и 3
 
5.5.1.2.
Специальные технологии следующих видов:
 
5.5.1.2.1.
Технология разработки или производства телекоммуникационного оборудования, специально разработанного для использования на борту спутников;
 
5.5.1.2.2.
Технология разработки или применения техники лазерной связи со способностью автоматического захвата и удержания сигнала и поддержания связи через внеатмосферную или подземную (подводную) передающую среду;
 
5.5.1.2.3.
Технология разработки приемной аппаратуры цифровых базовых сотовых радиостанций, приемные параметры которых, допускающие многодиапазонный, многоканальный, многомодовый, многокодируемый алгоритм или многопротокольную работу, могут быть модифицированы изменениями в программном обеспечении;
 
5.5.1.2.4.
Технология разработки аппаратуры, использующей методы расширения спектра, включая методы скачкообразной перестройки частоты
 
 
Примечание.
Пункт 5.5.1.2.4 не применяется к технологиям разработки любого из следующего:
 
а) гражданских сотовых радиокоммуникационных систем; или
б) стационарных или мобильных наземных спутниковых станций для гражданских коммерческих сетей связи
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
5.5.1.3.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства любого из следующего телекоммуникационного оборудования (аппаратуры), в том числе коммутационного:
 
5.5.1.3.1.
Оборудования, использующего цифровую технику, разработанную для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 560 Гбит/с
 
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Для телекоммуникационного коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи - однонаправленная скорость одного интерфейса, измеренная по самой высокой скорости порта или линии;
 
5.5.1.3.2.
Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего:
 
а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;
б) исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159;
в) использующего технику когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования
Примечание.
Подпункт "в" пункта 5.5.1.3.2 применяется к технологии разработки или производства систем, использующих оптический гетеродин в приемной стороне системы для синхронизации с несущей частотой лазера
Техническое примечание.
Для целей подпункта "в" пункта 5.5.1.3.2 такая техника включает технику оптического гетеродинирования, оптического синхронного детектирования или интрадирования;
г) использующего при распределении длин волн технику мультиплексирования оптических несущих частот с интервалом менее 100 ГГц; или
д) использующего аналоговую технику при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц
Примечание.
Подпункт "д" пункта 5.5.1.3.2 не применяется к технологиям разработки или производства систем коммерческого телевидения
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Особое примечание.
Для технологии разработки или производства нетелекоммуникационного оборудования, использующего лазер, см. пункт 6.5;
 
5.5.1.3.3.
Оборудования, использующего оптическую коммутацию и имеющего время переключения менее 1 мс;
 
5.5.1.3.4.
Радиоаппаратуры, имеющей любое из следующего:
 
а) использующей технику квадратурной амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 1024;
б) работающей на входных или выходных частотах, превышающих 31,8 ГГц; или
Примечание.
Подпункт "б" пункта 5.5.1.3.4 не применяется к технологиям разработки или производства оборудования, разработанного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным
союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения
в) работающей в диапазоне частот 1,5 МГц - 87,5 МГц и включающей адаптивные средства управления, обеспечивающие более 15 дБ подавления помехи; или
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
5.5.1.3.5.
Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
5.5.1.3.6.
Мобильного оборудования, имеющего все следующее:
 
а) работающего на длине световой волны в диапазоне от 200 нм до 400 нм включительно; и
б) работающего как локальная сеть
5.5.1.4.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства монолитных микроволновых интегральных схем (ММИС) - усилителей мощности, специально разработанных для телекоммуникации и имеющих любое из следующего:
 
а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;
в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;
д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или
з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц
(п. 5.5.1.4 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Для целей пункта 5.5.1.4 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения могут также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
5.5.1.5.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства электронных приборов и схем, специально разработанных для телекоммуникации и содержащих компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанных для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих и имеющих любое из следующего:
 
а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10-14 Дж; или
б) частотную селекцию на всех частотах с использованием резонансных контуров со значением добротности, превышающим 10 000
Часть 2. Защита информации
 
Примечания:
 
1. Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159.
2. Часть 2 категории 5 не применяется к товарам, когда они вывозятся пользователем для личного использования.
3. Криптографическое примечание.
Пункты 5.1.2 - 5.1.4 и 5.4.2 не применяются к следующей продукции:
а) продукции, соответствующей всему следующему:
1) общедоступной для продажи населению без ограничений из имеющегося в наличии ассортимента в местах розничной продажи посредством любого из следующего:
продажи за наличные;
продажи путем заказа товаров по почте;
электронных сделок; или
продажи по телефонным заказам;
2) криптографические функциональные возможности которой не могут быть легко изменены пользователем;
3) разработанной для установки пользователем без дальнейшей существенной поддержки поставщиком; и
4) доступные части которой в случае необходимости будут представлены экспортерами национальному уполномоченному органу страны-экспортера по требованию последнего, чтобы убедиться в их соответствии условиям, изложенным в пунктах 1 - 3 подпункта "а" настоящего криптографического примечания;
б) компонентам аппаратных средств или исполняемому программному обеспечению в составе продукции, описанной в подпункте "а" настоящего криптографического примечания, которые были разработаны для этой продукции и соответствуют всем следующим требованиям:
1) защита информации не является основной функцией или набором основных функций компонента или исполняемого программного обеспечения;
2) компонент или исполняемое программное обеспечение не меняет каких-либо криптографических возможностей указанной продукции или не добавляет ей новых криптографических возможностей;
3) набор функциональных возможностей компонента или исполняемого программного обеспечения является неизменным и не может быть перепроектирован или модифицирован по требованию покупателя; и
4) части компонента или исполняемого программного обеспечения и важных готовых элементов, определяемых национальным уполномоченным органом страны-экспортера, являются доступными и в случае необходимости будут представлены этому уполномоченному органу по его требованию, чтобы убедиться в их соответствии техническим условиям, изложенным выше
Техническое примечание.
Для целей криптографического примечания исполняемое программное обеспечение означает программное обеспечение в исполняемой форме для компонентов аппаратных средств, выведенных из-под контроля криптографическим примечанием
Примечание.
Исполняемое программное обеспечение не включает завершенные бинарные изображения программного обеспечения, запущенного на готовом изделии
Примечания к криптографическому примечанию:
1. Чтобы соответствовать требованиям подпункта "а" криптографического примечания, должно быть соблюдено все нижеследующее:
а) продукция должна быть товаром массового производства и доступна широкому кругу физических и юридических лиц; и
б) информация об основных функциях продукции должна быть общедоступной и цена ее должна быть известна до закупки, без необходимости консультации с продавцом или поставщиком. Простое осведомление о цене не считается консультацией.
2. Для определения приемлемости применения подпункта "а" криптографического примечания национальные уполномоченные органы страны-экспортера могут принимать во внимание такие существенные факторы, как количество, цена, необходимые технические навыки потребителя, каналы продаж, наиболее вероятные покупатели, возможные области применения или какие-либо юридические ограничения, вытекающие из практики поставок
4. Часть 2 категории 5 не применяется к товарам, включающим или использующим криптографию и удовлетворяющим всем следующим требованиям:
а) основная функция или набор функций которых не является любым из следующего:
защитой информации;
ЭВМ, включая операционную систему, деталями и компонентами для них;
отсылкой, приемом или хранением информации (за исключением поддержки развлекательных программ, массового коммерческого радио- или телевещания, управления цифровыми авторскими правами или организации ведения медицинской документации); или
созданием сетей (включая работу, администрирование, управление и подготовку к работе);
б) криптографические функциональные возможности которых ограничены поддержкой их основной функции или набора функций; и
в) в случае необходимости отдельные элементы товаров являются доступными и будут предоставляться экспортерами контролирующим органам Российской Федерации по их требованию для подтверждения условий, описанных в вышеуказанных подпунктах "а" и "б"
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
В части 2 категории 5 биты четности не включаются в длину ключа
 
  Криптографическая защита информации  
(введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.2.
Системы защиты информации, оборудование и компоненты, определенные ниже:
 
(п. 5.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.2.1.
Системы, аппаратура и компоненты для криптографической защиты информации:
 
(п. 5.1.2.1 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Особые примечания:
1. В отношении продукции, ранее определенной в пункте 5.1.2.1.2, см. пункт 5.1.4.1.
2. Для приемного оборудования глобальных навигационных спутниковых систем (ГНСС), содержащего или использующего функции дешифрования, см. пункт 7.1.5, а в отношении дешифрующего программного обеспечения и технологий см. пункты 7.4.5 и 7.5.1
 
(особые примечания в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.2.1.1.
Разработанные или модифицированные для использования криптографии с применением цифровых методов, выполняющие любые криптографические функции, иные, чем аутентификация, цифровая подпись или реализация алгоритмов программного обеспечения, защищенного от копирования, имеющие любую из следующих составляющих:
а) симметричный алгоритм, использующий ключ с длиной, превышающей 56 бит; или
б) асимметричный алгоритм, защита которого базируется на любом из следующих методов:
1) разложении на множители целых чисел, размер которых превышает 512 бит (например, алгоритм RSA);
2) вычислении дискретных логарифмов в мультипликативной группе конечного поля размера, превышающего 512 бит (например, алгоритм Диффи-Хеллмана над Z/pZ); или
3) дискретном логарифме в группе отличного от поименованного в вышеприведенном подпункте 2 размера, превышающего 112 бит (например, алгоритм Диффи-Хеллмана над эллиптической кривой)
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Технические примечания:
 
1. Функции аутентификации, цифровой подписи и реализации алгоритмов программного обеспечения, защищенного от копирования, включают в себя связанную с ними функцию распределения ключей.
2. Аутентификация включает в себя все аспекты контроля доступа, где нет шифрования файлов или текстов, за исключением шифрования, которое непосредственно связано с защитой паролей, персональных идентификационных номеров или подобных данных для защиты от несанкционированного доступа;
3. Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 5.1.2.1 не применяется к любому из следующего:
а) смарт-картам и считывающим или записывающим устройствам смарт-карт, включая:
1) смарт-карты или электронно-считываемые персональные документы (например, жетоны, электронные паспорта), удовлетворяющие любому из следующих условий:
криптографические возможности которых ограничены использованием в оборудовании или системах, исключенных из пункта 5.1.2, 5.1.3 или 5.1.4 примечанием 4 к части 2 категории 5 или пунктами "б" - "е" настоящего примечания, и которые не могут быть перепрограммированы для любого другого использования; или удовлетворяющие всем следующим условиям:
конструктивно и функционально ограничены применением в целях защиты хранящихся на них персональных данных;
были или могут быть персонализированы для использования при совершении публичных или коммерческих сделок либо для идентификации личности; и
криптографические возможности которых недоступны пользователю
 
 
Техническое примечание.
Персональные данные включают в себя любую информацию, которая касается частного лица или организации и может составлять личную или служебную тайну, такую как сумма хранящихся денежных средств на счете и другие данные, необходимые для аутентификации;
 
 
2) специально разработанные или модифицированные считывающие или записывающие устройства, которые применяются только для товаров, определенных в пункте 1 подпункта "а" настоящего примечания
 
 
Техническое примечание.
Считывающие или записывающие устройства включают в себя оборудование, поддерживающее связь со смарт-картами или электронно-считываемыми документами через сеть;
 
 
б) криптографическому оборудованию, специально разработанному и применяющемуся только для банковских или финансовых операций
 
 
Техническое примечание.
Финансовые операции, указанные в пункте "б" примечания к пункту 5.1.2, включают в себя сборы и оплату за транспортные услуги или кредитование;
 
 
в) портативным или мобильным радиотелефонам гражданского назначения (например, используемым в системах сотовой радиосвязи гражданского назначения), не обладающим техническими возможностями передачи зашифрованных данных непосредственно на другой радиотелефон или оборудование, отличное от оборудования беспроводной сети с радиодоступом (RAN), а также возможностями пересылки зашифрованных данных через оборудование RAN (например,
через контроллер сети доступа сети сотовой связи (RNC) или контроллер базовых станций (BSC);
г) беспроводному телефонному оборудованию, не обладающему технической возможностью межабонентского шифрования, с максимальной дальностью беспроводной связи (односкачковой, без ретрансляции между терминалом и базовой станцией) без усиления менее 400 м согласно техническим условиям производителя;
д) портативным или мобильным радиотелефонам и аналогичным пользовательским беспроводным устройствам гражданского назначения (за исключением устройств, обладающих антипиратскими функциями, которые не являются общедоступными), соответствующим условиям, указанным в пунктах 2 - 4 подпункта "а" криптографического примечания (пункт 3 примечаний) к части 2 категории 5, использующим только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты и адаптированным для конкретного применения в гражданских отраслях промышленности, со свойствами, не влияющими на криптографические возможности исходных неадаптированных устройств;
е) оборудованию беспроводной персональной сети, которое использует только опубликованные или коммерческие криптографические стандарты и криптографические возможности которого ограничены номинальной зоной действия 30 м в соответствии со спецификациями производителя или зоной, не превышающей 100 м, - для оборудования, не способного поддерживать связь с более чем семью устройствами; или
ж) оборудованию, удовлетворяющему всем следующим условиям:
1) обладающему всеми криптографическими функциями, указанными в пункте 5.1.2.1, если оно соответствует любому из следующего: его криптографические функции недоступны пользователям; или
его криптографические функции доступны пользователям только при криптографической активации; и
2) в случае необходимости, как это определено уполномоченным органом страны-экспортера, детальная информация, касающаяся указанного оборудования, должна быть предоставлена по запросу уполномоченного органа для подтверждения соответствия оборудования изложенным выше условиям
 
 
Особые примечания:
1. В отношении оборудования, прошедшего криптографическую активацию, см. пункт 5.1.2.1.
2. См. также пункты 5.1.2.2, 5.4.2.4 и 5.5.2.2;
 
 
з) оборудованию мобильных сетей связи с радиодоступом (RAN), разработанному для гражданского применения, соответствующему условиям, указанным в пунктах 2 - 4 подпункта "а" криптографического примечания (пункт 3 примечаний) к части 2 категории 5, имеющему выходную радиочастотную мощность, ограниченную 0,1 Вт (20 дБм) или менее, и поддерживающему 16 параллельных пользователей или менее;
и) маршрутизаторам, коммутаторам или реле, обладающим средствами криптографической защиты, функционально ограниченным задачами эксплуатации, администрирования или технического обслуживания (ОАМ) и использующим только общедоступные или коммерческие криптографические стандарты; или
к) компьютерной технике общего назначения или серверам, обладающим средствами криптографической защиты и функционально ограниченным следующим:
1) использующим только коммерческие криптографические стандарты; и
2) соответствующим любому из следующего:
являющимся неотъемлемой частью центрального процессора (CPU), соответствующего условиям, указанным в пункте 3 примечаний к части 2 категории 5;
являющимся неотъемлемой частью операционной системы, не указанной в пункте 5.4.2; или
ограниченным выполнением функций технического обслуживания (ОАМ);";
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.2.1.2 - 5.1.2.1.8.
Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
 
Техническое примечание.
Квантовая криптография также известна как квантовое распределение ключей (КРК)
 
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
5.1.2.2.
Разработанные или модифицированные для достижения либо превышения посредством криптографической активации при выполнении функций, указанных в пункте 5.1.2.1, контролируемых уровней производительности, которые не могут быть достигнуты либо превышены иным способом;
(п. 5.1.2.2 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
 
Особое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
5.1.2.3.
Разработанные или модифицированные для использования или выполнения квантовой криптографии
(п. 5.1.2.3 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Квантовая криптография также известна как квантовое распределение ключей (КРК);
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.2.4.
Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов генерирования каналообразующих кодов, кодов шифрования или кодов идентификации сети для систем, использующих технику сверхширокополосной модуляции, и имеющие любую из следующих характеристик:
а) ширину полосы частот, превышающую 500 МГц; или
б) относительную ширину полосы частот 20% или более;
(п. 5.1.2.4 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.2.5.
Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов генерации кода распределения частот для систем с расширенным спектром частот, не определенных в пункте 5.1.2.4, включающих код скачкообразной перестройки частоты для систем со скачкообразной перестройкой частоты
(п. 5.1.2.5 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Некриптографическая защита информации
 
(введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.3.
Системы, оборудование и компоненты для некриптографической защиты информации:
 
(п. 5.1.3 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.3.1.
Кабельные системы связи, разработанные или модифицированные для использования механических, электрических или электронных средств обнаружения несанкционированного доступа
(п. 5.1.3.1 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 5.1.3.1 применяется только к физическому уровню защиты;
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.3.2.
Специально разработанные или модифицированные для снижения утечки несущих информацию сигналов, кроме необходимых для защиты здоровья, безопасности или соблюдения установленных стандартов электромагнитной совместимости
(п. 5.1.3.2 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Взлом, снижение криптографической стойкости или обход средств защиты информации
 
(введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.4.
Системы, оборудование и компоненты для взлома, снижения криптографической стойкости или обхода средств защиты информации:
 
(п. 5.1.4 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.1.4.1.
Разработанные или модифицированные для выполнения криптоаналитических функций
(п. 5.1.4.1 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 5.1.4.1 включает в себя системы либо оборудование, разработанные или модифицированные для выполнения криптоаналитических функций, определяемых путем анализа содержания программного продукта
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Техническое примечание.
Криптоаналитические функции - это функции, разработанные для взлома криптографического механизма в целях извлечения конфиденциальных, переменных или чувствительных данных, включая нешифрованный текст, пароли или криптографические ключи;
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.2.2.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование (испытательное, контрольное и производственное оборудование (аппаратура), применяемое для защиты информации и определенное ниже)
 
5.2.2.1.
Оборудование, специально разработанное для разработки или производства оборудования (аппаратуры), определенного в пунктах 5.1.2, 5.1.3, 5.1.4 или 5.2.2.2
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
5.2.2.2.
Измерительное оборудование, специально разработанное для оценки и подтверждения функций защиты информации оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.2, 5.1.3 или 5.1.4, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.2.1 или 5.4.2.3
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
5.3.2.
Материалы - нет
 
5.4.2.
Программное обеспечение
 
5.4.2.1.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.2, 5.1.3 или 5.1.4, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.2.3
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.4.2.2.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, определенной в пункте 5.5.2
 
5.4.2.3.
Специальное программное обеспечение следующих видов:
 
5.4.2.3.1.
Программное обеспечение, имеющее характеристики, моделирующее или выполняющее функции оборудования (аппаратуры), определенного в пункте 5.1.2, 5.1.3 или 5.1.4;
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.4.2.3.2.
Программное обеспечение для сертификации программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.2.3.1
 
 
Примечание.
Пункт 5.4.2.3 не применяется к программному обеспечению, ограниченному задачами АЭТО, включающими только опубликованные или коммерческие криптографические стандарты;
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.4.2.4.
Программное обеспечение, разработанное или модифицированное для достижения или превышения товаром посредством криптографической активации контролируемых уровней производительности для функциональных возможностей, определенных в пункте 5.1.2.1, которые не могут быть получены иным способом
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
5.5.2.
Технология
 
5.5.2.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения оборудования (аппаратуры), определенного в пунктах 5.1.2, 5.1.3, 5.1.4 или 5.2.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 5.4.2.1 или 5.4.2.3
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
5.5.2.2.
Технологии для достижения или превышения товаром посредством криптографической активации контролируемых уровней производительности для функциональных возможностей, определенных в пункте 5.1.2.1, которые не могут быть получены иным способом
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 5.5.2 включает информацию о технических данных, функциях и свойствах продукции, определенной в части 2 категории 5
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
КАТЕГОРИЯ 6. ДАТЧИКИ И ЛАЗЕРЫ
6.1.
Системы, оборудование и компоненты
 
6.1.1.
Акустика (акустические системы, оборудование (аппаратура) и компоненты, определенные ниже)
 
6.1.1.1.
Морские акустические системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:
 
6.1.1.1.1.
Активные (передающие или приемо-передающие) системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:
 
6.1.1.1.1.1.
Оборудование для акустической съемки морского дна:
 
6.1.1.1.1.1.1.
Оборудование, разработанное для топографической (батиметрической) съемки морского дна с надводных судов и отвечающее всему следующему:
а) разработанное для измерений под углом более 20 градусов к вертикали;
б) разработанное для измерения рельефа поверхности дна на морских глубинах, превышающих 600 м;
в) имеющее разрешение промера менее 2; и
Техническое примечание.
Разрешение промера - отношение ширины полосы обзора [градусы] к максимальному числу промеров в полосе обзора
г) имеющее повышение точности определения глубины путем
комплексной компенсации всего следующего:
колебаний акустического датчика;
распространения сигнала в воде от датчика к морскому дну и обратно; и
скорости звука в месте расположения датчика
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Повышение точности включает возможность компенсации внешними средствами;
 
6.1.1.1.1.1.2.
Оборудование, разработанное для подводной топографической (батиметрической) съемки морского дна и имеющее любое из следующего:
Техническое примечание.
Уровень давления, показываемый акустическим датчиком, определяет глубину погружения оборудования, определенного в пункте 6.1.1.1.1.1.2
а) имеющее все следующее:
разработанное или модифицированное для эксплуатации на глубинах, превышающих 300 м; и
скорость промеров выше 3800 м/с; или
Техническое примечание.
Скорость промеров - произведение максимальной скорости [м/с], на которой датчик может работать, и максимального числа промеров в рабочей полосе при условии стопроцентного покрытия. Для систем, производящих промеры в двух направлениях (3D-сонары), должна использоваться максимальная скорость промеров в любом направлении;
б) не определенное в пункте 6.1.1.1.1.1.2 и имеющее все следующее:
разработанное или модифицированное для эксплуатации на глубинах, превышающих 100 м;
разработанное для измерения под углом более 20 град. к вертикали;
имеющее любое из следующего:
рабочую частоту ниже 350 кГц; или
разработанное для топографической (батиметрической) съемки морского дна в диапазоне, превышающем 200 м от акустического датчика; и
повышение точности определения глубины путем компенсации всего следующего:
колебаний акустического датчика;
распространения сигнала в воде от датчика к морскому дну и обратно; и
скорости звука в месте расположения датчика
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
6.1.1.1.1.1.3.
Гидролокаторы бокового обзора (ГБО) и гидролокаторы с синтезированной апертурой (ГСА), разработанные для визуального отображения рельефа морского дна и отвечающие всему следующему, а также специально разработанные передающие и принимающие решетки для них:
а) разработанные или модифицированные для эксплуатации на глубинах, превышающих 500 м;
б) имеющие скорость охвата площади выше 570 м2/с при эксплуатации на максимальной рабочей дальности с разрешением вдоль траектории движения менее 15 см; и
в) имеющие разрешение поперек траектории движения менее 15 см
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Технические примечания:
 
1. Скорость охвата площади [м2/с] - удвоенное произведение дальности гидролокации [м] на максимальную рабочую скорость гидролокатора [м/с] при такой дальности.
2. Разрешение вдоль траектории движения [см], применяемое только к ГБО, - произведение ширины азимутального (горизонтального) диапазона [градусы] на дальность гидролокации [м] и на 0,873.
3. Разрешение поперек траектории движения [см] - отношение 75 к ширине частотного диапазона сигнала [кГц];
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
6.1.1.1.1.2.
Системы или передающие и приемные антенные решетки, разработанные для обнаружения или определения местоположения, имеющие любую из следующих характеристик:
а) частоту передачи ниже 10 кГц;
б) уровень звукового давления выше 224 дБ (опорного давления 1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне от 10 кГц до 24 кГц включительно;
в) уровень звукового давления выше 235 дБ (опорного давления 1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне между 24 кГц и 30 кГц;
г) формирование лучей уже 1 градуса по любой оси и рабочую частоту ниже 100 кГц;
д) разработанные для абсолютно надежного обнаружения целей с дальностью более 5120 м с отображением их на дисплее; или
е) разработанные для выдерживания давления при нормальной эксплуатации на глубинах, превышающих 1000 м, и имеющие преобразователи с любым из следующего:
динамической компенсацией давления; или
содержащие преобразующие элементы, изготовленные не из титаната-цирконата свинца
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Особое примечание.
В отношении активных систем обнаружения или определения местоположения, указанных в пункте 6.1.1.1.1.2, см. также пункт 6.1.1.1.1.1 раздела 2 и пункт 6.1.1.1.1 раздела 3;
 
6.1.1.1.1.3.
Акустические излучатели (включая преобразователи), объединяющие пьезоэлектрические, магнитострикционные, электрострикционные, электродинамические или гидравлические элементы, функционирующие независимо или в комбинации, имеющие любую из следующих характеристик:
 
Примечания:
1. Контрольный статус акустических излучателей (включая преобразователи), специально разработанных для оборудования, не определенного в пункте 6.1.1, определяется контрольным статусом этого оборудования.
2. Пункт 6.1.1.1.1.3 не применяется к электронным источникам, распространяющим акустическое излучение только в вертикальной плоскости, механическим источникам (пневматическим или паровым) и химическим (взрывным) источникам.
3. Пьезоэлектрические элементы, указанные в пункте 6.1.1.1.1.3, в том числе пьезоэлектрические элементы, выполненные из магнониобата-титаната свинца (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, PMN-PT), выращенные из твердого раствора, или из индий-ниобата магнониобата-титаната свинца (Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, PIN-PMN-PT), выращенные из твердого раствора
 
 
а) работающие на частотах ниже 10 кГц и имеющие любое из следующего:
не предназначенные для непрерывной работы при стопроцентном нагрузочном цикле и имеющие уровень акустической мощности источника (SLRMS) в свободном звуковом поле, превышающий (10 Log(f) + 169,77) дБ (относительно 1 мкПа на расстоянии 1 м от источника излучения), где f - частота в герцах при максимальном коэффициенте передачи по напряжению (TVR) в частотном диапазоне ниже 10 кГц; или
предназначенные для непрерывной работы при стопроцентном нагрузочном цикле и имеющие источник с уровнем мощности непрерывного излучения (SLRMS) в свободном звуковом поле, превышающим (10 Log(f) + 159,77) дБ (относительно 1 мкПа на расстоянии 1 м от источника излучения), где f - частота в герцах (в частотном диапазоне ниже 10 кГц) при максимальном коэффициенте передачи по напряжению (TVR)
 
 
Особое примечание.
Для изделий, ранее определенных в подпункте "б" пункта 6.1.1.1.1.3, см. подпункт "а" пункта 6.1.1.1.1.3
 
 
Техническое примечание.
Уровень акустической мощности источника в свободном звуковом поле (SLRMS) определяется по максимуму излучения на акустической оси в дальнем поле акустического излучателя. Его величина может быть определена при известном TVR по формуле: SLRMS = (TVR + 20log VRMS) дБ (относительно 1 мкПа на расстоянии 1 м от источника излучения), где SLRMS - уровень акустической мощности источника излучения, TVR - коэффициент передачи по напряжению, а VRMS - напряжение запускающего сигнала акустического излучателя;
 
 
б) обеспечивающие подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 22 дБ;
 
(п. 6.1.1.1.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
6.1.1.1.1.4.
Акустические системы и оборудование, разработанные для определения положения надводных судов или подводных аппаратов и имеющие все нижеперечисленные характеристики, а также специально разработанные для них компоненты:
а) дальность обнаружения, превышающую 1000 м; и
б) среднеквадратичное значение величины определенного отклонения положения меньше (лучше) 10 м, измеренного на дальности (расстоянии) 1000 м
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 6.1.1.1.1.4 включает:
 
а) оборудование, использующее согласованную обработку сигналов между двумя или более буями и гидрофонным устройством на надводном судне или подводном аппарате;
б) оборудование, обладающее способностью автокоррекции накапливающейся погрешности скорости звука для вычислений местоположения;
6.1.1.1.1.5.
Активные индивидуальные гидролокационные системы, а также передающие и принимающие акустические решетки для них, специально разработанные или модифицированные для невоенного применения в целях обнаружения, определения местоположения и автоматической классификации пловцов или водолазов (аквалангистов) и имеющие все следующие характеристики:
а) дальность обнаружения более 530 м;
б) среднеквадратичное значение величины определенного отклонения положения меньше (лучше) 15 м, измеренного на дальности (расстоянии) 530 м; и
в) полосу пропускания передаваемого импульсного сигнала более 3 кГц
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Для целей пункта 6.1.1.1.1.5 при разнообразных дальностях обнаружения, определенных для различных внешних условий, используется наибольшая дальность обнаружения
 
 
Примечание.
Пункт 6.1.1.1.1 не применяется к следующему оборудованию:
 
а) эхолотам, работающим вертикально, не включающим функцию сканирования в диапазоне более

noname.png20 градусов и ограниченным измерением глубины воды, расстояния до погруженных в нее или затопленных объектов или промысловой разведкой;
б) следующим акустическим буям:
аварийным акустическим маякам;
акустическим буям с дистанционным управлением, специально разработанным для перемещения или возвращения в подводное положение;
6.1.1.1.2.
Пассивные системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты:
 
6.1.1.1.2.1.
Гидрофоны с любой из следующих характеристик:
 
а) включающие непрерывные гибкие чувствительные элементы;
б) включающие гибкие сборки дискретных чувствительных элементов с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм;
в) имеющие любые из следующих чувствительных элементов:
волоконно-оптические;
пьезоэлектрические из полимерных пленок, отличные от поливинилиденфторида (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDF-TFE)} ({поли(винилиденфторид-трифторэтилен) и поли(винилиденфторид-тетрафторэтилен)});
гибкие пьезоэлектрические
из композиционных материалов;
пьезоэлектрические монокристаллы из ниобата свинца-магния/титаната свинца (например, Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 или PMN-PT), выращенные из твердого раствора; или
пьезоэлектрические монокристаллы из ниобата свинца-индия/ниобата свинца-магния/титаната свинца (например, Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 или PIN-PMN-PT), выращенные из твердого раствора
Технические примечания:
 
1. Пьезоэлектрические чувствительные элементы из полимерной пленки состоят из поляризованной полимерной пленки, которая натянута на несущую конструкцию или катушку и прикреплена к ним.
2. Гибкие пьезоэлектрические чувствительные элементы из композиционных материалов содержат пьезоэлектрические керамические частицы или волокна, объединенные между собой электроизоляционной акустически прозрачной резиной, полимерным или эпоксидным связующим, которые являются неотъемлемой частью чувствительных элементов;
г) имеющие гидрофонную чувствительность лучше -180 дБ на любой глубине без компенсации ускорения
Техническое примечание.
Гидрофонная чувствительность определяется как 20-кратный десятичный логарифм отношения эффективного выходного напряжения к эффективной величине нормирующего напряжения 1 В, когда гидрофонный датчик без предусилителя помещен в акустическое поле плоской волны с эффективным давлением 1 мкПа. Например: гидрофон с -160 дБ (нормирующее напряжение 1 В на мкПа) даст выходное напряжение 10-8 В в таком поле, в то время как гидрофон с чувствительностью -180 дБ даст только 10-9 В на выходе. Таким образом, -160 дБ лучше, чем -180 дБ;
 
д) разработанные для эксплуатации на глубинах, превышающих 35 м, с компенсацией ускорения; или
е) разработанные для эксплуатации на глубинах, превышающих 1000 м
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Контрольный статус гидрофонов, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого оборудования
 
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Гидрофоны состоят из одного или более чувствительных элементов, формирующих один акустический выходной канал.
Гидрофоны, которые включают множество элементов, могут называться гидрофонной группой;
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
6.1.1.1.2.2.
Буксируемые акустические гидрофонные решетки, имеющие любое из следующего:
а) гидрофонные группы, расположенные с шагом менее 12,5 м или имеющие возможность модификации для расположения гидрофонных групп с шагом менее 12,5 м;
б) разработанные или имеющие возможность модификации для работы на глубинах, превышающих 35 м
Техническое примечание.
Возможность модификации, указанная в подпунктах "а" и "б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает наличие резерва, позволяющего изменять схему соединений или внутренних связей для усовершенствования гидрофонной группы по ее размещению или изменению пределов рабочей глубины. Таким резервом является возможность монтажа: запасных проводников в количестве, превышающем 10% от числа рабочих проводников связи; блоков настройки конфигурации гидрофонной группы или внутренних устройств, ограничивающих глубину погружения, что обеспечивает регулировку или контроль более чем одной гидрофонной группы;
в) датчики направленного действия, определенные в пункте 6.1.1.1.2.4;
г) продольно армированные рукава решетки;
д) собранные решетки диаметром менее 40 мм; или
е) гидрофоны с характеристиками, определенными в пункте 6.1.1.1.2.1; или
ж) гидроакустические датчики на основе акселерометров, определенные в пункте 6.1.1.1.2.7
(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Техническое примечание.
Гидрофонные решетки состоят из нескольких гидрофонов, формирующих многочисленные акустические выходные каналы;
 
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
6.1.1.1.2.3.
Аппаратура обработки данных, специально разработанная для применения в буксируемых акустических гидрофонных решетках, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований или процессов;
6.1.1.1.2.4.
Датчики направленного действия, имеющие все следующие характеристики:
а) точность лучше 0,5 градуса; и
б) разработанные для работы на глубинах, превышающих 35 м, либо имеющие регулируемое или сменное чувствительное устройство измерения глубины, разработанное для работы на глубинах, превышающих 35 м;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
6.1.1.1.2.5.
Донные или погруженные кабельные гидрофонные решетки, имеющие любую из следующих составляющих:
а) объединяющие гидрофоны, определенные в пункте 6.1.1.1.2.1;
б) объединяющие сигнальные модули многоэлементной гидрофонной группы, имеющие все следующие характеристики:
разработанные для работы на глубинах, превышающих 35 м, либо обладающие регулируемым или сменным чувствительным устройством измерения глубины для работы на глубинах, превышающих 35 м; и
обладающие возможностью оперативного взаимодействия с модулями буксируемых акустических гидрофонных решеток; или
в) объединяющие гидроакустические датчики на основе акселерометров, определенные в пункте 6.1.1.1.2.7;
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
6.1.1.1.2.6.
Аппаратура обработки данных, специально разработанная для донных или погруженных кабельных систем, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований либо процессов
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 6.1.1.1.2 также применяется к приемному оборудованию и специально разработанным для него компонентам, независимо от того, относится ли оно при штатном применении к самостоятельному активному оборудованию или нет
 
 
Особое примечание.
В отношении пассивных систем, оборудования и специальных компонентов, указанных в пунктах 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6, см. также пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6 раздела 2 и пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.5 раздела 3
 
6.1.1.1.2.7.
Гидроакустические датчики на основе акселерометров, имеющие все следующее:
а) состоящие из трех акселерометров, расположенных вдоль отдельных осей;
б) имеющие предельную чувствительность к ускорению лучше 48 дБ (эффективная величина нормирующего напряжения 1000 мВ на 1 g);
в) разработанные для работы на глубинах более 35 метров; и
г) рабочую частоту ниже 20 кГц
(п. 6.1.1.1.2.7 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Примечание.
Пункт 6.1.1.1.2.7 не применяется к датчикам скорости частиц или геофонам (сейсмографам)
 
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
 
Технические примечания:
 
1. Гидроакустическими датчиками на основе акселерометров также называются векторные датчики.
2. Чувствительность к ускорению определяется как 20-кратный десятичный логарифм отношения среднеквадратического выходного напряжения датчика к среднеквадратическому единичному (1 вольт) эталонному напряжению при условии, когда гидроакустический датчик без предварительного усилителя помещен в плоскость волны акустического поля со среднеквадратическим ускорением, равным 1 g (то есть 9,81 м/с2)
(технические примечания введены Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
6.1.1.2.
Аппаратура гидролокационного корреляционного и доплеровского лагов, разработанная для измерения горизонтальной составляющей скорости носителя аппаратуры относительно морского дна:
 
6.1.1.2.1.
Аппаратура гидролокационного корреляционного лага, имеющая любую из следующих характеристик:
а) разработанная для эксплуатации на расстоянии между ее носителем и дном моря более 500 м; или
б) имеющая точность определения скорости лучше (меньше) 1%;
6.1.1.2.2.
Аппаратура гидролокационного доплеровского лага, имеющая точность определения скорости лучше (меньше) 1%
 
Примечания:
 
1. Пункт 6.1.1.2 не применяется к эхолотам, ограниченным любым из следующего:
а) измерением глубины;
б) измерением расстояния от погруженных под воду или затопленных объектов; или
в) промысловой разведкой.
2. Пункт 6.1.1.2 не применяется к аппаратуре, специально разработанной для установки на надводные суда
 
Особое примечание.
Для акустических систем отпугивания водолазов (аквалангистов) см. пункт 8.1.2.6
 
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
6.1.2.
Оптические датчики, приборы и компоненты для них
 
6.1.2.1.
Приемники оптического излучения:
 
6.1.2.1.1.
Следующие твердотельные приемники оптического излучения, пригодные для применения в космосе:
 
 
Примечание.
Для целей пункта 6.1.2.1.1 твердотельные приемники оптического излучения включают фокальные матричные приемники
 
6.1.2.1.1.1.
Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие все следующие характеристики:
а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм; и
б) чувствительность менее 0,1% относительно максимального значения для длин волн, превышающих 400 нм;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
6.1.2.1.1.2.
Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие все следующие характеристики:
а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 900 нм до 1200 нм; и
б) постоянную времени отклика приемника 95 нс или менее
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Особое примечание.
В отношении твердотельных приемников оптического излучения, указанных в пунктах 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2, см. также пункты 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2 раздела 2;
 
6.1.2.1.1.3.
Твердотельные приемники оптического излучения, имеющие максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Особое примечание.
В отношении твердотельных приемников оптического излучения, указанных в пункте 6.1.2.1.1.3, см. также пункт 6.1.2.1.1.3 раздела 2 и пункт 6.1.2.1 раздела 3;
 
6.1.2.1.1.4.
Фокальные матричные приемники, пригодные для применения в космосе, имеющие в матрице более 2048 элементов и максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Особое примечание.
В отношении фокальных матричных приемников, указанных в пункте 6.1.2.1.1.4, см. также пункт 6.1.2.1.1.4 раздела 2;
 
6.1.2.1.2.
Следующие электронно-оптические преобразователи (ЭОП) и специально разработанные для них компоненты:
 
 
Примечание.
Пункт 6.1.2.1.2 не применяется к фотоэлектронным умножителям (ФЭУ) без формирования изображений, имеющим электронно-чувствительное устройство в вакууме, ограниченным исключительно любым из следующего:
 
а) единственным металлическим анодом; или
б) металлическими анодами с межцентровым расстоянием более 500 мкм
 
Техническое примечание.
"Зарядовое умножение" является формой электронного усиления изображения и характеризуется созданием носителей зарядов в результате процесса ударной ионизации. Приемниками оптического излучения с зарядовым умножением могут быть электронно-оптические преобразователи, твердотельные приемники оптического излучения или фокальные матричные приемники
 
6.1.2.1.2.1.
Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное:
а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм;
б) электронное усиление изображения, использующее любое из следующего:
микроканальную пластину с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее; или
электронный чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине; и
в) любые из следующих фотокатодов:
многощелочные фотокатоды (например, S-20, S-25) с интегральной чувствительностью более 350 мкА/лм;
GaAs или GaInAs фотокатоды; или
другие полупроводниковые фотокатоды на основе соединений III - V с максимальной спектральной чувствительностью более 10 мА/Вт;
6.1.2.1.2.2.
Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное:
а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800 нм;
б) электронное усиление изображения, использующее любое из следующего:
микроканальную пластину с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее; или
электронный чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине; и
в) полупроводниковые фотокатоды на основе соединений III - V (например, GaAs или GaInAs) и фотокатоды на эффекте переноса электронов с максимальной спектральной чувствительностью более 15 мА/Вт
 
Особое примечание.
В отношении электронно-оптических преобразователей, указанных в пунктах 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2, см. также пункты 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2 раздела 2;
 
6.1.2.1.2.3.
Нижеперечисленные специально разработанные компоненты:
 
6.1.2.1.2.3.1.
Микроканальные пластины с расстоянием между центрами каналов (межцентровым расстоянием) 12 мкм или менее;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
6.1.2.1.2.3.2.
Электронный чувствительный элемент с шагом небинированных пикселей 500 мкм или менее, специально разработанный или модифицированный для достижения зарядового умножения иначе, чем в микроканальной пластине;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
6.1.2.1.2.3.3.
Полупроводниковые фотокатоды на соединениях III - V (например, GaAs или GaInAs) и фотокатоды на эффекте переноса электронов
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 6.1.2.1.2.3.3 не применяется к полупроводниковым фотокатодам, разработанным для достижения любого из нижеприведенных значений максимальной спектральной чувствительности:
 
а) 10 мА/Вт или менее при максимуме спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм; или
б) 15 мА/Вт или менее при максимуме спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800 нм;
6.1.2.1.3.
Следующие фокальные матричные приемники, непригодные для применения в космосе:
 
 
Техническое примечание.
Линейные или двухмерные многоэлементные матричные приемники оптического излучения называются фокальными матричными приемниками
 
6.1.2.1.3.1.
Фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное:
а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 900 нм до
1050 нм; и
б) любую из следующих характеристик:
постоянную времени отклика приемника менее 0,5 нс; или
являющиеся специально разработанными или модифицированными для достижения зарядового умножения и имеющие максимальную спектральную чувствительность, превышающую 10 мА/Вт;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
6.1.2.1.3.2.
Фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное:
а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200 нм; и
б) любую из следующих характеристик:
постоянную времени отклика приемника 95 нс или менее; или
являющиеся специально разработанными или модифицированными для достижения зарядового умножения и имеющие максимальную спектральную чувствительность, превышающую 10 мА/Вт;
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
6.1.2.1.3.3.
Нелинейные (двухмерные) фокальные матричные приемники, имеющие отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм
(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
 
Особое примечание.
Микроболометрические фокальные матричные приемники, непригодные для применения в космосе, на основе кремния и другого материала определяются только по пункту 6.1.2.1.3.6;
 
6.1.2.1.3.4.
Линейные (одномерные) фокальные матричные приемники, имеющие все нижеперечисленное:
а) отдельные элементы с максимумом спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 3000 нм; и
б) любую из следующих характеристик:
отношение размера элемента приемника в направлении сканирования к размеру элемента приемника в направлении поперек сканирования менее 3,8; или
обработку сигналов в элементе приемника
Техническое примечание.
Для целей подпункта "б" пункта 6.1.2.1.3.4 "направление поперек сканирования" определяется как направление вдоль оси, параллельной линейке элементов приемника, а "направление сканирования" определяется как направление вдоль оси, перпендикулярной линейке элементов приемника
(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)
 
Примечание.
Пункт 6.1.2.1.3.4 не применяется к фокальным матричным приемникам на основе германия, содержащим не более 32 детекторных элементов;
 
6.1.2.1.3.5.
Линейные (одномерные) фокальные матричные приемники, имеющие